技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及包括限定空隙的材料的電子器件及其形成方法。一種電子器件包括一個(gè)或多個(gè)溝槽，所述溝槽包括限定一個(gè)或多個(gè)空隙的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底限定溝槽，所述溝槽具有第一部分和與所述第一部分側(cè)向相鄰的第二部分，其中所述第一部分具有第一寬度，所述第二部分具有第二寬度，并且所述第一寬度大于所述第二寬度。所述材料在所述第一部分內(nèi)的預(yù)定位置限定第一空隙并在所述第二部分內(nèi)具有縫。在另一個(gè)實(shí)施例中，所述襯底限定溝槽，并且所述材料在所述溝槽內(nèi)的預(yù)定位置限定間隔開(kāi)的空隙。一種形成所述電子器件的方法可包括：圖案化襯底以限定溝槽，以及在所述溝槽內(nèi)沉積材料，其中所述沉積的材料限定空隙。

技術(shù)研發(fā)人員：G·格里維納;M·湯馬森;S·G·亨特
受保護(hù)的技術(shù)使用者：半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
文檔號(hào)碼：201610318359
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.13
技術(shù)公布日：2016.11.23