本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED器件與OLED顯示器。

背景技術(shù)：

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器，也稱(chēng)為有機(jī)電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應(yīng)范圍廣、體積輕薄、響應(yīng)速度快，而且易于實(shí)現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實(shí)現(xiàn)和集成電路驅(qū)動(dòng)器相匹配、易于實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，因而具有廣闊的應(yīng)用前景。

OLED按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為無(wú)源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類(lèi)，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類(lèi)。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動(dòng)顯示類(lèi)型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

目前大尺寸AMOLED顯示器量產(chǎn)技術(shù)采用的是白光有機(jī)發(fā)光二極管(White Organic Light-emitting Diode，WOLED)加彩色濾光片(Color filter，CF)，其原理是將WOLED發(fā)出的白光經(jīng)過(guò)彩色濾光片后濾出紅綠藍(lán)三原色。其優(yōu)點(diǎn)是不需要精密金屬掩膜版，利于制備大尺寸AMOLED顯示器。但是WOLED制備工藝復(fù)雜，且通過(guò)彩色濾光片后會(huì)有2/3的光被濾掉，造成能量的損耗，再者彩色濾光片濾過(guò)的三原色光的色純度較差，不適合制作廣色域(>100％)的顯示器。

另外，現(xiàn)有的OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度較低，同樣不利于提高OLED顯示器的顯示效果，圖1為一種現(xiàn)有的普通藍(lán)光OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖，該藍(lán)光OLED器件包括從下到上依次設(shè)置的透明陽(yáng)極100、空穴注入層200、空穴傳輸層300、電子阻擋層400、藍(lán)光發(fā)光層500、電子傳輸層600、及陰極700； 所述電子阻擋層400、藍(lán)光發(fā)光層500、及電子傳輸層600構(gòu)成一藍(lán)光發(fā)光單元，由于該藍(lán)光OLED器件只具有一個(gè)藍(lán)光發(fā)光單元，因此發(fā)光強(qiáng)度較低，使得OLED顯示器的顯示效果較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED器件，可提高發(fā)光強(qiáng)度，且光色更純，有利于提高OLED顯示器的顯示效果。

本發(fā)明的目的還在于提供一種OLED顯示器，包含上述OLED器件，可提高發(fā)光強(qiáng)度，有利于激發(fā)色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出紅、綠光，得到高色飽和度的紅綠藍(lán)三原色光，提高OLED顯示器的色域，同時(shí)有利于提高OLED顯示器的分辨率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種OLED器件，包括從下到上依次設(shè)置的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、第一發(fā)光單元、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光單元、及陰極；所述陽(yáng)極為半透明電極；

所述第一發(fā)光單元包括從下到上依次設(shè)置的第一電子阻擋層、第一發(fā)光層、及第一電子傳輸層，所述第二發(fā)光單元包括從下到上依次設(shè)置的第二電子阻擋層、第二發(fā)光層、及第二電子傳輸層；

所述電荷產(chǎn)生層包括從下到上依次設(shè)置的電子產(chǎn)生層和空穴產(chǎn)生層。

所述第一發(fā)光層與第二發(fā)光層均為藍(lán)光發(fā)光層，所述藍(lán)光發(fā)光層的材料包括4,4′-二(2,2)-二苯乙烯基-1,1聯(lián)苯；所述第一發(fā)光層的厚度為5nm～40nm；所述第二發(fā)光層的厚度為5nm～40nm。

所述陽(yáng)極包括兩透明導(dǎo)電金屬氧化物層及位于兩透明導(dǎo)電金屬氧化物層之間的一金屬層；所述透明導(dǎo)電金屬氧化物層的厚度為5nm～50nm；所述金屬層的厚度為5nm～25nm；

所述陰極為反射電極，所述陰極的材料包括鋰、鋰合金、鎂、鎂合金、鈣、鈣合金、鍶、鍶合金、鑭、鑭合金、鈰、鈰合金、銪、銪合金、鐿、鐿合金、鋁、鋁合金、銫、銫合金、銣、及銣合金中的一種或多種的組合；所述陰極的厚度為50nm～1000nm。

