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層疊陶瓷電子部件的制造方法與流程

文檔序號:11955250閱讀:330來源:國知局
層疊陶瓷電子部件的制造方法與流程

本發(fā)明涉及一種陶瓷電子部件的制造方法,詳細地,涉及一種具有內部電極層隔著陶瓷層而層疊的構造的層疊陶瓷電子部件的制造方法。



背景技術:

作為代表性的層疊陶瓷電子部件即層疊陶瓷電容器的制造方法,公知以下方法:經由形成內部電極層隔著陶瓷層而層疊的母層疊體且對該母層疊體進行加壓之后進行切斷來分割成各個芯片(陶瓷電容器元件)的工序,制造層疊陶瓷電容器。

但是,在對母層疊體進行加壓的工序中,由于在內部電極層產生變形,導致在進行切斷來分割成各個芯片時,存在去除了引出部的內部電極層的周邊與芯片的側面或端面之間的間隙不足(與外部的絕緣可靠性降低)的問題。

為了應對這種問題,在專利文獻1中,提出了以下說明的層疊陶瓷電子部件的制造方法。

也就是說,在專利文獻1中,如其附圖2~4、說明書的段落0016~24等所述,提出了如下方法:將母塊載置于擴展薄膜上,在對母塊加壓之前進行切斷來得到多個切斷塊,接下來使擴展薄膜在面方向延伸,在切斷塊之間形成間隙之后,在該間隙填充粉體和液體混合而成的填充材料,使液體蒸發(fā)來使填充材料為凝固狀態(tài),然后對切斷塊與填充材料一起進行加壓,之后,去除填充材料并取出成為原始芯片的切斷塊。

并且,根據該方法,能夠抑制并防止在加壓工序中在母塊產生不希望的變形或者在內部電極層產生位置偏移或變形。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1:日本特開平10-135068號公報

但是,在專利文獻1的層疊陶瓷電子部件的制造方法中,在填充材料殘留的情況下,填充材料可能在切斷塊(芯片)的燒成中擴散到芯片中,對電特性和可靠性產生負面影響。

進一步地,由于填充材料存在的影響,可能連構成芯片的陶瓷材料也溶解,損害電特性和可靠性。



技術實現要素:

本發(fā)明解決上述課題,其目的在于,提供一種能夠高效地、可靠地制造電特性良好且可靠性高的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電子部件的制造方法。

為了解決上述課題,本發(fā)明的層疊陶瓷電子部件的制造方法具備:粘接層疊體形成工序,對陶瓷層與內部電極層層疊的未燒成的母層疊體進行切斷,以使得形成與所述未燒成的母層疊體的主面交叉的第1切斷面,之后通過加壓而得到所述第1切斷面彼此粘接的粘接層疊體;和分割工序,在粘接的所述第1切斷面之間分割所述粘接層疊體,得到層疊體。

在本發(fā)明的層疊陶瓷電子部件的制造方法中,優(yōu)選具備如下工序:在所述粘接層疊體形成工序之后,對所述粘接層疊體進行切斷,以使得形成與所述主面以及所述第1切斷面交叉的第2切斷面。

通過設為上述構成,能夠抑制內部電極層的變形或偏移,并且能夠將母層疊體分割為矩陣狀,高效地得到作為單片的層疊體。

此外,在本發(fā)明的層疊陶瓷電子部件的制造方法中,優(yōu)選構成為在所述粘接層疊體形成工序中,在將所述母層疊體切斷以使得形成所述第1切斷面之后、進行所述加壓之前,對所述母層疊體進行切斷,以使得形成與所述主面以及所述第1切斷面交叉的第2切斷面,之后通過加壓來形成所述第1切斷面以及所述第2切斷面彼此粘接的粘接層疊體。

通過設為上述構成,由于在進行作為內部電極層的變形或偏移的重要因素的加壓之前,進行了全部切斷,因此能夠得到內部電極層的變形或偏移更少的層疊體。

此外,優(yōu)選構成為在所述分割工序中,通過分割夾具來按壓所述粘接層疊體的主面,同時使所述分割夾具沿所述粘接層疊體的主面相對移動,從而在粘接的所述第1切斷面之間對所述粘接層疊體進行分割。

通過按壓分割夾具,同時使其沿粘接層疊體的主面相對移動,能夠高效地分割粘接層疊體,得到在第1切斷面之間被分割的分割層疊體,能夠使本發(fā)明進一步實際有效。

此外,優(yōu)選構成為在所述分割工序中,通過分割夾具來按壓所述粘接層疊體的主面,并且使所述分割夾具沿所述粘接層疊體的主面相對移動,從而在粘接的所述第1切斷面之間以及所述第2切斷面之間的至少一方對所述粘接層疊體進行分割。

在設為上述構成的情況下,能夠高效地分割粘接層疊體,得到作為單片的層疊體,能夠使本發(fā)明進一步實際有效。

此外,優(yōu)選具備如下工序:對通過在所述分割工序中分割所述粘接層疊體而得到的所述層疊體的所述第1切斷面、以及與所述主面及所述第1切斷面交叉的第2切斷面的至少一方,給予功能部件。

對在所述切斷面之間分割粘接層疊體而得到的層疊體的第1以及第2切斷面的至少一方給予功能部件的情況下,例如,能夠高效地制造具備與內部電極層導通的外部電極的層疊陶瓷電子部件、具備具有規(guī)定的厚度的側面間隙的層疊陶瓷電子部件。

此外,優(yōu)選所述分割工序中得到的所述層疊體包含:交替地被層疊的內部電極層和陶瓷層,在層疊方向上相鄰的內部電極層的一方在相互對置的一對所述第1切斷面的一方露出,在所述層疊方向上相鄰的內部電極層的另一方在一對所述第1切斷面的另一方露出,還具備如下工序:對一對所述第1切斷面給予電極材料來作為所述功能部件。

