本公開大體涉及諸如變壓器和電抗器等的電磁感應(yīng)裝置。

背景技術(shù)：

諸如變壓器或電抗器等的電磁感應(yīng)裝置具有磁路、典型地由晶粒定向鋼的層疊的鐵或非晶鋼的薄帶制成的磁芯和通常由鋁或銅線制成的電路繞組。第三組件殼體或箱在流體填充的電磁裝置的情況中是必要的。

磁芯包括一個(gè)或多個(gè)分支。分支的數(shù)量取決于待連接至電磁感應(yīng)裝置的電相位的數(shù)量。繞組圍繞各分支布置。

繞組中的變化的電流在磁芯中創(chuàng)建磁通量。磁芯中的磁通量是主磁通量。磁通量也可以創(chuàng)建在電磁感應(yīng)裝置的其他組件中。例如繞組可以創(chuàng)建磁通量、稱作漏通量或漏磁通量，其在穿過(guò)側(cè)壁時(shí)產(chǎn)生不期望的損耗。這樣的裝置典型地包括作為被布置在繞組與殼體的側(cè)壁之間以降低損耗的金屬板的磁分路。

在一個(gè)以上分支的事件中，磁路還包括軛、即上軛和下軛。軛將分支在它們的端部處機(jī)械連接。由此得到了使得能夠?qū)崿F(xiàn)磁芯中的主磁通量的循環(huán)的返回路徑。

對(duì)于諸如高電壓額定功率變壓器等的大型電磁感應(yīng)裝置來(lái)說(shuō)，磁路可以包括側(cè)分支以減小軛尺寸以由此減小電磁感應(yīng)裝置的總高度尺寸。由于運(yùn)輸限制、例如橋高度，這可能對(duì)于能夠?qū)㈦姶鸥袘?yīng)裝置運(yùn)輸至安裝地點(diǎn)是必不可少的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述情況，本公開的目的是提供一種與相應(yīng)額定的現(xiàn)有電 磁感應(yīng)裝置相比具有較小尺寸的電磁感應(yīng)裝置。

因此提供有一種電磁感應(yīng)裝置，包括具有有著第一端部和第二端部的分支的磁芯、圍繞分支布置的繞組和包括磁性材料的殼體，該殼體限定了磁芯和繞組被布置在其中的空間，其中殼體限定了用于主磁通量的返回路徑，使得來(lái)自分支的第一端部的主磁通量能夠經(jīng)由殼體流動(dòng)至分支的第二端部。

殼體因此形成也包括磁芯的磁路的主要部分。由于殼體限定了用于主磁通量的返回路徑，所以沒(méi)必要提供傳統(tǒng)的軛或磁分路。這些組件可以在某種意義上被看作集成在殼體中。由于這些組件可以被省略，所以殼體可以被制作得更小。由此，可以方便運(yùn)輸?shù)桨惭b地點(diǎn)，尤其是對(duì)于大型電磁感應(yīng)裝置來(lái)說(shuō)。此外，出于相同原因，可以減小電磁感應(yīng)裝置的重量。

另外，可以降低總損耗密度，因?yàn)榭倱p耗密度與面積成反比，該面積對(duì)于作為磁路的一部分的殼體比對(duì)于傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的軛和/或側(cè)分支更大。