所述電子產(chǎn)生層的材料包括六腈六氮雜苯并菲；所述空穴產(chǎn)生層的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺；所述電子產(chǎn)生層的膜厚為 5nm～50nm；所述空穴產(chǎn)生層的膜厚為5nm～50nm。

所述空穴注入層的材料包括六腈六氮雜苯并菲；所述空穴注入層的厚度為5nm～500nm；

所述空穴傳輸層的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺；所述空穴傳輸層的厚度為5nm～500nm；

所述第一電子阻擋層與第二電子阻擋層的材料均包括4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺；所述第一電子阻擋層與第二電子阻擋層的厚度均為5nm～30nm；

所述第一電子傳輸層包括重疊設(shè)置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉，另一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉與鋰的混合物；所述第一電子傳輸層的厚度為5nm～50nm；

所述第二電子傳輸層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉；所述第二電子傳輸層的厚度為5nm～50nm。

本發(fā)明還提供一種OLED顯示器，包括TFT基板、設(shè)于所述TFT基板上的色轉(zhuǎn)換薄膜、設(shè)于所述色轉(zhuǎn)換薄膜上的平坦層、設(shè)于所述平坦層上的OLED器件、設(shè)于所述OLED器件上方的封裝蓋板、以及設(shè)于所述封裝蓋板與OLED器件之間的封裝膠材；

所述OLED器件包括從下到上依次設(shè)置的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、第一發(fā)光單元、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光單元、及陰極；所述陽(yáng)極為半透明電極；

所述第一發(fā)光單元包括從下到上依次設(shè)置的第一電子阻擋層、第一發(fā)光層、及第一電子傳輸層，所述第二發(fā)光單元包括從下到上依次設(shè)置的第二電子阻擋層、第二發(fā)光層、及第二電子傳輸層；所述第一發(fā)光層與第二發(fā)光層均為藍(lán)光發(fā)光層；所述電荷產(chǎn)生層包括從下到上依次設(shè)置的電子產(chǎn)生層和空穴產(chǎn)生層；

所述色轉(zhuǎn)換薄膜包括紅色像素單元、綠色像素單元、及藍(lán)色像素單元，所述紅色像素單元為紅色轉(zhuǎn)換薄膜，所述綠色像素單元為綠色轉(zhuǎn)換薄膜，所述藍(lán)色像素單元為無(wú)色透明薄膜或通孔；

施加電壓后，所述OLED器件發(fā)出藍(lán)光，該藍(lán)光穿過(guò)所述OLED器件的陽(yáng)極進(jìn)入色轉(zhuǎn)換薄膜，激發(fā)構(gòu)成所述紅色像素單元的紅色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出紅光，激發(fā)構(gòu)成所述綠色像素單元的綠色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出綠光，穿過(guò)構(gòu)成所述藍(lán)色像 素單元的無(wú)色透明薄膜或通孔透出藍(lán)光，從而實(shí)現(xiàn)紅綠藍(lán)三原色顯示。

所述藍(lán)光發(fā)光層的材料包括4,4′-二(2,2)-二苯乙烯基-1,1聯(lián)苯；所述第一發(fā)光層的厚度為5nm～40nm；所述第二發(fā)光層的厚度為5nm～40nm。

所述陽(yáng)極包括兩透明導(dǎo)電金屬氧化物層及位于兩透明導(dǎo)電金屬氧化物層之間的一金屬層；所述透明導(dǎo)電金屬氧化物層的厚度為5nm～50nm；所述金屬層的厚度為5nm～25nm；

所述陰極為反射電極，所述陰極的材料包括鋰、鋰合金、鎂、鎂合金、鈣、鈣合金、鍶、鍶合金、鑭、鑭合金、鈰、鈰合金、銪、銪合金、鐿、鐿合金、鋁、鋁合金、銫、銫合金、銣、及銣合金中的一種或多種的組合；所述陰極的厚度為50nm～1000nm。

