本申請要求2015年5月11日提交的韓國專利申請第2015-0065483號和2015年5月11日提交的申請第2015-0065485號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其公開內(nèi)容作為整體通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(LED)是當(dāng)施加電流時(shí)發(fā)射光的一種發(fā)光器件。LED能夠高效率地發(fā)光，使得節(jié)能效果優(yōu)異。

最近，LED的亮度問題已經(jīng)在很大程度上得以解決，并且LED被應(yīng)用于各種裝置，諸如液晶顯示裝置的背光單元、電子廣告牌、指示器和家用電器等。

特別地，由于基于氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件在電子親和力、電子遷移率、電子飽和速度和電場擊穿電壓方面具有優(yōu)異的特性，可以實(shí)施具有高效率和高輸出的基于氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，并且因?yàn)樯鲜龌诘锇雽?dǎo)體發(fā)光器件不包括諸如砷(As)或汞(Hg)的有害物質(zhì)，其作為環(huán)境友好器件已經(jīng)受到很大關(guān)注。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)施例提供一種具有增強(qiáng)的表面性質(zhì)和電性質(zhì)的發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝。

實(shí)施例也提供一種即使當(dāng)在高溫下執(zhí)行熱處理時(shí)電性質(zhì)仍不會退化的發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝。

實(shí)施例也提供一種可以通過解決熱產(chǎn)生的問題來增強(qiáng)操作電壓性質(zhì)和器件操作性質(zhì)的發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝。

根據(jù)實(shí)施例，一種發(fā)光器件，包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層；第一電極，布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的一側(cè)上并且被電連接至所述第一半導(dǎo)體層；第二電極，布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的一側(cè)上并且被電連接至所述第二半導(dǎo)體層；并且提供歐姆接觸，其包括布置在所述第二電極與所述第二半導(dǎo)體層之間且具有鋁(Al)的第一層、包括通過與被包含在所述第一層中的Al反應(yīng)而形成的至少一種M_xAl_y合金的第二層、以及布置在所述第二層上且具有金(Au)的第三層。

根據(jù)實(shí)施例，一種發(fā)光器件，包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層；第一電極，布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的一側(cè)上并且被電連接至所述第一半導(dǎo)體層；第二電極，布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的一側(cè)上并且被電連接至所述第二半導(dǎo)體層；并且提供第一歐姆接觸，其包括布置在所述第二電極與所述第二半導(dǎo)體層之間且具有鋁(Al)的第一層、包括通過與被包含在所述第一層中的Al反應(yīng)而形成的至少一種M_xAl_y合金的第二層、以及布置在所述第二層上且具有金(Au)的第三層，其中，在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)中，具有非線性阻抗(非歐姆)性質(zhì)的第一區(qū)域布置在未通過所述第一電極與底座接觸的非接觸區(qū)域上。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言將變得更加顯而易見，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件的概念圖；

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖；

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖；

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖；

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖；

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖；

圖7示出表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的歐姆接觸的過程圖；

圖8示出表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的歐姆接觸的過程圖；

圖9示出用于比較根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例與傳統(tǒng)技術(shù)形成的第二層的導(dǎo)電性的圖表；

圖10和圖11是示出根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)和本發(fā)明實(shí)施例形成的歐姆接觸的表面的視圖；

圖12示出根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)和本發(fā)明實(shí)施例形成的歐姆接觸的表面的放大圖；

圖13示出用于描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的歐姆接觸的夾層的功能的視圖；

圖14是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖，圖15是示出沿圖14的發(fā)光器件的線A-A’截取的橫截面圖；

圖16是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖；

圖17是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖；

圖18是示出根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖；

圖19是示出根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖；

圖20是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的橫截面圖；

圖21是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的操作電壓性質(zhì)的圖表；以及

圖22A至圖22F是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于描述制造發(fā)光器件的方法的視圖。

具體實(shí)施方式

盡管本發(fā)明可以具有附加的各種變型和大量實(shí)施例，其具體實(shí)施例在附圖中通過示例的方式示出且將對其進(jìn)行詳細(xì)描述。然而，應(yīng)當(dāng)理解地是，不意圖將發(fā)明構(gòu)思限制為所公開的特定形式，而是相反地，發(fā)明構(gòu)思旨在覆蓋落入發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍內(nèi)的所有變型、等價(jià)方案和替代方案。

將理解的是，雖然本文可能使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種組件，但這些組件不應(yīng)當(dāng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)組件與另一個(gè)組件進(jìn)行區(qū)分。例如，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)的情況下，以下討論的第一組件可以被稱為第二組件，并且類似地，以下討論的第二組件可以被稱為第一組件。術(shù)語“和/或”包括所列術(shù)語的組合或所列術(shù)語中的一個(gè)。

將理解的是，當(dāng)元件被稱為被“連接”或“耦合”到另一個(gè)元件時(shí)，其 可以被直接地連接到所述另一個(gè)元件或者可以耦合到其它元件，但是也可以存在中間層。相反，當(dāng)元件被稱為“直接地連接”或“間接地耦合”到另一個(gè)元件時(shí)，將理解的是，沒有中間元件。

本文所使用的用于描述發(fā)明構(gòu)思實(shí)施例的術(shù)語并非旨在限制發(fā)明構(gòu)思的范圍。除非上下文清楚地表明，否則，所提及發(fā)明構(gòu)思的所提及的單數(shù)形式元件可以為一個(gè)或多個(gè)。還應(yīng)理解地是，本文所使用的術(shù)語“包括”或“具有”等表明存在所描述的特征、數(shù)量、步驟、操作、元件、組件和/或組，但不排除存在或加入一個(gè)或多個(gè)其它特征、數(shù)量、步驟、操作、元件、組件和/或組。

