本公開總體上涉及電子裝置。更具體地，本公開涉及具有增大的爬電距離的電子裝置。

背景技術(shù)：

電子裝置、例如功率半導(dǎo)體可以以高電壓運行。在此，所述裝置可需要遵守根據(jù)給定的安全標準的電絕緣要求。電子裝置經(jīng)常需要被改進。特別地，期望能夠在不降低裝置的性能和品質(zhì)的情況下滿足所要求的安全標準。對此，尤其期望能夠增大裝置的爬電距離。此外，期望能夠降低系統(tǒng)成本和提供更高的功率密度。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明，提出了一種裝置，包括：封裝材料；伸出到所述封裝材料的表面之外的第一引線和第二引線；延伸至封裝材料的所述表面中的凹部；以及布置在封裝材料的所述表面上的第一隆起部，其中，第一引線伸出到第一隆起部之外。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，所述凹部布置在第一引線與第二引線之間。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，所述裝置還包括：布置在封裝材料的所述表面上的第二隆起部，其中，所述第二引線伸出到所述第二隆起部之外。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，第一隆起部和第二隆起部具有相似的形狀和尺寸。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，封裝材料的所述表面限定一平面，并且所述凹部的在所述平面之下的深度位于從100微米至2毫米的范圍內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，封裝材料的所述表面限定一平面，并且第一隆起部的在所述平面之上的高度位于從100微米至2毫米的范圍內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，第一隆起部形成包圍第一引線的凸緣。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，所述凹部和第一隆起部中的至少一個是矩形的。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，所述凹部從所述封裝材料的第一主表面延伸至所述封裝材料的第二主表面。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，所述封裝材料和第一隆起部由相同材料整體地形成。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，所述封裝材料包括環(huán)氧樹脂、玻璃纖維填充的環(huán)氧樹脂、玻璃纖維填充的聚合物、酰亞胺、填充的或未填充的熱塑性聚合物材料、填充的或未填充的硬塑料聚合物材料、填充的或未填充的聚合物共混物、熱固性材料、模制化合物、圓頂封裝體材料、層合材料中的至少一種。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，第一引線與第二引線之間的間距在從200微米至2毫米的范圍內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，所述裝置還包括：載體，其中，所述半導(dǎo)體芯片布置在所述載體的第一表面之上，并且所述載體的與第一表面相反的第二表面從所述封裝材料暴露。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，所述裝置還包括：布置在載體的第二表面之上的散熱器。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，所述裝置還包括：布置在所述封裝材料與所述散熱器之間的電絕緣且導(dǎo)熱的層。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，所述裝置還包括：至少部分地被所述封裝材料所覆蓋的半導(dǎo)體芯片，其中，第一引線和第二引線中的至少一個電耦接至所述半導(dǎo)體芯片。

根據(jù)本發(fā)明，還提出了一種裝置，包括：封裝材料；伸出到所述封裝材料的表面之外的第一引線和第二引線；延伸至封裝材料的所述表面中的凹部；以及布置在封裝材料的所述表面上的第一凸緣，其中，第一凸緣包圍第一引線。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，所述凹部布置在在第一引線與第二引線之間。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，所述裝置還包括：布置在封裝材料的所述 表面上的第二凸緣，其中，所述第二凸緣包圍第二引線。

根據(jù)本發(fā)明，還提出了一種裝置，包括：構(gòu)造成能夠容納半導(dǎo)體芯片的殼體，其中，所述殼體包括具有第一開口和第二開口的表面，所述第一開口構(gòu)造成能夠容納第一引線，所述第二開口構(gòu)造成能夠容納第二引線；延伸至殼體的所述表面中的凹部；以及布置在殼體的所述表面上的隆起部，其中，所述隆起部包括所述第一開口。

根據(jù)本發(fā)明一有利實施例，所述凹部布置在第一開口與第二開口之間。

附圖說明

附圖被包括以提供對多個方面的進一步的理解并且并入本說明書并構(gòu)成本說明書的一部分。附圖示出了多個方面并且結(jié)合說明書來解釋方面的原理。其它方面以及方面的許多期望的優(yōu)點將通過參考下述詳細說明來更好地理解，從而可被容易地意識到。附圖的元件不一定相對于彼此按比例繪制。相同的附圖標記可指代對應(yīng)的類似的部件。

