技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容涉及一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，尤其涉及一種其中發(fā)光二極管的電極和輔助線通過發(fā)光輔助層彼此連接的有機發(fā)光二極管顯示裝置、以及制造該有機發(fā)光二極管顯示裝置的方法。

背景技術(shù)：

在各種平板顯示器(FPD)之中，有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置具有諸如高亮度和低驅(qū)動電壓的特性。OLED顯示裝置使用發(fā)光的電致發(fā)光層實現(xiàn)高對比度和薄外形，并且由于幾微米(μsec)的短響應(yīng)時間，因而在顯示運動圖像方面非常出色。此外，OLED顯示裝置對視角沒有限制并且即使在低溫下仍很穩(wěn)定。因為OLED顯示裝置一般通過(例如，直流(DC)的5V和15V之間的)低電壓驅(qū)動，所以驅(qū)動電路的制造和設(shè)計很容易。此外，用于OLED顯示裝置的包括沉積和封裝的制造工藝較簡單。

根據(jù)光發(fā)射方向，OLED顯示裝置可分為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。作為具有大尺寸和高分辨率的產(chǎn)品，已對在開口率方面具有優(yōu)勢的頂部發(fā)光型OLED顯示裝置進行了研究和開發(fā)。

圖1是顯示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的有機發(fā)光二極管顯示裝置的剖面圖。

在圖1中，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的OLED顯示裝置10包括基板20、以及位于基板20上的每個像素區(qū)域P中的薄膜晶體管(TFT)Td和發(fā)光二極管(LED)De。

半導(dǎo)體層22形成在基板20上，并且柵極絕緣層24形成在半導(dǎo)體層22上。半導(dǎo)體層22包括位于中心部分處的本征半導(dǎo)體材料的有源區(qū)域、以及位于中心部分兩側(cè)處的摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。

在半導(dǎo)體層22上方的柵極絕緣層24上形成柵極電極26，并且在柵極電極26上形成層間絕緣層28。層間絕緣層28和柵極絕緣層24包括分別暴露半導(dǎo)體層22的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的第一接觸孔和第二接觸孔。

在對應(yīng)于半導(dǎo)體層22的層間絕緣層28上形成彼此間隔開的源極電極30和漏極電極32。源極電極30和漏極電極32分別通過第一接觸孔和第二接觸孔連接至半導(dǎo)體層22的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。

半導(dǎo)體層22、柵極電極26、源極電極30和漏極電極32組成薄膜晶體管(TFT)Td。鈍化層34形成在TFT Td上并且具有暴露源極電極30的第三接觸孔。

第一電極36形成在與像素區(qū)域P的中心部分對應(yīng)的鈍化層34上并且通過第三接觸孔連接至源極電極30。

在第一電極36上形成堤層38。堤層38覆蓋第一電極36的邊緣部分并且具有暴露第一電極36的中心部分的開口。

在通過堤層38的開口暴露的第一電極36上形成第一發(fā)光輔助層40，并且在堤層38的開口中的第一發(fā)光輔助層40上形成發(fā)光層42。在一個方面中，第一發(fā)光輔助層40輔助載流子(例如，空穴或電子)的注入或傳輸。

在具有發(fā)光層的基板20的整個表面上形成第二發(fā)光輔助層44，并且在具有第二發(fā)光輔助層44的基板20的整個表面上形成第二電極46。在一個方面中，第二發(fā)光輔助層44輔助其他載流子(例如，電子或空穴)的注入或傳輸。

第一發(fā)光輔助層40可包括空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)，第二發(fā)光輔助層44可包括電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)。第一電極36、第一發(fā)光輔助層40、發(fā)光層42、第二發(fā)光輔助層44和第二電極46組成發(fā)光二極管De。

在OLED顯示裝置10中，第二發(fā)光輔助層44不是在每個像素區(qū)域P中圖案化。而是，由于具有大尺寸和高分辨率的產(chǎn)品中的工藝簡化，為了降低成本和提高產(chǎn)率，第二發(fā)光輔助層44形成在基板20的整個表面上。