除非另有定義，否則，本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)被理解為在本發(fā)明所屬的技術(shù)中是常見的。還將理解的是，除非在本文中被清楚地定義，否則，常見用法中的術(shù)語也將被理解為在相關(guān)技術(shù)中是常見的并且不應(yīng)當(dāng)被理解為理想或過于形式化的含義。

在下文中，將參照附圖描述示例實(shí)施例，不管圖號，相同或相應(yīng)的元件將被給予相同的附圖標(biāo)記，并將省略其重復(fù)描述。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件的概念圖。

參照圖1，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件1可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)20(包括多個(gè)半導(dǎo)體層)、被電連接到發(fā)光結(jié)構(gòu)20的第一電極52和第二電極54。

發(fā)光結(jié)構(gòu)20可以包括第一半導(dǎo)體層22、有源層24和第二半導(dǎo)體層26。

第一半導(dǎo)體層22可以是化合物半導(dǎo)體(諸如第III-V族半導(dǎo)體、第II-VI族半導(dǎo)體等)，并且第一半導(dǎo)體層22可以摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑。第一半導(dǎo)體層22可以滿足Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的經(jīng)驗(yàn)式。例如，第一半導(dǎo)體層22可以包括AlGaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一種。

當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層22是P型半導(dǎo)體層時(shí)，第一導(dǎo)電摻雜劑可以為P型摻雜劑(諸如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等)。第一半導(dǎo)體層22可以被形成為單層或多層，但不限于此。

在紫外線(UV)、深UV或非偏振發(fā)光器件的情況下，第一半導(dǎo)體層22可以包括InAlGaN和AlGaN中的至少一種。當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層22是P型半導(dǎo)體層時(shí)，第一半導(dǎo)體層22可以包括AlGaN梯度，其中鋁的濃度具有梯度以 減少晶格差異，并且可以具有10nm至100nm的厚度。

布置在第一半導(dǎo)體層22與第二半導(dǎo)體層26之間的有源層24可以包括單阱結(jié)構(gòu)、多阱結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)或量子線結(jié)構(gòu)等中的一種。

通過使用第III-V族化合物半導(dǎo)體材料(例如，InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs和GaP(InGaP)/AlGaP中的至少一對結(jié)構(gòu))，有源層24可以形成為阱層和勢壘層，但不限于此。阱層可以由具有比勢壘層的能帶隙低的能帶隙的材料組成。

第二半導(dǎo)體層26可以是化合物半導(dǎo)體，諸如第III-V族半導(dǎo)體、第II-VI族半導(dǎo)體等，并且第二半導(dǎo)體層26可以摻雜有第二導(dǎo)電摻雜劑。第二半導(dǎo)體層26可以滿足Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的經(jīng)驗(yàn)式。例如，第二半導(dǎo)體層26可以包括AlGaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一種。

當(dāng)?shù)诙雽?dǎo)體層26是N型半導(dǎo)體層時(shí)，第二導(dǎo)電摻雜劑可以是N型摻雜劑(諸如Si、Ge、Sn、Se、Te等)。第二半導(dǎo)體層26可以形成為單層或多層，但其不限于此。

在紫外線(UV)、深UV或非偏振發(fā)光器件的情況下，第二半導(dǎo)體層26可以包括InAlGaN和AlGaN中的至少一種。當(dāng)?shù)诙雽?dǎo)體層26包括AlGaN時(shí)，Al的含量可以是50％。當(dāng)?shù)诙雽?dǎo)體層26是N型半導(dǎo)體層時(shí)，第二半導(dǎo)體層26可以包括Al_0.5GaN，并且可以具有0.6μm到2.6μm(例如1.6μm)的厚度。

根據(jù)本實(shí)施例，發(fā)光結(jié)構(gòu)20的頂表面可以具有凹凸部11a。然而，其不限于此。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)20的頂表面也可以是平坦表面。

第一電極52和第二電極54可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)20的一側(cè)上。本文中，所述一側(cè)可以是與發(fā)光結(jié)構(gòu)20的主發(fā)光表面相對的一側(cè)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件1可以是倒裝芯片或薄膜倒裝芯片(TFFC)，其中第一電極52和第二電極54布置為共面。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件不限于倒裝芯片形式，并且也可以被應(yīng)用于橫向芯片形式和豎直芯片形式。在橫向芯片結(jié)構(gòu)或豎直芯片結(jié)構(gòu)中，發(fā)光結(jié)構(gòu)20、第一電極52和第二電極54之間的配置關(guān)系可以與倒裝芯片中的配 置關(guān)系不同，并且歐姆接觸(或歐姆接觸件，ohmic contact)可以布置在第二半導(dǎo)體層26與第二電極54之間。

第一電極52可以被電連接到發(fā)光結(jié)構(gòu)20的第一半導(dǎo)體層22，并且第二電極54可以被電連接到第二半導(dǎo)體層26。

第一電極52可以通過歐姆接觸30被電連接到第一半導(dǎo)體層22，并且第二電極54可以通過接觸孔被電連接到第二半導(dǎo)體層26。填充接觸孔的第二電極54的延伸部31可以通過夾層32與有源層24和第一半導(dǎo)體層22電絕緣。