所述電子產(chǎn)生層的材料包括六腈六氮雜苯并菲；所述空穴產(chǎn)生層的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺；所述電子產(chǎn)生層的膜厚為5nm～50nm；所述空穴產(chǎn)生層的膜厚為5nm～50nm。

所述空穴注入層的材料包括六腈六氮雜苯并菲；所述空穴注入層的厚度為5nm～500nm；

所述空穴傳輸層的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺；所述空穴傳輸層的厚度為5nm～500nm；

所述第一電子阻擋層與第二電子阻擋層的材料均包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺；所述第一電子阻擋層與第二電子阻擋層的厚度均為5nm～30nm；

所述第一電子傳輸層包括重疊設(shè)置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉，另一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉與鋰的混合物；所述第一電子傳輸層的厚度為5nm～50nm；

所述第二電子傳輸層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉；所述第二電子傳輸層的厚度為5nm～50nm；

所述紅色轉(zhuǎn)換薄膜的材料包括紅色量子點(diǎn)，所述綠色轉(zhuǎn)換薄膜的材料包括綠色量子點(diǎn)；所述紅色轉(zhuǎn)換薄膜的厚度為10nm～200nm；所述綠色轉(zhuǎn)換薄膜的厚度為10nm～200nm。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種OLED器件，通過(guò)將兩個(gè)或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，可以成倍增加OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度；同時(shí)通過(guò)使用半透明陽(yáng)極，可引入微腔效應(yīng)，使發(fā)光光譜變窄，光色更純并且進(jìn)一步提高 發(fā)光強(qiáng)度。本發(fā)明提供的一種OLED顯示器包含上述OLED器件，通過(guò)將兩個(gè)或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，成倍增加發(fā)光強(qiáng)度；同時(shí)通過(guò)使用半透明陽(yáng)極，可引入微腔效應(yīng)，使發(fā)光光譜變窄，光色更純并且進(jìn)一步提高發(fā)光強(qiáng)度，從而有利于激發(fā)色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出紅、綠光，得到高色飽和度的紅綠藍(lán)三原色光，提高OLED顯示器的色域；由于OLED顯示器中對(duì)應(yīng)紅、綠、藍(lán)像素的發(fā)光層均為藍(lán)色發(fā)光層，從而避免使用精密金屬掩膜版，有利于提高OLED顯示器的分辨率。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見(jiàn)。

附圖中，

圖1為一種現(xiàn)有的普通藍(lán)光OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的高亮度藍(lán)光OLED器件與現(xiàn)有的普通藍(lán)光OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度的對(duì)比示意圖；

圖4為本發(fā)明的OLED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的OLED顯示器發(fā)出的紅綠藍(lán)三原色光的光譜圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明首先提供一種OLED器件120，包括從下到上依次設(shè)置的陽(yáng)極10、空穴注入層20、空穴傳輸層30、第一發(fā)光單元40、電荷產(chǎn)生層50、第二發(fā)光單元60、及陰極70；所述陽(yáng)極10為半透明電極；

所述第一發(fā)光單元40包括從下到上依次設(shè)置的第一電子阻擋層41、第一發(fā)光層42、及第一電子傳輸層43；所述第二發(fā)光單元60包括從下到上依次設(shè) 置的第二電子阻擋層61、第二發(fā)光層62、及第二電子傳輸層63；所述電荷產(chǎn)生層50包括從下到上依次設(shè)置的電子產(chǎn)生層51和空穴產(chǎn)生層52。

具體的，所述電荷產(chǎn)生層50用于分別向第一發(fā)光單元40和第二發(fā)光單元60提供其發(fā)光所需的電子或空穴，使得第一發(fā)光單元40在電荷產(chǎn)生層50和陽(yáng)極10的作用下發(fā)光，第二發(fā)光單元60在電荷產(chǎn)生層50和陰極70的作用下發(fā)光。也就是說(shuō)，電荷產(chǎn)生層50將第一發(fā)光單元40和第二發(fā)光單元60串聯(lián)在陽(yáng)極10和陰極70之間，實(shí)現(xiàn)串聯(lián)式有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，可以增大發(fā)光效率。