此外，因為在頂部發(fā)光型OLED顯示裝置10中第二電極46應(yīng)當(dāng)具有透明性，所以可通過以相對較薄的厚度沉積諸如鋁(Al)、鎂(Mg)和銀(Ag)之類的金屬材料來形成第二電極46。然而，由于相對較薄的厚度，第二電極46的電阻增加，由于低電平電壓VSS的壓降而導(dǎo)致亮度的非均勻性。

為了防止亮度的非均勻性，已提出了第二電極46連接至發(fā)光層42下方的、位于像素區(qū)域P邊界處的低電阻材料的輔助電極或者輔助線的結(jié)構(gòu)。

然而，在具有大尺寸以及高分辨率的產(chǎn)品中，由于第二發(fā)光輔助層44形成在基板20的整個表面上，所以為了將第二電極46連接至輔助電極或輔助線，需要去除輔助電極或輔助線上的第二發(fā)光輔助層44。

因此，作為去除輔助電極或輔助線上的第二發(fā)光輔助層44的方法，已提出了激光圖案化和使用分離部(separator)的圖案化。

然而，對于激光圖案化來說，增加了向在輔助電極或輔助線上的第二發(fā)光輔助層44上照射激光束的步驟，因此制造成本增加且產(chǎn)率降低。類似地，對于使用分離部的圖案化來說，增加了形成分離部的步驟，因而制造成本增加且產(chǎn)率降低。此外，由于用于形成透明導(dǎo)電層作為最上層的濺射工藝，發(fā)光層42可能劣化。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，實施方式涉及一種基本上克服了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的一個或多個問題的有機發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法。

在一個或多個實施方式中，一種有機發(fā)光二極管顯示裝置包括：包括像素區(qū)域的基板，所述像素區(qū)域包括第一部分和第二部分；位于所述像素區(qū)域的第二部分中的第一電極；堤層，所述堤層將所述像素區(qū)域的第一部分和第二部分分開；發(fā)光層，所述發(fā)光層位于所述像素區(qū)域的第二部分中，但不位于所述像素區(qū)域的第一部分中；發(fā)光輔助層，所述發(fā)光輔助層在所述像素區(qū)域的第一部分中、所述堤層的上方以及所述像素區(qū)域的第二部分中延伸，并且位于所述像素區(qū)域的第一部分中的發(fā)光輔助層比位于所述像素區(qū)域的第二部分中的發(fā)光輔助層導(dǎo)電性更強；和第二電極，所述第二電極在位于所述像素區(qū)域的第一部分中的、所述堤層的上方的以及所述像素區(qū)域的第二部分中的發(fā)光輔助層上。

在一個或多個實施方式中，所述堤層包括有機材料。

在一個或多個實施方式中，所述有機發(fā)光二極管顯示裝置還包括輔助線，所述輔助線位于所述像素區(qū)域的第一部分中并且位于所述發(fā)光輔助層的下方且與所述發(fā)光輔助層接觸。所述發(fā)光輔助層具有到范圍內(nèi)的厚度，并且所述像素區(qū)域的第二部分中的、位于所述輔助線與所述第二電極之間的發(fā)光輔助層具有5Ω到1kΩ范圍內(nèi)的電阻。

在一個或多個實施方式中，所述有機發(fā)光二極管顯示裝置還包括位于所述輔助線的下方且與所述輔助線連接的線形狀的另一輔助線，所述另一輔助線位于所述像素區(qū)域的第一部分中。

在一個或多個實施方式中，位于所述像素區(qū)域的第一部分中的發(fā)光輔助層包括多個導(dǎo)電粒子，所述多個導(dǎo)電粒子包括與所述輔助線和所述第二電極之一相同的材料。