第一電極52和第二電極54可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)20的一側(cè)處彼此相鄰地布置。本文中，第一電極52和第二電極54可以間隔開特定距離以電絕緣。第一電極52和第二電極54的厚度可以是相同的，但不限于此。

支撐層170可以被形成為包圍發(fā)光結(jié)構(gòu)20、第一電極52和第二電極54中至少一個(gè)的側(cè)表面。支撐層170可以包括布置在第一電極52與第二電極54之間的絕緣部71。支撐層170可以是固化的聚合物樹脂。聚合物樹脂的類型不受限制。

歐姆接觸140可以布置在第二電極54與第二半導(dǎo)體層26之間。歐姆接觸140的一個(gè)表面可以被電連接到第二電極54，并且另一個(gè)表面可以被電連接到第二半導(dǎo)體層26。歐姆接觸140的側(cè)表面可以被夾層32包圍，但不限于此。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖。

參照圖2，可以通過在第二半導(dǎo)體層26上順序地堆疊第一層41、第二層42和第三層43來形成根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的歐姆接觸。

第一層41可以由諸如鋁(Al)或包含Al的合金的材料形成。第一層41的厚度可以是例如在50nm至500nm的范圍內(nèi)，但不限于此，并且根據(jù)形成第二層42的金屬M(fèi)的厚度可以具有各種厚度。

第二層42可以包括通過與被包含在第一層41中的Al反應(yīng)而形成的至少一種M_xAl_y合金。第二層42的厚度可以是例如在5nm至500nm的范圍內(nèi)，但不限于此，并且根據(jù)第一層41的厚度可以具有各種厚度。

被包含在第二層42中的M可以是具有比鋁熔點(diǎn)高的熔點(diǎn)的金屬。M與Al在700℃或以上的熱處理溫度下反應(yīng)并且形成第二層42。當(dāng)在熔點(diǎn)或以上的溫度下執(zhí)行熱處理過程時(shí)，被包含在第一層41中的Al擴(kuò)散并且與M形 成化合物以形成第二層42。

M可以包括選自銅(Cu)、鈀(Pd)和銀(Ag)中的一種金屬。然而，其不限于此，并且M可以是具有比鋁熔點(diǎn)高的熔點(diǎn)的任何金屬，并且通過與Al的化學(xué)反應(yīng)形成的合金的導(dǎo)電性可以比Al-Au合金的導(dǎo)電性大。

此外，M可以是如下金屬，其通過與Al的化學(xué)反應(yīng)形成的合金的導(dǎo)電性可以大于Al-Au合金的導(dǎo)電性，并且電阻的變化是5Ω或更小。

第三層43布置在第二層42上，并且可以由諸如金(Au)或包含Au的合金的材料形成。第三層43的厚度可以是例如在20nm至500nm的范圍內(nèi)，但不必限于此。

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖。

參照圖3，可以通過在第二半導(dǎo)體層26上順序地堆疊第一層41、第二層42、夾層44和第三層43來形成根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的歐姆接觸。

根據(jù)圖3實(shí)施例的歐姆接觸是其中夾層44被添加到圖2實(shí)施例的配置，并且將省略其重復(fù)描述。

夾層44可以被布置在第二層42上并且可以防止第二層42的氧化現(xiàn)象。夾層44可以包括例如選自鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和金(Au)的至少一種金屬或合金。在夾層44中，具有與氧的反應(yīng)性低的金屬或金屬的合金被布置在第二層42上，使得可以防止第二層42和氧結(jié)合。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖。

參照圖4，可以通過在第二半導(dǎo)體層260上順序地堆疊第一層410、第二層420和第三層430來形成根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的歐姆接觸。

第一層401可以由諸如鋁(Al)或包含Al的合金的材料形成。第一層410的厚度可以是例如在50nm至500nm的范圍內(nèi)，但不限于此，并且根據(jù)形成第二層420的金屬Cu的厚度可以具有各種厚度。

第二層420可以包括通過與被包含在第一層410中的Al反應(yīng)而形成的至少一種Cu_xAl_y合金(1≤x≤9、1≤y≤4)。第二層420的厚度可以是例如在5nm至500nm的范圍內(nèi)，但不限于此，并且根據(jù)第一層410厚度可以具有各種厚度。

Cu與Al在700℃或以上的熱處理溫度下反應(yīng)并且形成第二層420。當(dāng)在熔點(diǎn)或以上溫度下執(zhí)行熱處理過程時(shí)，被包含在第一層410中的Al擴(kuò)散并 且與Cu形成化合物以形成第二層420。

在形成第二層420的Cu_xAl_y合金中，y可以具有等于或大于x的值。第二層420可以包括例如選自從CuAl、CuAl₂、Cu₄Al₃、Cu₃Al₂和Cu₉Al₄中的至少一種合金。

然而，其不限于此，并且第二層420可以具有20Ω或更小的電阻，并且可以包括電阻的變化是5Ω或更小的所有Cu_xAl_y合金和其它雜質(zhì)。

第三層430布置在第二層420上，并且可以由諸如金(Au)或包含Au的合金的材料形成。第三層430的厚度可以是例如在20nm至500nm的范圍內(nèi)，但不必限于此。

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖。

參照圖5，可以通過在第二半導(dǎo)體層260上順序地堆疊第一層410、第二層420、夾層440和第三層430來形成根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的歐姆接觸。

