技術(shù)特征：

1.一種薄膜晶體管，包括：

基板；

在所述基板上的柵電極，所述柵電極包括平坦部和所述平坦部的側(cè)面處的傾斜部，所述傾斜部的高度與寬度的比率，即高度/寬度，為1.192或更小；

柵極絕緣層，其設(shè)置在所述基板上以覆蓋所述柵電極；

多晶硅有源層，其位于所述柵極絕緣層上并且在所述柵電極上方；以及

分別連接至所述多晶硅有源層的兩個相對的端部的源電極和漏電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述傾斜部的錐形表面相對于所述基板的頂表面的角度在2°和50°之間的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述平坦部的厚度基本上等于所述傾斜部的高度，并且所述厚度至少為

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述柵極絕緣層和所述多晶硅有源層均覆蓋所述柵電極的平坦部和傾斜部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述傾斜部包括：

設(shè)置成靠近所述基板的第一傾斜部，所述第一傾斜部的錐形表面具有相對于所述基板的表面的第一角度；以及

在所述第一傾斜部上的第二傾斜部，所述第二傾斜部的錐形表面具有相對于所述基板的表面的第二角度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其中，所述第一角度大于所述第二角度。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其中，所述第一傾斜部的厚度等于或小于所述平坦部的厚度的一半。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其中，所述第二角度在2°和50°之間的范圍內(nèi)。

9.一種顯示裝置的背板基板，包括：

具有布置成矩陣的多個像素的基板，其中所述像素中的至少一個包括：

在所述基板上的柵電極，所述柵電極包括平坦部和所述平坦部的側(cè)面處的傾斜部，所述傾斜部的高度與寬度的比率，即高度/寬度，是1.192或更??；

柵極絕緣層，其設(shè)置在所述基板上以覆蓋所述柵電極；

多晶硅有源層，其設(shè)置在所述柵極絕緣層上并且在所述柵電極上方；以及

分別連接至所述多晶硅有源層的兩個相對的端部的源電極和漏電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背板基板，其中所述傾斜部的錐形表面相對于所述基板的頂表面的角度在2°和50°之間的范圍內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背板基板，其中，所述平坦部的厚度基本上等于所述傾斜部的高度，并且所述厚度至少為

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背板基板，其中，所述柵極絕緣層和所述多晶硅有源層均覆蓋所述柵電極的平坦部和傾斜部。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背板基板，其中，所述傾斜部包括：

設(shè)置成靠近所述基板的第一傾斜部，所述第一傾斜部的錐形表面具有 相對于所述基板的表面的第一角度；以及

在所述第一傾斜部上的第二傾斜部，所述第二傾斜部的錐形表面具有相對于所述基板的表面的第二角度。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的背板基板，其中，所述第一角度大于所述第二角度。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的背板基板，其中，所述第一傾斜部的厚度等于或小于所述平坦部的厚度的一半。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的背板基板，其中，所述第二角度在2°和50°之間的范圍內(nèi)。

17.一種顯示裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求9所述的背板基板，其中所述顯示裝置是液晶顯示裝置或者有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中：

所述顯示裝置是液晶顯示裝置，以及

所述像素進(jìn)一步包括連接到所述漏電極的像素電極。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中：

所述顯示裝置是有機(jī)發(fā)光顯示裝置，

所述像素進(jìn)一步包括有機(jī)發(fā)光二極管，以及

所述漏電極構(gòu)成所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極。