本發(fā)明涉及能夠?qū)Π鍫畹谋患庸の镞M(jìn)行加工的等離子體蝕刻裝置。

背景技術(shù)：

在由移動(dòng)電話(huà)和個(gè)人計(jì)算機(jī)代表的電子設(shè)備中，具有電子回路的器件芯片是必需的構(gòu)成要素。如下制造器件芯片，例如利用多條分割預(yù)定線(分割線)劃分由硅等的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的晶片的表面，在各區(qū)域形成電子回路，然后沿該分割線分割晶片而成。

近些年來(lái)，以器件芯片的小型化、輕量化等為目的，將形成電子回路后的晶片通過(guò)磨削等的方法加工得較薄的機(jī)會(huì)增多。然而，如果通過(guò)磨削將晶片變薄，則該磨削導(dǎo)致的變形(磨削變形)會(huì)殘存于被磨削面，器件芯片的抗折強(qiáng)度會(huì)降低。于是，在對(duì)晶片進(jìn)行磨削后，通過(guò)等離子體蝕刻等的方法去除磨削變形(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2000-353676號(hào)公報(bào)

用于上述磨削變形的去除的等離子體蝕刻裝置通常具有在內(nèi)部配置彼此平行的一對(duì)平板狀電極的真空腔。例如，在電極間配置了晶片的狀態(tài)下對(duì)真空腔內(nèi)減壓，在供給作為原料的氣體的同時(shí)對(duì)電極施加高頻電壓，從而產(chǎn)生等離子體而能夠?qū)M(jìn)行加工。

然而，在該等離子體蝕刻裝置中，所產(chǎn)生的等離子體作用于晶片的整個(gè)表面上，因此這種狀態(tài)下無(wú)法對(duì)晶片的一部分選擇性加工。因此，例如在僅對(duì)殘存磨削變形的部分選擇加工等的情況下，就必須形成用于保護(hù)其他部分的掩模。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明就是鑒于上述問(wèn)題而完成的，其目的在于提供一種能夠?qū)Ρ患庸の锏囊徊糠诌x擇性進(jìn)行加工的等離子體蝕刻裝置。

本發(fā)明提供一種等離子體蝕刻裝置，其特征在于，具有：真空腔；能夠旋轉(zhuǎn)的靜電卡盤(pán)臺(tái)，其在該真空腔內(nèi)保持被加工物；噴嘴，其向保持于該靜電卡盤(pán)臺(tái)上的該被加工物的一部分供給等離子體蝕刻氣體；噴嘴擺動(dòng)單元，其使該噴嘴在該靜電卡盤(pán)臺(tái)的對(duì)應(yīng)于中心的區(qū)域與對(duì)應(yīng)于外周的區(qū)域之間以描繪水平圓弧狀的軌跡的方式進(jìn)行擺動(dòng)；以及控制單元，其分別控制該靜電卡盤(pán)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)量和該噴嘴的位置，在與保持于該靜電卡盤(pán)臺(tái)上的該被加工物的任意的一部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域定位該噴嘴。

本發(fā)明優(yōu)選向所述真空腔內(nèi)供給內(nèi)部氣體。

此外，本發(fā)明優(yōu)選所述噴嘴具有：噴出所述等離子體蝕刻氣體的噴出口；以及形成于該噴出口的周?chē)懦鲈摰入x子體蝕刻氣體的排出口。

此外，本發(fā)明優(yōu)選所述噴嘴噴出基團(tuán)化或離子化的所述等離子體蝕刻氣體。

發(fā)明的效果

本發(fā)明的等離子體蝕刻裝置具有：噴嘴，其向保持于靜電卡盤(pán)臺(tái)上的被加工物的一部分供給等離子體蝕刻氣體；噴嘴擺動(dòng)單元，其使噴嘴在靜電卡盤(pán)臺(tái)的對(duì)應(yīng)于中心的區(qū)域與對(duì)應(yīng)于外周的區(qū)域之間以描繪水平圓弧狀的軌跡的方式進(jìn)行擺動(dòng)；以及控制單元，其分別控制靜電卡盤(pán)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)量和噴嘴的位置，在與保持于靜電卡盤(pán)臺(tái)上的被加工物的任意的一部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域定位噴嘴，因此能夠向被加工物的任意的一部分供給等離子體蝕刻氣體。即，本發(fā)明可提供一種能夠?qū)Ρ患庸の锏囊徊糠诌x擇性進(jìn)行加工的等離子體蝕刻裝置。

