本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種蝕刻方法，特別是涉及一種對(duì)具有多層膜的第一區(qū)域和包括單層的氧化硅膜的第二區(qū)域進(jìn)行蝕刻的方法，該多層膜是通過(guò)將多個(gè)氧化硅膜和多個(gè)氮化硅膜交替地層疊而構(gòu)成的。

背景技術(shù)：

作為半導(dǎo)體裝置的一種，已知具有三維構(gòu)造的NAND型閃存設(shè)備。在具有三維構(gòu)造的NAND型閃存設(shè)備的制造過(guò)程中，進(jìn)行以下工序：對(duì)氧化硅膜和氮化硅膜交替地設(shè)置而構(gòu)成的多層膜進(jìn)行蝕刻，來(lái)在該多層膜處形成深孔。在下述專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載了這種蝕刻。

具體地說(shuō)，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載了以下方法：通過(guò)將在多層膜上具有掩膜的被處理體暴露在處理氣體的等離子體中，來(lái)進(jìn)行該多層膜的蝕刻。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2013/0059450號(hào)說(shuō)明書(shū)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問(wèn)題

作為蝕刻對(duì)象的被處理體中具備：第一區(qū)域，其具有多層膜，該多層膜是氧化硅膜和氮化硅膜交替地設(shè)置而構(gòu)成的；以及第二區(qū)域，其具有單層的氧化硅膜。對(duì)這種被處理體進(jìn)行蝕刻，以期望在第一區(qū)域和第二區(qū)域這兩個(gè)區(qū)域中形成如孔和溝槽中的任一個(gè)那樣的空隙。另外，對(duì)于該蝕刻，期望形成于第一區(qū)域和第二區(qū)域的空隙的深度大致相同，該空隙的平面形狀的變形(Distortion)的程度小、特別是空隙的底部(深部)的變形的程度小。此外，所謂空隙的變形，是實(shí)際形成的空隙的平面形狀為與期望的平面形狀不同的形狀的現(xiàn)象，是在期望的平面形狀為正圓形狀的情況下、實(shí)際形成的空隙的平面形狀為不同于正圓形狀的形狀的現(xiàn)象。

用于解決問(wèn)題的方案

在一個(gè)方式中，提供一種對(duì)被處理體的第一區(qū)域和第二區(qū)域進(jìn)行蝕刻的方法。第一區(qū)域具有通過(guò)將氧化硅膜和氮化硅膜交替地層疊而構(gòu)成的多層膜。第二區(qū)域具有單層的氧化硅膜。被處理體具有在第一區(qū)域和第二區(qū)域上提供開(kāi)口的掩膜。該方法包括以下工序：(i)將被處理體載置于在等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)設(shè)置的靜電卡盤(pán)上；(ii)在處理容器內(nèi)生成包含碳氟化合物氣體和氧氣的第一處理氣體的等離子體(以下稱(chēng)為“第一等離子體處理工序”)；以及(iii)在處理容器內(nèi)生成包含氫氣、三氟化氮?dú)怏w、溴化氫氣體以及含碳?xì)怏w的第二處理氣體的等離子體(以下稱(chēng)為“第二等離子體處理工序”)。在第一等離子體處理工序中，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為第一溫度。在第二等離子體處理工序中，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為低于第一溫度的第二溫度。

利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：第二區(qū)域的蝕刻速率高于第一區(qū)域的蝕刻速率。另外，利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特征：所形成的空隙的底部的變形程度變大。另外，利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：靜電卡盤(pán)的溫度、即被處理體的溫度越高，則第一區(qū)域的蝕刻速率越低，但掩膜的開(kāi)口的變形程度越小。

利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：第一區(qū)域的蝕刻速率高于第二區(qū)域的蝕刻速率，所形成的空隙的底部的變形程度小。另外，利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：靜電卡盤(pán)的溫度、即被處理體的溫度越低，則第一區(qū)域的蝕刻速率越高。另外，利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：在靜電卡盤(pán)的溫度、即被處理體的溫度是低溫的情況下，能夠抑制空隙在深度方向的一部分沿橫向擴(kuò)展的現(xiàn)象。

由于利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有上述特性，因此在上述一個(gè)方式所涉及的方法中，在執(zhí)行第一等離子體處理工序之后，形成于第二區(qū)域的空隙的深度相比形成于第一區(qū)域的空隙的深度而言變深。另外，所 形成的空隙的底部的變形程度變大。另外，在第一等離子體處理工序中，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為溫度較高的第一溫度，因此，在將被處理體的溫度設(shè)定為較高溫度的狀態(tài)下，利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行蝕刻。因而，執(zhí)行第一等離子體處理工序之后的掩膜的開(kāi)口的變形程度變小。

另外，由于利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有上述特性，因此在上述一個(gè)方式所涉及的方法中，在執(zhí)行第二等離子體處理工序之后，形成于第一區(qū)域的空隙的深度與形成于第二區(qū)域的空隙的深度之間的差異減小或消除。另外，通過(guò)第一等離子體處理工序而產(chǎn)生的空隙底部的變形的程度變小。因而，根據(jù)該方法，形成于第一區(qū)域和第二區(qū)域的空隙的深度大致相同，并且底部的空隙的變形程度變小。并且，在第二等離子體處理工序中，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為溫度較低的第二溫度，因此，在將被處理體的溫度設(shè)定為較低溫度的狀態(tài)下，利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行蝕刻。因而，在第二等離子體處理工序中，能夠抑制空隙沿橫向擴(kuò)展，并且能夠提高第一區(qū)域的蝕刻速率。

在一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，第一溫度是20℃以上、40℃以下的溫度，第二溫度是低于20℃的溫度。