通過具備上述構成,例如,能夠高效地制造如下構成的層疊陶瓷電容器等層疊陶瓷電子部件:隔著陶瓷層而層疊的內部電極層在一對端面的一個與另一個被交替引出,并與形成在一對端面的外部電極導通。

此外,優(yōu)選所述分割工序中得到的所述層疊體包含:交替地被層疊的內部電極層和陶瓷層,在層疊方向上相鄰的內部電極層的一方在相互對置的一對所述第1切斷面的一方露出,在所述層疊方向上相鄰的內部電極層的另一方在一對所述第1切斷面的另一方露出,并且,層疊的所述內部電極層均露出在與所述第1切斷面交叉的相互對置的一對所述第2切斷面的每一個,還具備如下工序:對所述層疊體的所述第2切斷面給予絕緣材料來作為所述功能部件。

通過具備上述構成,例如,能夠高效地制造構成為隔著陶瓷層而層疊的內部電極層在一對端面的一個與另一個被交替引出,并與形成在一對端面的外部電極導通,并且,在一對側面(第2切斷面)給予絕緣材料,確保了足夠的側面間隙的可靠性較高的層疊陶瓷電子部件(例如層疊陶瓷電容器等)。

此外,優(yōu)選所述分割工序中得到的所述層疊體包含:交替地被層疊的內部電極層和陶瓷層,所述內部電極層不在所述第1切斷面露出,在層疊方向上相鄰的內部電極層的一方在相互對置的一對所述第2切斷面的一方露出,并且,在所述層疊方向上相鄰的內部電極層的另一方在一對所述第2切斷面的另一方露出,還具備如下工序:對所述層疊體的所述第2切斷面給予電極材料來作為所述功能部件。

在設為上述構成的情況下,能夠高效地制造具有以下構造的層疊陶瓷電子部件:在層疊方向上相鄰的內部電極層的一方在相互對置的一對端面露出,并且,在層疊方向上相鄰的內部電極層的另一方在一對端面的另一方露出。

此外,本發(fā)明的另一層疊陶瓷電子部件的制造方法具備:粘接層疊體形成工序,對陶瓷層與內部電極層層疊的未燒成的母層疊體進行切斷,以使得形成與主面交叉的第1切斷面,在形成具有如下構造的多個層疊體之后通過進行加壓而得到所述第1切斷面彼此粘接的粘接層疊體,該構造為在層疊方向上相鄰的內部電極層的一方在相互對置的一對第1切斷面之中的一方露出,在所述層疊方向上相鄰的內部電極層的另一方在一對所述第1切斷面之中的另一方露出;對所述粘接層疊體進行切斷,以使得形成與所述主面以及所述第1切斷面交叉的第2切斷面,由此得到具有與所述陶瓷層交替層疊的所述內部電極層均露出在一對所述第2切斷面的每一個的構造的層疊體的工序;和在所述層疊體的所述第2切斷面給予絕緣材料來作為保護部件的工序。

此外,優(yōu)選在給予所述絕緣材料的工序之前,還具備將第1切斷面之間分割的分割工序。

通過在給予絕緣材料之前,將第1切斷面之間分割,能夠在不會損傷由絕緣材料構成的保護層的情況下進行可靠的分割。

此外,在本發(fā)明中,也可以在給予所述絕緣材料的工序之后,還具備將第1切斷面之間分割的分割工序。

在將第1切斷面之間分割之前的階段,給予絕緣材料的情況下,能夠高效地給予絕緣材料,能夠提高生產性。

此外,本發(fā)明的又一層疊陶瓷電子部件的制造方法具備:對陶瓷層與內部電極層層疊而成的未燒成的母層疊體進行切斷,以使得形成與所述未燒成的母層疊體的主面交叉的第1切斷面,由此得到分割層疊體的工序;和在使相鄰的所述分割層疊體的所述第1切斷面彼此接觸的狀態(tài)下,對所述分割層疊體進行加壓的工序。

由于本發(fā)明的層疊陶瓷電子部件的制造方法具備:粘接層疊體形成工序,對陶瓷層與內部電極層層疊的未燒成的母層疊體進行切斷,以使得形成與主面交叉的第1切斷面,之后通過加壓而得到第1切斷面彼此粘接的粘接層疊體;和分割工序,在粘接的第1切斷面之間,分割粘接層疊體,由此得到層疊體,因此能夠得到內部電極層的變形或偏移少的作為單片的層疊體(芯片),能夠制造可靠性較高的層疊陶瓷電子部件。

也就是說,通過在對母層疊體進行加壓之前進行切斷,能夠抑制加壓導致的內部電極層的變形或偏移,能夠高成品率地制造可靠性較高的層疊陶瓷電子部件。

另外,在本發(fā)明中,在一個方向,對母層疊體進行了切斷,以使得形成第1切斷面,之后通過加壓來得到第1切斷面彼此粘接的粘接層疊體,但在該加壓的工序中,

(a)也可以在第1切斷面彼此粘接,并且構成層疊體的陶瓷層和內部電極層充分壓接的條件下進行加壓,此外,

(b)也可以優(yōu)選在得到第1切斷面彼此粘接的粘接層疊體的條件下進行加壓之后,在能夠使陶瓷層和內部電極層充分壓接的條件下進行加壓。

此外,由于本發(fā)明的另一層疊陶瓷電子部件的制造方法在與主面垂直并且俯視觀察母層疊體的情況下的一個方向上,對未燒成的母層疊體進行切斷,以使得形成第1切斷面,在得到具有在層疊方向上相鄰的內部電極層被交替引出到相互對置的第1切斷面之中的一個與另一個的構造的多個層疊體之后,通過加壓,得到多個層疊體的第1切斷面彼此粘接的粘接層疊體,在與主面垂直并且與第1切斷面交叉的方向上對該粘接層疊體進行切斷,以使得形成第2切斷面,由此得到具有與陶瓷層交替層疊的內部電極層均露出于與第1切斷面交叉的一對第2切斷面的每一個的構造的作為單片的層疊體之后,在第2切斷面給予絕緣材料,因此能夠高效地制造出例如構成為隔著陶瓷層而層疊的內部電極層被交替引出至一對端面(第1切斷面)的一個與另一個,并與形成于一對端面的外部電極導通,并且,具有在一對側面(第2切斷面)給予絕緣材料,確保了足夠的側面間隙的構造的層疊陶瓷電容器等層疊陶瓷電子部件。