一個(gè)實(shí)施例包括被布置在分支的第一端部與殼體之間的通量密度減少器，該通量密度減少器具有大于分支的最大截面尺寸的截面尺寸。借助于通量密度減少器，磁通量可以跨越較大面積分布。磁通量密度可以由此被減少至低于當(dāng)主磁通量傳播到殼體內(nèi)時(shí)可提供殼體的飽和的那個(gè)水平的水平。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，通量密度減少器的截面尺寸是分支的最大截面尺寸的至少二的平方根倍。由此，磁通量密度可以被減少至在分支中點(diǎn)的磁通量密度的量的至少一半。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，通量密度減少器是聚合物磁體或者包括鐵粉，或由具有在范圍60ksi至200ksi內(nèi)的壓實(shí)壓力閾值的可壓縮鐵粉末和具有高于1000的滲透性的粉末制成的復(fù)合材料。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，分支具有朝向第一端部增加的截面，使得它是在分支的軸向方向上的中點(diǎn)處的分支的截面尺寸的至少二的平方根倍。這可以是通量密度減少器的替代方案或除了通量密度減少器 以外，以在磁通量傳播到殼體內(nèi)之前減小磁通量密度。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，磁芯包括多個(gè)分支，并且其中殼體限定了使得主磁通量能夠在分支之間循環(huán)的上軛和下軛。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，殼體具有由包括在以質(zhì)量計(jì)的范圍3％至6％內(nèi)的硅的硅鋼制成的頂部部分和底部部分。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，殼體具有由包括在以質(zhì)量計(jì)的范圍3％至6％內(nèi)、更有利的6％的硅的硅鋼制成的側(cè)壁或者包括非晶材料或甚至其組合。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，殼體由膠合的硅鋼疊片或膠合的非晶薄帶制成。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，殼體由碳鋼制成。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，殼體具有頂部部分和底部部分，其中頂部部分和底部部分具有晶粒定向結(jié)構(gòu)，其中頂部部分和底部部分的晶粒定向沿著返回路徑的磁通量線。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，殼體具有沿著基本上其在分支的軸向方向上的整個(gè)延伸的圓形截面。借助于該設(shè)計(jì)，主磁通量的磁通量密度可以在殼體中基本上均勻地?cái)U(kuò)散。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，殼體具有沿著基本上其在分支的軸向方向上的整個(gè)延伸的橢圓形截面。以類似的方式，在磁芯為非旋轉(zhuǎn)稱的情況中、例如如果磁芯包括數(shù)個(gè)分支，則主磁通量的磁通量密度可以在殼體中基本上均勻地?cái)U(kuò)散。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，電磁感應(yīng)裝置是變壓器或電抗器。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，電磁感應(yīng)裝置是高壓電磁感應(yīng)裝置。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，箱具有設(shè)置有從箱的頂部部分延伸至箱的底部部分的切口的側(cè)壁。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，側(cè)壁包括多個(gè)同心布置的片材，其中各片材設(shè)置有切口。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，各片材包括一個(gè)晶粒定向鋼、非晶粒定向鋼和非晶鋼。

一般地，權(quán)利要求中使用的所有術(shù)語(yǔ)應(yīng)該根據(jù)它們?cè)诩夹g(shù)領(lǐng)域中的普通含義來(lái)解釋，除非這里另有明確限定。對(duì)“一/一個(gè)/該元件、設(shè)備、組件、部件等”的所有引用應(yīng)該被開放地解釋為是指元件、設(shè)備、組件、部件等中的至少一個(gè)實(shí)例，除非另有明確陳述。

附圖說(shuō)明

現(xiàn)在將通過(guò)示例的方式參照附圖來(lái)描述發(fā)明概念的具體實(shí)施例，其中：

圖1示出在側(cè)壁被去除以使內(nèi)部露出的狀態(tài)下的電磁感應(yīng)裝置的側(cè)視圖；

圖2a至圖2b描繪了分支和殼體頂部部分的示例的特寫圖；

圖3a至圖3b示出電磁感應(yīng)裝置的示例的俯視圖；

圖4a示意性地示出電磁感應(yīng)裝置的示例的截面；和

圖4b示意性地示出電磁感應(yīng)裝置的另一示例的截面。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將在下文中參照其中示出示例性實(shí)施例的附圖更充分地描述發(fā)明概念。然而發(fā)明概念可以以很多不同形式來(lái)體現(xiàn)并且不應(yīng)該被解釋為限于這里所闡述的實(shí)施例；而是，這些實(shí)施例是通過(guò)示例的方式提供的使得該公開將是徹底和完整的，并且將發(fā)明概念充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。同樣的附圖標(biāo)記貫穿描述是指同樣的元件。

圖1描繪了電磁感應(yīng)裝置1的示例。電磁感應(yīng)裝置1包括包含磁性材料并限定了空間4的殼體或箱3，和布置在空間4中的磁芯5和繞組7。

磁芯5包括繞組7被布置所圍繞的分支5a至5c。然而應(yīng)該注意的是，根據(jù)本公開的電磁感應(yīng)裝置可以包括從僅一個(gè)分支至多個(gè)分支的任何地方，例如如圖1所描述的三個(gè)。

