于2015年6月29日提交的且標題為“發(fā)光顯示裝置及其制造方法”的第10-2015-0092088號韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本文中描述的一個或多個實施方式涉及發(fā)光顯示裝置和用于制造發(fā)光顯示裝置的方法。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光顯示器具有相對寬的視角、高的對比度、和快速的響應(yīng)速度。這種顯示器的每個像素包括位于陽極與陰極之間的有機發(fā)光層。當正電壓和負電壓分別施加至這些電極時，空穴從陽極經(jīng)由空穴注入層和空穴傳輸層移動至有機發(fā)光層，并且電子從陰極經(jīng)由電子注入層和電子傳輸層移動至有機發(fā)光層。電子和空穴在有機發(fā)光層中重新結(jié)合而生成激子。當激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)時發(fā)射光。由像素發(fā)射的光生成圖像。

有機發(fā)光顯示器可包括像素限定層，像素限定層具有暴露陽極的開口?？昭ㄗ⑷雽印⒖昭▊鬏攲?、有機發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、以及陰極可形成在通過像素限定層中的開口暴露的陽極上。

空穴傳輸層和有機發(fā)光層可使用噴墨印刷方法或噴嘴印刷方法形成為薄層。這些方法可使用噴射器將溶液噴射進像素限定層的開口中。在噴墨印刷方法期間，待印刷的材料可以以墨滴的形式應(yīng)用到期望位置。在噴嘴印刷方法期間，使得期望位置處的待印刷的材料沿著包括期望位置的線流動。

為了提高空穴傳輸溶液的可濕性，可在陽極上形成親液圖案。

當使用噴嘴印刷方法將空穴傳輸溶液噴射到親液圖案上時，通過噴射器的快速移動速度引起的氣流所產(chǎn)生的力可將空穴傳輸溶液推到親液圖案的一側(cè)。其結(jié)果是，空穴傳輸溶液可能干燥為具有不均勻的形狀。這可能使得顯示器具有不均勻的發(fā)射特性，并因此降低顯示質(zhì)量。

如果被推至一側(cè)的空穴傳輸溶液溢流至相鄰的像素，則空穴傳輸層可能形成在相鄰像素的部分中。在這種情況下，空穴傳輸層上的有機發(fā)光層也可能形成在相鄰像素的該部分中。因此，在相鄰像素中發(fā)射不同顏色光的有機發(fā)光層可能彼此重疊。這可能造成不同顏色光的不期望的混合，其還降低了顯示質(zhì)量。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)一個或多個實施方式，發(fā)光顯示裝置包括第一電極、像素限定層、空穴注入層、親液圖案、空穴傳輸層、發(fā)光層以及第二電極，其中，像素限定層具有暴露第一電極的開口；空穴注入層位于第一電極上；親液圖案空穴注入層上位于開口中，親液圖案包括與開口的第一側(cè)壁相鄰的第一部分和與開口的第二側(cè)壁相鄰的第二部分；空穴傳輸層位于親液圖案上；發(fā)光層位于空穴傳輸層上；以及第二電極位于發(fā)光層上，其中從空穴注入層的頂表面至第二部分的頂表面的邊緣的距離對應(yīng)于第一高度，從空穴注入層的頂表面至第一部分的頂表面的距離對應(yīng)于第二高度，以及其中第一高度小于第二高度。

空穴傳輸層可對應(yīng)于處于干燥狀態(tài)的空穴傳輸溶液，并且空穴傳輸溶液相對于第二部分的邊緣的第一接觸角度可大于空穴傳輸溶液相對于第一部分的第二接觸角度。第一接觸角度與第二接觸角度之差可為約2度或小于2度。親液圖案的第二部分可與第一部分相連，并且第二部分可包括具有從開口的第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁變薄的傾斜的頂表面的傾斜部分。

親液圖案的第二部分可與第一部分相連，并且第二部分可包括具有從開口的第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁變薄的階梯形頂表面的部分。親液圖案的第二部分可與第一部分間隔開，第二部分可包括在與從開口的 第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁的方向交叉的方向中延伸的多個線，多個線可在從第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁的方向中彼此間隔開，并且多個線可從第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁變薄。

親液圖案的第二部分可與第一部分間隔開，并且第二部分可包括從第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁變薄的多個點圖案。親液圖案可包括位于開口的第一側(cè)壁與第一部分之間的第三部分，并且從空穴注入層的頂表面至第三部分的邊緣的高度可小于從空穴注入層的頂表面至第一部分的頂表面的高度?？昭▊鬏攲涌砂ㄅc開口的第三側(cè)壁相鄰的第一部分和與開口的第四側(cè)壁相鄰的第二部分，并且從第一電極至空穴傳輸層的第一部分的邊緣的高度可小于從第一電極至空穴傳輸層的第二部分的邊緣的高度。

根據(jù)一個或多個其他實施方式，發(fā)光顯示裝置包括：多個像素、多個第一電極、像素限定層、多個空穴注入層、多個親液圖案、多個空穴傳輸層、多個發(fā)光層以及多個第二電極，其中多個第一電極位于多個像素的相應(yīng)像素中，像素限定層具有暴露多個第一電極的相應(yīng)第一電極的開口，空穴注入層位于多個第一電極中的相應(yīng)第一電極上，親液圖案在多個空穴注入層的相應(yīng)空穴注入層上位于開口中，多個親液圖案中的每個包括與相應(yīng)開口的第一側(cè)壁相鄰的第一部分和與該相應(yīng)開口的第二側(cè)壁相鄰的第二部分，空穴傳輸層位于多個親液圖案上，發(fā)光層位于多個空穴傳輸層的相應(yīng)空穴傳輸層上，以及第二電極位于多個發(fā)光層的相應(yīng)發(fā)光層上。

多個像素劃分為多個單元塊，多個單元塊中的每個單元塊包括沿著第一方向布置的多個列組，多個單元塊包括第一單元塊和第二單元塊；以及邊界位于第一單元塊與第二單元塊之間。在每個像素中，在第一單元塊的面對邊界的列組中，從空穴注入層的頂表面至親液圖案的第二部分的頂表面的邊緣的距離對應(yīng)于第一高度，從空穴注入層的頂表面至第一部分的頂表面的距離對應(yīng)于第二高度，并且第一高度小于第二高度。

在每個像素中，在第一單元塊的除了面對邊界的列組之外的至少一個列組中，從空穴注入層的頂表面至每個像素的親液圖案的第二部 分的頂表面的距離可對應(yīng)于第一高度，從空穴注入層的頂表面至第一部分的頂表面的距離可對應(yīng)于第二高度，并且第一高度大體上可等于第二高度。

在每個像素中，空穴傳輸層可包括干燥的空穴傳輸溶液，并且在第一單元塊的面對邊界的列組中，空穴傳輸溶液相對于每個像素的親液圖案的第二部分的邊緣的第一接觸角度大于空穴傳輸溶液相對于第一部分的第二接觸角度。