在一個或多個實施方式中，所述輔助線和所述第一電極位于同一層上。

在一個或多個實施方式中，所述有機發(fā)光二極管顯示裝置還包括另一發(fā)光輔助層，所述另一發(fā)光輔助層在所述像素區(qū)域的第二部分中且位于所述第一電極與所述發(fā)光層之間。在一個或多個實施方式中，所述發(fā)光輔助層包括空穴注入層和空穴傳輸層，并且所述另一發(fā)光輔助層包括電子注入層和電子傳輸層。

一個或多個實施方式涉及一種制造有機發(fā)光二極管顯示裝置的方法。所述方法包括：在基板上的像素區(qū)域的第一部分中形成輔助線；在所述基板上的像素區(qū)域的第二部分中形成第一電極；在所述像素區(qū)域的第二部分中的第一電極上形成發(fā)光層；在所述像素區(qū)域的第一部分中的輔助線上以及在所述像素區(qū)域的第二部分中的發(fā)光層上形成發(fā)光輔助層；在所述像素區(qū)域的第一部分中的發(fā)光輔助層以及在所述像素區(qū)域的第二部分中的發(fā)光輔助層上形成第二電極；以及向所述輔助線和所述第二電極施加偏壓，以在位于所述像素區(qū)域的第一部分中的發(fā)光輔助層中感生導(dǎo)電粒子。

在一個或多個實施方式中，所述偏壓是直流電壓、交流電壓和脈沖電壓之一。

在一個或多個實施方式中，通過溶液工藝形成所述發(fā)光層和所述發(fā)光輔助層。

在一個或多個實施方式中，所述方法還包括在所述像素區(qū)域的第二部分中且在所述第一電極與所述發(fā)光層之間形成另一發(fā)光輔助層。

在一個或多個實施方式中，所述方法還包括在所述像素區(qū)域的第一部分中且在所述輔助線的下方形成連接至所述輔助線的線形狀的另一輔助線。

在一個或多個實施方式中，所述方法還包括：在所述像素區(qū)域的第一部分中形成所述第一電極和在所述像素區(qū)域的第二部分中形成所述輔助線之后，在所述像素區(qū)域的第一部分與所述像素區(qū)域的第二部分之間形成堤層，其中所述發(fā)光輔助層形成在所述像素區(qū)域的第一部分中的輔助線上、在所述像素區(qū)域的第二部分中的發(fā)光層上以及在位于所述像素區(qū)域的第一部分與所述像素區(qū)域的第二部分之間的堤層上。

在一個或多個實施方式中，所述輔助線和所述第一電極同時形成在同一層上。

在下面的描述中將部分列出本發(fā)明的優(yōu)點和特征，這些優(yōu)點和特征的一部分通過下面的描述對于所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說將是顯而易見的，或者可從本發(fā)明的實施領(lǐng)會到。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得在此實施方式的其他優(yōu)點和特征。

應(yīng)當(dāng)理解，前面的大體性描述和下面的詳細(xì)描述都是例示性的，意在對要求保護的實施方式提供進一步的解釋。

附圖說明

給本發(fā)明提供進一步理解并且并入本申請中組成本申請一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1是顯示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的有機發(fā)光二極管顯示裝置的剖面圖。

圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的頂部發(fā)光型有機發(fā)光二極管顯示裝置的剖面圖。

圖3A到3E是顯示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的有機發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法的剖面圖。

圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的有機發(fā)光二極管顯示裝置的第二發(fā)光輔助層的導(dǎo)電特性的圖表。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的實施方式，附圖中圖解了這些實施方式的一些例子。在下面的描述中，當(dāng)對與本文件相關(guān)的公知功能或構(gòu)造的詳細(xì)描述被確定為不必要地使本發(fā)明的實施方式的主旨模糊不清時，將省略其詳細(xì)描述。描述的處理步驟和/或操作的進程是一個例子；然而，步驟和/或操作的順序不限于在此列出的，其可如本領(lǐng)域已知的一樣變化，除非步驟和/或操作的順序必須按一定順序發(fā)生。相似的參考標(biāo)記通篇表示相似的元件。僅為了便于撰寫說明書而選取了下面解釋中使用的各元件的名稱，因而其可能不同于實際產(chǎn)品中使用的那些。

圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的頂部發(fā)光型有機發(fā)光二極管顯示裝置的剖面圖。

在圖2中，有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置100包括基板120、以及位于基板120上的每個像素區(qū)域P中的薄膜晶體管(TFT)Td和發(fā)光二極管(LED)De。

半導(dǎo)體層122形成在基板120上，基板120可稱為下基板、TFT基板或底板，并且柵極絕緣層124形成在半導(dǎo)體層122上。半導(dǎo)體層122可包括位于中心部分處的本征半導(dǎo)體材料的有源區(qū)域、以及位于中心部分兩側(cè)處的摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。

在半導(dǎo)體層122上方的柵極絕緣層124上形成柵極電極126，并且在柵極電極126上形成層間絕緣層128。層間絕緣層128和柵極絕緣層124包括分別暴露半導(dǎo)體層122的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的第一接觸孔和第二接觸孔。

在對應(yīng)于半導(dǎo)體層122的層間絕緣層128上形成彼此間隔開的源極電極130和漏極電極132。源極電極130和漏極電極132分別通過第一接觸孔和第二接觸孔連接至半導(dǎo)體層122的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。

半導(dǎo)體層122、柵極電極126、源極電極130和漏極電極132組成薄膜晶體管(TFT)Td。盡管在圖2中在基板120上形成共平面型(coplanar type)的TFT Td，但在另一實施方式中可在基板上形成交錯型(staggered type)的TFT。盡管圖2中顯示了驅(qū)動TFT Td，但可在每個像素區(qū)域P中進一步形成具有與驅(qū)動TFT Td相同結(jié)構(gòu)的包括開關(guān)TFT在內(nèi)的多個TFT。

盡管未示出，但可在基板120上形成柵極線、數(shù)據(jù)線和電源線。柵極線可與數(shù)據(jù)線和電源線交叉以限定像素區(qū)域P。在一個方面中，每個像素區(qū)域P包括設(shè)置輔助電極的第一部分210以及發(fā)射光的第二部分220。此外，開關(guān)TFT可連接至柵極線和數(shù)據(jù)線，驅(qū)動TFT Td可連接至開關(guān)TFT和電源線。

鈍化層134形成在TFT Td上并且具有暴露源極電極130的第三接觸孔。

第一電極136形成在與像素區(qū)域P的第二部分220(例如，中心部分)對應(yīng)的鈍化層134上，輔助線137形成在與像素區(qū)域P的第一部分210對應(yīng)的鈍化層134上。第一電極136通過第三接觸孔連接至源極電極130。輔助線137可包括與第一電極136相同的材料并且可與第一電極136同時形成在同一層中。

在一個或多個實施方式中，代替源極電極130，漏極電極132可通過第三接觸孔暴露漏極電極132并連接至第一電極136。

盡管在圖2中沿像素區(qū)域P的第一部分210在鈍化層134上形成線形狀的輔助線137，但在另一個實施方式中，可在基板120上方形成通過接觸孔彼此連接的島形狀的第一輔助線(輔助電極或輔助圖案)和線形狀的第二輔助線，用于進一步減小電阻。例如，可在像素區(qū)域P的第一部分210處的鈍化層134上形成與第一電極136具有相同的材料并且與第一電極136位于相同的層中的島形狀的第一輔助線。此外，可沿像素區(qū)域P的第一部分210在柵極絕緣層124與層間絕緣層128之間形成包括與柵極電極126相同的材料并且位于與柵極電極126相同的層中的線形狀的第二輔助線?？蛇x擇地，可沿像素區(qū)域P的第一部分210在層間絕緣層128與鈍化層134之間形成包括與源極電極130和漏極電極132相同的材料并且位于與源極電極130和漏極電極132相同的層中的線形狀的第二輔助線。第二輔助線可與第一輔助線連接。