此外,如本發(fā)明的又一層疊陶瓷電子部件的制造方法,對陶瓷層與內部電極層層疊的未燒成的母層疊體進行切斷,以使得形成與主面交叉的第1切斷面,在得到分割層疊體之后,在使相鄰的分割層疊體的第1切斷面彼此接觸的狀態(tài)下對分割層疊體進行加壓的情況下,也能夠抑制內部電極的變形,能夠高效地制造特性良好的層疊陶瓷電子部件。

也就是說,通過對粘接層疊體進行加壓,能夠使操作性效率化,在加壓時,不必使第1切斷面彼此或者第2切斷面彼此粘接,也可以在使第1切斷面彼此或者第2切斷面彼此接觸的狀態(tài)下,對分割層疊體或者單片層疊體進行加壓。在該情況下,也能夠抑制加壓所導致的內部電極層的變形或偏移,能夠高成品率地制造可靠性較高的層疊陶瓷電子部件。

另外,在切斷連續(xù)的內部電極層,使第2切斷面露出的情況下,內部電極層的位置偏移或變形難以成為問題,如使第1切斷面露出的情況那樣,在將內部電極層與內部電極層之間的位置切斷的情況下,內部電極層的位置偏移或變形容易成為問題,因此即便使第1切斷面露出的情況下的切斷在未產生位置偏移或變形的加壓之前進行,使第2切斷面露出的切斷在加壓后進行,產生不良的可能性也較小,能夠高效地制造可靠性較高的層疊陶瓷電子部件。

附圖說明

圖1是表示在本發(fā)明的一實施方式(實施方式1)中,在一個方向上切斷未燒成的母層疊體的工序的圖。

圖2是表示在本發(fā)明的實施方式1中,在與一個方向交叉(正交)的方向上切斷未燒成的母層疊體的工序的圖。

圖3是說明在本發(fā)明的實施方式1中,對被切斷的未燒成的母層疊體進行加壓的方法的圖。

圖4是說明在本發(fā)明的實施方式1中,在第1切斷面之間分割粘接層疊體的方法的圖。

圖5是說明在本發(fā)明的實施方式1中,在第2切斷面之間分割粘接層疊體的方法的圖。

圖6是表示在本發(fā)明的實施方式1中,作為通過分割粘接層疊體而得到的單片的層疊體(單片層疊體)的圖。

圖7是說明在本發(fā)明的實施方式1中,在燒成后的單片層疊體的端面(第1切斷面)給予外部電極形成用的導電性糊膏的方法的圖。

圖8是表示在本發(fā)明的實施方式1中,制作出的層疊陶瓷電子部件的圖。

圖9是說明在本發(fā)明的其他實施方式(實施方式3)中,在第1切斷面之間分割粘接層疊體的方法的圖。

圖10是表示在本發(fā)明的實施方式3中,在第1切斷面之間分割粘接層疊體而得到的分割層疊體的圖。

圖11是說明在本發(fā)明的實施方式3中,在分割的端面(第1切斷面)給予外部電極形成用的導電性糊膏的方法的圖。

圖12是表示在本發(fā)明的實施方式3中,對在端面給予了導電性糊膏的分割層疊體進行分割的工序的圖。

圖13是表示在本發(fā)明的實施方式5中得到的單片層疊體的結構的圖。

圖14是表示對在本發(fā)明的實施方式5中得到的單片層疊體的在內部電極層露出的第2切斷面給予由絕緣性的材料構成的保護層來作為功能部件的狀態(tài)的圖。

圖15是表示對圖14所示的單片層疊體的在內部電極層露出的第2切斷面給予由絕緣性的材料構成的保護層來作為功能部件的狀態(tài)的圖。

圖16是表示對圖15的單片層疊體的第1切斷面給予外部電極形成用的導電性糊膏的狀態(tài)的圖。

圖17是表示在本發(fā)明的實施方式7中,對粘接層疊體進行分割的工序的圖。

圖18是表示在本發(fā)明的實施方式7中,對粘接層疊體進行分割而得到的分割層疊體的圖。

圖19是表示對圖18所示的分割層疊體的在第2切斷面給予由絕緣性的材料構成的保護層來作為功能部件的狀態(tài)的圖。

-符號說明-

1 未燒成的層疊體

2 切斷刀

3 模具

4 上蓋

5 分割夾具(輥)

6 保持部件

7 平臺

8 導電性糊膏

10 第1切斷面

16 保持部件

17 板

18 基板

20 第2切斷面

21 單片層疊體

31 粘接層疊體

31a 第1切斷面露出的分割層疊體

31b 第2切斷面露出的分割層疊體

41 燒成過的單片層疊體(芯片)

42(42a、42b) 內部電極層

43 外部電極

43a 燒成金屬層(基底電極層)

43b Ni鍍層

43c Sn鍍層

44 陶瓷層

50 保護層

50a 作為保護層的未燒成的陶瓷片

51 彈性橡膠片

D1 一個方向(D1)

D2 與一個方向交叉的方向

具體實施方式

以下表示本發(fā)明的實施方式,對作為本發(fā)明的特征的地方進一步詳細地進行說明。

[實施方式1]

