1.一種薄膜封裝的植球工藝，將錫膏印刷到金屬鍍層上，再進行回流焊，所述錫膏在回流焊的過程中熔化形成錫球并與所述金屬鍍層相連接,其特征在于：回流焊包括以下步驟：
步驟a：升溫區(qū)升溫，控制預(yù)熱區(qū)的溫度以1.5-1.7℃/s的速率上升至175℃--185℃之間；
步驟b：吸熱區(qū)錫膏融化，控制吸熱區(qū)的溫度以0.3-0.4℃/s的速率上升至220℃,保持溫度大于219℃，直至錫膏完全融化處于液化狀態(tài)；
步驟c：回流焊區(qū)回流焊接，控制溫度以0.15-0.25℃/s的速率升高至溫度峰值235℃-245℃，保持錫膏處在液化狀態(tài)的時間為120s-160s；
步驟d：冷卻區(qū)冷卻，控制溫度以1.5-1.7℃/s的速率減小，直至溫度減小至80-100℃，停止冷卻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜封裝的植球工藝，其特征在于：步驟B的持續(xù)時間為至少為90S。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜封裝的植球工藝，其特征在于：所述金屬鍍層的厚度至少比金屬鍍層附件的厚度高出3.5um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜封裝的植球工藝，其特征在于：所述步驟d的冷卻區(qū)設(shè)置風(fēng)扇，采用風(fēng)冷方式進行冷卻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜封裝的植球工藝，其特征在于：所述步驟b中控制吸熱區(qū)的溫度不超過225℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜封裝的植球工藝，其特征在于：所述錫膏為無鉛錫膏。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜封裝的植球工藝，其特征在于：所述錫膏包含助焊劑。