技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。該半導(dǎo)體器件包括：第一源晶種層；第二源晶種層，所述第二源晶種層被設(shè)置在所述第一源晶種層上方，同時(shí)與所述第一源晶種層間隔開；堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)被形成在所述第二源晶種層上；溝道層，所述溝道層通過穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)而延伸到所述第一源晶種層內(nèi)；以及夾層源層，所述夾層源層延伸到所述第一源晶種層與所述第二源晶種層之間的空間中，同時(shí)接觸所述溝道層、所述第一源晶種層和所述第二源晶種層中的每一個(gè)。

技術(shù)研發(fā)人員：崔康植
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
文檔號(hào)碼：201610384209
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.02
技術(shù)公布日：2017.06.16