在該實施方式1中,作為層疊陶瓷電子部件以制造層疊陶瓷電容器的情況為例來進行說明。

(1)未燒成的母層疊體的準備

首先,準備具有陶瓷層與內部電極層層疊的構造的未燒成的母層疊體。

另外,母層疊體是通過將在使用了陶瓷電介質的陶瓷生片涂敷導電性糊膏而形成有內部電極圖案的電極圖案形成片和不具備內部電極圖案的電極圖案未形成片按照規(guī)定的順序層疊而形成的。

電極圖案形成片的矩形狀的內部電極圖案被配設為矩陣狀,構成為通過層疊成在每一層位置交替偏移,從而在切斷后,能夠得到具有以下構造的作為后述單片的層疊體(以下也稱為“單片層疊體”):在一對端面(后述的第1切斷面)的一個端面與另一個端面,內部電極層被交替引出。

(2)母層疊體的切斷

(2-1)如圖1所示,沿著與母層疊體1的主面垂直并且俯視觀察母層疊體1的情況下的一個方向(D1),通過使用了切斷刀2的壓切切斷的方法來對未燒成的母層疊體1進行切斷。

另外,切斷也能夠通過切割(dicing)的方法來進行。但是,為了容易使切斷面之間接觸并粘接,優(yōu)選進行壓切切斷。

由此,母層疊體1被切斷,以使得形成與主面交叉的第1切斷面10的方式而,成為多個分割層疊體的集合體。分割層疊體成為如棒那樣細長的立方體形狀。

(2-2)接下來,如圖2所示,在與主面垂直并且與上述第1切斷面10交叉(在本實施方式中為正交)的方向(D2)上對切斷后的母層疊體1(切斷后層疊體的集合體)進行切斷。由此,母層疊體1被切斷,以使得形成與主面以及第1切斷面10交叉的第2切斷面20,成為具備第1以及第2切斷面10、20的作為單片的層疊體(以下也稱為“單片層疊體”)21的集合體。

(3)層疊體的粘接

維持各單片層疊體21的排列并且對單片層疊體21的集合體進行加熱,優(yōu)選加壓(預備加壓)并且加熱,使各單片層疊體21的第1切斷面10以及第2切斷面20粘接。由此,得到各單片層疊體21被第1切斷面10以及第2切斷面20粘接的粘接層疊體31(母層疊體1)。通過預先使層疊體包含粘合劑,從而第1切斷面10和第2切斷面20的粘接變得容易。

(4)加壓

接下來,如圖3(a)所示,將上述粘接層疊體31設置在模具3上,如圖3(b)所示,通過施加上蓋4并進行靜壓加壓,從而使單片層疊體21為一體并對粘接層疊體31整體進行加壓,得到陶瓷層以及內部電極層被可靠地壓接的單片層疊體21的集合體。

另外,加壓也可以在粘接層疊體31的下表面?zhèn)然蛘呱媳砻鎮(zhèn)扰湓O彈性體橡膠或保護膜來進行。此外,也能夠不使用模具來進行加壓。此外,加壓也能夠使用干壓法(伺服加壓或油壓加壓等)的方式。

雖然在本實施方式中,在上述(3)的工序中,進行加熱,優(yōu)選加壓并且加熱來得到各單片層疊體21被第1切斷面10以及第2切斷面20粘接的粘接層疊體31之后,在上述(4)的工序中進行靜壓加壓,從而構成粘接層疊體31的陶瓷層以及內部電極層被可靠地壓接,但也可以構成為將上述(3)的工序與上述(4)的工序通過一個工序來實施。

另外,雖然通過對粘接層疊體31進行加壓,能夠使操作性效率化,但不必使第1切斷面10彼此或者第2切斷面20彼此粘接,也可以在使第1切斷面10彼此或者第2切斷面20彼此接觸的狀態(tài)下,對分割層疊體或者單片層疊體進行加壓。

(5)分割

然后,如圖4以及圖5所示,將壓接后的單片層疊體21的集合體即粘接層疊體31放置在平臺7上,從粘接層疊體31的上表面一側,按壓并轉動分割夾具5(例如,圓柱狀或棱柱狀的棒、輥等),使分割夾具5沿著粘接層疊體31的主面相對移動,從而在第1切斷面10之間以及第2切斷面20之間對第1切斷面10彼此以及第2切斷面20彼此粘接后的粘接層疊體31進行分割。由此,得到各個被分割的單片層疊體21。

另外,例如,如圖4所示,在放置在平臺7上的粘接層疊體31的上表面一側,按壓并轉動分割夾具5,使其在與一個方向(D1)交叉(正交)的方向(D2)上移動,從而粘接層疊體31在第1切斷面20之間被分割。

此外,如圖5所示,通過使分割夾具5在一個方向(D1)上移動,從而粘接層疊體31在第2切斷面10之間被分割。

另外,在本實施方式1中,如圖6所示,在觀察在第1切斷面以及第2切斷面被分割的單片層疊體21的情況下,第1切斷面10是在層疊方向上相鄰的內部電極層42(42a、42b)被引出的成為一對端面的面。此外,如圖6所示,第2切斷面20是與陶瓷層44交替地層疊的內部電極層42(42a、42b)均未露出的一對側面的面。

另外,也可以為了在分割的工序中可靠地進行分割,在粘接層疊體31的下表面一側配設彈性體橡膠,或者為了粘接層疊體不損傷,在粘接層疊體的上表面一側配設彈性體橡膠,來進行分割。