在每個像素中，在第一單元塊的面對邊界的列組中，每個像素的親液圖案的第二部分可與第一部分相連，并且第二部分可包括傾斜部分，傾斜部分具有從開口的第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁變薄的傾斜的頂表面。

在每個像素中，在第一單元塊的面對邊界的列組中，每個像素的親液圖案的第二部分可與第一部分相連，并且第二部分可包括階梯部分，階梯部分具有從開口的第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁部分地變薄的階梯形頂表面。

在每個像素中，在第一單元塊面對邊界的列組中，每個像素的親液圖案的第二部分可與第一部分間隔開，第二部分可包括在與開口的第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁的方向交叉的方向中延伸的多個線，多個線可在從第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁的方向中彼此間隔開，并且多個線從第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁變薄。

在每個像素中，在第一單元塊的面對邊界的列組中，每個像素的親液圖案的第二部分可與第一部分間隔開，第二部分可包括多個點圖案，并且多個點圖案可從第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁變薄。

在每個像素中，在第一單元塊的面對邊界的列組中，每個像素的親液圖案可包括位于開口的第一側(cè)壁與第一部分之間的第三部分，并且從空穴注入層的頂表面至第三部分的邊緣的高度可小于從空穴注入層的頂表面至第一部分的頂表面的高度。

根據(jù)一個或多個其他的實施方式，制造發(fā)光顯示裝置的方法包括：在多個像素中的每個中形成第一電極，多個像素設(shè)置在彼此交叉的第一方向和第二方向中；形成像素限定層，像素限定層包括分別暴露多 個像素的相應(yīng)像素中的第一電極的多個開口；在第一電極上形成空穴注入層；形成親液圖案，親液圖案包括與多個開口中的相應(yīng)開口的第一側(cè)壁相鄰的第一部分和與多個開口中的該相應(yīng)開口的第二側(cè)壁相鄰的第二部分；在親液圖案上形成空穴傳輸層；在空穴傳輸層上形成發(fā)光層；以及在發(fā)光層上形成第二電極，其中親液圖案被形成為，使得從空穴注入層的頂表面至第二部分的頂表面的邊緣的高度小于從空穴注入層的頂表面至第一部分的頂表面的高度。

形成親液圖案可包括：通過將親液溶液涂覆到空穴注入層上來形成親液材料層；將圖案掩模放置在親液材料層上方并在圖案掩模上照射光，圖案掩模包括阻擋區(qū)、透射區(qū)和半透射區(qū)；使用親液材料層的對應(yīng)于圖案掩模的透射區(qū)的部分來形成親液圖案的第一部分；以及使用親液材料層的對應(yīng)于圖案掩模的半透射區(qū)的部分來形成親液圖案的第二部分，形成第二部分的步驟包括通過顯影工藝留出親液材料層的被曝光部分。阻擋區(qū)可設(shè)置為對應(yīng)于像素限定層的頂表面，透射區(qū)可設(shè)置為對應(yīng)于親液材料層中與第一電極重疊的并在第一方向中與開口的第一側(cè)壁相鄰的部分，以及半透射區(qū)可設(shè)置為對應(yīng)于親液材料層中與第一電極重疊的并與開口的第二側(cè)壁相鄰的部分。

親液材料層的對應(yīng)于半透射區(qū)的部分的曝光量可小于親液材料層的對應(yīng)于透射區(qū)的部分的曝光量，以及親液材料層的對應(yīng)于半透射區(qū)的部分的曝光量可從開口的第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁減少。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例性實施方式，特征將對本領(lǐng)域技術(shù)人員變得顯而易見，在附圖中：

圖1示出了發(fā)光顯示裝置的一個實施方式；

圖2示出了沿圖1中的線I-I’截取的剖視圖；

圖3示出了沿圖1中的線II-II’截取的剖視圖；

圖4示出了圖2中的A部分的放大剖視圖；

圖5示出了當空穴傳輸溶液被噴射時，相鄰像素中的空穴傳輸溶液的狀態(tài)的示例；

圖6至圖11示出了親液圖案的多個實施方式；

圖12示出了發(fā)光顯示裝置的另一實施方式；

圖13示出了沿圖12中的線III-III’截取的剖視圖；

圖14示出了圖13中的B部分的放大剖視圖；

圖15示出了圖13中的C部分的放大剖視圖；以及

圖16至圖30示出了用于制造發(fā)光顯示裝置的方法的實施方式的不同階段。

具體實施方式

在下文中，現(xiàn)將參照附圖更全面地描述示例性實施方式；然而，示例性實施方式可體現(xiàn)為不同的形式并且不應(yīng)解釋為受限于本文中所闡述的實施方式。相反地，提供這些實施方式將使本公開全面且完整，并且將示例性實現(xiàn)方案充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。實施方式可組合以形成附加的實施方式。

在附圖中，為了清晰地說明，可放大層和區(qū)域的尺寸。還將理解，當層或者元件被稱為位于另一層或者襯底“上”時，其可以直接位于另一層或者襯底上，或者也可存在插入的層。而且，將理解，當層被稱為位于另一層“下”時，該層可以直接位于另一層下，并且也可以存在一個或多個插入的層。此外，還將理解，當層被稱為在兩個層“之間”時，其可以是在兩個層之間僅有的層，或者也可以存在一個或多個插入的層。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。

當元件被稱為與另一元件“連接”或“耦接”時，其可以與另一元件直接連接或耦接，或者通過插置于其間的一個或多個插入的元件與另一元件間接地連接或耦接。此外，除非存在不同的公開，否則當元件被稱為“包括”部件時，其表示該元件還可包括其他部件而不是排除其他部件。

圖1示出了包括多個像素P的發(fā)光顯示裝置100的實施方式。圖2是沿圖1中的線I-I’截取的剖視圖。圖3是沿圖1中的線II-II’截取的剖視圖。

參照圖1至圖3，發(fā)光顯示裝置100包括襯底105、第一電極110、 像素限定層120、空穴注入層130、親液圖案140、空穴傳輸層150、發(fā)光層160、電子傳輸層170、電子注入層180、以及第二電極190。這些元件在圖2中的第三方向(Z)中依次堆疊。

襯底105包括顯示區(qū)域DA和非顯示區(qū)域NDA。用于顯示圖像的像素P位于顯示區(qū)域DA中。非顯示區(qū)域NDA位于顯示區(qū)域DA的外部。

像素P可布置為沿著第一方向(X)和第二方向(Y)的n×m的矩陣，其中第二方向Y與第一方向X相交。像素P可包括發(fā)射紅光的紅色像素、發(fā)射綠光的綠色像素、以及發(fā)射藍光的藍色像素。在示例中，發(fā)射不同顏色光的像素P可沿著第一方向X交替地布置。發(fā)射相同顏色光的像素P可沿著第二方向Y布置。在另一實施方式中，該布置可以是不同的。