附圖說(shuō)明

圖1是示意性表示等離子體蝕刻裝置的結(jié)構(gòu)例的圖。

圖2是示意性表示等離子體蝕刻裝置的結(jié)構(gòu)例的分解立體圖。

圖3的(A)是示意性表示對(duì)噴嘴組件的位置進(jìn)行控制的狀況的俯視圖，圖3的(B)是示意性表示對(duì)靜電卡盤(pán)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)量進(jìn)行控制的狀況的俯視圖。

圖4是示意性表示利用從噴嘴組件供給的等離子體對(duì)被加工物進(jìn)行加工的狀況的局部剖面?zhèn)纫晥D。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

2：等離子體蝕刻裝置，4：真空腔，6：主體，6a：側(cè)壁，6b：開(kāi)口部，6c：底壁，8：蓋，10：閘門(mén)，12：開(kāi)閉組件，14：配管，16：排氣泵，18：臺(tái)座，18a：吸引路，18b：冷卻流路，20：保持部，22：軸部，24：支承組件，26：固定部件，28：旋轉(zhuǎn)部件，30：徑向軸承，32：唇封，34：靜電卡盤(pán)臺(tái)，36：主體，36a：吸引路，38：電極，40：直流電源，42：吸引泵，44：循環(huán)組件，46：旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件，48：控制組件(控制單元)，50：噴嘴組件(噴嘴)，52：第1噴嘴，52a：噴出口，54a、54b、54c、58a、58b、58c：閥，56a、56b、56c：流量控制器，60a：第1氣體供給源，60b：第2氣體供給源，60c：第3氣體供給源，62：電極，64：高頻電源，66：第2噴嘴，66a：排出口，68：排氣組件，70：排氣泵，72：支承組件，74：固定部件，76：旋轉(zhuǎn)部件，78：徑向軸承，80：唇封，82：滑輪部件，84：帶，86：旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件(噴嘴擺動(dòng)單元)，88：控制組件(控制單元)，90：配管，11：被加工物，A：中心，B：軌跡，C：等離子體(等離子體蝕刻氣體)，D：內(nèi)部氣體。

具體實(shí)施方式

參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1是示意性表示本實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置的結(jié)構(gòu)例的圖，圖2是示意性表示等離子體蝕刻裝置的結(jié)構(gòu)例的分解立體圖。另外，為了便于說(shuō)明，圖2中省略了構(gòu)成要素的一部分。

如圖1和圖2所示，本實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置2具有形成處理空間的真空腔4。真空腔4由箱狀的主體6和封閉主體6的上部的蓋8構(gòu)成。在主體6的側(cè)壁6a的一部分形成有用于搬入搬出板狀的被加工物11(參照?qǐng)D4)的開(kāi)口部6b。

被加工物11代表的是由硅等的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的圓盤(pán)狀的晶片。該被加工物11的表面例如被排列為格子狀的分割預(yù)定線(分割線)劃分為多個(gè)區(qū)域，在各區(qū)域形成有被稱(chēng)作IC、LSI等的電子回路。

另外，在本實(shí)施方式中，將由硅等的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的圓盤(pán)狀的晶片作為被加工物11，然而關(guān)于被加工物11的材質(zhì)、形狀等不做限制。例如，還可以將由陶瓷、樹(shù)脂、金屬等的材料構(gòu)成的基板用作被加工物11。