磁芯5典型地由層疊的磁性材料制成。磁芯5例如可以由包括 例如以質(zhì)量計(jì)的3％至6％的硅的硅鋼制成。在磁芯由硅鋼制成的情況中，可以例如是晶粒定向或非晶粒定向的。根據(jù)一個(gè)變型，磁芯/分支可以由膠合的晶粒定向硅鋼疊片或非晶薄帶或納米結(jié)晶材料制成以形成實(shí)心主體。

除硅鋼外的其他材料當(dāng)然也是可設(shè)想到的，例如其他軟鐵。

各分支5a至5c具有第一端部6a和第二端部6b。各分支5a至5c因此具有在第一端部6a與第二端部6b之間延伸的縱向主體。各分支5a至5c此外具有如在軸向方向或縱向方向或者圖1中用箭頭A指示出的分支5a至圖5c的軸向方向上看到的中點(diǎn)6c。

各分支5a至5c可以例如具有圓形截面；各分支5a至5c可以例如是柱狀長(zhǎng)形構(gòu)件?？梢赃M(jìn)一步注意的是，各分支5a至5c一般是不同的部分、即各分支是機(jī)械上分開的部分或?qū)嶓w。磁芯5可以因此由一個(gè)或多個(gè)機(jī)械上分開的部分、即分支制成。磁芯不包括軛；而是箱形成軛以及返回路徑的其余部分，如將從下面理解的。

殼體3具有限定了殼體3的蓋子或頂部罩的頂部部分3a。殼體3還具有限定了殼體3的蓋子、底部罩或地板結(jié)構(gòu)的底部部分3b。此外，殼體3具有在頂部部分3a與底部部分3b之間延伸的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁3c。為此，頂部部分3a、底部部分3b和(多個(gè))側(cè)壁3c限定了殼體3和空間4。

殼體3限定了用于來(lái)自分支5a至5c的主磁通量的返回路徑。為此，殼體3形成包括磁芯5的磁路的一部分。特別地，殼體3限定了用于從各分支5a至5c的第一端部6a至第二端部6b的主磁通量Φ的返回路徑。頂部部分3a和底部部分3b因此充當(dāng)用于主磁通量的返回路徑。因此可以沒(méi)有必要包括諸如軛、側(cè)分支和/或磁分路等的附加磁路組件。

此外，取決于磁芯的類型、例如分支的數(shù)量，側(cè)壁或多個(gè)側(cè)壁3c也可以形成返回路徑的一部分。例如，如果電磁感應(yīng)裝置1具有包括僅一個(gè)分支的磁芯，則側(cè)壁(多個(gè))3c將充當(dāng)返回路徑的一部分。側(cè)壁(多個(gè))在存在有多于一個(gè)的分支的情況中也可以被用作 返回路徑。側(cè)壁(多個(gè))3c的材料可以取決于側(cè)壁(多個(gè))3c是否形成用于主磁通量Φ的返回路徑的一部分來(lái)選擇。殼體3限定了包括磁芯5的磁路的上軛和下軛，并且側(cè)壁限定了返回路徑的其余部分。主磁通量Φ由此能夠通過(guò)分支5a至5c和殼體3循環(huán)。

殼體或箱3可以由若干不同材料制成。根據(jù)一個(gè)示例整個(gè)殼體3可以由碳鋼、即建筑用鋼或軟鋼制成。可替代地，僅側(cè)壁(多個(gè))3c可以由碳鋼制成，例如在當(dāng)側(cè)壁(多個(gè))3c未用作返回路徑時(shí)的應(yīng)用中。

根據(jù)一個(gè)變型殼體3可以由包括在以質(zhì)量計(jì)的范圍3％至6％、更有利的是6％的硅的硅鋼制成。

根據(jù)一個(gè)變型，側(cè)壁(多個(gè))3c可以由非晶材料制成或者包括非晶材料。非晶材料可以例如包括由例如WO2010109272中所公開的類型的帶子建立的多個(gè)層疊的非晶帶子或薄帶?？商娲?，側(cè)壁(多個(gè))3c可以包括硅鋼和非晶材料的組合。根據(jù)一個(gè)變型，側(cè)壁(多個(gè))3c可以包括非晶粒定向材料或者由非晶粒定向材料制成。