像素P可在襯底105上沿著第二方向Y劃分為多個行組。行組可包括第一行組P11,P12,…,P1m至第n行組Pn1,Pn2,…,Pnm。此外，像素P可在襯底105上沿著第一方向X劃分為多個列組。列組可包括第一列組P11,P21,…,Pn1至第m列組P1m,P2m,…,Pnm。

襯底105可包括例如由包含SiO₂的透明玻璃材料制成的絕緣襯底。在一些實施方式中，絕緣襯底可由不透明材料或塑料材料制成。而且，絕緣襯底可以是柔性襯底。

襯底105還可包括形成在絕緣襯底上的其他結(jié)構(gòu)。示例包括布線、電極、和/或絕緣層。在一些實施方式中，襯底105可包括絕緣襯底上的多個薄膜晶體管(TFT)。每個TFT可具有與第一電極110電連接的漏電極，以及例如由非晶硅、多晶硅、或單晶硅制成的有源區(qū)。在另一實施方式中，每個TFT可包括由氧化物半導(dǎo)體制成的有源區(qū)。在另一實施方式中，TFT可具有不同的配置。

第一電極110在襯底105上形成在每個像素P中。第一電極110可以是陽極或者陰極，其中陽極響應(yīng)于傳輸至對應(yīng)TFT的信號將空穴提供至發(fā)光層160，陰極響應(yīng)于傳輸至TFT的信號將電子提供至發(fā)光層160。在當前實施方式中，將對第一電極110為陽極的情況作為示例進行描述。

第一電極110可用作透明電極、反射電極、或半透射半反射電極。為用作透明電極，第一電極110可由例如銦氧化錫(ITO)、銦氧化鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或In₂O₃形成。為用作反射電極，第一電極110例如可通過使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成反射層，然后在該反射層上形成ITO、IZO、ZnO或In₂O₃來形成。為用作半透射半反射電極，第一電極110例如可通過使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成薄反射層，然后在該薄反射層上形成ITO、IZO、ZnO或In₂O₃來形成。第一電極110例如可通過光刻法形成。

當?shù)谝浑姌O110是透明電極時，發(fā)光顯示裝置100可以是底部發(fā)射式發(fā)光顯示裝置(例如，其中由發(fā)光層160生成的光朝著第一電極110發(fā)射的發(fā)光顯示裝置)。當?shù)谝浑姌O110被用作反射電極時，發(fā)光顯示裝置100可以是頂部發(fā)射式發(fā)光顯示裝置(例如，其中由發(fā)光層160生成的光朝著第二電極190發(fā)射的發(fā)光顯示裝置)。

像素限定層120位于襯底105上并且包括多個開口OP。每個開口OP暴露像素P的第一電極110中的相應(yīng)一個。由此，開口OP限定襯底105上的每個像素P。像素限定層120例如可由絕緣材料制成。在一個實施方式中，像素限定層120可由選自由以下材料組成的組中的至少一種有機材料制成：苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰亞胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸樹脂以及酚醛樹脂。在另一實施例中，像素限定層120可由例如氮化硅的無機材料制成。像素限定層120例如可通過光刻工藝形成。

空穴注入層130可位于通過像素限定層120的開口OP暴露的第一電極110上，并且可完全地覆蓋像素限定層120。空穴注入層130可以是降低第一電極110與空穴傳輸層150之間的能量勢壘的緩沖層。空穴注入層130使空穴從第一電極110容易注入空穴傳輸層150中。空穴注入層130例如可由如下有機化合物制成，例如但不限于4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、銅酞菁(CuPc)或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT/PSS)。空穴注入層130例如可通過狹縫涂覆形成。

親液圖案140在空穴注入層130上位于每個像素P中。例如，親液圖案140可在像素限定層120的開口OP內(nèi)設(shè)置于空穴注入層130上。親液圖案140例如可通過光刻工藝形成。

親液圖案140可由使得親液圖案140相比像素限定層120對于空穴傳輸溶液150a(例如，見圖5)更加親液的親液材料制成，例如，使得空穴傳輸溶液150a相對于親液圖案140的接觸角度小于空穴傳輸溶液150a相對于像素限定層120的接觸角度的親液材料。

在一個實施方式中，親液圖案140可由導(dǎo)電引物(primer)制成，該導(dǎo)電引物使得空穴傳輸溶液150a相對于親液圖案140的接觸角度為約10度或小于10度。在這種情況下，由于空穴傳輸溶液150a對親液圖案140的高可濕性，所以當空穴傳輸溶液150a使用噴嘴印刷方法被噴射至每個像素P中的像素限定層120的開口OP內(nèi)的親液圖案140上時，空穴傳輸溶液150a可穩(wěn)定地處于對應(yīng)的像素P中，而不是散布在像素限定層120的頂表面上。因此，空穴傳輸層150可均勻地形成在親液圖案140上。在至少一個實施方式中，高可濕性可表示液體被廣泛地散布在固體的表面之上，從而與表面的寬闊區(qū)域接觸。

如圖2所示，親液圖案140包括第一部分141和第二部分142。第一部分141可與每個開口OP的、在第一方向X中彼此面對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之中的第一側(cè)壁相鄰。第二部分142可與每個開口OP的第二側(cè)壁相鄰。

如圖3所示，空穴傳輸層150形成在親液圖案140上并且包括第一部分151和第二部分152。第一部分151可與每個開口OP的、在第二方向Y中彼此面對的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁之中的第三側(cè)壁相鄰。第二部分152可與每個開口OP的第四側(cè)壁相鄰。從第一電極110至第一部分151的邊緣的高度H1可小于從第一電極110至第二部分152的邊緣的高度H2。

例如，當空穴傳輸溶液150a(例如，見圖5)使用噴嘴印刷方法被噴射至每個像素P中的像素限定層120的開口OP內(nèi)的親液圖案140上時，由噴射器10(見圖1)的快速移動速度引起的氣流所產(chǎn)生的力被施加在噴射器10以第二方向Y移動的方向中。此力導(dǎo)致空穴傳輸 溶液150a與開口OP的第四側(cè)壁向上接觸至高位置并且相應(yīng)地被干燥。這就是從第一電極110至第一部分151的邊緣的高度H1小于從第一電極110至第二部分152的邊緣的高度H2的原因。

然而，從第一電極110至第一部分151的邊緣的高度H1可與從第一電極110至第二部分152的邊緣的高度H2沒有大的不同。因此，高度H1與高度H2之差對于降低發(fā)光顯示裝置100的發(fā)射特性可沒有太大影響。