在側(cè)壁6a的外側(cè)配置有關(guān)閉開(kāi)口部6b的閘門(mén)10。在閘門(mén)10的下方設(shè)置有由汽缸等構(gòu)成的開(kāi)閉組件12，閘門(mén)10利用該開(kāi)閉組件12而上下移動(dòng)。如果利用開(kāi)閉組 件12使閘門(mén)10向下方移動(dòng)，使開(kāi)口部6b露出，則能夠通過(guò)開(kāi)口部6b將被加工物11搬入處理空間或?qū)⒈患庸の?1從處理空間中搬出。

在主體6的底壁6c通過(guò)配管14等而連接排氣泵16。在對(duì)被加工物11進(jìn)行加工時(shí)，利用開(kāi)閉組件12使閘門(mén)10向上方移動(dòng)而關(guān)閉開(kāi)口部6b，此后，通過(guò)排氣泵16對(duì)處理空間進(jìn)行排氣、減壓。

在處理空間內(nèi)配置有用于支承被加工物11的臺(tái)座18。臺(tái)座18由圓盤(pán)狀的保持部20、以及從保持部20的下表面中央向下方延伸的柱狀的軸部22構(gòu)成。

在底壁6c的中央部設(shè)置有以能夠旋轉(zhuǎn)的方式支承臺(tái)座18的軸部22的支承組件24。支承組件24包括固定于底壁6c的中央部的圓筒狀的固定部件26。在固定部件26的內(nèi)側(cè)配置有固定于軸部22的圓筒狀的旋轉(zhuǎn)部件28。

旋轉(zhuǎn)部件28通過(guò)徑向軸承30而與固定部件26連結(jié)。在徑向軸承28的處理空間側(cè)設(shè)置有環(huán)狀的唇封32。作為唇封32，例如可使用圣戈班(Saint-Goban)公司的Omniseal(注冊(cè)商標(biāo))等。通過(guò)該唇封32，能夠在維持處理空間的氣密性的同時(shí)使臺(tái)座18進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。

在保持部20的上表面設(shè)置有圓盤(pán)狀的靜電卡盤(pán)臺(tái)34。靜電卡盤(pán)臺(tái)34具有由絕緣材料形成的主體36和嵌入于主體36的多個(gè)電極38，通過(guò)在電極38間發(fā)生的靜電氣吸附、保持被加工物11。各電極38與例如能夠產(chǎn)生5kV左右的高電壓的直流電源40連接。

此外，在靜電卡盤(pán)臺(tái)34的主體36形成有用于吸引被加工物11的吸引路36a。該吸引路36a通過(guò)形成于臺(tái)座18的內(nèi)部的吸引路18a等而與吸引泵42連接。

在通過(guò)靜電卡盤(pán)臺(tái)34保持被加工物11時(shí)，首先，在靜電卡盤(pán)臺(tái)34的上表面放置被加工物11并使吸引泵42進(jìn)行動(dòng)作。由此，被加工物11利用吸引泵42的吸引力而緊密貼合于靜電卡盤(pán)臺(tái)34的上表面。在這種狀態(tài)下，如果在電極38間產(chǎn)生了電位差，則能夠利用靜電氣吸附、保持被加工物11。

此外，在臺(tái)座18的內(nèi)部形成有冷卻流路18b。冷卻流路18b的兩端與使制冷劑循環(huán)的循環(huán)組件44連接。在使循環(huán)組件44進(jìn)行動(dòng)作時(shí)，制冷劑從冷卻流路18b的一端向另一端流動(dòng)，對(duì)臺(tái)座18等進(jìn)行冷卻。

在軸部22的下端連結(jié)有馬達(dá)等的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件46。臺(tái)座18和靜電卡盤(pán)臺(tái)34利用該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件46的旋轉(zhuǎn)力而進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。在旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件46連接有控制組件(控 制單元)48，通過(guò)該控制組件48對(duì)臺(tái)座18和靜電卡盤(pán)臺(tái)34的旋轉(zhuǎn)量(旋轉(zhuǎn)角度)進(jìn)行控制。