在一個(gè)實(shí)施方式中，被處理體具有由硅或鎢形成的基底層來(lái)作為第一區(qū)域和第二區(qū)域的基底，進(jìn)行第一等離子體處理工序和第二等離子體處理工序，直到基底層暴露為止。即，執(zhí)行第一等離子體處理工序和第二等離子體處理工序，使得在基底層上殘留少許第一區(qū)域和第二區(qū)域。該實(shí)施方式的方法還包括以下工序：在處理容器內(nèi)生成包含碳氟化合物氣體和氧氣的第三處理氣體的等離子體(以下稱(chēng)為“第三等離子體處理工序”)。在第三等離子體處理工序中，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為高于第一溫度的第三溫度。在該實(shí)施方式的第三等離子體處理工序中所使用的第三處理氣體的等離子體實(shí)質(zhì)上不對(duì)基底層進(jìn)行蝕刻。另外，在第三等離子體處理工序中，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為溫度較高的第三溫度，因此被處理體的溫度變高，活性物種針對(duì)基底層的附著系數(shù)變小。因而，根據(jù)該實(shí)施方式，能夠抑制由基底層暴露的期間 的蝕刻引起的基底層的損傷。此外，在一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，第三溫度是70℃以上的溫度。

在一個(gè)實(shí)施方式中，也可以執(zhí)行多次各自包括第一等離子體處理工序和第二等離子體處理工序的順序處理(日語(yǔ)：シーケンス)。根據(jù)該實(shí)施方式，能夠在確保形成于第一區(qū)域和第二區(qū)域的空隙的深度之間的差異和空隙的變形程度小的同時(shí)進(jìn)行第一區(qū)域和第二區(qū)域的蝕刻。

發(fā)明的效果

如以上所說(shuō)明的那樣，在對(duì)具有多層膜的第一區(qū)域和具有單層的氧化硅膜的第二區(qū)域進(jìn)行蝕刻的技術(shù)中，能夠使形成于第一區(qū)域和第二區(qū)域這兩個(gè)區(qū)域的空隙的深度大致相同，使該空隙的底部的變形的程度變小，其中，該多層膜是通過(guò)將氧化硅膜和氮化硅膜交替地層疊而構(gòu)成的。

附圖說(shuō)明

圖1是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的蝕刻方法的流程圖。

圖2是表示能夠應(yīng)用圖1所示的蝕刻方法的被處理體的一例的截面圖。

圖3是概要地表示能夠用于實(shí)施圖1所示的蝕刻方法的等離子體處理裝置的一例的圖。

圖4是表示執(zhí)行圖1所示的蝕刻方法的過(guò)程中的中途階段的被處理體的狀態(tài)的一例的截面圖。

圖5是表示執(zhí)行圖1所示的蝕刻方法的過(guò)程中的中途階段的被處理體的狀態(tài)的一例的截面圖。

圖6是表示執(zhí)行圖1所示的蝕刻方法后的被處理體的狀態(tài)的一例的截面圖。

圖7是表示實(shí)驗(yàn)例1的結(jié)果的曲線(xiàn)圖。

圖8是表示實(shí)驗(yàn)例2的結(jié)果的曲線(xiàn)圖。

圖9是表示實(shí)驗(yàn)例2的結(jié)果的曲線(xiàn)圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

10：等離子體處理裝置；12：處理容器；PD：載置臺(tái)；16：下部電極；18：靜電卡盤(pán)；30：上部電極；50：排氣裝置；62：第一高頻電源；64：第二高頻電源；Cnt：控制部；W：晶圓；R1：第一區(qū)域；R2：第二區(qū)域；IL1：氧化硅膜；IL2：氮化硅膜；MSK：掩膜。

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖來(lái)詳細(xì)地說(shuō)明各種實(shí)施方式。此外，在各附圖中，對(duì)相同或相當(dāng)?shù)牟糠指郊酉嗤母綀D標(biāo)記。

圖1是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的蝕刻方法的流程圖。在圖1所示的方法MT中，對(duì)被處理體(以下有時(shí)稱(chēng)為“晶圓W”)的第一區(qū)域和第二區(qū)域進(jìn)行蝕刻，來(lái)在第一區(qū)域和第二區(qū)域這兩個(gè)區(qū)域中形成孔或溝槽之類(lèi)的空隙。該方法MT例如能夠用于制造具有三維構(gòu)造的NAND閃存。

圖2是表示能夠應(yīng)用圖1所示的蝕刻方法的被處理體的一例的截面圖。圖2所示的晶圓W具有基底層UL、第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2以及掩膜MSK?；讓覷L是設(shè)置在基板上的層?；讓覷L例如由硅或鎢形成。在更具體的一例中，基底層UL是多晶硅層。

第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2設(shè)置在基底層UL的一個(gè)主面上。第一區(qū)域R1具有多層膜。該多層膜具有多個(gè)氧化硅膜IL1和多個(gè)氮化硅膜IL2，多個(gè)氧化硅膜IL1和多個(gè)氮化硅膜IL2交替地層疊。多個(gè)氧化硅膜IL1各自的厚度例如為5nm～50nm，多個(gè)氮化硅膜IL2各自的厚度例如為10nm～75nm。在一個(gè)實(shí)施方式中，多層膜由共計(jì)24層以上的膜構(gòu)成。第二區(qū)域R2由單層的氧化硅膜構(gòu)成。第二區(qū)域R2的厚度與第一區(qū)域R1的厚度大致相同。

在第一區(qū)域R1上和第二區(qū)域R2上設(shè)置有掩膜MSK。掩膜MSK具有用于在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2中形成孔或溝槽之類(lèi)的空隙的圖案。即，掩膜MSK在第一區(qū)域R1上和第二區(qū)域R2上提供了開(kāi)口OP。掩膜MSK例如能夠由無(wú)定形碳制成?；蛘?，掩膜MSK也可以由有機(jī)聚合物、多晶硅、或非晶硅構(gòu)成。

再次參照?qǐng)D1。在方法MT的工序ST1中，將晶圓W收容在等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)并載置在該等離子體處理裝置的靜電卡盤(pán)上。圖3是概要地表示能夠用于實(shí)施圖1所示的蝕刻方法的等離子體處理裝置的一例的圖。在圖3中示出了等離子體處理裝置的一例的縱截面的構(gòu)造。

