本發(fā)明涉及晶片的加工方法，該晶片在正面上呈格子狀形成有多條分割預定線，并且在由該多條分割預定線劃分出的多個區(qū)域中形成有器件。

背景技術：

例如，在半導體器件制造工藝中，在作為大致圓板形狀的晶片的正面上由呈格子狀形成的分割預定線劃分的多個區(qū)域中形成IC、LSI等器件，沿著分割預定線對形成有該器件的各區(qū)域進行分割，由此制造出一個個的器件芯片。另外，作為晶片，通常在被分割成各個器件芯片之前通過磨削裝置對背面進行磨削而形成為規(guī)定的厚度。

磨削裝置具有：卡盤工作臺，其具有對晶片進行保持的保持面；磨削構件，其具有對保持在該卡盤工作臺上的晶片的上表面進行磨削的磨輪；以及磨削進給構件，其使該磨削構件在與被加工物保持構件的保持面垂直的方向上移動，將為了保護器件而通過蠟等接合材料粘接在晶片的正面上的保護部件側保持在卡盤工作臺的保持面上，通過磨削構件對晶片的背面進行磨削而形成為規(guī)定的厚度(例如，參照專利文獻1、2、3)。

專利文獻1：日本特開平10－50642號公報

專利文獻2：日本特開2010－219461號公報

專利文獻3：日本特開2012－160515號公報

但是，當通過蠟等接合材料將保護板粘接于晶片的正面時，存在如下問題：當在對背面進行了磨削之后從晶片的正面將接合材料與保護板一同去除時，接合材料的一部分稍微殘留于晶片的正面而使器件的品質降低。接合材料殘留于晶片的正面的現(xiàn)象在設置于器件的電極由突出50～200μm的凸塊形成的情況下大量產(chǎn)生。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其主要的技術課題在于提供一種晶片的加工方法，在磨削后，將用于在晶片的正面上裝配保護板以便在對晶片的背面進行磨削時保護器件的接合材料從晶片的正面可靠地去除。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片的加工方法，對晶片進行加工，該晶片在正面上呈格子狀形成有多條分割預定線，并且在由該多條分割預定線劃分的多個區(qū)域中形成有器件，該晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：水溶性樹脂包覆工序，在晶片的正面上包覆水溶性的液狀樹脂而形成薄膜；保護板固定工序，在對晶片的正面進行保護的保護板與該薄膜之間夾設接合材料而將晶片固定于保護板；背面磨削工序，利用卡盤工作臺對固定了晶片的該保護板側進行保持，對晶片的背面進行磨削而形成為規(guī)定的厚度；保護板剝離工序，在實施了該背面磨削工序之后，將該接合材料與固定了晶片的該保護板一同剝離；以及接合材料去除工序，對實施了該保護板剝離工序的晶片的正面上殘留的該接合材料提供水，將該薄膜與該接合材料一同去除。

優(yōu)選晶片的加工方法還包含切削槽形成工序，在實施上述水溶性樹脂包覆工序之前，從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A定線形成相當于器件的完工厚度的切削槽，在上述背面磨削工序中，使切削槽露出于晶片的背面而將晶片分割成一個個的器件。

優(yōu)選晶片的加工方法還包含改質層形成工序，將對于晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位在晶片的內部而沿著分割預定線進行照射，在晶片的內部沿著分割預定線形成作為分割起點的改質層，在上述背面磨削工序中，沿著形成有作為分割起點的改質層的分割預定線將晶片分割成一個個的器件芯片。

在本發(fā)明中，由于包含接合材料去除工序，對實施了保護板剝離工序的晶片的正面上殘留的接合材料提供水，將薄膜與接合材料一同去除，因此即使在實施保護板剝離工序時在晶片的正面上殘留接合材料，也能夠在接合材料去除工序中通過水將包覆在晶片的正面上的由水溶性樹脂構成的薄膜去除從而將所殘留的接合材料也去除，不會使器件芯片的品質降低。