空穴傳輸層150經(jīng)由親液圖案140從空穴注入層130接收空穴?？昭▊鬏攲?50將來自空穴注入層130的空穴經(jīng)由親液圖案140傳輸至發(fā)光層160。空穴傳輸層150例如可由如下有機化合物制成，例如但不限于：N,N’-二苯基-N,N’-雙(3-甲基苯基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺(TPD)或N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)?？昭▊鬏攲?50例如可使用噴嘴印刷方法而形成，噴嘴印刷方法對于均勻地形成薄膜是有效的。

發(fā)光層160形成在空穴傳輸層150上。當來自第一電極110的空穴與來自第二電極190的電子重新結(jié)合，例如提供至發(fā)光層160的空穴和電子結(jié)合以形成激子，并且激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)時，發(fā)光層160發(fā)射光。

發(fā)光層160可包括發(fā)射紅光的紅色發(fā)光層、發(fā)射綠光的綠色發(fā)光層，以及發(fā)射藍光的藍色發(fā)光層。發(fā)光層160例如可使用噴墨印刷方法或噴嘴印刷方法形成。

紅色發(fā)光層例如可包括一種紅色發(fā)光材料或主體和紅色摻雜劑。紅色發(fā)光層的主體的示例包括但不限于：三-(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)、4,4’-N,N’-二咔唑-聯(lián)苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘基-2-基)蒽(ADN)、4,4’,4”-三(N-咔唑)三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9,10-二(萘基-2-基)蒽(TBADN)、三芴(E3)以及聯(lián)苯乙烯基亞芳基(DSA)。紅色摻雜劑的示例可包括但不限于：PtOEP、Ir(piq)₃及Btp₂Ir(acac)。

綠色發(fā)光層例如可包括一種綠色發(fā)光材料或主體和綠色摻雜劑。紅色發(fā)光層的主體可用作綠色發(fā)光層的主體。綠色摻雜劑的示例包括， 但不限于：Ir(ppy)₃、Ir(ppy)₂(acac)及Ir(mpyp)₃。

藍色發(fā)光層例如可包括一種藍色發(fā)光材料或主體和藍色摻雜劑。紅色發(fā)光層的主體可用作藍色發(fā)光層的主體。藍色摻雜劑的示例包括，但不限于：F₂Irpic、(F₂ppy)₂Ir(tmd)、Ir(dfppz)₃、三芴(E3)、4,4’-雙(4-二對甲苯基氨基苯乙烯基)聯(lián)苯(DPAVBi)以及2,5,8,11-四-叔丁基二萘嵌苯(TBPe)。

電子傳輸層170設(shè)置在發(fā)光層160上并且經(jīng)由電子注入層180從第二電極190接收電子。電子傳輸層170將經(jīng)由電子注入層180的來自第二電極190的電子傳輸至發(fā)光層160。電子傳輸層170例如可由如下有機化合物制成，這些有機化合物例如為但不限于：4,7-二苯基-1,10-鄰二氮菲(Bphen)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)4-苯基苯酚鈉鋁(III)(BAlq)、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)、雙(10-羥基苯并喹啉)鈹(Bebq₂)或1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。電子傳輸層170例如可通過沉積工藝形成。

電子注入層180形成在電子傳輸層170上并且接收來自第二電極190的電子。電子注入層180是降低電子傳輸層170與第二電極190之間的能量勢壘的緩沖層。電子注入層180使電子從第二電極190容易地注入電子傳輸層170中。電子注入層180例如可由LiF或CsF制成。電子注入層180例如可通過沉積工藝形成。

第二電極190形成在電子注入層180上，并且可以是將電子提供至發(fā)光層160的陰極或是將空穴提供至發(fā)光層160的陽極。在本實施方式中，將第二電極190為陰極的情況作為示例進行描述。如同第一電極110，第二電極190可用作透明電極或反射電極。第二電極190例如可通過沉積工藝形成。

發(fā)光顯示裝置100還可包括位于第二電極190上的封裝襯底。封裝襯底例如可由絕緣襯底制成。隔離件可位于像素限定層120上的第二電極190與封裝襯底之間。在一個實施方式中，可省略封裝襯底。在這種情況下，由絕緣材料制成的封裝層可覆蓋整個結(jié)構(gòu)并由此保護整個結(jié)構(gòu)。

圖4是圖2中的A部分的放大剖視圖。圖5示出了當空穴傳輸溶 液150a被噴射時，空穴傳輸溶液150a在相鄰像素中的狀態(tài)的示例。

參照圖4，親液圖案140可包括：與開口OP的第一側(cè)壁相鄰的第一部分141以及與開口OP的第二側(cè)壁相鄰的第二部分142。第一部分141可包括具有平坦頂表面的平坦部分或區(qū)域。第二部分142可連接至第一部分141并且可具有傾斜部分或區(qū)域，該傾斜部分或區(qū)域具有從開口OP的第一側(cè)壁朝著開口OP的第二側(cè)壁變薄的傾斜頂表面。第一部分141的平均厚度可不同于第二部分142的平均厚度。

此外，從空穴注入層130的頂表面至第二部分142的頂表面的邊緣的高度H3可小于從空穴注入層130的頂表面至第一部分141的頂表面的最小高度H4。由于第一部分141的頂表面是平坦的，因此從空穴注入層130的頂表面至第一部分141的頂表面的高度可在第一部分141的任何位置處均相同。

參照圖5，當使用噴嘴印刷方法將空穴傳輸溶液150a從噴射器10噴射至像素P12的親液圖案140上時，由于像素P11的親液圖案140的傾斜的第二部分142，空穴傳輸溶液150a對于由噴射器10的快速移動速度引起的氣流所產(chǎn)生的力F的阻力可能增加。增加的阻力可減少或防止已噴射到像素P11的親液圖案140上的空穴傳輸溶液150a被推至開口OP內(nèi)的一側(cè)(例如，朝著開口OP的第一側(cè)壁)。這可防止空穴傳輸溶液150a在該側(cè)處被干燥至更大程度(例如，處于不均勻的形狀)和/或可防止空穴傳輸溶液150a溢流至另一像素。因此，通過將噴射至像素P11的親液圖案140上的空穴傳輸溶液150a干燥而形成的空穴傳輸層150的形狀可以是均勻的。

空穴傳輸層150可在噴射至像素P11的親液圖案140上的空穴傳輸溶液150a處于像素P11的開口OP內(nèi)干燥時形成。使用噴嘴印刷方法噴射空穴傳輸溶液150a的噴射器10可包括噴嘴10a(例如，見圖1)。該噴嘴10a例如可從像素P11經(jīng)由像素P21朝著像素P12移動，例如，見圖1中的虛線。在另一實施方式中，噴嘴10a可以在不同的方式或方向中移動。

在圖4中，空穴傳輸層150的厚度是不均勻的。因此，可理解為空穴傳輸層150的不均勻厚度可能影響發(fā)光顯示裝置100的發(fā)射特性。 然而，由于親液圖案140實質(zhì)上是非常薄的，因此空穴傳輸層150的厚度可不受親液圖案140的形狀的較大影響而幾乎是均勻的，其中親液圖案140包括具有平坦部分的第一部分141和具有傾斜部分的第二部分142。

