技術特征：

技術總結
本發(fā)明揭示了一種微電子結構及其形成方法。該微電子結構的形成方法，包括在一襯底上形成多個摻雜區(qū)域，并選擇性地在摻雜區(qū)域上形成一石墨烯層。此石墨烯層包括至少一層石墨烯結構，且具有大于300meV的能隙。由此獲得的微電子結構應用高能隙的石墨烯材料，可提升其電子特性。

技術研發(fā)人員：肖德元;張汝京
受保護的技術使用者：上海新昇半導體科技有限公司
技術研發(fā)日：2016.05.05
技術公布日：2017.11.14