圖3所示的等離子體處理裝置10是電容耦合型等離子體蝕刻裝置。等離子體處理裝置10具備近似圓筒狀的處理容器12。處理容器12例如由鋁形成，其內(nèi)壁面被實(shí)施了陽(yáng)極氧化處理。該處理容器12被安全接地。

在處理容器12的底部上設(shè)置有支承部14。支承部14具有近似圓筒形狀，由石英或氧化鋁之類(lèi)的絕緣材料形成。支承部14在處理容器12內(nèi)從處理容器12的底部向鉛垂方向延伸。在處理容器12內(nèi)設(shè)置有載置臺(tái)PD。載置臺(tái)PD被支承部14支承。

載置臺(tái)PD具有下部電極16和靜電卡盤(pán)18。下部電極16包括第一構(gòu)件16a和第二構(gòu)件16b。第一構(gòu)件16a和第二構(gòu)件16b由鋁之類(lèi)的金屬形成，具有近似圓盤(pán)形狀。第二構(gòu)件16b設(shè)置在第一構(gòu)件16a上，與第一構(gòu)件16a電連接。

靜電卡盤(pán)18設(shè)置在下部電極16上。具體地說(shuō)，靜電卡盤(pán)18設(shè)置在第二構(gòu)件16b上。靜電卡盤(pán)18構(gòu)成為對(duì)載置在其上表面上的晶圓W進(jìn)行保持。具體地說(shuō)，靜電卡盤(pán)18具有近似圓盤(pán)狀的絕緣膜，在該絕緣膜的內(nèi)部具有電極18a。該電極18a經(jīng)由開(kāi)關(guān)SW而與直流電源22連接。當(dāng)從直流電源22對(duì)電極18a施加直流電壓時(shí)，靜電卡盤(pán)18產(chǎn)生庫(kù)倫力等靜電力。靜電卡盤(pán)18利用所產(chǎn)生的靜電力來(lái)吸附晶圓W，由此保持該晶圓W。

在下部電極16的周緣部上設(shè)置有聚焦環(huán)FR。聚焦環(huán)FR具有圓環(huán)板形狀，并被配置為包圍晶圓W的邊緣和靜電卡盤(pán)18的邊緣。聚焦環(huán)FR由根據(jù)作為蝕刻對(duì)象的膜的材料而適當(dāng)選擇出的材料構(gòu)成，例如能夠由石英構(gòu)成。

等離子體處理裝置10具有用于控制靜電卡盤(pán)18的溫度的溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)。具體地說(shuō)，在下部電極16的內(nèi)部設(shè)置有流體用的流路16f。流路16f與配管26a及配管26b連接。配管26a和配管26b與設(shè)置于處理容器12的外部的冷卻單元CU連接。從冷卻單元CU經(jīng)由配管26a向流路16f供給熱介質(zhì)。被供給到流路 16f的熱介質(zhì)經(jīng)由配管26b返回到冷卻單元CU。這樣，熱介質(zhì)在流路16f與冷卻單元CU之間循環(huán)。由此，靜電卡盤(pán)18的溫度被調(diào)整，其結(jié)果，晶圓W的溫度被調(diào)整。

另外，作為溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的一部分，在等離子體處理裝置10中設(shè)置有氣體供給線(xiàn)路28。氣體供給線(xiàn)路28用于將來(lái)自導(dǎo)熱氣體供給機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱氣體、例如氦氣供給到靜電卡盤(pán)18的上表面與晶圓W的背面之間。并且，作為溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的一部分，在靜電卡盤(pán)18的內(nèi)部設(shè)置有加熱器18h。加熱器18h與加熱器電源HP連接。加熱器18h利用來(lái)自加熱器電源HP的電力來(lái)發(fā)熱。由此，靜電卡盤(pán)18的溫度被調(diào)整，其結(jié)果，晶圓W的溫度被調(diào)整。

另外，等離子體處理裝置10還具備上部電極30。上部電極30設(shè)置于載置臺(tái)PD的上方，與該載置臺(tái)PD相向配置。在所述上部電極30與載置臺(tái)PD之間劃分出用于對(duì)晶圓W進(jìn)行等離子體處理的處理空間S。

上部電極30經(jīng)由絕緣性遮蔽構(gòu)件32被支承于處理容器12的上部。上部電極30能夠包括頂板34和支承體36。頂板34面向處理空間S，提供了多個(gè)氣體噴出孔34a。該頂板34能夠由焦耳熱少的低電阻的導(dǎo)電體或半導(dǎo)體構(gòu)成。

支承體36將頂板34以裝卸自如的方式支承，例如能夠由鋁之類(lèi)的導(dǎo)電性材料構(gòu)成。該支承體36能夠具有水冷構(gòu)造。在支承體36的內(nèi)部設(shè)置有氣體擴(kuò)散室36a。從該氣體擴(kuò)散室36a向下方延伸出與氣體噴出孔34a連通的多個(gè)氣體流通孔36b。另外，在支承體36處形成有向氣體擴(kuò)散室36a引導(dǎo)處理氣體的氣體導(dǎo)入口36c，該氣體導(dǎo)入口36c與氣體供給管38連接。

氣體供給管38經(jīng)由閥組42和流量控制器組44而與氣體源組40連接。氣體源組40包含用于第一處理氣體、第二處理氣體以及第三處理氣體的多種氣體源。具體地說(shuō)，多個(gè)氣體源包含碳氟化合物氣體用的一種以上的氣體源、氧氣(O₂氣體)用的氣體源、氫氣(H₂氣體)用的氣體源、氫氟烴氣體用的氣體源、三氟化氮?dú)怏w(NF₃氣體)用的氣體源、溴化氫氣體(HBr氣體)用的氣體源、含碳?xì)怏w用的氣體源以及稀有氣體用的氣體源。在一例中，碳氟化合物氣體包含C₄F₆氣體、C₄F₈氣體以及CF₄氣體中的一種以上。在一例中，氫氟烴氣體是 CH₂F₂氣體。含碳?xì)怏w是包含碳的任意氣體，在一例中能夠是甲烷氣體(CH₄氣體)之類(lèi)的碳化烴氣體。稀有氣體是任意的稀有氣體，在一例中是Ar氣體。