根據(jù)一個(gè)變型，側(cè)壁(多個(gè))3c可以由多個(gè)同心布置的片材制成。同心布置的片材可以例如彼此直接接觸地布置，它們可以彼此膠合或者可以在片材中的每一個(gè)或者一些之間提供有空氣間隙。各片材可以例如由非晶材料、晶粒定向鋼或非晶粒定向鋼中的一個(gè)構(gòu)成。片材可以或者是相同材料類型的，或者它們可以是不同材料類型的，例如片材的第一子集可以由非晶鋼制成、片材的第二子集可以由晶粒定向鋼制成并且片材的第三子集可以由非晶粒定向鋼制成，或者片材中的每一個(gè)或一些可以由這些材料的組合制成。可以在設(shè)計(jì)電磁感應(yīng)裝置時(shí)選擇特定配置，取決于針對(duì)具體應(yīng)用的性能要求。在使用由以上建議的材料中的任一個(gè)構(gòu)成的多個(gè)同心布置的片材的情況中，箱的大小可以被減小，因?yàn)閭?cè)壁(多個(gè))3c的最大通量密度與針對(duì)具有較低最大通量密度的相同大小的建筑用鋼箱相比會(huì)較高。另一方面，利用建筑用鋼而不是同心布置的片材的箱更容易制造。

具有更好的磁性質(zhì)的材料可以有利地用于頂部部分3a和底部部分3b。根據(jù)一個(gè)變型，頂部部分3a和底部部分3b可以由包括在以質(zhì)量計(jì)的范圍3％至6％內(nèi)的硅的硅鋼制成。頂部部分3a和底部部分3b可以根據(jù)一個(gè)變型由膠合的盤制成以形成較強(qiáng)的實(shí)心主體。

根據(jù)一個(gè)變型，電磁感應(yīng)裝置1具有在側(cè)壁(多個(gè))3c與頂部部分3a和側(cè)壁(多個(gè))3c與底部部分3b之間的接頭8。接頭8可以填充有磁性材料。由此有關(guān)沿著由殼體3限定的返回路徑的主磁通量的損耗可以被減小。接頭8可以例如填充有鐵粉、聚合物磁體或鐵磁流體或者這些組成部分的組合。

殼體3的頂部部分3a與分支5a至5c的第一端部6a之間的間隙根據(jù)一個(gè)變型是非常小的，例如1mm或0.2mm或更小。該間隙可以例如填充有空氣或鐵磁流體。

殼體3的底部部分3b與分支5a至5c的第二端部6b之間的間隙根據(jù)一個(gè)變型是非常小的，例如1mm或0.2mm或更小。該間隙可以例如填充有空氣或鐵磁流體。

參見圖2a，根據(jù)一個(gè)變型電磁感應(yīng)裝置1可以任選地包括通量密度減少器9。各自的通量密度減少器9在該情況中被布置在各分支5a至5c的第一端部6a與殼體3的頂部部分3a之間。

電磁感應(yīng)裝置1可以任選地包括被布置在各分支3a至3c的第二端部6b與殼體3的底部部分3b之間的圖中未示出的各自的通量密度減少器9。

通量密度減少器9適于減少當(dāng)從分支5a至5c傳播至殼體3時(shí)主磁通量Φ的磁通量密度。磁通量密度可以由此被減少使得殼體3將不會(huì)飽和，而飽和會(huì)導(dǎo)致大的渦流生成和高的損耗。

各通量密度減少器9可以具有錐形的形狀。各通量密度減少器9在從殼體朝向相關(guān)聯(lián)的分支5a至5c的方向上成錐度。為此，通量密度減少器9的近端端部、即鄰接于分支5a至5c的端部具有與通量密度減少器9的相對(duì)于相同分支5a至5c的遠(yuǎn)端端部相比較小的截面尺寸。錐度優(yōu)選是連續(xù)的，或者至少以非常小的離散臺(tái)階形成， 例如借助于朝向分支5a至5c相繼減小的尺寸的多個(gè)層疊的帶而得到。

各通量密度減少器9可以例如是聚合物磁體或者各通量密度減少器9可以包括鐵粉?？商娲兀魍棵芏葴p少器9可以包括由可壓縮鐵粉和高滲透性粉末制成的可壓縮復(fù)合材料，如US2004/0086708中所公開的，例如或者由具有在范圍60ksi至200ksi內(nèi)的壓實(shí)壓力閾值的可壓縮鐵粉末和具有高于100 000的滲透性的粉末制成的復(fù)合材料?？商娲?，各通量密度減少器9可以由高飽和Fe-Co或FeCoN制成，如2006年由鈷發(fā)展協(xié)會(huì)(CDI)出版的鈷的事實(shí)(Cobalt Facts)中和Sun,N.X.、Wang,S.X.發(fā)表在IEEE期刊磁學(xué)2000年9月第36卷第5期第2506頁(yè)、2508頁(yè)上的“用于感應(yīng)式寫入磁頭的軟高飽和磁化(Fe0.7Co0.3)1-xNx薄膜”中所公開的。