在靜電卡盤(pán)臺(tái)34的上方配置有向被加工物11供給等離子體(等離子體蝕刻氣體)的噴嘴組件(噴嘴)50。噴嘴組件50具有噴射等離子體的圓筒狀的第1噴嘴52。

在第1噴嘴52的上游端并排連接有多個(gè)氣體供給源。具體而言，例如，通過(guò)閥54a、流量控制器56a、閥58a等，連接有供給SF₆的第1氣體供給源60a，并且通過(guò)閥54b、流量控制器56b、閥58b等，連接有供給O₂的第2氣體供給源60b，并且通過(guò)閥54c、流量控制器56c、閥58c等，連接有供給惰性氣體的第3氣體供給源60c。

由此，能夠?qū)⒂啥鄠€(gè)氣體以期望的流量比混合而成的混合氣體提供給第1噴嘴52。在第1噴嘴52的中游部配置有等離子體生成用的電極62。此外，在該電極62連接有高頻電源64。高頻電源64對(duì)電極62供給例如0.5kV～5kV、450kHz～2.45GHz左右的高頻電壓。

如果在供給作為等離子體的原料的混合氣體的同時(shí)，對(duì)電極62供給高頻電壓，則使混合氣體實(shí)現(xiàn)基團(tuán)化或離子化，能夠在第1噴嘴52的內(nèi)部生成等離子體。所生成的等離子體從形成于第1噴嘴52的下游端的噴出口52a噴出。另外，氣體供給源的數(shù)量和氣體的種類(lèi)可根據(jù)被加工物11的種類(lèi)等而任意變更。此外，各氣體的流量比在能夠生成等離子體的范圍內(nèi)適當(dāng)設(shè)定。

以包圍第1噴嘴52的下游側(cè)的方式配置有直徑大于第1噴嘴52的直徑的圓筒狀的第2噴嘴66。在第2噴嘴66的上游側(cè)通過(guò)內(nèi)部具有排氣流路的排氣組件68而與排氣泵70連接。另一方面，第2噴嘴66的下游端位于比第1噴嘴52的噴出口52a靠下方的位置，從而成為將從噴出口52a噴出的等離子體等排出到外部的排出口66a。

在蓋8上設(shè)置有對(duì)包括第1噴嘴52和第2噴嘴66的噴嘴組件50進(jìn)行支承的支承組件72。支承組件72包括固定于蓋8上的圓筒狀的固定部件74。在固定部件74的內(nèi)側(cè)配置有固定噴嘴組件50的圓柱狀的旋轉(zhuǎn)部件76。

旋轉(zhuǎn)部件76通過(guò)徑向軸承78而與固定部件74連結(jié)。在徑向軸承78的處理空間側(cè)設(shè)置有與唇封32同樣構(gòu)成的環(huán)狀的唇封80。使用該唇封80，能夠在維持處理空間的氣密性的同時(shí)使旋轉(zhuǎn)部件76旋轉(zhuǎn)。

在旋轉(zhuǎn)部件76的上部固定有圓盤(pán)狀的滑輪部件82。滑輪部件82隔著帶84而與馬達(dá)等的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件(噴嘴擺動(dòng)單元)86連結(jié)。旋轉(zhuǎn)部件76利用經(jīng)由滑輪部件82 和帶84傳遞來(lái)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件86的旋轉(zhuǎn)力而旋轉(zhuǎn)。

在旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件86連接有控制組件(控制單元)88，利用控制組件88對(duì)旋轉(zhuǎn)部件76的旋轉(zhuǎn)量(旋轉(zhuǎn)角度)進(jìn)行控制。利用控制組件88對(duì)旋轉(zhuǎn)部件76的旋轉(zhuǎn)量進(jìn)行控制，從而能夠使噴嘴組件50擺動(dòng)以描繪水平圓弧狀的軌跡。