閥組42具有多個(gè)閥。另外，流量控制器組44具有質(zhì)量流量控制器(MFC)之類(lèi)的多個(gè)流量控制器。氣體源組40的多個(gè)氣體源各自經(jīng)由流量控制器組44的相應(yīng)的流量控制器和閥組42的相應(yīng)的閥而與氣體供給管38連接。因而，在等離子體處理裝置10中，將來(lái)自從多個(gè)氣體源中選擇出的氣體源的氣體供給到處理容器12內(nèi)。具體地說(shuō)，將第一處理氣體、第二處理氣體以及第三處理氣體選擇性地供給到處理容器12內(nèi)。此外，在后文中敘述第一處理氣體、第二處理氣體以及第三處理氣體的詳細(xì)內(nèi)容。

等離子體處理裝置10還能夠具備接地導(dǎo)體12a。接地導(dǎo)體12a具有近似圓筒形狀，被設(shè)置為從處理容器12的側(cè)壁起延伸到比上部電極30的高度位置靠上方的位置處。

另外，在等離子體處理裝置10中，沿處理容器12的內(nèi)壁裝卸自如地設(shè)置有沉積物屏蔽件46。在支承部14的外周也設(shè)置有沉積物屏蔽件46。沉積物屏蔽件46是防止蝕刻副產(chǎn)物附著于處理容器12的構(gòu)件，能夠通過(guò)對(duì)鋁材覆蓋Y₂O₃等的陶瓷來(lái)構(gòu)成。

在支承部14與處理容器12的內(nèi)壁之間設(shè)置有排氣板48。在排氣板48處形成有沿其板厚方向貫通的多個(gè)貫通孔。排氣板48例如能夠通過(guò)對(duì)鋁材覆蓋Y₂O₃等的陶瓷來(lái)構(gòu)成。在該排氣板48的下方，在處理容器12處設(shè)置有排氣口12e。排氣口12e經(jīng)由排氣板52而與排氣裝置50連接。排氣裝置50具有壓力調(diào)整閥和渦輪分子泵之類(lèi)的真空泵，能夠?qū)⑻幚砣萜?2內(nèi)減壓到期望的真空度。另外，在處理容器12的側(cè)壁處設(shè)置有用于輸送晶圓W的開(kāi)口12g，該開(kāi)口12g能夠通過(guò)閘閥54被打開(kāi)和關(guān)閉。

在處理容器12的內(nèi)壁處設(shè)置有導(dǎo)電性構(gòu)件(GND塊)56。導(dǎo)電性構(gòu)件56以在高度方向上位于高度與晶圓W的高度大致相同的位置處的方式安裝于處理容器12的內(nèi)壁。該導(dǎo)電性構(gòu)件56以直流(DC)方式接地，發(fā)揮異常放電防止效果。此外，導(dǎo)電性構(gòu)件56設(shè)置于等離子體生成區(qū)域即可，其設(shè)置位置并不 限于圖3所示的位置。

另外，等離子體處理裝置10還具備第一高頻電源62和第二高頻電源64。第一高頻電源62是產(chǎn)生用于生成等離子體的第一高頻的電源，產(chǎn)生27MHz～100MHz的頻率，在一例中，產(chǎn)生40MHz的高頻。第一高頻電源62經(jīng)由匹配器66而與下部電極16連接。匹配器66具有用于使第一高頻電源62的輸出阻抗與負(fù)載側(cè)(下部電極16側(cè))的輸入阻抗相匹配的電路。此外，第一高頻電源62也可以經(jīng)由匹配器66而與上部電極30連接。

第二高頻電源64是產(chǎn)生用于向晶圓W引入離子的第二高頻、即高頻偏壓的電源，產(chǎn)生400kHz～13.56MHz的范圍內(nèi)的頻率，在一例中，產(chǎn)生3MHz的高頻偏壓。第二高頻電源64經(jīng)由匹配器68而與下部電極16連接。匹配器68具有用于使第二高頻電源64的輸出阻抗與負(fù)載側(cè)(下部電極16側(cè))的輸入阻抗相匹配的電路。

另外，等離子體處理裝置10還具備直流電源部70。直流電源部70與上部電極30連接。直流電源部70能夠產(chǎn)生負(fù)的直流電壓并將該直流電壓施加于上部電極30。

另外，等離子體處理裝置10還具備控制部Cnt。該控制部Cnt是具備處理器、存儲(chǔ)部、輸入裝置以及顯示裝置等的計(jì)算機(jī)，對(duì)等離子體處理裝置10的各部進(jìn)行控制。在該控制部Cnt中，操作者能夠使用輸入裝置進(jìn)行命令的輸入操作等來(lái)管理等離子體處理裝置10，另外，能夠利用顯示裝置將等離子體處理裝置10的運(yùn)行狀況可視地進(jìn)行顯示。并且，在控制部Cnt的存儲(chǔ)部中存儲(chǔ)有用于利用處理器來(lái)控制由等離子體處理裝置10執(zhí)行的各種處理的控制程序、用于根據(jù)處理?xiàng)l件使等離子體處理裝置10的各部執(zhí)行處理的程序、即處理制程。

在一個(gè)實(shí)施方式中，控制部Cnt按照方法MT中使用的處理制程，在方法MT的各工序中對(duì)開(kāi)關(guān)SW、閥組42的多個(gè)閥、流量控制器組44的多個(gè)流量控制器、排氣裝置50、第一高頻電源62、匹配器66、第二高頻電源64、匹配器68、冷卻單元CU以及加熱器電源HP等等離子體處理裝置10的各部進(jìn)行控制。

再次參照?qǐng)D1來(lái)繼續(xù)說(shuō)明方法MT。在以下的說(shuō)明中，同時(shí)參照?qǐng)D1和圖4～圖6。圖4和圖5是表示執(zhí)行圖1所示的蝕刻方法的過(guò)程中的中途階段的被處理體的狀態(tài)的一例的截面圖。另外，圖6是表示執(zhí)行圖1所示的蝕刻方法后的被處理體的狀態(tài)的一例的截面圖。