圖1A示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置100的俯視圖；

圖1B示意性地示出了裝置100的側(cè)剖視圖；

圖2A示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置200的俯視圖；

圖2B示意性地示出了裝置200的側(cè)剖視圖；

圖2C示意性地示出了裝置200的仰視圖；

圖3A至3C示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置300A至300C的側(cè)剖視圖。

具體實施方式

下述詳細說明參考了附圖，所述附圖中以展示性方式示出了可以實踐本公開的具體方面。在這點上，方向術(shù)語如“頂”、“底”、“前”、“后”可參考所描述的附圖的方位來使用。由于所描述的裝置的部件可以以多種不同的方位定位，因此方向術(shù)語可用于展示的目的，而不是限制性的?？梢允褂闷渌矫娌⑶铱梢宰龀鼋Y(jié)構(gòu)性或邏輯性的改變，而不會脫離本公開的概念。因此，下述詳細說明不是限制性的，本公開的概念由所附的權(quán)利要求來限定。

本說明書中所應(yīng)用的術(shù)語“連接”、“耦接”、“電連接”和/或“電耦接”不一定意味著元件必須直接連接或耦接在一起。中介元件可以設(shè)置在“連接的”、“耦接的”、“電連接的”或“電耦接的”元件之間。

此外，對于例如材料層形成或定位在一個物體的表面之上所使用的詞語“之上”在此可用來指，該材料層可“直接地”定位(例如形成、沉積)在相應(yīng)表面上、例如與相應(yīng)表面直接接觸。對于例如材料層形成或定位在一表面之上所使用的詞語“之上”在此也可用來指，該材料層可“間接地”定位(例如形成、沉積)在相應(yīng)表面上而在所述相應(yīng)表面與所述材料層之間布置有例如一個或一個以上的附加層。

此外，對于兩個或兩個以上部件的相對方位在此可以使用詞語“垂直”和“平行”。應(yīng)當理解的是，這些術(shù)語不是必然意味著所描述的幾何關(guān)系是以完美的幾何意義來實現(xiàn)的。相反，對此可能需要考慮所涉及部件的制造公差。例如，如果半導(dǎo)體封裝體的封裝材料的兩個表面被描述為彼此垂直(或平行)，那么這些表面之間的實際角度可以以一偏離值相對于確切的90(或0)度的值偏離，該偏離值尤其取決于在執(zhí)行用于制造由封裝材料制成殼體的技術(shù)時通常會出現(xiàn)的公差。

在此說明裝置和用于制造裝置的方法。關(guān)于所描述的裝置所進行的說明也可適用于相應(yīng)的方法，反之亦然。例如，如果裝置的一特定部件被描述，那么用于制造該裝置的相應(yīng)的方法可包括以適當?shù)姆绞教峁┰摬考牟襟E，即使這種步驟沒有被明確描述或在附圖中未被明確展示。此外，除非另有說明，否則在此所描述的各種示例性方面的特征可以彼此組合。

在此所描述的裝置可包括任意類型的一個或一個以上半導(dǎo)體芯片。通常，半導(dǎo)體芯片例如可包括集成電路、電光電路或者機電電路、無源裝置。集成電路通?？稍O(shè)計成邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號集成電路、功率集成電路、記憶電路、集成式無源裝置、微機電系統(tǒng)。在一個示例中，半導(dǎo)體芯片可由基本的半導(dǎo)體材料、例如Si制成。在另一示例中，半導(dǎo)體芯片可以由復(fù)合半導(dǎo)體材料、例如GaN、SiC、SiGe、GaAs制成。特別地，半導(dǎo)體芯片可包括一個或一個以上功率半導(dǎo)體。功率半導(dǎo)體芯片可構(gòu)造成例如二極管、功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管，Insulated Gate Bipolar Transistor)、JFET(面結(jié)型柵場效應(yīng)晶體管，Junction Gate Field Effect Transistor)、HEMT(高電子遷移率場效晶體管，High Electron Mobility Transistor)、超結(jié)器件、功率雙極晶體管。在一個示例中，半導(dǎo)體芯片可具有豎直結(jié)構(gòu)，即，電流可以大體上沿垂直于半導(dǎo)體芯片的主面的方向流動。在另一示例中，半導(dǎo)體芯片可具有側(cè)向結(jié)構(gòu)，即電流可大體上沿平行于半導(dǎo)體芯片的主面的方向流動。