此外,也可以構成為不使用輥,而使用鋒利的刀片來進行分割。進一步地,也可以使用其它的分割方法,例如,在擴展膠帶貼付粘接層疊體,將膠帶擴展從而分割粘接層疊體。

(6)燒成

在規(guī)定的條件下對分割粘接層疊體而得到的單片層疊體21進行燒成,從而得到燒成完的單片層疊體(芯片)41(圖7)。

(7)功能部件的給予

然后,如圖7(a)所示,使燒成完的單片層疊體(芯片)41保持在具有粘著性的保持部件6的保持面,對內部電極層42露出的第1切斷面10即端面,給予外部電極形成用的導電性糊膏8來作為功能部件。另外,在本實施方式1中,如圖7(b)所示,通過將芯片41的內部電極層42露出的第1切斷面(端面)10浸漬于在板17上展開為規(guī)定的厚度的導電性糊膏8,從而對第1切斷面(端面)10給予外部電極形成用的導電性糊膏8(參照圖7(c))。

然后,對被給予的導電性糊膏進行燒成,形成構成外部電極的燒成金屬層(基底電極層)43a(參照圖8)。

然后,將芯片41轉移至保持部件,對另一第1切斷面(端面)10也同樣地給予外部電極形成用的導電性糊膏,燒成給予的導電性糊膏,形成燒成金屬層(基底電極層)43a(參照圖8)。

進一步地,在燒成金屬層(基底電極層)的表面形成鍍層。作為鍍層,例如,依次形成Ni鍍層、Sn鍍層。

由此,如圖8所示,能夠得到具有以下構造的層疊陶瓷電子部件(層疊陶瓷電容器):在芯片41的兩端面配設了外部電極(具備燒成金屬層(基底電極層)43a、Ni鍍層43b、Sn鍍層43c的多層構造的外部電極)43,以使得與在內部電極層42a、42b和陶瓷層44層疊而成的芯片41的兩端面露出的內部電極層42a、42b導通。

另外,也可以省略上述的燒成金屬層(基底電極層)的形成,直接在端面形成鍍層并作為外部電極,此外,也可以通過濺射來形成金屬層并作為外部電極。

此外,也可以在上述(6)的燒成工序之前實施給予功能部件的工序。例如,也可以在給予導電性糊膏之后,同時進行層疊體與導電性糊膏的燒成。

[實施方式2]

在上述實施方式1中,在一個方向(D1),對未燒成的母層疊體1進行切斷,以使得形成第1切斷面10,并且在與第1切斷面10交叉(正交)的方向(D2),對未燒成的母層疊體1進行切斷之后,進行加壓,以使得形成第2切斷面20,由此形成粘接層疊體21,但也可以如本實施方式2那樣,構成為在進行加壓之前的階段,僅在一個方向(D1)對未燒成的母層疊體1進行切斷(以形成第1切斷面的方式進行切斷),在進行了加壓后的階段,在與第1切斷面10交叉(正交)的方向(D2)進行切斷,以使得形成第2切斷面20。以下,進行說明。

(1)母層疊體的準備

準備與實施方式1中使用的母層疊體同樣的未燒成的母層疊體。

(2)母層疊體的切斷

然后,通過與實施方式1的情況同樣的方法,僅在一個方向(D1)對未燒成的母層疊體1進行切斷(切斷為形成第1切斷面)(參照圖1)。

(3)層疊體的粘接

接下來,通過與實施方式1的情況同樣的方法,對切斷為形成第1切斷面的切斷后層疊體進行加熱,優(yōu)選地,進行加壓并且加熱,通過使切斷后層疊體的第1切斷面粘接來形成粘接層疊體。

(4)加壓

通過與上述實施方式1的情況同樣的方法,進行粘接層疊體的加壓。

(5)粘接層疊體的切斷

在與第1切斷面交叉(正交)的方向對加壓后的粘接層疊體進行切斷(切斷為形成第2切斷面)。

(6)分割

通過分割上述(5)的工序中切斷出的粘接層疊體,得到單片層疊體。

(7)燒成

與實施方式1的情況同樣地,燒成被分割的單片層疊體。

(8)功能部件的給予

對被燒成的單片層疊體的端面(第1切斷面),作為功能部件,給予并燒制外部電極形成用的導電性糊膏,從而形成燒成金屬層(基底電極層)。

然后,通過與實施方式1的情況同樣的方法,在燒成金屬層(基底電極層)的表面形成鍍層。

由此,得到具有圖8所示的構造的層疊陶瓷電子部件(層疊陶瓷電容器)。

[實施方式3]

在本實施方式3中,對分割母層疊體以使得第1切斷面露出的、在分割層疊體給予導電性糊膏來作為功能部件的情況下的層疊陶瓷電子部件的制造方法的實施方式進行說明。

(1)母層疊體的準備

首先,準備與實施方式1中使用的母層疊體同樣的未燒成的母層疊體。

(2)母層疊體的切斷

與上述實施方式1的情況同樣地,在一個方向(D1),對未燒成的母層疊體1進行切斷,以使得形成第1切斷面,并且在與一個方向(D1)交叉(正交)的方向對未燒成的母層疊體1進行切斷,以使得形成第2切斷面。

(3)層疊體的粘接

通過與上述實施方式1的(3)的工序同樣的方法來進行層疊體的粘接。

(4)加壓

通過與上述實施方式1的(4)的工序同樣的方法來進行粘接層疊體的加壓。

(5)分割

然后,如圖9所示,將壓接后的單片層疊體21的集合體即粘接層疊體31放置在平臺7上,從粘接層疊體31的上表面一側,按壓分割夾具5,并且使其在與一個方向(D1)交叉(正交)的方向(沿著第2切斷面20的方向(D2))上移動,從而在第1切斷面10分割粘接層疊體31。