如圖1所示，在方法MT中，首先，如上述那樣執(zhí)行工序ST1。在工序ST1中，將晶圓W收容到等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)并載置在靜電卡盤(pán)上。在使用等離子體處理裝置10的情況下，晶圓W被載置在靜電卡盤(pán)18上。之后，對(duì)靜電卡盤(pán)18的電極18a施加來(lái)自直流電源22的電壓。由此，晶圓W被靜電卡盤(pán)18保持。

接著，在方法MT中，執(zhí)行工序ST2。在工序ST2中，在等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)生成第一處理氣體的等離子體(第一等離子體處理工序)。第一處理氣體包含一種以上的碳氟化合物氣體和氧氣(O₂氣體)。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一處理氣體為包含C₄F₆氣體和C₄F₈氣體的碳氟化合物氣體。另外，在一個(gè)實(shí)施方式中，第一處理氣體可以還包含氫氟烴氣體和稀有氣體中的任意氣體。作為氫氟烴氣體，能夠使用CH₂F₂氣體。作為稀有氣體，能夠使用任意稀有氣體。例如，作為稀有氣體，能夠使用Ar氣體。

在工序ST2中，將處理容器內(nèi)的空間的壓力調(diào)整為規(guī)定的壓力。另外，在工序ST2中，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為第一溫度。第一溫度是高于第二溫度的溫度，該第二溫度是在后述的在工序ST3中設(shè)定的靜電卡盤(pán)的溫度。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一溫度是20℃以上、40℃以下的溫度。此外，晶圓W接收來(lái)自等離子體的輻射熱，因此晶圓W的溫度成為比靜電卡盤(pán)的溫度高10℃～15℃左右的溫度。因而，在工序ST2中，將晶圓W的溫度設(shè)定為30℃以上、55℃以下的溫度。并且，在工序ST2中，激發(fā)被供給到處理容器內(nèi)的第一處理氣體來(lái)生成等離子體。

在使用等離子體處理裝置10的情況下，在工序ST2中，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源的氣體源向處理容器12內(nèi)供給第一處理氣體。另外，利用排氣裝置50將處理容器12內(nèi)的空間的壓力調(diào)整為規(guī)定的壓力。另外，利用冷卻 單元CU和加熱器18h中的任一個(gè)將靜電卡盤(pán)18的溫度設(shè)定為第一溫度。并且，向下部電極16供給來(lái)自第一高頻電源62的高頻和來(lái)自第二高頻電源64的高頻偏壓。由此，在處理容器12內(nèi)生成第一處理氣體的等離子體。

以下，例示工序ST2中的各種條件的范圍。

C₄F₆氣體的流量：20sccm～100sccm

C₄F₈氣體的流量：20sccm～100sccm

CH₂F₂氣體的流量：20sccm～100sccm

Ar氣體的流量：100sccm～500sccm

氧氣的流量：20sccm～200sccm

第一高頻電源62的高頻的頻率：27MHz～100MHz

第一高頻電源62的高頻的電力：100W～5000W

第二高頻電源64的高頻偏壓的頻率：400kHz～3MHz

第二高頻電源64的高頻偏壓的電力：500W～7000W

處理容器12內(nèi)的壓力：2.66Pa～13.3Pa(20mTorr～100mTorr)

處理時(shí)間：180秒～600秒

在工序ST2中，如圖4所示，在經(jīng)由掩膜MSK的開(kāi)口OP暴露出來(lái)的部分對(duì)第一區(qū)域R1進(jìn)行蝕刻，在該第一區(qū)域R1形成空隙SP1。另外，在經(jīng)由掩膜MSK的開(kāi)口OP暴露出來(lái)的部分對(duì)第二區(qū)域R2進(jìn)行蝕刻，在該第二區(qū)域R2形成空隙SP2。另外，在進(jìn)行工序ST2的蝕刻時(shí)，在掩膜MSK的表面和對(duì)通過(guò)蝕刻而形成的空隙進(jìn)行限定的壁面上形成堆積物DP。堆積物DP包含碳、碳氟化合物和蝕刻副產(chǎn)物等中的任意物質(zhì)。

工序ST2中的利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：第一區(qū)域R1的蝕刻速率高于第二區(qū)域R2的蝕刻速率。另外，利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：所形成的空隙的底部(深部)的變形程度變大。另外，利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：靜電卡盤(pán)的溫度、即晶圓W的溫度越高，則第一區(qū)域R1的蝕刻速率越低，但掩膜MSK的開(kāi)口OP的變形程度越小。此外，所謂空隙和開(kāi)口的“變形”，是 該和開(kāi)口在與深度方向正交的平面內(nèi)空隙的平面形狀為不同于期望的平面形狀的形狀的現(xiàn)象，是在期望的平面形狀為正圓形狀的情況下、實(shí)際形成的空隙和開(kāi)口的平面形狀為不同于正圓形狀的形狀的現(xiàn)象。

由于利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有上述特性，因此在執(zhí)行工序ST2之后，形成于第二區(qū)域R2的空隙SP2的深度比形成于第一區(qū)域R1的空隙SP1的深度深。另外，空隙SP1和空隙SP2的底部的變形程度變大。另外，在工序ST2中，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為溫度較高的第一溫度，因此，在將晶圓W的溫度設(shè)定為較高溫度的狀態(tài)下，利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行蝕刻。因而，在執(zhí)行工序ST2之后，掩膜MSK的開(kāi)口OP的變形程度變小。