半導(dǎo)體芯片可被封裝。對此，在此所使用的術(shù)語“半導(dǎo)體裝置”和“半導(dǎo)體封裝體”可以互換地使用。例如，半導(dǎo)體封裝體可以是引線式或穿孔式封裝體、SMD(表面安裝器件)、IPM(智能功率模塊)等。特別地，半導(dǎo)體封裝體可以是包括封裝材料的半導(dǎo)體裝置，所述封裝材料可至少部分地覆蓋(或埋入或包封)半導(dǎo)體裝置的一個或一個以上部件。封裝材料可以是電絕緣的并且可以形成封裝體。封裝材料可包括環(huán)氧樹脂、玻璃纖維填充的環(huán)氧樹脂、玻璃纖維填充的聚合物、酰亞胺(imide)、填充的或未填充的熱塑性聚合物材料、填充的或未填充的硬塑料(duroplastic)聚合物材料、填充的或未填充的聚合物共混物、熱固性材料、模制化合物、圓頂封裝體(glob-top)材料、層合材料中的至少一種。各種技術(shù)、例如壓縮成型、注射成型、粉末成型、液態(tài)成型、轉(zhuǎn)送成型、層壓中的至少一種可用來以封裝材料封裝所述裝置的部件。

在此所描述的裝置可包括載體，一個或一個以上電子部件、例如半導(dǎo)體芯片可布置在該載體上。載體可由金屬、合金、介電材料、塑料、陶瓷或它們的組合制造。載體可具有均質(zhì)的結(jié)構(gòu)，但是也可提供內(nèi)部結(jié)構(gòu)、如具有電再分配功能的導(dǎo)電路徑。載體例如是引線框架、包括一個或一個以上再分配層的陶瓷基體、PCB(印刷電路板)、DCB(直接敷銅的，direct copper bonded)基體、IMS(絕緣金屬基體)、混合陶瓷基體。引線框架可構(gòu)造成使得能夠形成芯片墊(diepad)(或芯片島部)和引線。在制造所述裝置的過程中，可以將芯片墊和引線彼此連接。芯片墊和引線也可以由一個件制成。為了在制造進程中將芯片墊和引線中的一些分離，芯片墊和引線可通過連接結(jié)構(gòu)彼此連接。在此，分離芯片墊與引線例如可通過機械鋸切、激光束、切割、沖壓、磨削、蝕刻中的至少一種實現(xiàn)。特別地，引線框架可以是導(dǎo)電的。例如，引線框架可以完全由金屬和/或金屬合金、尤其是例如 銅、銅合金、鎳、鐵鎳、鋁、鋁合金、鋼、不銹鋼中的至少一種制成。在以封裝材料將半導(dǎo)體封裝體的半導(dǎo)體芯片封裝之后，引線框架的引線可伸出到所形成的殼體之外，并且可提供半導(dǎo)體芯片與殼體外部之間的電連接。在此，引線可在殼體的僅一側(cè)上或殼體的多側(cè)、例如相反側(cè)上伸出到封裝材料之外。

圖1包括示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置100的視圖的圖1A和圖1B。特別地，圖1A示出了裝置100的俯視圖，圖1B示出了裝置100的側(cè)剖視圖。由于所選擇的視角，圖1A可示出未被圖1B示出的部件，反之亦然。在圖1的示例中，裝置100以通常的方式示出并且可包括為簡單起見而未示出的其它部件。例如，裝置100還可包括根據(jù)本公開的其它裝置的一個或一個以上部件。