因而，通過(guò)上述的控制組件48對(duì)靜電卡盤(pán)臺(tái)34的旋轉(zhuǎn)量進(jìn)行控制，并通過(guò)控制組件88對(duì)噴嘴組件50的位置進(jìn)行控制，從而能夠自由調(diào)整被加工物11與噴嘴組件50的位置關(guān)系。另外，在本實(shí)施方式中，利用不同的控制組件48和控制組件88對(duì)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件46和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件86進(jìn)行控制，也可以利用相同的控制組件(控制單元)對(duì)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件46和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件86進(jìn)行控制。

在主體6的側(cè)壁6a的另一部分設(shè)置有配管90。該配管90通過(guò)閥(未圖示)、流量控制器(未圖示)等，與第3氣體供給源60c連接。通過(guò)配管90而從第3氣體供給源60c供給的惰性氣體成為在真空腔4的處理空間內(nèi)充滿(mǎn)的內(nèi)部氣體。

下面對(duì)使用上述等離子體蝕刻裝置2對(duì)被加工物11加工時(shí)的步驟的示例進(jìn)行說(shuō)明。首先，利用開(kāi)閉組件12使閘門(mén)10下降。接著，通過(guò)開(kāi)口部6b將被加工物11搬入真空腔4的處理空間，以使得通過(guò)等離子體蝕刻加工的被加工面?zhèn)仍谏戏铰冻龅姆绞綄⒈患庸の?1放置于靜電卡盤(pán)臺(tái)34的上表面。

此后，使吸引泵42進(jìn)行動(dòng)作，使被加工物11緊密貼合于靜電卡盤(pán)臺(tái)34。并且，在電極38間產(chǎn)生電位差，利用靜電氣吸附、保持被加工物11。此外，利用開(kāi)閉組件12使閘門(mén)10上升而關(guān)閉開(kāi)口部6b，利用排氣泵16對(duì)處理空間排氣、減壓。

例如，在將處理空間減壓至200Pa左右后，通過(guò)配管90而將從第3氣體供給源60c供給的惰性氣體充滿(mǎn)處理空間內(nèi)。另外，作為在處理空間內(nèi)充滿(mǎn)的內(nèi)部氣體，可使用Ar、He等的稀有氣體或在稀有氣體中混合了N2、H2等而成的混合氣體等。此外，對(duì)靜電卡盤(pán)臺(tái)34的旋轉(zhuǎn)量和噴嘴組件50的位置進(jìn)行控制，以調(diào)整被加工物11和噴嘴組件50的位置關(guān)系。

圖3的(A)是示意性表示對(duì)噴嘴組件50的位置進(jìn)行控制的狀況的俯視圖，圖3的(B)是示意性表示對(duì)靜電卡盤(pán)臺(tái)34的旋轉(zhuǎn)量進(jìn)行控制的狀況的俯視圖。另外，圖3的(A)和圖3的(B)中，一并示出了靜電卡盤(pán)臺(tái)34的旋轉(zhuǎn)的中心A和噴嘴組件50的軌跡B。

如圖3的(A)和圖3的(B)所示，噴嘴組件50在靜電卡盤(pán)臺(tái)34的對(duì)應(yīng)于中 心A的區(qū)域與對(duì)應(yīng)于外周的區(qū)域之間，以描繪水平圓弧狀的軌跡的方式進(jìn)行擺動(dòng)。即，能夠使噴嘴組件50向靜電卡盤(pán)臺(tái)34的徑方向的任意位置移動(dòng)。

因此，如圖3的(A)所示，利用控制組件88對(duì)噴嘴組件50的位置進(jìn)行調(diào)整，并如圖3的(B)所示，利用控制組件48對(duì)靜電卡盤(pán)臺(tái)34的旋轉(zhuǎn)量進(jìn)行調(diào)整，則能夠使噴嘴組件50對(duì)準(zhǔn)與在靜電卡盤(pán)臺(tái)34上保持的被加工物11的任意的一部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域。