接著，在方法MT中，執(zhí)行工序ST3。在工序ST3中，在等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)生成第二處理氣體的等離子體(第二等離子體處理工序)。第二處理氣體包含氫氣(H₂氣體)、三氟化氮?dú)怏w(NF₃氣體)、溴化氫氣體(HBr氣體)以及含碳?xì)怏w。第二處理氣體中包含的含碳?xì)怏w是含碳的任意氣體，在一例中，能夠是甲烷氣體(CH₄氣體)之類(lèi)的碳化烴氣體。在一個(gè)實(shí)施方式中，第二處理氣體可以還包含氫氟烴氣體和碳氟化合物氣體中的任意氣體。作為氫氟烴氣體，例如能夠使用CH₂F₂氣體。另外，作為碳氟化合物氣體，能使用CF₄氣體。

在工序ST3中，將處理容器內(nèi)的空間的壓力調(diào)整為規(guī)定的壓力。另外，在工序ST3中，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為第二溫度。第二溫度是低于第一溫度的溫度。在一個(gè)實(shí)施方式中，第二溫度是低于20℃的溫度。此外，晶圓W接收來(lái)自等離子體的輻射熱，因此在工序ST3中，將晶圓W的溫度設(shè)定為低于30℃的溫度。并且，在工序ST3中，激發(fā)被供給到處理容器內(nèi)的第二處理氣體來(lái)生成等離子體。

在使用等離子體處理裝置10的情況下，在工序ST3中，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源的氣體源向處理容器12內(nèi)供給第二處理氣體。另外，利用排氣裝置50將處理容器12內(nèi)的空間的壓力調(diào)整為規(guī)定的壓力。另外，利用冷卻單元CU和加熱器18h中的任一個(gè)將靜電卡盤(pán)18的溫度設(shè)定為第二溫度。并 且，向下部電極16供給來(lái)自第一高頻電源62的高頻和來(lái)自第二高頻電源64的高頻偏壓。由此，在處理容器12內(nèi)生成第二處理氣體的等離子體。

以下，例示工序ST3中的各種條件的范圍。

H₂氣體的流量：50sccm～300sccm

HBr氣體的流量：5sccm～50sccm

NF₃氣體的流量：50sccm～100sccm

CH₂F₂氣體的流量：40sccm～80sccm

CH₄氣體的流量：5sccm～50sccm

CF₄氣體的流量：20sccm～100sccm

第一高頻電源62的高頻的頻率：27MHz～100MHz

第一高頻電源62的高頻的電力：100W～5000W

第二高頻電源64的高頻偏壓的頻率：400kHz～13.56MHz

第二高頻電源64的高頻偏壓的電力：1000W～7000W

處理容器12內(nèi)的壓力：2.66Pa～13.3Pa(20mTorr～100mTorr)

處理時(shí)間：180秒～600秒

在工序ST3中，如圖5所示，在經(jīng)由掩膜MSK的開(kāi)口OP暴露出來(lái)的部分對(duì)第一區(qū)域R1進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻，使空隙SP1的深度變深。另外，在經(jīng)由掩膜MSK的開(kāi)口OP暴露出來(lái)的部分對(duì)第二區(qū)域R2進(jìn)行蝕刻，使空隙SP2的深度變深。另外，在進(jìn)行工序ST3的蝕刻時(shí)，在掩膜MSK的表面和對(duì)通過(guò)蝕刻而形成的空隙進(jìn)行限定的壁面上形成堆積物DP。堆積物DP包含碳、碳化氫和蝕刻副產(chǎn)物等中的任意物質(zhì)。

工序ST3中的利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：第二區(qū)域R2的蝕刻速率高于第一區(qū)域R1的蝕刻速率，所形成的空隙的底部的變形程度小。另外，利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：靜電卡盤(pán)的溫度、即晶圓W的溫度越低，則第一區(qū)域R1的蝕刻速率越高。另外，利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：在靜電卡盤(pán)的溫度、即晶圓的溫度是低溫的情況下，能夠抑制空隙在深度方向的一部分 沿橫向(與深度方向正交的方向)擴(kuò)展的現(xiàn)象。

由于利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有上述特性，因此在執(zhí)行工序ST3之后，形成于第一區(qū)域R1的空隙SP1的深度與形成于第二區(qū)域R2的空隙SP2的深度之間的差異減小或消除。另外，通過(guò)工序ST2產(chǎn)生的空隙底部的變形的程度在執(zhí)行工序ST3之后變小。因而，通過(guò)依次進(jìn)行工序ST2和工序ST3，形成于第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的空隙的深度大致相同，并且空隙底部的變形的程度變小。另外，在工序ST3中，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為溫度較低的第二溫度，因此，在將晶圓W的溫度設(shè)定為較低溫度的狀態(tài)下，利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行蝕刻。因而，在工序ST3中，能夠抑制空隙沿橫向擴(kuò)展，并且能夠提高第一區(qū)域R1的蝕刻速率。

在方法MT中，在接下來(lái)的工序STJ中判定是否滿(mǎn)足停止條件。在包括工序ST2和工序ST3的順序處理的執(zhí)行次數(shù)達(dá)到規(guī)定次數(shù)時(shí)，判定為滿(mǎn)足停止條件。該規(guī)定次數(shù)可以是一次，也可以是多次。在規(guī)定次數(shù)是一次的情況下，不需要工序STJ。在規(guī)定次數(shù)是多次的實(shí)施方式中，在工序STJ中判定為不滿(mǎn)足停止條件的情況下，再次依次執(zhí)行工序ST2和工序ST3。另一方面，在工序STJ中判定為滿(mǎn)足停止條件的情況下，結(jié)束包括工序ST2和工序ST3的順序處理的執(zhí)行。此外，在規(guī)定次數(shù)是多次的實(shí)施方式中，將各順序處理中的工序ST2的執(zhí)行時(shí)間和工序ST3的執(zhí)行時(shí)間分別設(shè)定為比規(guī)定次數(shù)是一次的實(shí)施方式中的工序ST2的執(zhí)行時(shí)間和工序ST3的執(zhí)行時(shí)間短。這樣，通過(guò)執(zhí)行多次包括工序ST2和工序ST3的順序處理，能夠在確保形成于第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的空隙的深度之間的差異和空隙的變形程度小的同時(shí)進(jìn)行第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的蝕刻。