附圖說明

圖1是半導體晶片的立體圖。

圖2的(a)～(c)是水溶性樹脂包覆工序的說明圖。

圖3是薄膜固化工序的說明圖。

圖4的(a)、(b)是保護板固定工序的說明圖。

圖5是接合層固化工序的說明圖。

圖6的(a)、(b)是背面磨削工序的說明圖。

圖7的(a)、(b)是保護板剝離工序的說明圖。

圖8的(a)、(b)是接合材料去除工序的說明圖。

圖9的(a)、(b)是第2實施方式的切削槽形成工序的說明圖。

圖10的(a)、(b)是第2實施方式的背面磨削工序的說明圖。

圖11的(a)～(c)是第3實施方式的改質層形成工序的說明圖。

圖12的(a)、(b)是第3實施方式的背面磨削工序的說明圖。

圖13的(a)、(b)是第2實施方式和第3實施方式的保護板剝離工序的說明圖。

圖14的(a)～(c)是第2實施方式和第3實施方式的接合材料去除工序的說明圖。

標號說明

2：半導體晶片；21：分割預定線；22：器件；3：樹脂膜形成裝置；31：旋轉工作臺；32：液狀樹脂供給噴嘴；300：薄膜；4：紫外線照射器；5：接合材料；50：接合層；6：保護板；7：磨削裝置；71：磨削裝置的卡盤工作臺；72：磨削構件；724：磨輪；8：清洗裝置；82：清洗水供給噴嘴；9：切削裝置；91：切削裝置的卡盤工作臺；92：切削構件；923：切削刀具；10：激光加工裝置；11：激光加工裝置的卡盤工作臺；12：激光光線照射構件；122：聚光器；F：環(huán)狀的框架；T：劃片帶。

具體實施方式

以下，參照附圖詳細地說明本發(fā)明的晶片的加工方法的優(yōu)選的實施方式。

圖1中示出根據(jù)本發(fā)明加工的半導體晶片的立體圖。圖1所示的半導體晶片2由厚度為例如600μm的硅晶片構成，在正面2a上呈格子狀形成有多條分割預定線21，并且在由該多條分割預定線21劃分出的多個區(qū)域中形成有IC、LSI等器件22。以下，對于對該半導體晶片2的背面進行磨削而形成為規(guī)定的厚度的晶片的加工方法進行說明。被加工物不限于半導體晶片，也包含光器件晶片等其他的晶片。

首先，實施水溶性樹脂包覆工序，在上述的半導體晶片2的正面2a上包覆水溶性的液狀樹脂而形成薄膜。

使用圖2的(a)和(b)所示的樹脂膜形成裝置3來實施該水溶性樹脂包覆工序。圖2的(a)和(b)所示的樹脂膜形成裝置3具有：旋轉工作臺31，其對被加工物進行保持；以及液狀樹脂供給噴嘴32，其配置于該旋轉工作臺31的旋轉中心的上方。將半導體晶片2的背面2b側載置在這樣構成的樹脂膜形成裝置3的旋轉工作臺31上。并且，使未圖示的吸引構件進行動作，在旋轉工作臺31上吸引保持半導體晶片2。因此，保持在旋轉工作臺31上的半導體晶片2的正面2a為上側。這樣在旋轉工作臺31上保持半導體晶片2之后，如圖2的(a)所示那樣使旋轉工作臺31在箭頭31a所示的方向上以規(guī)定的旋轉速度(例如500～3000rpm)旋轉，并且從配置在旋轉工作臺31的上方的液狀樹脂供給噴嘴32對半導體晶片2的正面2a的中央?yún)^(qū)域滴下規(guī)定的量的液狀樹脂30。并且，通過使旋轉工作臺31旋轉60秒左右而如圖2的(b)和(c)所示那在半導體晶片2的正面2a上形成薄膜300。包覆在半導體晶片2的正面2a上的薄膜300的厚度由上述液狀樹脂30的滴下量決定，可以為1～3μm左右。另外，作為水溶性的液狀樹脂，優(yōu)選通過照射紫外線而固化的液狀樹脂，作為通過照射紫外線而固化的液狀樹脂，可以使用聚乙烯醇(PVA：Poly Vinyl Alcohol)、聚乙二醇(PEG：Poly Ethylene Glycol)、聚環(huán)氧乙烷(PEO：Poly Ethylene Oxide)。

在實施了上述的水溶性樹脂包覆工序之后，實施薄膜固化工序，對包覆在半導體晶片2的正面2a上的薄膜300照射紫外線而進行固化。即，如圖3所示，通過紫外線照射器4對包覆在半導體晶片2的正面2a上的薄膜300照射紫外線。其結果為，使由通過照射紫外線而固化的液狀樹脂形成的薄膜300固化。