具體的，所述陽(yáng)極10用于將空穴注入到空穴注入層20中。

具體的，所述陽(yáng)極10包括兩透明導(dǎo)電金屬氧化物層及位于兩透明導(dǎo)電金屬氧化物層之間的一金屬層。所述透明導(dǎo)電金屬氧化物層的材料優(yōu)選為氧化銦錫；所述金屬層的材料可以為銀或鋁。所述透明導(dǎo)電金屬氧化物層的厚度為5nm～50nm，所述金屬層的厚度為5nm～25nm。優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電金屬氧化物層的厚度為15nm，所述金屬層的厚度為15nm。

具體的，所述空穴注入層20用于將空穴從陽(yáng)極10注入到空穴傳輸層30。

優(yōu)選的，所述空穴注入層20的材料包括六腈六氮雜苯并菲(Hexanitrilehexaazatriphenylene,HATCN)，所述六腈六氮雜苯并菲的結(jié)構(gòu)式為

具體的，所述空穴注入層20的厚度為5nm～500nm，優(yōu)選為10nm。

具體的，所述空穴傳輸層30用于將空穴傳輸?shù)降谝话l(fā)光單元40的第一電子阻擋層41中。

優(yōu)選的，所述空穴傳輸層30的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺(N,N’-bis(naphthalen-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine,NPB)，所述N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺的結(jié)構(gòu)式為

具體的，所述空穴傳輸層30的厚度為5nm～500nm，優(yōu)選為60nm。

具體的，所述第一電子阻擋層41與第二電子阻擋層61分別用于將電子限制在第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62中，并且將空穴傳輸?shù)降谝话l(fā)光層42與第二發(fā)光層62中。

具體的，所述第一電子阻擋層41與第二電子阻擋層61的材料均包括4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(4,4′,4″-tris(N-carbazolyl)triphenylamine,TCTA)，所述4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺的結(jié)構(gòu)式為

具體的，所述第一電子阻擋層41的厚度為5nm～30nm，優(yōu)選為10nm；所述第二電子阻擋層61的厚度為5nm～30nm，優(yōu)選為10nm。

具體的，所述第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62用于使空穴和電子在發(fā)光層中復(fù)合發(fā)光。

優(yōu)選的，所述第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62均為藍(lán)光發(fā)光層，所述藍(lán)光發(fā)光層的材料包括4,4′-二(2,2)-二苯乙烯基-1,1聯(lián)苯(4,4′-Bis(2,2-diphenylvinyl)-1,10-biphenyl,DPVBi)，所述4,4′-二(2,2)-二苯乙烯基-1,1聯(lián)苯的結(jié)構(gòu)式為

具體的，所述第一發(fā)光層42的厚度為5nm～40nm，優(yōu)選為25nm；所述第二發(fā)光層62的厚度為5nm～40nm，優(yōu)選為25nm。

具體的，所述第一電子傳輸層43用于將從電荷產(chǎn)生層50注入的電子傳輸?shù)? 第一發(fā)光層42中，所述第二電子傳輸層63用于將從陰極70注入的電子傳輸?shù)降诙l(fā)光層62中。

具體的，所述第一電子傳輸層43的厚度為5nm～50nm，優(yōu)選為20nm。

優(yōu)選的，所述第一電子傳輸層43包括重疊設(shè)置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline,Bphen)，另一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)與鋰(Li)的混合物，該兩結(jié)構(gòu)層的厚度均優(yōu)選為10nm。所述4,7-二苯基-1,10-菲啰啉的結(jié)構(gòu)式為