在一個(gè)實(shí)施方式的方法MT中，執(zhí)行工序ST2和工序ST3，直到基底層UL即將暴露為止。即，執(zhí)行工序ST2和工序ST3，使得在基底層上殘留少許第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2。然后，執(zhí)行工序ST4。在工序ST4中，在等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)生成第三處理氣體的等離子體。對(duì)于第三處理氣體，能夠使用與第一處理氣體相同的處理氣體。

在工序ST4中，將處理容器內(nèi)的空間的壓力調(diào)整為規(guī)定的壓力。另外，在工序ST4中，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為第三溫度。第三溫度是高于第一溫度的溫度。在一個(gè)實(shí)施方式中，第三溫度是70℃以上的溫度。此外，晶圓W接收來(lái)自等離子體的輻射熱，因此晶圓W的溫度成為比靜電卡盤(pán)的溫度高10℃～15℃左右的溫度。因而，在工序ST4中，將晶圓W的溫度設(shè)定為80℃以上的溫度。并且，在工序ST4中，激發(fā)被供給到處理容器內(nèi)的第三處理氣體來(lái)生成等離子體。

在使用等離子體處理裝置10的情況下，在工序ST4中，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源的氣體源向處理容器12內(nèi)供給第三處理氣體。另外，利用排氣裝置50將處理容器12內(nèi)的空間的壓力調(diào)整為規(guī)定的壓力。另外，利用冷卻單元CU和加熱器18h中的任一個(gè)將靜電卡盤(pán)18的溫度設(shè)定為第三溫度。并且，向下部電極16供給來(lái)自第一高頻電源62的高頻和來(lái)自第二高頻電源64的高頻偏壓。由此，在處理容器12內(nèi)生成第三處理氣體的等離子體。

以下，例示工序ST4中的各種條件的范圍。

C₄F₆氣體的流量：20sccm～100sccm

C₄F₈氣體的流量：20sccm～100sccm

CH₂F₂氣體的流量：20sccm～100sccm

Ar氣體的流量：100sccm～500sccm

氧氣的流量：20sccm～100sccm

第一高頻電源62的高頻的頻率：27MHz～100MHz

第一高頻電源62的高頻的電力：500W～2700W

第二高頻電源64的高頻偏壓的頻率：400kHz～13.56MHz

第二高頻電源64的高頻偏壓的電力：1000W～7000W

處理容器12內(nèi)的壓力：2.66Pa～13.3Pa(20mT～100mT)

處理時(shí)間：180秒～600秒

在工序ST4中，如圖6所示，在經(jīng)由掩膜MSK的開(kāi)口OP暴露出來(lái)的部分對(duì)第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻。由此，使基底層UL經(jīng)由空隙 SP1和空隙SP2暴露出來(lái)。另外，在進(jìn)行工序ST4的蝕刻時(shí)，與進(jìn)行工序ST2的蝕刻時(shí)同樣地，在掩膜MSK的表面和對(duì)通過(guò)蝕刻而形成的空隙進(jìn)行限定的壁面上形成堆積物DP。

在工序ST4中所使用的第三處理氣體的等離子體實(shí)質(zhì)上不對(duì)基底層進(jìn)行蝕刻。另外，在工序ST4中，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為溫度較高的第三溫度，因此晶圓W的溫度變高，活性物種針對(duì)基底層UL的附著系數(shù)變小。因而，能夠抑制由基底層UL暴露的期間的蝕刻引起的基底層UL的損傷。

以上，對(duì)實(shí)施方式的方法MT進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于上述的實(shí)施方式，而能夠構(gòu)成各種變形方式。例如，執(zhí)行方法MT時(shí)所使用的等離子體處理裝置并不限定于電容耦合型等離子體處理裝置，也可以是電感耦合型等離子體處理裝置，或者還可以是將微波之類(lèi)的表面波用作等離子體源的等離子體處理裝置。另外，方法MT包括工序ST4，但也可以通過(guò)執(zhí)行工序ST2和工序ST3使基底層UL暴露，從而省略工序ST4。

以下，對(duì)為了評(píng)價(jià)方法MT所進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)例進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于實(shí)驗(yàn)例。

(實(shí)驗(yàn)例1)

在實(shí)驗(yàn)例1中，準(zhǔn)備了具有多層膜和掩模的多個(gè)晶圓，其中，該多層膜是通過(guò)將多個(gè)氧化硅膜和多個(gè)氮化硅膜交替地層疊而構(gòu)成的，該掩模在該多層膜上提供近似圓形的開(kāi)口。各氧化硅膜的膜厚是50nm，各氮化硅膜的膜厚是50nm，氧化硅膜的層數(shù)是48層，氮化硅膜的層數(shù)是48層。另外，掩膜是由無(wú)定形碳制成的，具有1500nm的膜厚，并提供直徑為120nm的近似正圓的平面形狀的開(kāi)口。在實(shí)驗(yàn)例1中，使用等離子體處理裝置10生成第一處理氣體的等離子體來(lái)對(duì)多層膜進(jìn)行蝕刻，在該多層膜中形成了孔。在對(duì)多個(gè)晶圓的多層膜進(jìn)行蝕刻時(shí)，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為互不相同的溫度。以下，表示實(shí)驗(yàn)例1的靜電卡盤(pán)的溫度以外的處理?xiàng)l件。

<實(shí)驗(yàn)例1中的處理?xiàng)l件>

C₄F₆氣體的流量：40sccm

C₄F₈氣體的流量：30sccm

CH₂F₂氣體的流量：25sccm

Ar氣體的流量：400sccm

氧氣的流量：35sccm

第一高頻電源62的高頻的頻率：100MHz

第一高頻電源62的高頻的電力：1250W

第二高頻電源64的高頻偏壓的頻率：400kHz

第二高頻電源64的高頻偏壓的電力：700W

處理容器12內(nèi)的壓力：3.333Pa(25mTorr)