接著，實施保護板固定工序，在對實施了水溶性樹脂包覆工序的半導體晶片2的正面進行保護的保護板與上述薄膜300之間夾設接合材料而將半導體晶片2固定于保護板。即，如圖4的(a)和(b)所示，對包覆在半導體晶片2的正面上的薄膜300上提供規(guī)定的量的接合材料5，利用保護板6均勻地按壓該接合材料5的整個面，由此如圖4的(b)所示那樣半導體晶片2借助厚度均勻的接合層50固定于保護板6。另外，夾設在保護板6與包覆在半導體晶片2的正面上的薄膜300之間的接合層50的厚度可以為10～200μm左右。并且，作為接合材料5優(yōu)選通過照射紫外線而固化的樹脂，作為通過照射紫外線而固化的樹脂可以使用聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯等。并且，保護板6優(yōu)選紫外線能夠透過的樹脂片，可以使用厚度為例如500μm～1mm左右的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂片、聚烯烴樹脂片等。

在實施了上述的保護板固定工序之后，實施接合層固化工序，穿過固定有半導體晶片2的保護板6對接合層50照射紫外線而進行固化。即，如圖5所示，利用紫外線照射器4從固定有半導體晶片2的保護板6側照射紫外線。由于在圖示的實施方式中，保護板6由紫外線能夠透過的樹脂片形成，因此紫外線穿過該保護板6而照射到接合層50，使接合層50固化。

接著，實施背面磨削工序，將固定有半導體晶片2的保護板6保持在卡盤工作臺上，對半導體晶片2的背面進行磨削而形成為規(guī)定的厚度。使用圖6的(a)所示的磨削裝置7來實施該背面磨削工序。圖6的(a)所示的磨削裝置7具有：作為保持構件的卡盤工作臺71，其對被加工物進行保持；以及磨削構件72，其對保持在該卡盤工作臺71上的被加工物進行磨削。卡盤工作臺71構成為在上表面上吸引保持被加工物，通過未圖示的旋轉驅動機構而在圖6的(a)中箭頭71a所示的方向上旋轉。磨削構件72具有：主軸殼體721；旋轉主軸722，其旋轉自如地支承于該主軸殼體721，通過未圖示的旋轉驅動機構而旋轉；安裝座723，其裝配于該旋轉主軸722的下端；以及磨輪724，其安裝于該安裝座723的下表面。該磨輪724由圓環(huán)狀的基臺725和呈環(huán)狀裝配于該基臺725的下表面的磨具726構成，基臺725借助緊固螺栓727而安裝于安裝座723的下表面。

要想使用上述的磨削裝置7來實施上述背面磨削工序，如圖6的(a)所示那樣將固定有半導體晶片2的保護板6側載置在卡盤工作臺71的上表面(保持面)上。并且，通過使未圖示的吸引構件進行動作而在卡盤工作臺71上隔著保護板6吸附保持半導體晶片2(晶片保持工序)。因此，保持在卡盤工作臺71上的半導體晶片2的背面2b成為上側。這樣在卡盤工作臺71上隔著保護板6吸引保持半導體晶片2之后，使卡盤工作臺7在圖6的(a)中箭頭71a所示的方向上以例如300rpm旋轉，并且使磨削構件72的磨輪724在圖6的(a)中箭頭724a所示的方向上以例如6000rpm旋轉，如圖6的(b)所示那樣使磨具726與作為被加工面的半導體晶片2的背面2b接觸，并使磨輪724如箭頭724b所示那樣以例如1μm/秒的磨削進給速度向下方(相對于卡盤工作臺71的保持面垂直的方向)磨削進給規(guī)定的量。其結果為，半導體晶片2的背面2b被磨削而半導體晶片2形成為規(guī)定的厚度(例如100μm)。

接著，實施保護板剝離工序，將由接合材料構成的接合層50與固定有實施了背面磨削工序的半導體晶片2的保護板6一同剝離。即，如圖7的(a)和(b)所示那樣在劃片帶T的正面上粘接半導體晶片2的背面2b，該劃片帶T由聚烯烴等合成樹脂片構成，其外周部以覆蓋環(huán)狀的框架F的內側開口部的方式被裝配，將接合層50與固定有半導體晶片2的保護板6一同從半導體晶片2剝離。另外，在將接合層50與保護板6一同從半導體晶片2剝離時，一邊對夾設在半導體晶片2與保護板6之間的接合層50提供水蒸汽一邊實施，由此能夠容易地剝離。即使這樣將接合層50與保護板6一同從半導體晶片2剝離，有時也會在半導體晶片2的正面上殘留接合材料的一部分。