具體的，所述第二電子傳輸層63的厚度為5nm～50nm，優(yōu)選為20nm。

具體的，所述第二電子傳輸層63的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)。

具體的，所述電子產(chǎn)生層51用于產(chǎn)生電子，并將電子注入到第一發(fā)光單元40的第一電子傳輸層43中，所述空穴產(chǎn)生層52用于產(chǎn)生空穴，并將空穴注入到第二發(fā)光單元60的第二電子阻擋層61中。

具體的，所述電子產(chǎn)生層51的材料包括六腈六氮雜苯并菲(HATCN)；所述空穴產(chǎn)生層52的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺(NPB)。

具體的，所述電子產(chǎn)生層51的膜厚為5nm～50nm，所述空穴產(chǎn)生層52的膜厚為5nm～50nm；優(yōu)選的，所述電子產(chǎn)生層51的膜厚為10nm，所述空穴產(chǎn)生層52的膜厚為10nm。

具體的，所述陰極70用于將電子注入到第二電子傳輸層63中。

優(yōu)選的，所述陰極70為反射電極。

具體的，所述陰極70的材料通常為低功函金屬材料，如包括鋰(Li)、鋰合金、鎂(Mg)、鎂合金、鈣(Ca)、鈣合金、鍶(Sr)、鍶合金、鑭(La)、鑭合金、鈰(Ce)、鈰合金、銪(Eu)、銪合金、鐿(Yb)、鐿合金、鋁(Al)、鋁合金、銫(Cs)、銫合金、銣(Rb)、及銣合金中的一種或多種的組合。優(yōu)選的，所述陰極70的厚度為50nm～1000nm。

優(yōu)選的，所述陰極70為由1nm的氟化鋰(LiF)層與100nm的鋁層疊加構(gòu)成 的復(fù)合薄膜。

優(yōu)選的，所述陰極70采用真空蒸鍍方法成膜。

通過(guò)將兩個(gè)或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，相對(duì)于圖1的僅具有單一發(fā)光單元的普通藍(lán)光OLED器件，本發(fā)明的OLED器件具有較高的發(fā)光強(qiáng)度，當(dāng)所述第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62均為藍(lán)光發(fā)光層時(shí)，本發(fā)明的OLED器件即構(gòu)成高亮度藍(lán)光OLED器件，在相同電流密度下，將本發(fā)明的高亮度藍(lán)光OLED器件與圖1所示的普通藍(lán)光OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)行對(duì)比，得到的結(jié)果如圖3所示，從圖3中可以看出，本發(fā)明的高亮度藍(lán)光OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度高于現(xiàn)有的普通藍(lán)光OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度的4倍左右。

上述OLED器件，通過(guò)將兩個(gè)或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，可以成倍增加OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度；另外通過(guò)使用半透明陽(yáng)極，可引入微腔效應(yīng)，使發(fā)光光譜變窄，光色更純并且進(jìn)一步提高發(fā)光強(qiáng)度，有利于提高OLED顯示器的顯示效果。

請(qǐng)參閱圖4及圖2，本發(fā)明還提供一種OLED顯示器，包括TFT基板110、設(shè)于所述TFT基板110上的色轉(zhuǎn)換薄膜140、設(shè)于所述色轉(zhuǎn)換薄膜140上的平坦層160、設(shè)于所述平坦層160上的OLED器件120、設(shè)于所述OLED器件120上方的封裝蓋板130、以及設(shè)于所述封裝蓋板130與OLED器件120之間的封裝膠材150；

如圖2所示，所述OLED器件120包括從下到上依次設(shè)置的陽(yáng)極10、空穴注入層20、空穴傳輸層30、第一發(fā)光單元40、電荷產(chǎn)生層50、第二發(fā)光單元60、及陰極70；所述陽(yáng)極10為半透明電極；