親液圖案140例如可通過負性光刻方法，例如通過將親液材料涂覆在空穴注入層130上、使用圖案掩模將親液材料曝光、以及在空穴注入層130上留下親液材料的被曝光部分，而形成為具有該結(jié)構(gòu)。由殘留在空穴注入層130上的親液材料形成的親液圖案140的厚度可以通過曝光至光的量來控制。

例如，隨著親液材料的曝光量的增加，親液圖案140的厚度可增加。由于這種原理，形成包括具有傾斜頂表面的傾斜部分的第二部分142的親液材料的曝光量(例如，與開口OP的第二側(cè)壁相鄰的親液材料的曝光量)可少于與開口OP的第一側(cè)壁相鄰的親液材料的曝光量。親液材料的曝光量可從開口OP的第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁減少。

親液材料的曝光量越少，空穴傳輸溶液150a與親液圖案140的接觸角度越大。例如，空穴傳輸溶液150a與第二部分142的接觸角度可大于空穴傳輸溶液150a與第一部分141的接觸角度。在一個實施方式中，空穴傳輸溶液150a與第二部分142的邊緣的第一接觸角度可為約5度或小于5度。空穴傳輸溶液150a與第一部分141的第二接觸角度可為約4度或小于4度。第一接觸角度與第二接觸角度之差可為約2度或小于2度。在空穴傳輸溶液150a的接觸角度大的區(qū)域中，空穴傳輸溶液150a的散布可減少。相應(yīng)地，空穴傳輸溶液150a在該區(qū)域中趨于保持穩(wěn)定。

由于這種特性，當空穴傳輸溶液150a使用噴嘴印刷方法從噴射器10噴射至像素P12的親液圖案140上時(例如，圖5中所示)，當?shù)谝唤佑|角度大于第二接觸角度時，空穴傳輸溶液150a對于由噴射器10的快速移動速度引起的氣流而產(chǎn)生的力F的阻力可通過第一接觸角度進一步增加。由于第一接觸角度大于第二接觸角度，所以可理解為空穴傳輸溶液150a可能不會適當?shù)厣⒉荚陂_口OP的整個內(nèi)部之上。然而，由于第一接觸角度與第二接觸角度之差不大(例如，小于預(yù)定 差)，因此其對空穴傳輸溶液150a在開口OP的整個內(nèi)部之上散布的影響可能不大。

圖6至圖11示出了親液圖案140的多個實施方式。

參照圖6，親液圖案140a可包括具有傾斜部分的第一部分141a和具有傾斜部分的第二部分142a。第一部分141a的傾斜部分具有從開口OP的第一側(cè)壁朝著開口OP的第二側(cè)壁變薄的傾斜頂表面。第二部分142a的傾斜部分也在該方向中變薄。第一部分141a的傾斜部分和第二部分142a的傾斜部分可在第一側(cè)壁與第二側(cè)壁之間形成連續(xù)的傾斜表面。

親液圖案140a被施加到圖5的像素P11和像素P12中的每個的空穴注入層130上。當使用噴嘴印刷方法將空穴傳輸溶液150a從噴射器10噴射至像素P12的親液圖案140a上時，空穴傳輸溶液150a對于由噴射器10的快速移動速度引起的氣流所產(chǎn)生的力F的阻力可通過像素P11的親液圖案140a的傾斜的第二部分142a和傾斜的第一部分141a進一步增加。增加的阻力可減少或防止已噴射至像素P11的親液圖案140a上的空穴傳輸溶液150a被推至開口OP內(nèi)的一側(cè)并且然后保持在該狀態(tài)中，或防止溢流至另一像素。其結(jié)果是，通過將噴射至像素P11的親液圖案140a上的空穴傳輸溶液150a干燥而形成的空穴傳輸層150的形狀可以是均勻的。空穴傳輸層150可在噴射至像素P11的親液圖案140a上的空穴傳輸溶液150a處于像素P11的開口OP內(nèi)被干燥時形成。

參照圖7，親液圖案140b可包括具有平坦部分的第一部分141b和具有階梯或臺階部分的第二部分142b。第一部分141b可與圖4的第一部分141相同。第二部分142b可包括階梯部分，該階梯部分包括具有在從開口OP的第一側(cè)壁朝著開口OP的第二側(cè)壁的方向中變薄的臺階形狀的頂表面。階梯部分可增加空穴傳輸溶液150a對于外力的阻力，并且例如，階梯部分可通過調(diào)整用于形成親液圖案140b的親液材料的曝光量來形成。

親液圖案140b可施加到圖5的像素P11和像素P12中的每個的空穴注入層130上。當使用噴嘴印刷方法將空穴傳輸溶液150a從噴射器 10噴射至像素P12的親液圖案140b上時，空穴傳輸溶液150a對于由噴射器10的快速移動速度引起的氣流所產(chǎn)生的力F的阻力可通過像素P11的親液圖案140b的階梯形狀的第二部分142b進一步增加。增加的阻力可減少或防止已噴射至像素P11的親液圖案140b上的空穴傳輸溶液150a被推至開口OP內(nèi)的一側(cè)并且然后保持在該狀態(tài)中，或者防止溢流至另一像素。其結(jié)果是，通過將噴射至像素P11的親液圖案140b上的空穴傳輸溶液150a干燥而形成的空穴傳輸層150的形狀可以是均勻的?？昭▊鬏攲?50可在噴射至像素P11的親液圖案140b上的空穴傳輸溶液150a處于像素P11的開口OP內(nèi)被干燥時形成。

參照圖8與圖9，親液圖案140c包括具有平坦部分的第一部分141c和具有多個線L1至L4的第二部分142c。第一部分141c可與圖4的第一部分141相同。第二部分142c的線L1至L4在與從開口OP的第一側(cè)壁朝向開口OP的第二側(cè)壁的方向(例如，X方向)交叉或垂直的方向(例如，Y方向)中延伸，并且在從第一側(cè)壁朝向第二側(cè)壁的方向(例如，X方向)中彼此間隔開。線L1至L4從開口OP的第一側(cè)壁朝向開口OP的第二側(cè)壁變薄。位于線L1至L4之間的多個槽g1從第一側(cè)壁朝向第二側(cè)壁變窄。

線L1至L4和位于線L1至L4之間的槽g1可增加空穴傳輸溶液150a對于外力的阻力，并且例如可通過調(diào)整用于形成親液圖案140c的親液材料的曝光量來形成。