裝置100包括可封裝電子部件(未示出)、例如半導(dǎo)體芯片的封裝材料10。特別地，封裝材料10可形成殼體，以容納電子部件。裝置100還包括伸出到封裝材料10的表面14之外的第一引線12A和第二引線12B。因此，所述殼體的表面14可包括構(gòu)造成能夠分別相應(yīng)地容納第一引線12A和第二引線12B的第一開口16A和第二開口16B。封裝材料10的表面14可限定一平面。裝置100還包括延伸至封裝材料10的表面14中的凹部18。在圖1的示例中，凹部18尤其可布置在第一引線12A與第二引線12B之間、即殼體的第一開口16A與第二開口16B之間。在另一示例中，凹部18可布置至第一引線12A的左邊或布置至第二引線12B的右邊。特別地，凹部18可以延伸到由表面14所限定的平面的水平之下。裝置100還包括布置在封裝材料10的表面14上的隆起部20，其中，第一引線12A伸出到隆起部20之外。特別地，隆起部20可以延伸到由表面14所限定的平面的水平之上。隆起部20尤其可形成包圍第一引線12A的凸緣。

在裝置100的運行期間，可在裝置100的導(dǎo)電部件之間發(fā)生漏電起痕。在該方面，爬電距離可定義為兩個導(dǎo)電材料之間的沿布置在它們之間的絕緣體的表面測量的最短路徑。維持一定的爬電距離可解決使用壽命期間漏電起痕故障的風險。裝置100的設(shè)計可產(chǎn)生能夠降低漏電起痕故障的風險的爬電距離。在第一示例中，凹部18可使第一引線12A與第二引線12B之間的沿封裝材料10的表面14的爬電距離增大，由此降低第一引線12A 與第二引線12B之間的漏電起痕故障的風險。在第二示例中，隆起部20可使第一引線12A與可布置在封裝材料10的主表面22上的散熱器(未示出)之間的爬電距離增大。對此，根據(jù)本公開的裝置可不必對所使用的散熱器進行特別設(shè)計以考慮足夠的爬電距離的問題。相反，使用在此論述的凹部和/或隆起部可以允許使用標準散熱器、例如如圖3A至3C所示的散熱器。

圖2包括示意性地示出根據(jù)本公開的裝置200的視圖的圖2A至圖2C。特別地，圖2A示出了裝置200的俯視圖，圖2B示出了裝置200的側(cè)剖視圖，圖2C示出了裝置200的仰視圖。由于所選擇的視角，一個附圖可能示出了未被相應(yīng)的其它附圖示出的部件，反之亦然。裝置200可被視為裝置100的更詳細的實施方式，從而下面描述的裝置200的細節(jié)可同樣適用于裝置100。

裝置200可包括半導(dǎo)體芯片30，所述半導(dǎo)體芯片30可安裝在載體、例如包括芯片墊32的引線框架之上。半導(dǎo)體芯片30可包括柵電極34、源電極36和漏電極38。圖2示出了包括功率晶體管芯片的裝置的一個示例。然而，應(yīng)注意，所示示例不是限制性的，其它示例可基于任意的其它電子部件。裝置200還可包括多個引線12A至12C，所述引線12A至12C也可以是引線框架的一部分。在圖2B中，由于所選擇的視角，不是所有引線12A至12C都可見。在此，多個引線12A至12C由單個附圖標記12表示。裝置200還可包括封裝材料10和散熱器40。散熱器40可被視為或不視為裝置200的一部分。此外，電絕緣且導(dǎo)熱的層或墊42可布置在封裝材料10與散熱器40之間。

柵電極34、源電極36和漏電極38可布置在半導(dǎo)體芯片30的背向芯片墊32的主表面上。漏電極38可電連接至第一引線12A和芯片墊32，源電極36可電連接至第二引線12B，柵電極34可電連接至第三引線12C。如圖2所示，所述引線和電極可通過裝置200的導(dǎo)電元件來電耦接。所述導(dǎo)電元件可對應(yīng)于導(dǎo)線和/或線夾。在圖2的示例中，導(dǎo)電元件可對應(yīng)于由實線所示的導(dǎo)線。由于漏電極38可電連接至布置在半導(dǎo)體芯片30的底側(cè)上的芯片墊32，因此所示布置可被稱為漏電極向下布置(drain down arrangement)。然而，應(yīng)注意，所示布置是示例性的，其它布置形式也可被 實施。在另一示例中，源電極可電連接至布置在半導(dǎo)體芯片的底側(cè)上的芯片墊。這種布置可被稱為源電極向下布置(source down arrangement)。可能的布置可包括具有側(cè)向結(jié)構(gòu)或豎直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片。

