技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法與含氧相關(guān)熱施主的半導(dǎo)體器件。一種制造半導(dǎo)體器件的方法包括確定表示半導(dǎo)體晶圓(100)中的非本征摻雜劑濃度(Dext)和本征氧濃度(Doi)的信息?；谂c非本征摻雜劑濃度(Dext)和本征氧濃度(Doi)有關(guān)的信息以及與半導(dǎo)體晶圓(100)中的氧相關(guān)熱施主的生成速率或分解速率有關(guān)的信息，確定用于生成或分解氧相關(guān)熱施主的處理溫度梯度(Tproc(t))以補(bǔ)償目標(biāo)摻雜劑濃度(Dtarg)與非本征摻雜劑濃度(Dext)之差。

技術(shù)研發(fā)人員：J·G·拉文;M·杰里納克;H-J·舒爾策;W·舒斯特德;M·斯塔特穆勒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英飛凌科技股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610294432
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.05
技術(shù)公布日：2016.11.16