圖4是示意性表示利用從噴嘴組件50供給的等離子體對(duì)被加工物11加工的狀況的局部剖面?zhèn)纫晥D。如圖4所示，在將噴嘴組件50對(duì)準(zhǔn)與被加工物11的任意的一部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域后，從第1氣體供給源60a、第2氣體供給源60b、第3氣體供給源60c能夠分別以任意流量供給SF₆、O₂、惰性氣體。

此外，對(duì)電極62供給高頻電壓，使SF₆、O₂、惰性氣體的混合氣體基團(tuán)化或離子化。由此，從第1噴嘴52的噴出口52a噴出等離子體(等離子體蝕刻氣體)C，能夠?qū)ο路降谋患庸の?1進(jìn)行加工。從噴出口52a噴出的等離子體C通過(guò)排出口66a而被排氣泵70吸引，從而排出到處理空間的外部。

如圖4所示，位于噴嘴組件50的下端的排出口66a與被加工物11的被加工面之間的距離變得足夠小。具體而言，例如為0.1mm～10mm，優(yōu)選為1mm～2mm。此外，噴嘴組件50的外側(cè)的區(qū)域被內(nèi)部氣體D(惰性氣體)充滿(mǎn)。

因此，從噴出口52a噴出的等離子體C會(huì)漏出到噴嘴組件50的外部，不會(huì)對(duì)被加工物11的非意愿部分進(jìn)行加工。即，能夠?qū)Ρ患庸の?1的任意的一部分供給等離子體C以選擇性進(jìn)行加工。

此外，在本實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置2中，將2種旋轉(zhuǎn)動(dòng)作組合起來(lái)對(duì)靜電卡盤(pán)臺(tái)34與噴嘴組件50之間的位置關(guān)系進(jìn)行控制。因此，相比于例如通過(guò)直線動(dòng)作對(duì)靜電卡盤(pán)臺(tái)34與噴嘴組件50之間的位置關(guān)系進(jìn)行控制的情況，易于維持處理空間的氣密性。即，在適當(dāng)?shù)鼐S持處理空間的氣密性的同時(shí)，能夠調(diào)整被加工物11與噴嘴組件50之間的位置關(guān)系。

如上所述，本實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置2具有：噴嘴組件(噴嘴)50，其向保持于靜電卡盤(pán)臺(tái)34上的被加工物11的一部分供給等離子體(等離子體蝕刻氣體)C；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件(噴嘴擺動(dòng)單元)86，其使噴嘴組件50在靜電卡盤(pán)臺(tái)34的對(duì)應(yīng)于中心A的區(qū)域與對(duì)應(yīng)于外周的區(qū)域之間以描繪水平圓弧狀的軌跡B的方式進(jìn)行擺動(dòng)； 以及控制組件(控制單元)48、88，它們分別控制靜電卡盤(pán)臺(tái)34的旋轉(zhuǎn)量和噴嘴組件50的位置，在與保持于靜電卡盤(pán)臺(tái)34上的被加工物11的任意的一部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域定位噴嘴組件50，因此能夠?qū)Ρ患庸の?1的任意的一部分供給等離子體C進(jìn)行加工。

另外，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式的內(nèi)容，可以進(jìn)行各種變更并實(shí)施。例如，在上述實(shí)施方式中，使用滑輪部件82、帶84、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件(噴嘴擺動(dòng)單元)86等以使噴嘴組件(噴嘴)50擺動(dòng)，然而用于使噴嘴組件50擺動(dòng)的機(jī)構(gòu)(噴嘴擺動(dòng)單元)不限于上述內(nèi)容。

此外，在上述實(shí)施方式中，通過(guò)配管90而從第3氣體供給源60c向真空腔4的處理空間內(nèi)供給內(nèi)部氣體(惰性氣體)，也可以從第3氣體供給源60c起通過(guò)第1噴嘴52供給內(nèi)部氣體。

此外，上述實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)、方法等可以在不脫離本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)適當(dāng)變更并實(shí)施。