引線12A至12C可伸出到封裝材料10之外，使得可在半導(dǎo)體芯片30的電極與布置在封裝材料10外的部件之間建立電連接。引線12A至12C可平行地布置，使得裝置200例如可如圖3A至3C中所示例性示出地布置在PCB之上。在圖2C的仰視圖中，引線12A至12C被示出為具有矩形形式的示例性橫截面。然而，在另一示例中，引線12A至12C中的一個或一個以上的橫截面也可具有其它任意形式，例如圓形形式、正方形形式、菱形形式。兩個緊鄰的引線之間的距離d₁或間距可在從大約200微米至大約2毫米的范圍內(nèi)。

芯片墊32可至少部分地嵌入封裝材料10中。在圖2的示例中，芯片墊32可在其下表面44上從封裝材料10暴露。特別地，芯片墊32的暴露的下表面44和封裝材料10的下主表面46可以是齊平的，即，所述表面可布置在一個共同的平面中。由于所述表面的齊平的布置，芯片墊32的下表面44可接觸散熱器40、尤其在一個共同的平面中接觸散熱器40。在圖2的示例中，一個或一個以上附加的電絕緣且導(dǎo)熱的層42(例如熱油脂、熱板、相變材料)可布置在芯片墊32與散熱器40之間。在另一示例中，芯片墊32可以與散熱器40直接接觸。在圖2的示例中，當在俯視圖中觀察時，電絕緣且導(dǎo)熱的層42的表面面積與封裝材料10的覆蓋區(qū)的表面面積可以是相等的。然而，在另一示例中，電絕緣且導(dǎo)熱的層42的表面面積可大于封裝材料10的覆蓋區(qū)的表面面積。

封裝材料10可包括環(huán)氧樹脂、玻璃纖維填充的環(huán)氧樹脂、玻璃纖維填充的聚合物、酰亞胺、填充的或未填充的熱塑性聚合物材料、填充的或未填充的硬塑料聚合物材料、填充的或未填充的聚合物共混物、熱固性材料、模制化合物、圓頂封裝體材料、層合材料中的至少一種。填充顆粒例如可包括或可基于氮化硅、二氧化硅、氮化鋁、氧化鋁、氮化硼、硅樹脂、雙馬來酰亞胺(BMI)、氰酸酯。封裝材料10可包括可限定一個平面A(見圖2A中的虛線)的表面14。特別地，平面A可垂直于圖2A的圖面。布置在第一引線12A與第二引線12B之間的第一凹部18A可延伸至封裝材料 10的表面14中，從而，增大了第一引線12A與第二引線12B之間的爬電距離。以相似的方式，布置在第二引線12B與第三引線12C之間的第二凹部18B可延伸至封裝材料10的表面14中，從而，增大了第二引線12B與第三引線12C之間的爬電距離。例如，凹部18A和18B中的一個或兩個的在平面A之下的深度d₂可在從大約100微米至大約2毫米的范圍內(nèi)。一般地，凹部18A和18B的幾何形狀可以是任意的。在圖2C的仰視圖中，凹部18A和18B中的每一個都被示為具有可從封裝材料10的第一主表面46延伸至該封裝材料的第二主表面48的矩形的形狀或覆蓋區(qū)。然而，在另一示例中，凹部18A和18B的覆蓋區(qū)可具有任意其它形式，例如圓形、菱形、正方形的形式。

第一隆起部20A可布置在封裝材料10的表面14之上，其中，第一引線12A可伸出到第一隆起部20A之外。特別地，封裝材料10和第一隆起部20A可以由相同材料整體地形成。對此，封裝材料10和第一隆起部20A可在相同的制造過程中形成。例如，由封裝材料10所形成的殼體可以通過成型工藝來產(chǎn)生，其中，使用的成型工具的形式也可包括第一隆起部20A的形狀(以及例如第一凹部18A的形狀)。第一隆起部20A可形成能夠包圍第一引線12A的凸緣。在一個示例中，該凸緣可以完全包圍第一引線12A。第一隆起部20A可以增大第一引線12A與散熱器40之間的爬電距離。此外，裝置200可以包括可與第一隆起部20A類似的第二隆起部20B和第三隆起部20C中的一個或一個以上。例如，隆起部20A至20C中的一個或一個以上的在平面A之上的高度d₃可在從大約100微米至大約2毫米的范圍內(nèi)。一般地，隆起部20A至20C的幾何形狀可以是任意的。在圖2C的仰視圖中，隆起部20A至20C中的每一個都被示為具有矩形的形狀或覆蓋區(qū)。然而，在另一示例中，隆起部20A至20C的覆蓋區(qū)可具有任意其它形式，例如圓形、菱形、正方形的形式。在圖2B的側(cè)視圖中，由于所選擇的視角，不是所有隆起部20A至20C都可見。在此，隆起部20被示為具有示例性梯形形式。然而，在該視角的另一示例中，隆起部20可具有任意其它形式，例如矩形、三角形、正方形的形式。