由此,如圖10所示,粘接層疊體31的第1切斷面10露出,粘接層疊體31的第2切斷面成為處于相互粘接的狀態(tài)的分割層疊體31a。

另外,該分割層疊體31a具有在層疊方向相鄰的內部電極層42在對置的一對第1切斷面10的一個切斷面和另一個切斷面被交替引出的構造。

(6)功能部件的給予

然后,如圖11(a)所示,使通過在第1切斷面10切斷粘接層疊體31而得到的、第1切斷面10露出的分割層疊體31a保持在具有粘著性的保持部件6的保持面,對內部電極層42露出的第1切斷面10給予外部電極形成用的導電性糊膏8來作為功能部件。另外,在本實施方式3中,如圖11(b)所示,通過將分割層疊體31a的內部電極層42露出的第1切斷面10浸漬于在板17上展開為規(guī)定的厚度的導電性糊膏8,從而對端面(第1切斷面)10給予外部電極形成用的導電性糊膏8(參照圖11(c))。

此外,使對一個第1切斷面10給予了導電性糊膏8的分割層疊體31a的被給予了導電性糊膏8的端面(第1切斷面)10保持在保持部件6,在與被給予了導電性糊膏8的端面(第1切斷面)10相反的一側的端面(第1切斷面)10也給予導電性糊膏8。

(7)分割

然后,如圖12所示,將在對置的一對端面(第1切斷面)10給予了導電性糊膏的多個分割層疊體31a放置在平臺7上,從粘接層疊體31a的上表面一側,按壓分割夾具5,并且使其在沿著分割層疊體31a的被給予了導電性糊膏8的第1切斷面10的長邊方向的方向移動,從而在第2切斷面20對分割層疊體31a進行分割。由此,得到第1切斷面被給予了導電性糊膏8的狀態(tài)的單片層疊體(芯片)。

(8)燒成

接下來,在規(guī)定的條件下對通過分割而得到的單片層疊體(芯片)進行燒成,使陶瓷層與內部電極層的層疊體燒結,并且對給予的導電性糊膏進行燒成,從而得到具備燒成金屬層(基底電極層)的燒成過的單片層疊體。

然后,通過與實施方式1的情況同樣的方法,在燒成金屬層(基底電極層)的表面形成鍍層。由此,能夠得到具有在單片層疊體(芯片)的兩端面配設了外部電極的構造的層疊陶瓷電子部件。

另外,也可以取代上述的燒成金屬層(基底電極層),通過濺射等來形成金屬層,并作為外部電極。

[實施方式4]

在上述實施方式3中,在一個方向對未燒成的母層疊體1進行切斷,以使得形成第1切斷面10,并且在與第1切斷面10交叉(正交)的方向對未燒成的母層疊體1進行切斷,以使得形成第2切斷面20,之后進行加壓,形成粘接層疊體21,然后,在第1切斷面之間分割來形成分割層疊體31a,但也可以如本實施方式4這樣,構成為在進行加壓之前的階段,僅在一個方向對未燒成的母層疊體1進行切斷(進行切斷以使得形成第1切斷面),在進行了加壓之后的階段,在與第1切斷面10交叉(正交)的方向進行切斷,以使得形成第2切斷面20。以下,進行說明。

(1)母層疊體的準備

準備與實施方式3的情況同樣的未燒成的母層疊體。

(2)母層疊體的切斷

然后,通過與實施方式1的情況同樣的方法,僅在一個方向(D1)對未燒成的母層疊體1進行切斷(進行切斷,以使得形成第1切斷面)(參照圖1)。

(3)層疊體的粘接

接下來,通過與實施方式1的情況同樣的方法,對被切斷為形成第1切斷面的切斷后層疊體進行加熱,優(yōu)選地,進行加壓并且加熱,使切斷后層疊體的第1切斷面粘接,從而形成粘接層疊體。

(4)加壓

通過與上述實施方式1的情況同樣的方法,進行粘接層疊體的加壓。

(5)分割

將加壓了的粘接層疊體的第1切斷面之間分割,得到第1切斷面為長邊方向的側面的分割層疊體。

(6)功能性部件的給予

對分割層疊體的第1切斷面給予導電性糊膏來作為功能部件。

(7)分割層疊體的切斷

在與第1切斷面交叉(正交)的方向,對第1切斷面給予了導電性糊膏的分割層疊體進行切斷,以使得形成第2切斷面,由此分割為在端面給予了導電性糊膏的單片層疊體。

(8)燒成

對被分割的單片層疊體進行燒成,得到具備燒成金屬層(基底電極層)的芯片。

然后,通過與實施方式1的情況同樣的方法,在燒成金屬層(基底電極層)的表面形成鍍層。由此,能夠得到具有在單片層疊體(芯片)的兩端面配設了外部電極的構造的層疊陶瓷電子部件。

[實施方式5]

在本實施方式5中,如圖13所示,對通過切斷、分割母層疊體而得到的單片層疊體21是具有以下構造的單片層疊體的情況下的層疊陶瓷電子部件(層疊陶瓷電容器)的制造方法進行說明:在相互對置的一對端面(第1切斷面)10,在層疊方向上相鄰的內部電極層42a、42b被引出,并且在相互對置的一對側面(第2切斷面20),與陶瓷層44交替層疊的內部電極層42a、42b均露出。

另外,通過切斷能夠得到具有圖13所示的結構的單片層疊體的母層疊體例如能夠經由如下工序來制造:將帶狀的內部電極圖案隔著規(guī)定的間隔而被排列配設的陶瓷生片層疊成內部電極圖案的位置在與其長邊方向正交的方向上在每一層交替地向相反一側偏移。

(1)母層疊體的準備

準備通過切斷、分割母層疊體能夠得到具有圖13所示的構造的單片層疊體21的母層疊體。

(2)母層疊體的切斷

(2-1)在與主面垂直并且一個方向上,對未燒成的母層疊體進行切斷,以使得形成第1切斷面。

(2-2)接下來,在與主面垂直并且與第1切斷面交叉(正交)的方向對切斷后的母層疊體進行切斷,以使得形成第2切斷面。

由此,如圖13所示,母層疊體為具有以下構造的各個層疊體(單片層疊體)21的集合體:在一對端面(第1切斷面)10,在層疊方向上相鄰的內部電極層42a、42b露出,并且在一對側面(第2切斷面20),與陶瓷層44交替層疊的內部電極層42a、42b均露出。