根據(jù)一個(gè)變型，各通量密度減少器可以包括與其他通量密度減少器9中的任一個(gè)不同的材料。

通過(guò)合適地形成通量密度減少器9的截面面積的尺寸，磁通量密度可以被大幅地減少。當(dāng)磁通量傳播所在的材料的直徑以二的平方根的系數(shù)增加時(shí)，假設(shè)圓形截面，則磁通量密度被減半。因此，通過(guò)通量密度減少器9的合適的尺寸形成，主磁通量Φ的磁通量密度可以被減少至分支3a至3c的中點(diǎn)6c中存在的磁通量密度的一半或者甚至四分之一。

一般地，通量密度減少器9可以具有大于分支5a至5c的最大截面尺寸的截面尺寸。通量密度減少器9的截面尺寸可以例如是分支5a至5c的最大截面尺寸的至少二的平方根倍。

圖2b描繪了電磁感應(yīng)裝置1的變型，其中各分支5a至5c的端部、即第一端部6a和第二端部6b在尺寸上在分別朝向頂部部分3a和底部部分3b的方向上增加。類似于通量密度減少器9，在截面尺寸上的增加減少了在傳播到殼體3內(nèi)、特別是頂部部分3a和底部部分3b之前的磁通量密度。通過(guò)第一端部6a和第二端部6b的適當(dāng)?shù)某叽缧纬?，可以得到合適的磁通量密度。

第一端部6a和第二端部6b的朝向中點(diǎn)6c的錐度優(yōu)選是連續(xù)的。根據(jù)一個(gè)變型，錐度在截面尺寸上的減小針對(duì)朝向中點(diǎn)6c的各長(zhǎng)度單位都是相等的意義上基本是線性的。

分支5a至5c的錐度可以例如通過(guò)將例如由冷軋晶粒定向材料制成的附加疊片插在制成分支的主疊片或薄帶之間而得到?？商娲鼗蛄硗獾?，非晶薄帶或鐵粉可以被插在制成分支的主疊片或薄帶之間。因此根據(jù)一個(gè)變型，薄帶或疊片可以被插在分支5a至5c的第一端部6a和第二端部6b處的主疊片之間。以該方式，可以在朝向分支端面的方向上獲得相繼增加的分支截面。疊片可以被插在例如每一個(gè)第三或第四主疊片之間以得到分支的期望的加寬。根據(jù)一個(gè)示例，數(shù)個(gè)非晶薄帶可以被布置在一對(duì)主疊片之間。被插入的疊片或薄帶的確切數(shù)量典型地取決于為了得到期望的磁通量密度待獲得的最大截面，和疊片和/或薄帶的厚度。冷軋晶粒定向材料的厚度可以例如是在0.1mm至0.3mm的范圍內(nèi)，而非晶薄帶的厚度的示例是大約0.025mm。

可替代地，疊片或薄帶可以被布置在層中并且在分支的端部部分處向外彎折，其中層被設(shè)置在最外主疊片的外表面。

在以上示例中的每一個(gè)中，疊片/薄帶的彎折將跟隨磁通量線。

圖3a和圖3b示出殼體3的形狀的示例。在圖3a中，殼體具有有著基本圓形截面的頂部部分3a。同樣也適用于底部部分3b。根據(jù)一個(gè)變型，電磁感應(yīng)裝置1具有柱狀形狀。

根據(jù)圖3a中示出的示例，頂部部分3a可以根據(jù)一個(gè)變型包括組裝到一起并且形成頂部部分3a的多個(gè)子部分3d。底部部分3b可以以類似方式構(gòu)造。根據(jù)該示例子部分3d具有晶粒定向結(jié)構(gòu)。子部分3d的晶粒定向沿著返回路徑的磁通量線。因此，晶粒定向基本上跟隨從頂部部分3a的中心點(diǎn)到頂部部分3a的外周的任何徑向線。同樣的也適用于底部部分3c。