親液圖案140c被施加到圖5的像素P11和像素P12中的每個的空穴注入層130上。當使用噴嘴印刷方法將空穴傳輸溶液150a從噴射器10噴射至像素P12的親液圖案140c上時，空穴傳輸溶液150a相對由噴射器10的快速移動速度引起的氣流所產(chǎn)生的力F的阻力可通過像素P11的親液圖案140c的第二部分142c(包括線L1至L4和位于線L1至線L4之間的槽g1)進一步增加。增加的阻力可減少或防止已噴射至像素P11的親液圖案140c上的空穴傳輸溶液150a被推至開口OP內(nèi)的一側(cè)并且然后保持在該狀態(tài)中，或防止溢流至另一像素。其結(jié)果是，通過將噴射至像素P11的親液圖案140c上的空穴傳輸溶液150a干燥而形成的空穴傳輸層150的形狀可以是均勻的?？昭▊鬏攲?50 可在噴射至像素P11的親液圖案140c上的空穴傳輸溶液150a處于像素P11的開口OP內(nèi)被干燥時形成。

參考圖10，親液圖案140d可包括具有平坦部分的第一部分141d和具有多個點圖案D1至D4的第二部分142d。第一部分141d可與圖4的第一部分141相同。第二部分142d的點圖案D1至D4可在從開口OP的第一側(cè)壁朝向開口OP的第二側(cè)壁的方向(例如，X方向)中變薄。第一槽g2可與第二槽g3相交，并且可位于點圖案D1至D4之間。第一槽g2的寬度可在從開口OP的第一側(cè)壁朝向開口OP的第二側(cè)壁的方向(例如，X方向)中減小。第二槽g3的寬度可在與從開口OP的第一側(cè)壁朝向開口OP的第二側(cè)壁的方向垂直或交叉的方向(例如，Y方向)中是相同的。

點圖案D1至D4以及第一槽g2與第二槽g3可增加空穴傳輸溶液150a相對外力的阻力，并且例如可通過調(diào)整用于形成親液圖案140d的親液材料的曝光量來形成。

親液圖案140d被施加到圖5的像素P11和像素P12中的每個的空穴注入層130上。當使用噴嘴印刷方法將空穴傳輸溶液150a從噴射器10噴射至像素P12的親液圖案140d上時，空穴傳輸溶液150a相對由噴射器10的快速移動速度引起的氣流所產(chǎn)生的力F的阻力可通過像素P11的親液圖案140d的第二部分142d(包括點圖案D1至D4以及第一槽g2與第二槽g3)進一步增加。增加的阻力可減少或防止已噴射至像素P11的親液圖案140d上的空穴傳輸溶液150a被推至開口OP內(nèi)的一側(cè)并且然后保持在該狀態(tài)中，或者防止溢流至另一像素。其結(jié)果是，通過將噴射至像素P11的親液圖案140d上的空穴傳輸溶液150a干燥而形成的空穴傳輸層150的形狀可以是均勻的?？昭▊鬏攲?50可在噴射至像素P11的親液圖案140d上的空穴傳輸溶液150a處于像素P11的開口OP內(nèi)被干燥時形成。

參考圖11，親液圖案140e包括第一部分141e、第二部分142e和第三部分143e。第一部分141e和第二部分142e可與圖4的第一部分141和第二部分142相同。第三部分143e可位于開口OP的第一側(cè)壁與第一部分141e之間，并且包括具有傾斜的頂表面的傾斜部分，傾斜 部分在從開口OP的第二側(cè)壁朝向第一側(cè)壁的方向中變薄。從空穴注入層130的頂表面到第三部分143e的頂表面的邊緣的高度可小于從空穴注入層130的頂表面到第一部分141e的頂表面的最小高度。

在圖1的噴射器10通過從像素P11經(jīng)由像素P21移動至像素P12來執(zhí)行印刷的情況以及在噴射器10通過從像素P12經(jīng)由像素P22移動至像素P11來執(zhí)行印刷的情況下，親液圖案140e可減少或防止由噴射器10的快速移動速度引起的氣流所產(chǎn)生的力F將已噴射至像素P11的親液圖案140e上的空穴傳輸溶液150a或者已噴射至像素P12的親液圖案140e上的空穴傳輸溶液150a被推至開口OP內(nèi)的一側(cè)，或者防止使空穴傳輸溶液150a溢流至另一像素。

如上所述，根據(jù)圖2的實施方式的發(fā)光顯示裝置100包括具有第一部分141和第二部分142的親液圖案140。從空穴注入層130的頂表面至第二部分142的頂表面的邊緣的高度H3小于從空穴注入層130的頂表面至第一部分141的頂表面的最小高度H4。因此，當使用噴嘴印刷方法將空穴傳輸溶液150a從噴射器10噴射至親液圖案140上時，可減小或防止由噴射器10的快速移動速度引起的氣流所產(chǎn)生的力F將已噴射至相鄰像素的親液圖案140上的空穴傳輸溶液150a被推至開口OP內(nèi)的一側(cè)，或者防止使空穴傳輸溶液150a溢流至另一像素。

相應(yīng)地，通過將噴射至親液圖案140上的空穴傳輸溶液150a干燥而形成的空穴傳輸層150的形狀可以是均勻的?？昭▊鬏攲?50可在噴射至親液圖案140上的空穴傳輸溶液150a處于開口OP內(nèi)被干燥時形成。因此，發(fā)光顯示裝置100可具有均勻的發(fā)射特性并且可被防止顯示混合的顏色。其結(jié)果是，可改進發(fā)光顯示裝置100的顯示質(zhì)量。

圖12示出了發(fā)光顯示裝置200的另一實施方式。圖13是沿圖12中的線III-III’截取的剖視圖。圖14是圖13中的B部分的放大剖視圖，以及圖15是圖13中的C部分的放大剖視圖。除襯底205和親液圖案240之外，發(fā)光顯示裝置200可與圖2的發(fā)光顯示裝置100相同。

參照圖12至圖15，發(fā)光顯示裝置200包括襯底205、第一電極110、像素限定層120、空穴注入層130、親液圖案240、空穴傳輸層150、發(fā)光層160、電子傳輸層170、電子注入層180以及第二電極190。 這些元件在圖13的預(yù)定方向(Z)中依次堆疊。

襯底205可與圖1和圖2的襯底105相似。然而，襯底205上的多個像素P可劃分為多個單元塊，每個單元塊具有多個列組。單元塊可包括第一單元塊UB1至第t單元塊UBt。相同數(shù)量或不同數(shù)量的列組可位于第一單元塊UB1至第t單元塊UBt中的每個中。例如，第一單元塊UB1可包括第一列組P11,P21,…,Pn1、第二列組P12,P22,…,Pn2和第三列組P13,P23,…,Pn3。第二單元塊UB2可包括第四列組P14,P24,…,Pn4、第五列組P15,P25,…,Pn5和第六列組P16,P26,…,Pn6。