根據(jù)圖5實(shí)施例的歐姆接觸是其中夾層440被添加到圖4實(shí)施例的配置，并且將省略其重復(fù)描述。

夾層440可以被布置在第二層420上并且可以防止第二層420的氧化現(xiàn)象。夾層440可以包括例如選自鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和金(Au)的至少一種金屬或合金。在夾層440中，具有與氧的反應(yīng)性低的金屬或金屬的合金被布置在第二層420上，使得可以防止第二層420和氧結(jié)合。

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖。

參照圖6，可以通過在第二半導(dǎo)體層260上順序地堆疊底層450、第一層410、第二層420、夾層440和第三層430來形成根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例的歐姆接觸。

根據(jù)圖6實(shí)施例的歐姆接觸是其中底層450被添加到圖5實(shí)施例的配置，并且將省略其重復(fù)描述。

底層450可以布置在第一層410與第二半導(dǎo)體層260之間，并且可以防止被包含在第一層410中的Al擴(kuò)散到第二半導(dǎo)體層260。底層450可以包括例如鉻(Cr)、鈦(Ti)、鈮(Nb)、釩(V)、鎢(W)、鉭(Ta)、錸(Re)、鉬(Mo)、錳(Mn)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銠(Rh)、釔(Y)和鋯(Zr)中的至少一種金屬，并且多個(gè)層而不是單個(gè)層可以布置在第一層410與第二半導(dǎo)體層260之間。

圖7示出表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的歐姆接觸的過程圖。

參照圖7，可以通過在第二半導(dǎo)體層26上順序地堆疊第一層41、金屬層M和第三層43并且執(zhí)行熱處理來形成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的歐姆接觸。本文中，可以通過濺射法、真空蒸鍍法、金屬鍍覆法、外延法等來沉積第一層41、金屬層M和第三層43，但不必限于此。

可以在等于或高于Al熔點(diǎn)的高溫下(例如，等于或高于700℃的溫度下)來執(zhí)行熱處理過程，但不必限于此，并且可以考慮溫度與接觸電阻之間的關(guān)系來確定溫度。

通過熱處理過程，被包含在第一層41中的Al擴(kuò)散到層M中，并且形成包括至少一種M_xAl_y合金的第二層42。

圖8示出表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的歐姆接觸的過程圖。

參照圖8，在夾層440被額外地堆疊在層M上的狀態(tài)下，執(zhí)行熱處理過程。在熱處理過程中，夾層440可以通過阻止M_xAl_y合金與氧結(jié)合來防止第二層420的起霧現(xiàn)象。

圖9示出用于比較根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例與傳統(tǒng)技術(shù)形成的第二層的導(dǎo)電性的圖表。

參照圖9中的(a)，在根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的歐姆接觸中，在熱處理中產(chǎn)生Al-Au合金，并且在Al-Au合金的情況下，最大的電阻為50Ω并且合金之間的電阻變化是40Ω，因此歐姆接觸的導(dǎo)電性可能降低。

參照圖9中的(b)，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的歐姆接觸的情況下，Cu層被堆疊在第一層410上，并且執(zhí)行熱處理以形成包括Cu_xAl_y合金的第二層420。第二層420可以包括CuAl、CuAl₂、Cu₄Al₃、Cu₃Al₂和Cu₉Al₄中的至少一種合金，并且示出每種合金的電阻為20Ω或更小，并且合金之間的電阻變化為5Ω或更小。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的歐姆接觸的情況下，歐姆接觸的電阻率并未與Al或Au的電阻率顯著不同，因此可以防止歐姆接觸的導(dǎo)電性下降。

圖10和圖11是示出根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)和本發(fā)明實(shí)施例形成的歐姆接觸的表面的視圖。

參照圖10中的(a)，在根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的歐姆接觸的表面中，可以看出，由于Al-Au合金的不平衡分布，表面部具有不同的顏色。這種現(xiàn)象是由于AuAl₂合金的電阻為Au或Al的電阻大約30倍的影響產(chǎn)生的。

參照圖10中的(b)，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的歐姆接觸中，可以看出，通過在高溫下熱處理中形成具有小變化電阻的合金，表面部的顏色變化未發(fā)生。

參照圖11中的(a)，在根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的歐姆接觸的表面中，可以看出，由于在高溫下熱處理中Al的擴(kuò)散，表面狀態(tài)是不均勻的，然而，參照圖11中的(b)，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的歐姆接觸的表面中，可以看出，通過在高溫下熱處理中形成第二層以適應(yīng)Al的擴(kuò)散，表面被形成為均勻的。

圖12示出根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)和本發(fā)明實(shí)施例形成的歐姆接觸的表面的放大圖。

參照圖12中的(a)，可以看出，根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的歐姆接觸的表面被形成為不均勻的。參照圖12中的(b)，可以看出，通過在高溫下熱處理中形成第二層以適應(yīng)Al的擴(kuò)散，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的歐姆接觸的表面被形成為均勻的。

圖13示出用于描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的歐姆接觸的夾層的功能的視圖。

參照圖13中的(a)，在沒有夾層的情況下來執(zhí)行熱處理的情況下，可以看出，由于第二層420與氧結(jié)合而產(chǎn)生起霧現(xiàn)象。圖13中的(b)表示歐姆接觸的表面，其中，在注入5％氧的條件下執(zhí)行熱處理，圖13中的(c)表示歐姆接觸的表面，其中，在注入20％氧的條件下執(zhí)行熱處理。在圖13中的(b)和圖13中的(c)中，可以通過使用夾層140阻止第二層420和氧的結(jié)合來防止起霧現(xiàn)象。