所述第一發(fā)光單元40包括從下到上依次設(shè)置的第一電子阻擋層41、第一發(fā)光層42、及第一電子傳輸層43，所述第二發(fā)光單元60包括從下到上依次設(shè)置的第二電子阻擋層61、第二發(fā)光層62、及第二電子傳輸層63；所述第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62均為藍(lán)光發(fā)光層；所述電荷產(chǎn)生層50包括從下到上依次設(shè)置的電子產(chǎn)生層51和空穴產(chǎn)生層52；

所述色轉(zhuǎn)換薄膜140包括紅色像素單元141、綠色像素單元142、及藍(lán)色像素單元143，所述紅色像素單元141為紅色轉(zhuǎn)換薄膜，所述綠色像素單元142為綠色轉(zhuǎn)換薄膜，所述藍(lán)色像素單元143為無(wú)色透明薄膜或通孔；

施加電壓后，所述OLED器件120發(fā)出藍(lán)光，該藍(lán)光穿過(guò)所述OLED器件120 的陽(yáng)極10進(jìn)入色轉(zhuǎn)換薄膜140，激發(fā)構(gòu)成所述紅色像素單元141的紅色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出紅光，激發(fā)構(gòu)成所述綠色像素單元142的綠色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出綠光，穿過(guò)構(gòu)成所述藍(lán)色像素單元143的無(wú)色透明薄膜或通孔透出藍(lán)光，從而實(shí)現(xiàn)紅綠藍(lán)三原色顯示。

具體的，所述封裝膠材150用于粘接封裝蓋板130與OLED器件120，使封裝蓋板130對(duì)OLED器件120形成密封保護(hù)，阻隔水和氧對(duì)OLED器件120的侵蝕。

具體的，所述平坦層160的材料為透明有機(jī)材料。

具體的，所述紅色轉(zhuǎn)換薄膜的材料包括紅色量子點(diǎn)，所述綠色轉(zhuǎn)換薄膜的材料包括綠色量子點(diǎn)。

具體的，所述紅色量子點(diǎn)包括第一內(nèi)核和第一外殼，所述第一內(nèi)核的材料為硒化鎘(CdSe)，所述第一外殼的材料為硫化鋅(ZnS)；所述綠色量子點(diǎn)包括第二內(nèi)核和第二外殼，所述第二內(nèi)核的材料為CdSe，所述第二外殼的材料為ZnS。

具體的，所述紅色轉(zhuǎn)換薄膜的厚度為10nm～200nm，優(yōu)選為30nm。

具體的，所述綠色轉(zhuǎn)換薄膜的厚度為10nm～200nm，優(yōu)選為30nm。

具體的，所述空穴注入層20的厚度為5nm～500nm，優(yōu)選為10nm。

優(yōu)選的，所述空穴注入層20的材料包括六腈六氮雜苯并菲(HATCN)。

具體的，所述空穴傳輸層30的厚度為5nm～500nm，優(yōu)選為60nm。

優(yōu)選的，所述空穴傳輸層30的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺(NPB)。

具體的，所述第一電子阻擋層41的厚度為5nm～30nm，優(yōu)選為10nm；所述第二電子阻擋層61的厚度為5nm～30nm，優(yōu)選為10nm。

具體的，所述第一電子阻擋層41與第二電子阻擋層61的材料均包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。

具體的，所述第一發(fā)光層42的厚度為5nm～40nm，優(yōu)選為25nm；所述第二發(fā)光層62的厚度為5nm～40nm，優(yōu)選為25nm。

具體的，所述藍(lán)光發(fā)光層的材料包括4,4′-二(2,2)-二苯乙烯基-1,1聯(lián)苯(DPVBi)。

具體的，所述第一電子傳輸層43的厚度為5nm～50nm，優(yōu)選為20nm。

具體的，所述第一電子傳輸層43包括重疊設(shè)置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉，另一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)與鋰(Li)的混合物，該兩結(jié)構(gòu)層的厚度均優(yōu)選為10nm。