在實施了上述的保護板剝離工序之后，實施接合材料去除工序，對殘留于半導體晶片2的正面的接合材料提供水，將薄膜300與接合材料一同去除。即，如圖8的(a)所示那樣，將實施了保護板剝離工序而隔著劃片帶T支承于環(huán)狀的框架F的半導體晶片2隔著劃片帶T載置在清洗裝置8的保持工作臺81上，并使未圖示的吸引構件進行動作而在保持工作臺81上隔著劃片帶T吸引保持半導體晶片2。并且，從配置于保持工作臺81的上方的清洗水供給噴嘴82對殘留于半導體晶片2的正面的接合材料和薄膜300提供清洗水。其結果為，由于薄膜300由水溶性樹脂構成，因此如圖8的(b)所示那樣被清洗水容易地去除并且殘留于半導體晶片2的正面的接合材料也被去除。因此，由于不會在器件的正面上殘留接合材料的一部分，因此不會使器件的品質降低。

如上所述，將實施了接合材料去除工序的半導體晶片2在隔著劃片帶T支承于環(huán)狀的框架F的狀態(tài)下搬送到作為下一工序的晶片分割工序，沿著分割預定線21分割成一個個的器件22。

接著，對本發(fā)明的晶片的加工方法的第2實施方式進行說明。在該第2實施方式中，在實施上述水溶性樹脂包覆工序之前，實施切削槽形成工序，從半導體晶片2的正面?zhèn)妊刂指铑A定線21形成相當于器件22的完工厚度的切削槽，在上述背面磨削工序中通過使切削槽露出于半導體晶片2的背面而將半導體晶片2分割成一個個的器件22。

這里，關于上述切削槽形成工序，參照圖9的(a)和(b)進行說明。

使用圖9的(a)所示的切削裝置9來實施切削槽形成工序。圖9的(a)所示的切削裝置9具有：卡盤工作臺91，其對被加工物進行保持；切削構件92，其對保持在該卡盤工作臺91上的被加工物進行切削；以及拍攝構件93，其對保持在該卡盤工作臺91上的被加工物進行拍攝。卡盤工作臺91構成為對被加工物進行吸引保持，通過未圖示的切削進給機構而在圖9的(a)中箭頭X所示的切削進給方向上移動，并且通過未圖示的分度進給機構而在箭頭Y所示的分度進給方向上移動。

上述切削構件92包含：實質上水平配置的主軸殼體921；旋轉主軸922，其旋轉自如地支承于該主軸殼體921；以及切削刀具923，其裝配于該旋轉主軸922的前端部，旋轉主軸922通過配設在主軸殼體921內的未圖示的伺服電動機而在箭頭922a所示的方向上旋轉。另外，切削刀具923的厚度在本實施方式中被設定為30μm。上述拍攝構件93裝配于主軸殼體921的前端部，具有：照明構件，其對被加工物進行照明；光學系統(tǒng)，其捕捉由該照明構件照明的區(qū)域；以及拍攝元件(CCD)等，其拍攝由該光學系統(tǒng)捕捉到的圖像，上述拍攝構件93將拍攝到的圖像信號發(fā)送給未圖示的控制構件。

要想使用上述的切削裝置9來實施切削槽形成工序，如圖9的(a)所示那樣將半導體晶片2的背面2b側載置在卡盤工作臺91上，并使未圖示的吸引構件進行動作而在卡盤工作臺91上吸引保持半導體晶片2。因此，保持在卡盤工作臺91上的半導體晶片2的正面2a成為上側。這樣，吸引保持著半導體晶片2的卡盤工作臺91被未圖示的切削進給機構定位在拍攝構件93的正下方。

當將卡盤工作臺91定位在拍攝構件93的正下方時，執(zhí)行對準作業(yè)，通過拍攝構件93和未圖示的控制構件檢測應該沿著半導體晶片2的分割預定線21形成分割槽的切削區(qū)域。即，拍攝構件93和未圖示的控制構件執(zhí)行用于進行形成在半導體晶片2的規(guī)定的方向上的分割預定線21與切削刀具923的對位的圖案匹配等圖像處理，并執(zhí)行切削區(qū)域的對準(對準工序)。并且，針對形成于半導體晶片2的在與上述規(guī)定的方向垂直的方向上延伸的分割預定線21也同樣地執(zhí)行切削區(qū)域的對準。