圖14是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖，圖15是示出沿圖14的發(fā)光器件的線A-A’截取的橫截面圖。參照圖14和圖15，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光器件2可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)120、電極層152和154以及凸塊1151和1152。

發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以布置在襯底110上。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以包括第一半導(dǎo)體層122、有源層124和第二半導(dǎo)體層126。

第一半導(dǎo)體層122可以是化合物半導(dǎo)體(諸如第III-V族半導(dǎo)體、第II-VI族半導(dǎo)體等)，并且第一半導(dǎo)體層122可以摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑。第一半導(dǎo)體層122可以滿足Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的經(jīng)驗(yàn)式。例如，第一半導(dǎo)體層122可以包括AlGaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一種。

當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層122是P型半導(dǎo)體層時(shí)，第一導(dǎo)電摻雜劑可以為P型摻雜劑(諸如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等)。第一半導(dǎo)體層122可以被形成為單層或多層，但不限于此。

布置在第一半導(dǎo)體層122與第二半導(dǎo)體層126之間的有源層124可以包括單阱結(jié)構(gòu)、多阱結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)或量子線結(jié)構(gòu)等中的一種。

通過使用第III-V族化合物半導(dǎo)體材料(例如，InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs和GaP(InGaP)/AlGaP中的至少一對結(jié)構(gòu))，有源層124可以形成為阱層和勢壘層，但不限于此。阱層可以由具有比勢壘層的能帶隙低的能帶隙的材料組成。

第二半導(dǎo)體層126可以是化合物半導(dǎo)體，諸如第III-V族半導(dǎo)體、第II-VI族半導(dǎo)體等，并且第二半導(dǎo)體層126可以摻雜有第二導(dǎo)電摻雜劑。第二半導(dǎo)體層126可以滿足Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的經(jīng)驗(yàn)式。例如，第二半導(dǎo)體層126可以包括AlGaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一種。

當(dāng)?shù)诙雽?dǎo)體層126是N型半導(dǎo)體層時(shí)，第二導(dǎo)電摻雜劑可以是N型摻雜劑(諸如Si、Ge、Sn、Se、Te等)。第二半導(dǎo)體層126可以形成為單層或多層，但其不限于此。

第一歐姆接觸1140可以布置在第二電極154與第二半導(dǎo)體層126之間。歐姆接觸1140的一個(gè)表面可以被電連接到第二電極154，并且另一個(gè)表面可以被電連接到第二半導(dǎo)體層126。歐姆接觸1140的側(cè)表面可以被夾層1210包圍，但不限于此。

第一歐姆接觸1140可以包括第一層(包括鋁(Al))、第二層(包括通過與被包含在第一層中的Al反應(yīng)而形成的至少一種M_xAl_y合金)和第三層(布置在第二層上且包括金(Au))。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，可以使用根據(jù)圖1至圖13中描述的實(shí)施例的歐姆接觸作為第一歐姆接觸1140。

在發(fā)光結(jié)構(gòu)120中，具有非線性阻抗(非歐姆)性質(zhì)的第一區(qū)域131可以布置在非接觸區(qū)域1141上，該非接觸區(qū)域1141未通過電極152和154與底座接觸。在本發(fā)明的實(shí)施例中，非接觸區(qū)域1141可以包括在第一凸塊1151與第二凸塊1152之間的間隔區(qū)域。

第一區(qū)域131可以布置在與非接觸區(qū)域1141相同的豎直線上，并且可以布置在接觸表面(其中第一半導(dǎo)體層122與第一電極152接觸)上。例如，第一區(qū)域131可以布置在與非接觸區(qū)域1141布置在相同的豎直線上的第二歐姆接觸1130上。例如，第一區(qū)域131可以布置在第二歐姆接觸1130的布置在與非接觸區(qū)域1141相同的豎直線上的一部分或全部之上。

第一區(qū)域131的長度可以等于或小于非接觸區(qū)域1141的長度。當(dāng)?shù)谝粎^(qū)域131被布置為使得第一區(qū)域131的長度大于非接觸區(qū)域1141的長度時(shí)，第二歐姆接觸1130和發(fā)光結(jié)構(gòu)120中有助于光發(fā)射的部分可能會減小，因此發(fā)光效率降低。因此，第一區(qū)域131的長度可以被布置為小于非接觸區(qū)域1141的長度，使得防止熱產(chǎn)生并且也最大化發(fā)光效率。

第一區(qū)域131可以包括氧化物、氮化物和金屬中的至少一種，并且可以包括相對于從有源層124發(fā)射的光的波長具有高透射率和高反射率的材料。

第一區(qū)域131是具有非線性阻抗特性的區(qū)域，并且由于在第一半導(dǎo)體層122與第一電極152之間未實(shí)現(xiàn)歐姆接觸而的發(fā)光不產(chǎn)生貢獻(xiàn)。也就是說，當(dāng)發(fā)光器件工作時(shí)，不具有歐姆特性的第一區(qū)域131變?yōu)槠渲胁划a(chǎn)生熱的區(qū)域，可以增強(qiáng)發(fā)光器件的操作特性并且可以延長發(fā)光器件的壽命。

電極152和154與發(fā)光結(jié)構(gòu)120電接觸。第一電極152和第二電極154可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的一側(cè)上。本文中，所述一側(cè)可以是與發(fā)光結(jié)構(gòu)120的主發(fā)光表面相對的一側(cè)。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光器件1300可以是倒裝芯片或薄膜倒裝芯片(TFFC)，其中第一電極152和第二電極154布置為共面。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光器件不限于倒裝芯片形式，并且也可以被應(yīng)用于橫向芯片形式和豎直芯片形式。在橫向芯片結(jié)構(gòu)或豎直芯片結(jié)構(gòu)中，發(fā)光結(jié)構(gòu)、第一電極和第二電極之間的配置關(guān)系可以與倒裝芯片中的配置關(guān)系不同。