在圖3b的示例中，頂部部分3a包括組裝到一起并且形成頂部部分3a的多個(gè)子部分3d。在本示例中，頂部部分3a具有橢圓形截面 形狀。底部部分3b可以以類似方式構(gòu)造。根據(jù)該示例子部分3d具有晶粒定向結(jié)構(gòu)。子部分3d的晶粒定向沿著返回路徑的磁通量線。因此，晶粒定向基本上跟隨從頂部部分3a的中心點(diǎn)到頂部部分3a的外周的任何直線。同樣的也適用于底部部分3c。代替頂部部分3a的晶粒定向子部分3d或除此之外，分支(多個(gè))也可以由如圖4a中所示的具有類似于圖3a中示出的配置的截面的晶粒定向的多個(gè)子部分或區(qū)段制成。

總之，電磁感應(yīng)裝置1可以具有任何截面形狀、即在徑向平面中截取的截面中，例如圓形、橢圓形或矩形。電磁感應(yīng)裝置1可以具有在分支(多個(gè))的軸向方向上基本上恒定的截面形狀。然而應(yīng)該提到的是，殼體可以包括諸如一個(gè)或多個(gè)塔和/或開口例如用于接收一個(gè)或多個(gè)套管等的結(jié)構(gòu)。因此可以存在有具有從電磁感應(yīng)裝置的總體截面形狀發(fā)散的形狀的截面。

側(cè)壁和/或頂部部分可以因此在合適的位置(多個(gè))、優(yōu)選在低通量密度區(qū)、例如在具有矩形截面的殼體的角部(多個(gè))處具有一個(gè)或多個(gè)開口。該開口可以被用于接收套管以將繞組導(dǎo)線從電磁感應(yīng)裝置中取出。

圖4a示意性地示出電磁感應(yīng)裝置的示例的截面。根據(jù)該示例，側(cè)壁3c設(shè)置有在殼體或箱3的頂部部分3a與底部部分3b之間延伸的具有大體在電磁感應(yīng)裝置1的縱向方向上的延伸的切口11。切口11可以例如與殼體3或箱的縱向軸線平行地延伸。切口11是從側(cè)壁的3c的外表面延伸到內(nèi)表面的貫穿切口或貫穿開口?？v向切口11形成用于減少側(cè)壁3c中的感應(yīng)電流的間隙。切口11可以沿著側(cè)壁3c的整個(gè)縱向延伸而延伸。

切口11可以根據(jù)一個(gè)變型在側(cè)壁3c由建筑用鋼制成或構(gòu)成的情況中被設(shè)置在側(cè)壁3c中。根據(jù)另一變型，切口可以被設(shè)置在形成側(cè)壁3c的多個(gè)同心布置的片材的每一個(gè)中，如圖4b中所示。在該情況中，片材中的切口11可以在徑向上對(duì)齊，或者它們可以相對(duì)于彼此成角度地布置，即切口在徑向方向上不對(duì)齊，如圖4b中所示。

在以上情況中的任一個(gè)中，由切口限定的間隙都可以填充有絕緣材料。對(duì)于流體填充的箱/殼體，絕緣材料也可以被配置成充當(dāng)流體密封墊。

在切口11設(shè)置在側(cè)壁3c的情況中，根據(jù)一個(gè)變型，套管可以被裝配在該切口中使得不是特別地為了套管而必須在側(cè)壁3c中制作進(jìn)一步的貫穿開口。這將提供對(duì)通量的返回路徑的較小影響。

這里所描述的電磁感應(yīng)裝置1及其示例可以例如是變壓器，例如諸如柱式變壓器等的電力變壓器或配電變壓器，或者電抗器。電磁感應(yīng)裝置可以例如是中壓或高壓電磁感應(yīng)裝置。關(guān)于高壓意味著起始于32kV的電壓。電磁感應(yīng)裝置也可以是高壓直流(HVDC)電磁感應(yīng)裝置，諸如HVDC變壓器或電抗器。

已參照幾個(gè)示例在上面主要描述了發(fā)明的概念。然而，如本領(lǐng)域技術(shù)人員容易領(lǐng)會(huì)的，除以上所描述的那些外的其他實(shí)施例同樣可能在如由隨附權(quán)利要求所限定的發(fā)明概念的范圍內(nèi)。