在如上所述進行了對保持在卡盤工作臺91上的半導體晶片2的切削區(qū)域進行檢測的對準之后，使保持著半導體晶片2的卡盤工作臺91移動至切削區(qū)域的切削開始位置。并且，使切削刀具923在圖9的(a)中箭頭922a所示的方向上旋轉并且向下方移動而實施切入進給。該切入進給位置設定為切削刀具923的外周緣距半導體晶片2的正面相當于器件的完工厚度的深度位置(例如，100μm)。這樣，在實施了切削刀具923的切入進給之后，通過使切削刀具923旋轉并且使卡盤工作臺91在圖9的(a)中箭頭X所示的方向上切削進給而如圖9的(b)所示那樣沿著分割預定線21形成寬度為30μm且相當于器件的完工厚度的深度(例如，100μm)的切削槽210(切削槽形成工序)。

在實施了上述的切削槽形成工序之后，實施上述水溶性樹脂包覆工序和保護板固定工序，然后實施上述背面磨削工序。在該背面磨削工序中，當如圖10的(a)和(b)所示那樣對半導體晶片2的背面進行磨削而達到厚度為例如100μm時，切削槽210露出于背面2b，半導體晶片2被分割成一個個的器件。另外，在本實施方式中，由于在實施了上述切削槽形成工序之后實施上述水溶性樹脂包覆工序，因此水溶性樹脂被填充到切削槽210內。因此，在背面磨削工序中當切削槽210露出于半導體晶片2的背面時，填充到切削槽210內的水溶性樹脂露出。

接著，對本發(fā)明的晶片的加工方法的第3實施方式進行說明。在該第3實施方式中，在實施上述水溶性樹脂包覆工序之前實施改質層形成工序，將對于半導體晶片2具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位在半導體晶片2的內部而沿著分割預定線21進行照射而在半導體晶片2的內部沿著分割預定線21形成作為分割起點的改質層，在上述背面磨削工序中沿著形成有作為分割起點的改質層的分割預定線將半導體晶片2分割成一個個的器件。

這里，參照圖11的(a)、(b)和(c)對上述改質層形成工序進行說明。使用圖11的(a)所示的激光加工裝置10來實施改質層形成工序。圖11的(a)所示的激光加工裝置10具有：卡盤工作臺11，其對被加工物進行保持；激光光線照射構件12，其對保持在該卡盤工作臺11上的被加工物照射激光光線；以及拍攝構件13，其對保持在卡盤工作臺11上的被加工物進行拍攝?？ūP工作臺11構成為對被加工物進行吸引保持，通過未圖示的加工進給構件而在圖11的(a)中箭頭X所示的加工進給方向上移動，并且通過未圖示的分度進給構件而在圖11的(a)中箭頭Y所示的分度進給方向上移動。

上述激光光線照射構件12包含實質上水平配置的圓筒形狀的外殼121。在外殼121內配設有未圖示的具有脈沖激光光線振蕩器或重復頻率設定構件的脈沖激光光線振蕩構件。在上述外殼121的前端部裝配有用于對從脈沖激光光線振蕩構件振蕩出的脈沖激光光線進行會聚的聚光器122。另外，激光光線照射構件12具有用于對由聚光器122會聚的脈沖激光光線的聚光點位置進行調整的聚光點位置調整構件(未圖示)。

拍攝構件13裝配于構成上述激光光線照射構件12的外殼121的前端部，該拍攝構件13具有：照明構件，其對被加工物進行照明；光學系統(tǒng)，其捕捉由該照明構件照明的區(qū)域；以及拍攝元件(CCD)等，其拍攝由該光學系統(tǒng)捕捉到的圖像，拍攝構件13將拍攝到的圖像信號發(fā)送給未圖示的控制構件。

要想使用上述的激光加工裝置10來實施改質層形成工序，首先如上述的圖11的(a)所示那樣將半導體晶片2的背面2b側載置在卡盤工作臺11上。并且，通過未圖示的吸引構件將半導體晶片2吸附保持在卡盤工作臺11上。因此，保持在卡盤工作臺11上的半導體晶片2的正面2a成為上側。利用未圖示的加工進給構件將這樣吸引保持著半導體晶片2的卡盤工作臺11定位在拍攝構件13的正下方。

當將卡盤工作臺11定位在拍攝構件13的正下方時，執(zhí)行對準作業(yè)，通過拍攝構件13和未圖示的控制構件檢測應該進行半導體晶片2的激光加工的加工區(qū)域。即，拍攝構件13和未圖示的控制構件執(zhí)行用于進行形成在半導體晶片2的規(guī)定的方向上的分割預定線21與沿著分割預定線21照射激光光線的激光光線照射構件12的聚光器122的對位的圖案匹配等圖像處理，執(zhí)行激光光線照射位置的對準。并且，針對形成于半導體晶片2的在與上述規(guī)定的方向垂直的方向上延伸的分割預定線21，也同樣地執(zhí)行激光光線照射位置的對準。