第一電極152可以被電連接到發(fā)光結(jié)構(gòu)120的第一半導(dǎo)體層122，并且第二電極154可以被電連接到第二半導(dǎo)體層126。

可替代地，第一電極152可以通過反射層(未示出)被電連接到第一半導(dǎo)體層122，并且第二電極154可以通過接觸孔被電連接到第二半導(dǎo)體層126。填充接觸孔的第二電極154的延伸部1140可以通過夾層1210與有源層124 和第一半導(dǎo)體層122電絕緣。

第一電極152和第二電極154可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的一側(cè)處彼此相鄰地布置。本文中，第一電極152和第二電極154可以間隔開特定距離以電絕緣。第一電極152和第二電極154的厚度可以是相同的，但不限于此。

第二歐姆接觸1130可以布置在第一電極152與發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間。第二歐姆接觸1130的一個(gè)表面可以被電連接到第一電極152，并且另一個(gè)表面可以被電連接到第一半導(dǎo)體層122。第二歐姆接觸1130的側(cè)表面可以被夾層1210包圍，但不必限于此。

第一凸塊1151和第二凸塊1152可以相互間隔開預(yù)定距離，并且分別布置在第一電極152和第二電極154上，使得第一凸塊1151和第二凸塊1152與底座的電極接觸。

第一凸塊1151被電連接到第一電極152，并且第二凸塊1152被電連接到第二電極154。第一凸塊1151和第二凸塊1152可以通過其中未布置夾層1210的區(qū)域分別與第一電極152和第二電極154接觸。

第一凸塊1151和第二凸塊1152的厚度可以大于第一電極152和第二電極154的厚度，但不必限于此?；谙嗷ラg隔距離，第一凸塊1151和第二凸塊1152的厚度可以是不同的。第一凸塊1151和第二凸塊1152可以具有如下厚度，其可以將第一凸塊1151和第二凸塊1152暴露至外部以被連接到外部電源。

圖16是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖。參照圖16，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光器件可以包括襯底110、發(fā)光結(jié)構(gòu)120、第一電極152、第二電極154、第一凸塊1151和第二凸塊1152。在本實(shí)施例中，將省略與圖14和圖15重疊的說明。

在圖16中，第一凸塊1151和第二凸塊1152可以相互間隔開預(yù)定距離，并且被分別布置在第一電極152和第二電極154上。第一凸塊1151和第二凸塊1152的長度與第一電極152和第二電極154的長度在預(yù)定的公差內(nèi)是相同的，并且非接觸區(qū)域1141被布置在第一凸塊1151與第二凸塊1152之間。在第二歐姆接觸130的在與非接觸區(qū)域1141相同的豎直線上處，布置具有非線性阻抗特性的第一區(qū)域131。第一區(qū)域131可以被布置在第二歐姆接觸130的在與非接觸區(qū)域1141相同的豎直線上的整個(gè)區(qū)域中。在圖16中，第一電 極152、第二電極154、第一凸塊1151、第二凸塊1152和第一區(qū)域131中每個(gè)的側(cè)表面被示為具有豎直表面，但不必限于此。

圖17是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖。參照圖17，根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光器件可以包括襯底110、發(fā)光結(jié)構(gòu)120、第一電極152、第二電極154、第一凸塊1151和第二凸塊1152。在本實(shí)施例中，將省略與圖14和圖15重疊的描述。

在圖17中，第一凸塊1151和第二凸塊1152可以相互間隔開預(yù)定距離，并且被分別布置在第一電極152和第二電極154上。第一凸塊1151和第二凸塊1152的長度與第一電極152和第二電極154的長度在預(yù)定的公差內(nèi)是相同的，并且非接觸區(qū)域1141被布置在第一凸塊1151與第二凸塊1152之間。在第二歐姆接觸130的在與非接觸區(qū)域1141相同的豎直線上的部分區(qū)域中，布置具有非線性阻抗特性的第一區(qū)域131。第一區(qū)域131可以被布置在第二歐姆接觸130上與第一半導(dǎo)體層122相鄰的區(qū)域中。在圖17中，第一電極152、第二電極154、第一凸塊1151、第二凸塊1152和第一區(qū)域131中每個(gè)的側(cè)表面被示為具有豎直表面，但不必限于此。

圖18是示出根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖。參照圖18，根據(jù)本發(fā)明再一施例的發(fā)光器件可以包括襯底110、發(fā)光結(jié)構(gòu)120、第一電極152、第二電極154、第一凸塊1151和第二凸塊1152。在本實(shí)施例中，將省略與圖14和圖15重疊的描述。

在圖18中，第一凸塊1151和第二凸塊1152可以相互間隔開預(yù)定距離，并且被分別布置在第一電極152和第二電極154上。第一凸塊1151和第二凸塊1152的長度被形成為小于第一電極152和第二電極154的長度，并且非接觸區(qū)域1141被布置在第一凸塊1151與第二凸塊1152之間。在位于與非接觸區(qū)域1141相同的豎直線上的第二歐姆接觸130中，布置具有非線性阻抗特性的第一區(qū)域131。第一區(qū)域131可以被布置在第二歐姆接觸130的在與非接觸區(qū)域1141相同的豎直線上的整個(gè)區(qū)域中。在圖18中，第一電極152、第二電極154、第一凸塊1151、第二凸塊1152和第一區(qū)域131中每個(gè)的側(cè)表面被示為具有豎直表面，但不必限于此。