處理時(shí)間：600秒

然后，獲取對(duì)多層膜進(jìn)行蝕刻后的掩膜的開(kāi)口的SEM圖像和形成于多層膜的孔的底部的SEM圖像，求出掩膜的開(kāi)口的圓度和底部的孔的圓度。另外，還求出多層膜的蝕刻速率。此外，求出在SEM圖像中穿過(guò)掩膜的開(kāi)口的大致中心且在該開(kāi)口的邊緣處終止的24個(gè)線(xiàn)段，并求出對(duì)該24個(gè)線(xiàn)段的線(xiàn)段長(zhǎng)度中的最小的線(xiàn)段長(zhǎng)度除以最大的線(xiàn)段長(zhǎng)度而得到的值來(lái)作為掩膜的開(kāi)口的圓度。同樣地，求出在SEM圖像中穿過(guò)底部的孔的大致中心且在該底部的孔的邊緣處終止的24個(gè)線(xiàn)段，并求出對(duì)該24個(gè)線(xiàn)段的線(xiàn)段長(zhǎng)度中的最小的線(xiàn)段長(zhǎng)度除以最大的線(xiàn)段長(zhǎng)度而得到的值來(lái)作為底部的孔的圓度。掩膜的開(kāi)口的圓度和孔的底部的圓度均是表示越接近1則越接近正圓的參數(shù)。

在圖7的曲線(xiàn)圖中表示在實(shí)驗(yàn)例1中求出的掩膜的開(kāi)口的圓度、孔的底部的圓度以及多層膜的蝕刻速率。在圖7中，橫軸表示對(duì)多層膜進(jìn)行蝕刻時(shí)的靜電卡盤(pán)的溫度，左側(cè)的縱軸表示圓度，右側(cè)的縱軸表示蝕刻速率。如圖7所示，確認(rèn)了利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：靜電卡盤(pán)的溫度越高，則多層膜的蝕刻速率越低。另外，確認(rèn)了通過(guò)利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行蝕刻而形成的孔的底部的圓度相對(duì)于通過(guò)利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行蝕刻而形成的孔的底部的圓度(參照后述的實(shí)驗(yàn)例2的結(jié)果)而言較小。即，確認(rèn)了通過(guò)利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行蝕刻 而形成的空隙的底部的變形程度較大。另外，確認(rèn)了利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：靜電卡盤(pán)的溫度越高，則掩膜的開(kāi)口的圓度越高。即，確認(rèn)了利用第一處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：靜電卡盤(pán)的溫度越高，則掩膜的開(kāi)口的變形程度越小。此外，確認(rèn)了通過(guò)將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為20℃以上、40℃以下的范圍內(nèi)的溫度，能夠得到100nm/分以上的蝕刻速率和0.95以上的掩膜的開(kāi)口的圓度。

(實(shí)驗(yàn)例2)

在實(shí)驗(yàn)例2中，準(zhǔn)備了與在實(shí)驗(yàn)例1中準(zhǔn)備的晶圓相同的多個(gè)晶圓。然后，使用等離子體處理裝置10生成第二處理氣體的等離子體來(lái)對(duì)多層膜進(jìn)行蝕刻，在該多層膜中形成了孔。在對(duì)多個(gè)晶圓的多層膜進(jìn)行蝕刻時(shí)，將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為互不相同的溫度。以下，表示實(shí)驗(yàn)例2的靜電卡盤(pán)的溫度以外的處理?xiàng)l件。

<實(shí)驗(yàn)例2的處理?xiàng)l件>

H₂氣體的流量：105sccm

HBr氣體的流量：40sccm

NF₃氣體的流量：70sccm

CH₂F₂氣體的流量：65sccm

CH₄氣體的流量：35sccm

第一高頻電源62的高頻的頻率：60MHz

第一高頻電源62的高頻的電力：2500W

第二高頻電源64的高頻偏壓的頻率：400kHz

第二高頻電源64的高頻偏壓的電力：4000W

處理容器12內(nèi)的壓力：4Pa(30mTorr)

處理時(shí)間：333秒

然后，獲取形成于多層膜的孔的上部、即多層膜與掩膜的分界附近的孔的SEM圖像和該孔的底部的SEM圖像，求出上部的孔的寬度和底部的孔的圓度。另外，還求出多層膜的蝕刻速率。此外，利用與實(shí)驗(yàn)例1相同的方法求 出底部的孔的圓度。

在圖8的曲線(xiàn)圖中表示在實(shí)驗(yàn)例2中求出的底部的孔的圓度，在圖9的曲線(xiàn)圖中表示在實(shí)驗(yàn)例2中求出的上部的孔的寬度和蝕刻速率。在圖8中，橫軸表示對(duì)多層膜進(jìn)行蝕刻時(shí)的靜電卡盤(pán)的溫度，縱軸表示圓度。在圖9中，橫軸表示對(duì)多層膜進(jìn)行蝕刻時(shí)的靜電卡盤(pán)的溫度，左側(cè)的縱軸表示上部的孔的寬度，右側(cè)的縱軸表示蝕刻速率。如圖8所示，確認(rèn)了利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：底部的孔的圓度不依賴(lài)于靜電卡盤(pán)的溫度而變高。即，確認(rèn)了利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：所形成的空隙的底部的變形程度不依賴(lài)于靜電卡盤(pán)的溫度而變小。另外，如圖9所示，確認(rèn)了利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：靜電卡盤(pán)的溫度越低，則能夠得到的蝕刻速率越高。另外，確認(rèn)了利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：靜電卡盤(pán)的溫度越低，則上部的孔的寬度越小。即，確認(rèn)了利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行的蝕刻具有以下特性：靜電卡盤(pán)的溫度越低，則能夠越有效地抑制所形成的空隙的一部分沿橫向擴(kuò)展的現(xiàn)象。另外，確認(rèn)了以下內(nèi)容：在利用第二處理氣體的等離子體進(jìn)行蝕刻時(shí)，如果將靜電卡盤(pán)的溫度設(shè)定為低于20℃的溫度，則能夠獲得充分的蝕刻速率，能夠充分地抑制空隙沿橫向擴(kuò)展。