在一個實施方式中，由于噴射器20包括三個噴嘴20a至20c，因此第一單元塊UB1至第t單元塊UBt中的每個包括三個列組。例如，通過使用噴嘴印刷方法，溶液可從第一噴嘴20a噴射至與第一單元塊UB1的第一列組P11,P21,…,Pn1對應(yīng)的像素；溶液可從第二噴嘴20b噴射至與第一單元塊UB1的第二列組P12,P22,…,Pn2對應(yīng)的像素，并且溶液可從第三噴嘴20c噴射至與第一單元塊UB1的第三列組P13,P23,…,Pn3對應(yīng)的像素。

因此，在每個單元塊中的列組的數(shù)目可與一個噴射器的噴嘴的數(shù)目相等。在另一實施方式中，列組的數(shù)目可與噴射器的噴嘴的數(shù)目不同。

親液圖案240可與圖2的親液圖案140相似。然而，親液圖案240可在單元塊的一個列組中具有與其在該單元塊的一個或多個其他列組中的形狀不同的形狀。

參照圖14，在對應(yīng)于第一單元塊UB1的第一列組P11,P21,…,Pn1的像素P11的空穴注入層130上的親液圖案240可包括具有平坦部分的第一部分241和具有平坦部分的第二部分242。從空穴注入層130的頂表面至第一部分241的頂表面的高度，以及從空穴注入層130的頂表面至第二部分242的頂表面的高度均可等于H13。在對應(yīng)于第一單元塊UB1的第二列組P12,P22,…,Pn2的像素P12的空穴注入層130上的親液圖案240可具有與對應(yīng)于第一單元塊UB1的第一列組P11,P21,…,Pn1的像素P11的空穴注入層130上的親液圖案240相 同的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于與第一單元塊UB1的第一列組P11,P21,…,Pn1對應(yīng)的所有像素以及與第一單元塊UB1的第二列組P12,P22,…,Pn2對應(yīng)的所有像素。

參照圖15，在對應(yīng)于第一單元塊UB1的第三列組P13,P23,…,Pn3的像素P13的空穴注入層130上的親液圖案240可包括具有平坦部分的第一部分243和具有傾斜部分的第二部分244。從空穴注入層130的頂表面至第二部分244的頂表面的邊緣的高度H23可小于從空穴注入層130的頂表面至第一部分243的頂表面的最小高度H24。該結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于與第一單元塊UB1的第三列組P13,P23,…,Pn3對應(yīng)的所有像素。

如上所述，在第一單元塊UB1的第一列組P11,P21,…,Pn1至第三列組P13,P23,…,Pn3之中，僅在與第三列組P13,P23,…,Pn3對應(yīng)的每個像素的空穴注入層130上的親液圖案240的第二部分244可包括傾斜部分。

具有三個噴嘴20a至20c的噴射器20在像素P上方以單元塊為單位的方式移動的同時(例如，使用噴嘴印刷方法如圖12中的虛線所示地依次在第一單元塊UB1和第二單元塊UB2上方移動的同時)，將空穴傳輸溶液150a(例如，見圖5)噴射至像素限定層120的每個開口OP內(nèi)的親液圖案240上。當這發(fā)生時，由噴射器20的快速移動速度引起的氣流所產(chǎn)生的力F可能影響已噴射至面對相鄰的第一單元塊UB1與第二單元塊UB2之間的邊界CP的、與第一單元塊UB1的第三列組P13,P23,…,Pn3對應(yīng)的像素中的空穴傳輸溶液150a(見圖5)。為了增加噴射至與第一單元塊UB1的第三列組P13,P23,…,Pn3對應(yīng)的像素中的空穴傳輸溶液150a相對于力F的阻力，僅位于與第三列組P13,P23,…,Pn3對應(yīng)的像素中的每個的空穴注入層130上的親液圖案240的第二部分244可包括傾斜部分。

在上文所描述的說明性實施方式中，具有傾斜部分的每個親液圖案的位置例如通過一個噴射器中噴嘴的數(shù)目來確定。并且，在另一實施方式中，包括傾斜部分的第二部分244可由圖6至圖11的第二部分142a至142e中的任一個來替換。

如上所述，在根據(jù)本實施方式的發(fā)光顯示裝置200中，根據(jù)噴射器中的噴嘴數(shù)目，僅位于與單元塊的任一個列組對應(yīng)的每個像素的空穴注入層130上的親液圖案240的第二部分244包括傾斜部分。因此，親液圖案240可以容易地被圖案化。

圖16至圖30是示出用于制造發(fā)光顯示裝置的方法的實施方式的剖面圖和平面圖。發(fā)光顯示裝置可以是上述實施方式中的任意一個。在圖16至圖30中，像素P11和像素P12作為實施例被示出。

參照圖16，在多個像素P11和P12的每個像素的襯底105上形成第一電極110。第一電極110例如可通過將透明電極材料或反射電極沉積在襯底105上并在襯底105上圖案化來形成。

參照圖17，在襯底105上形成像素限定層120以限定每個像素P11和P12，并且像素限定層120具有多個開口OP以暴露第一電極110。像素限定層120例如可通過使用沉積方法將絕緣材料沉積在襯底105的整個表面上以覆蓋第一電極110，以及然后圖案化經(jīng)沉積的絕緣材料來形成。

參照圖18，在第一電極110上形成空穴注入層130。空穴注入層130例如可使用狹縫涂布不僅形成在第一電極110上，還形成在像素限定層120的整個表面上。

參照圖19至圖21，使用圖案掩模30在每個像素P11和P12中的空穴注入層130上形成親液圖案140。參照圖19，親液材料層140L例如通過使用例如狹縫涂布將親液溶液涂覆在空穴注入層130上來形成。圖案掩模30布置在親液材料層140L上方以面對親液材料層140L，并且然后向親液材料層140L照射光。

圖案掩模30可包括重復(fù)且交替布置的阻擋區(qū)BR、透射區(qū)TR和半透射區(qū)STR。阻擋區(qū)BR阻擋光并面對像素限定層120的頂表面。透射區(qū)TR使光穿過并被布置成對應(yīng)于親液材料層140L的、與第一電極110重疊并與每個開口OP在第一方向X中彼此面對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之中的第一側(cè)壁相鄰的部分。半透射區(qū)STR調(diào)整透光率并布置成對應(yīng)于親液材料層140L的、與第一電極110重疊并與每個開口OP的第二側(cè)壁相鄰的部分。

參照圖20，圖案掩模30可包括透明襯底31、阻擋層32和半透射層33，其中阻擋層32位于透明襯底31上與阻擋區(qū)BR對應(yīng)的區(qū)域中，半透射層33位于阻擋層32上與阻擋區(qū)BR和半透射區(qū)STR對應(yīng)的區(qū)域中。透明襯底31例如可以是石英襯底。阻擋層32例如可由以下中的任一個制成：例如鉻、硅化鉬、鉭、鋁、硅、氧化硅和氮氧化硅。在一個實施方式中，半透射層33可由氧化鉻層或氮氧化鉻層制成。半透射區(qū)STR中的透光率可通過控制半透射層33的厚度來調(diào)整。例如，在半透射區(qū)STR的透光率將增加的部分中的、半透射層33的厚度可小于在半透射區(qū)STR的透光率將減少的部分中的、半透射層33的厚度。