圖19是示出根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的歐姆接觸的橫截面圖。參照圖19，根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例的發(fā)光器件可以包括襯底110、發(fā)光結(jié)構(gòu)120、第一 電極152、第二電極154、第一凸塊1151和第二凸塊1152。在本實(shí)施例中，將省略與圖14和圖15重疊的描述。

在圖19中，第一凸塊1151和第二凸塊1152可以相互間隔開預(yù)定距離，并且被分別布置在第一電極152和第二電極154上。第一凸塊1151和第二凸塊1152的長度被形成為小于第一電極152和第二電極154的長度，并且非接觸區(qū)域1141被布置在第一凸塊1151與第二凸塊1152之間。在第二歐姆接觸130的在與非接觸區(qū)域1141相同的豎直線上的部分區(qū)域中，布置具有非線性阻抗特性的第一區(qū)域131。第一區(qū)域131可以被布置在第二歐姆接觸130上與第一半導(dǎo)體層122相鄰的區(qū)域中。在圖19中，第一電極152、第二電極154、第一凸塊1151、第二凸塊1152和第一區(qū)域131中每個(gè)的側(cè)表面被示為具有豎直表面，但不必限于此。

圖20是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的橫截面圖。參照圖20，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可以包括底座1400和發(fā)光器件1300。在本實(shí)施例中，將省略與圖1至圖19重疊的描述。

底座1400可以包括本體1110、第一金屬層1115、第二金屬層1116、反射層1130、第三電極1122和第四電極1124。

底座1400可以布置在第一凸塊1151和第二凸塊1152下方。底座1400的本體1110可以包括樹脂(諸如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)等)，金屬、光敏玻璃、藍(lán)寶石、陶瓷、印刷電路板等。但是，根據(jù)本實(shí)施例的底座1400的本體1110不限于上述材料。

第一金屬層1115和第二金屬層1116可以彼此分開，并且被布置在本體1110的頂表面上。本文中，本體1110的頂表面可以是與發(fā)光器件1300相對的表面。

第一金屬層1115和第一凸塊1151可以在豎直方向上彼此對齊，并且第二金屬層1116和第二凸塊1152可以在垂直方向上彼此對齊。本文中，豎直方向可以是從本體1110到發(fā)光器件1300的方向。

第一金屬層1115和第二金屬層1116可以包括導(dǎo)電金屬(諸如鋁(Al)或銠(Rh))。

反射層1130覆蓋第一金屬層1115、第二金屬層1116和本體1110中每個(gè)的頂表面。反射層1130反射從發(fā)光器件1300入射的光。

反射層1130覆蓋第一金屬層1115和第二金屬層1116中每個(gè)的頂表面和側(cè)表面、以及第一金屬層1115與第二金屬層1116之間本體1110的一部分。

反射層1130可以是具有多層結(jié)構(gòu)的分布式布拉格反射層(其中至少兩個(gè)不同的層交替堆疊一次或多次)，并且反射從發(fā)光器件1300入射的光。即，反射層1130可以具有第一層(其具有相對高的折射率)和第二層(其具有相對低的折射率)交替地堆疊的結(jié)構(gòu)。

第一層可以包括具有TiO₂的第一介電層和具有SiO₂的第二介電層。例如，反射層1130可以包括其中TiO₂/SiO₂層堆疊一次或多次的結(jié)構(gòu)。此外，分布式布拉格反射層可以防止第一金屬層1115和第二金屬層1116的氧化。此外，第一層和第二層中每個(gè)的厚度可以為λ/4，其中λ表示由發(fā)光器件產(chǎn)生的光的波長。

第三電極1122可以穿過反射層1130并且與第一金屬層1115接觸，第四電極1124可以穿過反射層1130并且與第二金屬層1116接觸。

第三電極1122可以布置在第一金屬層1115上并且第三電極1122的底表面可以與第一金屬層1115接觸，并且第三電極1122的頂表面可以從反射層1130暴露。

第四電極1124可以布置在第二金屬層1116上并且第四電極1124的底表面可以與第二金屬層1116接觸，并且第四電極1124的頂表面可以從反射層1130暴露。

發(fā)光器件1300的凸塊1151和1152可以被連接到接合層1143和1153并且使用諸如引線接合、共晶接合等各種方法被安裝在底座1400上。

圖21是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的操作電壓性質(zhì)的圖表。在圖21中，具有方形標(biāo)記的線表示使用引線-柱-凸塊方法的發(fā)光器件封裝的工作電壓特性，具有圓圈標(biāo)記的線表示使用共晶接合方法的發(fā)光器件封裝的工作電壓特性，具有三角形標(biāo)記的線表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的工作電壓特性。參照該圖表，可以看出，在引線-柱-凸塊方法的情形下，相比較于共晶接合方法，底座與凸塊之間的接觸面積是小的，因此散熱效率是低的并且工作電壓由于環(huán)境溫度而急劇下降。

在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光器件封裝中，可以看出，相比較于共晶結(jié)合方法，初始工作電壓特性變得稍大，但幾乎不受環(huán)境溫度影響。出現(xiàn)這種效 果的原因是當(dāng)發(fā)光器件工作時(shí)，對應(yīng)于主產(chǎn)熱部的非接觸區(qū)域被具有非線性阻抗特性的區(qū)域替換，并且非接觸區(qū)域?qū)Πl(fā)光不產(chǎn)生貢獻(xiàn)，并且產(chǎn)熱問題得到解決。