(3)層疊體的粘接

維持著各單片層疊體的排列的同時對單片層疊體的集合體進行加熱,優(yōu)選地,進行加壓并且加熱,使各單片層疊體的第1切斷面以及第2切斷面粘接。

(4)加壓

通過與上述實施方式1的情況同樣的方法,進行粘接層疊體的加壓。

(5)分割

通過與實施方式1的情況同樣的方法,對粘接層疊體進行分割,從而得到粘接層疊體在第1切斷面之間以及第2切斷面之間被分割的各個單片層疊體,即具有圖13所示的構造的單片層疊體21。

(6)功能部件(保護層)的給予

接下來,如圖14所示,對單片層疊體21的內部電極層42a、42b均露出的第2切斷面20(參照圖13)給予由絕緣性的材料構成的保護層50來作為功能部件。

在本實施方式5中,構成保護層50的功能部件最好是由包含與構成單片層疊體21的陶瓷層44的陶瓷共用的材料(例如,鈦酸鋇等陶瓷材料)的材料構成的部件。另外,該保護層50作為用于確保從內部電極層的兩側部到構成層疊陶瓷電子部件的芯片的側面之間的所謂的側面間隙,從而確保絕緣可靠性的層而起作用。

在給予該保護層時,如圖15(a)所示,使單片層疊體21保持在具有粘著性的保持部件16的保持面,將內部電極層42a、42b露出的第2切斷面即側面20向放置在基板18上的彈性橡膠片51上的、將陶瓷漿料(鈦酸鋇系陶瓷材料的漿料)成形為片狀的未燒成的陶瓷片50a按壓之后,如圖15(b)所示,通過將單片層疊體21拉開,而對側面(第2切斷面20)給予作為保護層50的陶瓷片50a。

另外,對相反一側的側面(第2切斷面20)也同樣地,給予陶瓷片50a(保護層50)。

(7)燒成

然后,在規(guī)定的條件下對被給予了保護層50的單片層疊體21進行燒成,使單片層疊體21燒結。

(8)功能部件(外部電極)的給予

接下來,如圖16所示,對燒成完的單片層疊體41(芯片)的內部電極層42a、42b(參照圖13、14)被引出的端面(第1切斷面)10,給予外部電極形成用的導電性糊膏8來作為功能部件。

作為對芯片41的端面即第1切斷面10給予導電性糊膏8的方法,例如,能夠使用實施方式1的(7)的工序中說明的方法。

然后,燒制導電性糊膏,得到具備燒成金屬層(基底電極層)的芯片。然后,通過與實施方式1的情況同樣的方法,在燒成金屬層(基底電極層)的表面形成鍍層。

由此,能夠得到在單片層疊體(芯片)的兩端面(第1切斷面)配設外部電極并在第2切斷面(側面)具備保護層的可靠性較高的層疊陶瓷電子部件(層疊陶瓷電容器)。

[實施方式6]

在上述實施方式5中,在一個方向對未燒成的母層疊體1進行切斷,以使得形成第1切斷面10,并且在與第1切斷面10交叉(正交)的方向對未燒成的母層疊體1進行切斷,以使得形成第2切斷面20,之后進行加壓來形成粘接層疊體21,但也可以如本實施方式6那樣,構成為在僅在形成第1切斷面的方向上切斷了未燒成的母層疊體1的狀態(tài)下進行加壓,沿著第1切斷面分割之后,在與第1切斷面交叉(正交)的方向上進行切斷,以使得形成第2切斷面,由此分割成單片層疊體。以下,進行說明。

(1)母層疊體的準備

準備具有與實施方式5同樣的結構的未燒成的母層疊體。

(2)母層疊體的切斷

然后,僅在一個方向(D1)對未燒成的母層疊體進行切斷(進行切斷以使得形成第1切斷面)。

(3)層疊體的粘接以及加壓

接下來,對被切斷為形成第1切斷面的切斷后層疊體進行加熱,優(yōu)選地,進行加壓并且加熱,使第1切斷面粘接之后,通過加壓來得到粘接層疊體。

(4)分割

在第1切斷面之間對被加壓的粘接層疊體進行分割,來分割成第1切斷面露出的多個分割層疊體。

(5)分割層疊體的切斷

在與第1切斷面交叉(正交)的方向對多個分割層疊體進行切斷,以使得形成第2切斷面,由此分割成單片層疊體。

然后,通過相同的方法來實施實施方式5中的(6)功能部件(保護層)的給予、(7)燒成、(8)功能部件(外部電極)的給予的工序,根據需要,在燒成金屬層(基底電極層)的表面形成鍍層,從而能夠得到在單片層疊體(芯片)的兩端面(第1切斷面)配設外部電極并且在第2切斷面(側面)具備保護層的可靠性較高的層疊陶瓷電子部件(層疊陶瓷電容器)。

[實施方式7]

在本實施方式7中,也對通過切斷、分割母層疊體而得到的單片層疊體21是具有圖13所示的構造的單片層疊體的情況下的層疊陶瓷電子部件(層疊陶瓷電容器)的制造方法進行說明。