本實施方式例如可使用負性光刻法。在這種情況下，為使親液圖案140的第二部分142的邊緣薄，親液材料層140L中待形成親液圖案140的第二部分142的邊緣的區(qū)域的曝光量可以相對少。相應(yīng)地，半透射層33在半透射區(qū)STR中與待形成親液圖案140的第二部分142的邊緣的、親液材料層140L的區(qū)域?qū)?yīng)的部分中可比在半透射區(qū)STR的其他部分中更厚。

在將掩模圖案30布置在親液材料層140L上方之后，當對親液材料層140L照射光時，僅親液材料層140L的被曝光部分可在顯影工藝中保留。其結(jié)果是，如圖21所示，親液圖案140可形成在每個像素P11和P12中。被曝光部分的厚度例如可隨曝光至光的曝光量而不同。

圖20中的圖案掩模30包括襯底31、阻擋層32和半透射層33。在另一實施方式中，圖案掩模30可包括襯底和阻擋層而無需半透射層，如圖22和圖23所示。

參照圖22和圖23，圖案掩模30a可包括透明襯底31和阻擋層32a，其中阻擋層32a位于透明襯底31上與阻擋區(qū)BR和半透射區(qū)STR對應(yīng)的區(qū)域中。阻擋層32a可與圖20的阻擋層32相似。然而，阻擋層32a可包括位于阻擋區(qū)BR中的連續(xù)部分32aa，以及位于半透射區(qū)STR中的包括多個線BL1至BL4的圖案部分32ab。位于線BL1至BL4之間的槽pg1可在從每個開口OP的第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁的方向(即，X方向)中變窄。槽pg1可調(diào)整穿過圖案掩模30a的半透射區(qū)STR的透 光率。例如，透光率可隨著槽pg1變窄而降低。

參照圖24，除了包括線BL1至BL4的圖案部分32ab被包括多個點圖案BD1至BD4的圖案部分32bb替換之外，圖案掩模30b可與圖22和圖23的圖案掩模30a相同。位于點圖案BD1至BD4之間的槽pg2可在從每個開口OP的第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁的方向(即，X方向)中變窄。槽pg2可控制穿過圖案掩模30b的半透射區(qū)STR的透光率。例如，透光率可隨著槽pg2變窄而降低。沿著與從每個開口OP的第一側(cè)壁朝著第二側(cè)壁的方向垂直的方向(即，Y方向)布置的槽pg3可具有相同的寬度。

參照圖25至圖27，在每個像素P11和P12中的親液圖案140上形成空穴傳輸層150。參照圖25，使用噴嘴印刷方法，將空穴傳輸溶液150a從噴射器10噴射至像素P11的親液圖案140上。然后，將噴射器10經(jīng)過像素P21朝著像素P12移動，以將空穴傳輸溶液150a噴射到像素P12的親液圖案140上。

參照圖26，當空穴傳輸溶液150a被提供至像素P12的親液圖案140上時，由噴射器10的快速移動速度引起的氣流產(chǎn)生力F。然而，空穴傳輸溶液150a相對于力F的阻力通過像素P11的親液圖案140的傾斜的第二部分142而增加。增加的阻力可減少或防止已噴射至像素P11的親液圖案140上的空穴傳輸溶液150a被推至開口OP內(nèi)的一側(cè)(例如，朝向開口OP的第一側(cè)壁)并且然后保持在該狀態(tài)中，或防止溢流至另一像素。如果空穴傳輸溶液150a在這種狀態(tài)下被干燥，如圖27所示，具有均勻形狀的空穴傳輸層150可形成在像素P11和像素P12中的每個內(nèi)。

參照圖28和圖29，在空穴傳輸層150上形成發(fā)光層160。參照圖28，使用噴墨印刷方法或噴嘴印刷方法，將發(fā)光溶液160a從噴射器40噴射至像素限定層120的每個開口OP中。發(fā)光溶液160a可包括與圖25的空穴傳輸溶液150a相同的溶劑。在這種情況下，空穴傳輸層150可對于發(fā)光溶液160a是親液的。

參照圖29，將發(fā)光溶液160a干燥以由此在空穴傳輸層150上形成發(fā)光層160。

參照圖30，在發(fā)光層160上形成電子傳輸層170、電子注入層180和第二電極190。電子傳輸層170、電子注入層180和第二電極190可通過沉積工藝形成。

根據(jù)本實施方式的制造發(fā)光顯示裝置的方法還可包括在第二電極190上布置封裝襯底。此外，根據(jù)本實施方式的制造發(fā)光顯示裝置的方法還可包括在第二電極190和封裝襯底之間布置隔離件。布置封裝襯底和隔離件的各種方法對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員是眾所周知的。

通過總結(jié)和回顧，為了增加空穴傳輸溶液的可濕性，可在陽極上形成親液圖案。當使用噴嘴印刷方法將空穴傳輸溶液噴射至親液圖案上時，由噴射器的快速移動速度引起的氣流所產(chǎn)生的力可將空穴傳輸溶液推至親液圖案的一側(cè)。其結(jié)果是，空穴傳輸溶液可能干燥而具有不均勻的形狀。這可能導(dǎo)致顯示器具有不均勻的發(fā)射特性，并因此降低了顯示質(zhì)量。

而且，如果被推至一側(cè)的空穴傳輸溶液溢流到相鄰像素，則空穴傳輸層可能形成在相鄰像素的部分中。在這種情況下，位于空穴傳輸層上的有機發(fā)光層也可能形成在相鄰像素的該部分中。因此，在相鄰像素中發(fā)射不同顏色的光的有機發(fā)光層可能彼此重疊。這可能導(dǎo)致不期望的不同顏色光的混合，其還降低了顯示質(zhì)量。

根據(jù)上述實施方式中的一個或多個，發(fā)光顯示裝置可形成為具有均勻的發(fā)射特性并防止來自一個或多個像素的顯示的光混合。因此，可提高發(fā)光顯示裝置的顯示質(zhì)量。

本文中已公開了示例性實施方式，并且雖然使用了特定術(shù)語，但這些術(shù)語僅以一般性和描述性的意義進行使用和解釋而不用于限制性的目的。在一些情況下，如自本申請?zhí)峤黄饘τ诒绢I(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的，除非另外指出，否則結(jié)合具體實施方式而描述的特征、特性和/或元件可單獨使用或與結(jié)合其他實施方式而描述的特征、特性和/或元件組合使用。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，在不脫離如所附權(quán)利要求書所闡述的本實施方式的精神和范圍的情況下，可對形式和細節(jié)進行各種修改。