圖22A至圖22F是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于描述制造發(fā)光器件的方法的視圖。

首先，參照圖22A，發(fā)光結(jié)構(gòu)120被形成在襯底110上。在發(fā)光結(jié)構(gòu)120中，第二半導(dǎo)體層126、有源層124和第一半導(dǎo)體層122依次形成。

本文中，襯底110可以由SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge中的至少一種形成，但不必限于此。當(dāng)襯底110不引發(fā)氮化物半導(dǎo)體的翹曲時(shí)，襯底110可以具有機(jī)械強(qiáng)度，使得通過劃片工藝和斷裂工藝可以將其容易地劃分為分立芯片。

然后，如圖22B所示，第一區(qū)域131被布置在第二歐姆接觸1130上。第一區(qū)域131可以被覆蓋在第二歐姆接觸1130上或者可以在形成第二歐姆接觸1130之前布置第一區(qū)域131。

然后，如圖22C所示，接觸孔H被形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)120中，夾層1210形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的外表面上。接觸孔H的內(nèi)部通過夾層1210與第一半導(dǎo)體層122和有源層124絕緣。

然后，如圖22D所示，形成被連接到第一半導(dǎo)體層122的第一電極152和被連接到第二半導(dǎo)體層126的第二電極154。此時(shí)，第一歐姆接觸1140被形成在第二電極154與第二半導(dǎo)體層126之間。

第一歐姆接觸1140的一個(gè)表面可以被電連接到第二電極154，并且另一個(gè)表面可以被電連接到第二半導(dǎo)體層126。第一歐姆接觸1140的側(cè)表面可以被夾層1210包圍。

然后，如圖22E所示，形成了形成在第一電極152上的第一凸塊1151和形成在第二電極154上的第二凸塊1152。第一凸塊1151與凸塊1152可以包括與第一電極152相同的材料。

然后，發(fā)光器件的一個(gè)表面(在該處形成第一凸塊1151和第二凸塊1152)被填充支撐層1170，然后再被固化。支撐層1170的至少一部分可以形成在第一凸塊1151與第二凸塊1152之間、在第一電極152和第二電極154的側(cè)表面上、以及在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)表面上。

然后，如圖22F所示，襯底110被去除，并且光學(xué)層(未示出)可以形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)120、第一電極152、第二電極154、第一凸塊1151和第二凸塊1152的至少一部分上，以制造發(fā)光器件封裝。光學(xué)層可以包括波長轉(zhuǎn)換器。可以通過投射具有預(yù)定波長的激光束來分離襯底110。可以通過激光剝離方法(LLO)來分離襯底110，但不必限于此。

在附圖中，雖然只示出一個(gè)發(fā)光器件，但是可以制造晶片級封裝，其中多個(gè)發(fā)光器件被連續(xù)地形成在一個(gè)襯底上并且然后被劃分為多個(gè)發(fā)光器件。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的多個(gè)發(fā)光器件可以排列在襯底上，并且作為光學(xué)構(gòu)件的導(dǎo)光板、棱鏡片，擴(kuò)散片等可以布置在發(fā)光器件封裝的光路徑上。發(fā)光器件封裝、襯底以及光學(xué)構(gòu)件可以用作背光單元。

此外，可以實(shí)施包括發(fā)光器件封裝的顯示裝置、指示裝置和照明系統(tǒng)。

本文中，顯示裝置可以包括：底蓋、布置在底蓋上的反射板、用于發(fā)射光發(fā)光模塊、布置在反射板前方且用于引導(dǎo)從發(fā)光模塊向前發(fā)射的光的導(dǎo)光板、包括布置在導(dǎo)板光前方的棱鏡片的光學(xué)片、布置在光學(xué)片前方的顯示面板、被連接到顯示面板且用于為顯示面板提供圖像信號的圖像信號輸出電路以及布置在顯示面板前方的濾色器。底蓋、反射板、發(fā)光模塊、導(dǎo)光板和光學(xué)片可以構(gòu)成背光單元。

此外，照明系統(tǒng)可以包括光源模塊(包括襯底和根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝)、排熱單元(其輻射光源模塊的熱量)以及電源單元(其處理或轉(zhuǎn)換外部提供的電信號以提供給光源模塊)。例如，照明系統(tǒng)可以包括電燈、車頭燈或街燈等。

車頭燈可以包括發(fā)光模塊(包括布置在襯底上的發(fā)光器件封裝)、用于在特定方向上(例如，向前地)反射從發(fā)光模塊發(fā)射的光的反射器、用于向前折射由反射器反射的光的透鏡、以及遮光片(其阻止或反射由反射器反射的光的一部分并且完成設(shè)計(jì)人員希望的光分布圖案)。

根據(jù)實(shí)施例，可以增強(qiáng)發(fā)光器件的表面性質(zhì)和電性質(zhì)。

此外，根據(jù)實(shí)施例，即使當(dāng)在高溫下執(zhí)行熱處理時(shí)電性質(zhì)仍不會退化。

此外，根據(jù)實(shí)施例，可以通過解決熱產(chǎn)生的問題來增強(qiáng)操作電壓性質(zhì)和器件操作性質(zhì)。

雖然已經(jīng)參照其某些示例性實(shí)施例示出和描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種變化。