在如上所述對形成于保持在卡盤工作臺11上的半導體晶片2的分割預定線21進行檢測并進行了激光光線照射位置的對準之后，如圖11的(b)所示那樣使卡盤工作臺11移動至照射激光光線的激光光線照射構件12的聚光器122所在的激光光線照射區(qū)域，并將規(guī)定的分割預定線21的一端(在圖11的(b)中為左端)定位在激光光線照射構件12的聚光器122的正下方。接著，將從聚光器122照射的脈沖激光光線的聚光點P定位在半導體晶片2的厚度方向中間部。并且，從聚光器122照射對于硅晶片具有透過性的波長(例如為1064nm)的脈沖激光光線并且使卡盤工作臺11在圖11的(b)中箭頭X1所示的方向上以規(guī)定的進給速度移動。并且，如圖11的(c)所示那樣在激光光線照射構件12的聚光器122的照射位置到達分割預定線21的另一端的位置之后，停止脈沖激光光線的照射并且停止卡盤工作臺11的移動。其結果為，在半導體晶片2的內部如圖11的(c)所示那樣沿著分割預定線21形成改質層220(改質層形成工序)。沿著形成于半導體晶片2的所有的分割預定線21實施該改質層形成工序。

在實施了上述的改質層形成工序之后，實施上述水溶性樹脂包覆工序和保護板固定工序，然后實施上述背面磨削工序。在該背面磨削工序中，如圖12的(a)和(b)所示那樣對半導體晶片2的背面進行磨削而將半導體晶片2形成為規(guī)定的厚度(例如100μm)，并且沿著形成有上述改質層220且強度降低的分割預定線21產(chǎn)生裂痕221而分割成一個個的器件。

另外，在上述的改質層形成工序中示出了從半導體晶片2的正面?zhèn)葘⒓す夤饩€的聚光點定位在內部而沿著分割預定線21進行照射的例子，但在從半導體晶片2的背面?zhèn)葘⒓す夤饩€的聚光點定位在內部而沿著分割預定線21進行照射的情況下，也可以在實施了上述水溶性樹脂包覆工序和保護板固定工序之后實施改質層形成工序。

如上所述在實施了第2實施方式和第3實施方式的背面磨削工序之后，與上述圖7的(a)和(b)所示的保護板剝離工序同樣地實施保護板剝離工序，將由接合材料構成的接合層50與固定有半導體晶片2的保護板6一同從半導體晶片2剝離。即，如圖13的(a)和(b)所示那樣，將被分割成一個個的器件22的半導體晶片2的背面2b粘接在劃片帶T的正面上，該劃片帶T由聚烯烴等合成樹脂片構成，其外周部以覆蓋環(huán)狀的框架F的內側開口部的方式被裝配，將接合層50與固定有半導體晶片2的保護板6一同從半導體晶片2剝離。另外，在本實施方式中，實施了上述背面磨削工序，切削槽210露出于背面或者產(chǎn)生了裂痕221，因而半導體晶片2被分割成一個個的器件22。這樣，即使將接合層50與保護板6一同從半導體晶片2剝離，有時也在分割成一個個的器件22的半導體晶片2的正面上殘留接合材料的一部分。

在實施了上述的保護板剝離工序之后，與上述圖8的(a)和(b)所示的接合材料去除工序同樣地實施接合材料去除工序，對殘留于半導體晶片2的正面的接合材料提供水，將薄膜300與接合材料一同去除。即，如圖14的(a)所示那樣實施保護板剝離工序，隔著劃片帶T在清洗裝置8的保持工作臺81上對隔著劃片帶T支承于環(huán)狀的框架F的被分割成一個個的器件22的半導體晶片2進行吸引保持，從清洗水供給噴嘴82對殘留于半導體晶片2的正面的接合材料和薄膜300提供清洗水。其結果為，如圖14的(b)和(c)所示那樣由于薄膜300由水溶性樹脂構成，因此通過清洗水容易地將其去除，并且殘留于半導體晶片2的正面的接合材料也被去除。因此，不存在接合材料的一部分殘留在器件22的正面上的情況，因此不會使器件22的品質降低。