圖3A至3C示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置300A至300C的側(cè)剖視圖。特別地，圖3A至3C示出了將根據(jù)本公開的半導(dǎo)體封裝體安裝在PCB 上的各種可能性。裝置300A至300C可包括半導(dǎo)體封裝體，所述半導(dǎo)體封裝體包括一個或一個以上電子部件、例如半導(dǎo)體芯片。所述電子部件可被封裝材料所覆蓋，因此是不可見的。

圖3A的裝置300A可包括可至少部分地與圖1和圖2的裝置100和裝置200中的一個對應(yīng)的半導(dǎo)體封裝體50。半導(dǎo)體封裝體50可包括封裝材料10和伸出到封裝材料10之外的引線12。散熱器40可附接至半導(dǎo)體封裝體50，其中，電絕緣層42可布置在封裝材料10與散熱器40之間。散熱器40可被視為或不視為裝置300A的一部分。半導(dǎo)體封裝體50可安裝在PCB 52上，其中，半導(dǎo)體封裝體50的電子部件與PCB 52之間的電連接可通過引線12來提供。在圖3A的示例中，引線12可沿向上的方向彎曲。彎曲角度α可以是大約90度并且更一般性地可在從大約85度至大約95度的范圍內(nèi)。半導(dǎo)體封裝體50的如圖3A所示的安裝方式可對應(yīng)于大功率設(shè)備和大散熱器的傳統(tǒng)安裝方式。

裝置300B和300C可如裝置300A那樣包括類似的部件，但可以以不同方式安裝在PCB 52上。在圖3B的示例中，半導(dǎo)體封裝體50可安裝在散熱器40的可以以大約45度的角度傾斜的表面上。引線12可由此以彎曲角度β彎曲，所述彎曲角度β可以是大約45度并且更一般性地可在從大約40度至大約50度的范圍內(nèi)。在圖3C的示例中，引線12可沿向下的方向彎曲，其中，彎曲角度γ可以是大約90度并且更一般性地可在從大約85度至大約95度的范圍內(nèi)。

在圖3A至3C中，封裝材料10可包括如之前所討論的使引線12與散熱器40之間的爬電距離增大的隆起部20和凹部(未示出)。因此裝置300A至300C可不必對散熱器40進行特別的設(shè)計以考慮足夠的爬電距離的問題。相反，根據(jù)本公開的封裝材料10的設(shè)計可允許使用如圖3A至3C所示的標準散熱器。

盡管本公開的特殊的特征或方面可能僅參看了多個實施方式中的一個被公開，但這樣的特征或方面可按照可能對于任何給定的或特別的應(yīng)用來說期望的和有利的方式與其它實施方式的一個或一個以上其它特征或方面相結(jié)合。此外，對于術(shù)語“包含”、“具有”、“含有”或它們的其它變體在具體實施方式部分或權(quán)利要求中的使用范圍，這種術(shù)語以類似于術(shù)語“包 括”的方式用作包括性的。此外，術(shù)語“示例性”僅指示例，而不是最佳的或最優(yōu)的。還應(yīng)當理解，為了簡單和易于理解的目的，在此所示的特征和/或元件被示為相對于彼此具有特定的尺寸，但實際尺寸可實質(zhì)上與在此所示的不同。

盡管在此已經(jīng)示出和描述了多個具體方面，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以所理解的是，多種可選實施方式和/或等同實施方式可以代替所示出和描述的具體方面而不脫離本發(fā)明的概念。本申請旨在覆蓋在此論述的具體方面的任何改型或變型。因此，要求本公開僅由權(quán)利要求及其等同表述所限制。