具體的，所述第二電子傳輸層63的厚度為5nm～50nm，優(yōu)選為20nm。

具體的，所述第二電子傳輸層63的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)。

具體的，所述電子產(chǎn)生層51的膜厚為5nm～50nm，所述空穴產(chǎn)生層52的膜厚為5nm～50nm；優(yōu)選的，所述電子產(chǎn)生層51的膜厚為10nm，所述空穴產(chǎn)生層52的膜厚為10nm。

具體的，所述電子產(chǎn)生層51的材料包括六腈六氮雜苯并菲(HATCN)；所述空穴產(chǎn)生層52的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺(NPB)。

具體的，所述陽(yáng)極10包括兩透明導(dǎo)電金屬氧化物層及位于兩透明導(dǎo)電金屬氧化物層之間的一金屬層。所述透明導(dǎo)電金屬氧化物層的材料優(yōu)選為氧化銦錫；所述金屬層的材料可以為銀或鋁。所述透明導(dǎo)電金屬氧化物層的厚度為5nm～50nm，所述金屬層的厚度為5nm～25nm。優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電金屬氧化物層的厚度為15nm，所述金屬層的厚度為15nm。

優(yōu)選的，所述陰極70為反射電極。

具體的，所述陰極70的材料通常為低功函金屬材料，如包括鋰、鋰合金、鎂、鎂合金、鈣、鈣合金、鍶、鍶合金、鑭、鑭合金、鈰、鈰合金、銪、銪合金、鐿、鐿合金、鋁、鋁合金、銫、銫合金、銣、及銣合金中的一種或多種的組合。優(yōu)選的，所述陰極70的厚度為50nm～1000nm。

優(yōu)選的，所述陰極70為由1nm的氟化鋰(LiF)層與100nm的鋁層疊加構(gòu)成的復(fù)合薄膜。

優(yōu)選的，所述陰極70采用真空蒸鍍方法成膜。

如圖5所示，為本發(fā)明的OLED顯示器發(fā)出的紅綠藍(lán)三原色光的光譜圖，在色坐標(biāo)體系中，該紅、綠、藍(lán)三原色光的色坐標(biāo)分別為紅光(0.70，0.30)，綠光(0.15，0.76)，藍(lán)光(0.12，0.08)，可以看出，本發(fā)明的OLED顯示器發(fā)出的紅、綠、藍(lán)三原色光均具有較高的色飽和度，并使得本發(fā)明的OLED顯示器的色域高達(dá)122.6％。

上述OLED顯示器，其中的OLED器件通過(guò)將兩個(gè)或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，可以成倍增加OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度；同時(shí)通過(guò)使用半透明陽(yáng)極，可引入微腔效應(yīng)，使發(fā)光光譜變窄，光色更純并且進(jìn)一步提高發(fā)光強(qiáng)度；從而有利于激發(fā)色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出紅、及綠光，得到高色飽和度的紅綠藍(lán)三原色光，進(jìn)而提高了OLED顯示器的色域。

綜上所述，本發(fā)明提供一種OLED器件與OLED顯示器。本發(fā)明的OLED器件，通過(guò)將兩個(gè)或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，可以成倍增加OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度；同時(shí)通過(guò)使用半透明陽(yáng)極，可引入微腔效應(yīng)，使發(fā)光光譜變窄，光色更純并且進(jìn)一步提高發(fā)光強(qiáng)度。本發(fā)明的OLED顯示器包含上述OLED器件，通過(guò)將兩個(gè)或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，成倍增加發(fā)光強(qiáng)度；同時(shí)通過(guò)使用半透明陽(yáng)極，可引入微腔效應(yīng)，使發(fā)光光譜變窄，光色更純并且進(jìn)一步提高發(fā)光強(qiáng)度，從而有利于激發(fā)色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出紅、綠光，得到高色飽和度的紅綠藍(lán)三原色光，提高OLED顯示器的色域；由于OLED顯示器中對(duì)應(yīng)紅、綠、藍(lán)像素的發(fā)光層均為藍(lán)色發(fā)光層，從而避免使用精密金屬掩膜版，有利于提高OLED顯示器的分辨率。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。