(1)母層疊體的準備

準備具有與實施方式5同樣的結構的未燒成的母層疊體。

(2)母層疊體的切斷

(2-1)在與主面垂直且一個方向上對未燒成的母層疊體進行切斷,以使得形成第1切斷面。

(2-2)接下來,在與主面垂直并且與第1切斷面交叉(正交)的方向上,對切斷后的母層疊體進行切斷。由此,母層疊體為具備第1以及第2切斷面的單片層疊體。

(3)層疊體的粘接

維持著各單片層疊體的排列的同時對單片層疊體的集合體進行加熱,優(yōu)選地,進行加壓并且加熱,使各單片層疊體的第1切斷面以及第2切斷面粘接。

(4)加壓

通過與上述實施方式1的情況同樣的方法,進行粘接層疊體的加壓。

(5)分割

然后,如圖17所示,將壓接后的單片層疊體21的集合體即粘接層疊體31放置在平臺7上,從粘接層疊體31的上表面一側,按壓分割夾具5,并且使其在沿第1切斷面10的方向(D1)移動,從而在第2切斷面20分割粘接層疊體31。由此,如圖18所示,能夠得到第2切斷面20露出的分割層疊體31b。另外,如圖18所示,在第2切斷面20,內部電極層42(42a、42b)和陶瓷層的側部露出。此外,在分割層疊體31b,第1切斷面10彼此處于接合的狀態(tài)。

(6)功能部件(保護層)的給予

接下來,對分割層疊體31b的內部電極層42a、42b均露出的第2切斷面20(參照圖18),給予由絕緣性的材料(陶瓷糊膏)構成的保護層50來作為功能部件(參照圖19)。

(7)分割層疊體的分割

通過在第1切斷面對分割層疊體進行分割,來得到具備保護層的單片層疊體。分割例如能夠通過從分割層疊體的上表面一側在按壓輥的同時使其在規(guī)定的方向(與第1切斷面交叉(正交)的方向)移動來進行。

(8)燒成

然后,通過在規(guī)定的條件下對形成了保護層的單片層疊體進行燒成,來得到燒成完的單片層疊體(芯片)。

(9)功能部件(外部電極)的給予

接下來,對燒成完的單片層疊體的內部電極層被交替引出的端面(第1切斷面),給予外部電極形成用的導電性糊膏來作為功能部件。作為給予導電性糊膏的方法,例如能夠使用實施方式1的(7)的工序中說明的方法。

然后,通過燒制導電性糊膏,來形成燒成金屬層(基底電極層),根據需要,在燒成金屬層的表面形成鍍層,從而能夠得到在側面具備保護層(絕緣層)的可靠性較高的層疊陶瓷電子部件(層疊陶瓷電容器)。

[實施方式8]

在上述實施方式7中,如圖13所示,在一個方向對未燒成的母層疊體1進行切斷,以使得形成第1切斷面10,并且在與第1切斷面10交叉(正交)的方向對未燒成的母層疊體1進行切斷,以使得形成第2切斷面20,之后進行粘接、加壓來形成粘接層疊體21,但也可以如本實施方式8那樣,構成為在僅在形成第1切斷面的方向(D1)上切斷了未燒成的母層疊體1的狀態(tài)下進行加壓,然后,在與第1切斷面交叉(正交)的方向,進行切斷以使得形成第2切斷面,由此分割成單片層疊體。以下,進行說明。

(1)母層疊體的準備

準備與實施方式5中使用的母層疊體同樣的母層疊體。

(2)母層疊體的切斷

然后,僅在一個方向(D1)對未燒成的母層疊體進行切斷(切斷為形成第1切斷面)。

(3)層疊體的粘接以及加壓

接下來,對被切斷為形成第1切斷面的切斷后層疊體進行加熱,優(yōu)選地,進行加壓并且加熱,使第1切斷面粘接之后,通過加壓來得到粘接層疊體。

(4)粘接層疊體的切斷

在與一個方向(D1)交叉(正交)的方向對得到的粘接層疊體進行切斷,以使得形成第2切斷面,由此分割成第2切斷面露出的多個分割層疊體。另外,在該分割層疊體中,第1切斷面之間處于粘接的狀態(tài)。

(5)功能部件(保護層)的給予

對第2切斷面露出的分割層疊體的第2切斷面,給予由絕緣性的材料(陶瓷漿料)構成的保護層來作為功能部件。另外,作為給予保護層的方法,能夠使用實施方式5的(6)中說明的功能部件(保護層)的給予的方法。

(6)分割層疊體的分割

從向第2切斷面給予了保護層50的分割層疊體上表面一側,按壓分割夾具5,同時使其在與一個方向(D1)交叉(正交)的方向移動,從而在第1切斷面對分割層疊體進行分割,從而得到具備保護層的單片層疊體。

(7)燒成

然后,通過在規(guī)定的條件下對形成了保護層的單片層疊體進行燒成,從而得到燒成完的單片層疊體(芯片)。

(8)功能部件(外部電極)的給予

接下來,對燒成完的單片層疊體的內部電極層被交替引出的端面(第1切斷面),給予外部電極形成用的導電性糊膏來作為功能部件。作為給予導電性糊膏的方法,例如能夠使用實施方式1的(7)的工序中說明的方法。

然后,通過燒制導電性糊膏,來形成燒成金屬層(基底電極層),根據需要,在燒成金屬層的表面形成鍍層,從而能夠得到在側面具備保護層(絕緣層)的可靠性較高的層疊陶瓷電子部件(層疊陶瓷電容器)。

在上述實施方式中,對第1切斷面是單片層疊體的端面、第2切斷面是單片層疊體的側面的情況進行了說明,但也可以第1切斷面為單片層疊體的側面,第2切斷面為單片層疊體的端面。

另外,在上述實施方式中,以制造層疊陶瓷電容器的情況為例進行了說明,但本發(fā)明并不局限于層疊陶瓷電容器,能夠廣泛適用于制造具有內部電極層隔著陶瓷層而層疊的構造的各種層疊陶瓷電子部件,例如,電感器、熱敏電阻、壓電部件等的情況。

本發(fā)明在其他方面也不限定于上述的各實施方式,在發(fā)明的范圍內,能夠施加各種應用、變形。

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