在第一電極136和輔助線137上形成堤層138。堤層138覆蓋第一電極136的邊緣部分和輔助線137的邊緣部分。在一個或多個實施方式中，堤層138將像素區(qū)域P的第一部分210和第二部分220分開。此外，堤層138具有暴露位于像素區(qū)域P的第二部分220中的第一電極136的中心部分以及位于像素區(qū)域P的第一部分210中的輔助線137的中心部分的第一開口和第二開口。

堤層138可包括用于保持與隨后工藝中形成的第一發(fā)光輔助層140和發(fā)光層142(也稱為“光發(fā)射層142”)的接觸特性(例如，親水特性或疏水特性)的有機絕緣材料或無機絕緣材料。

在像素區(qū)域P的第二部分220中，在通過堤層138的第一開口暴露的第一電極136上形成第一發(fā)光輔助層140，并且在像素區(qū)域P的第二部分220中，在堤層138的第一開口中的第一發(fā)光輔助層140上形成發(fā)光層142。可通過圖案化有機材料在每個像素區(qū)域P中形成第一發(fā)光輔助層140和發(fā)光層142。

第一發(fā)光輔助層140可包括空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)，發(fā)光層142可包括用于每個像素區(qū)域P的、發(fā)射不同顏色光的單獨的有機材料。在另一個實施方式中可省略第一發(fā)光輔助層140。

在一個或多個實施方式中，第二發(fā)光輔助層144在像素區(qū)域P的第一部分210中、堤層138上方、以及像素區(qū)域P的第二部分220中延伸。類似地，第二電極146在位于像素區(qū)域P的第一部分210、堤層138、以及像素區(qū)域P的第二部分220上方的第二發(fā)光輔助層144上延伸。在一個實施方式中，第二發(fā)光輔助層144可形成在具有發(fā)光層142的基板120的整個表面上，第二電極146可在基板120的整個表面上方形成在第二發(fā)光輔助層144上。

第二發(fā)光輔助層144可包括電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)，并且第二發(fā)光輔助層144可具有大約到大約范圍內(nèi)的厚度。

可通過諸如噴墨印刷和噴嘴印刷之類的溶液工藝形成第一發(fā)光輔助層140、發(fā)光層142和第二發(fā)光輔助層144。可通過熱蒸鍍形成第二電極146。

第一電極136、第一發(fā)光輔助層140、發(fā)光層142、第二發(fā)光輔助層144和第二電極146組成發(fā)光二極管De，第一電極136和第二電極146分別可以是陽極和陰極。在其他實施方式中，第一電極136和第二電極146分別可以是陰極和陽極。

例如，第一電極136可具有諸如氧化銦錫(ITO)之類的透明導(dǎo)電材料的單層結(jié)構(gòu)或金屬材料和透明導(dǎo)電材料的雙層結(jié)構(gòu)。第二電極146可具有鋁(Al)、鎂(Mg)和銀(Ag)之一的單層結(jié)構(gòu)或鋁(Al)、鎂(Mg)和銀(Ag)中的至少兩種的雙層結(jié)構(gòu)。

盡管圖2中未示出，但可在具有第二電極146的基板120的整個表面上形成包括有機材料、無機材料和金屬氧化物材料之一的覆蓋層(capping layer)。覆蓋層可具有大于大約1.5的折射率。覆蓋層可覆蓋發(fā)光二極管De，以防止?jié)駳鉂B透到發(fā)光二極管De的發(fā)光層142中。此外，覆蓋層可使外部光在第二電極146上的反射最小化，可增加第二電極146的透射率。

此外，可在第二電極146上方設(shè)置封裝基板。封裝基板可使用密封圖案或密封層貼附至基板120。

在OLED顯示裝置100中，第二發(fā)光輔助層144和第二電極146按順序形成在通過堤層138的第二開口暴露的輔助線137上并且輔助線137與第二發(fā)光輔助層144接觸。在形成第二電極146之后，在制造工藝過程中給輔助線137和第二電極146施加偏壓。結(jié)果，由于電遷移效應(yīng)(electromigration)，可在第二發(fā)光輔助層144中感生輔助線137或第二電極146的多個導(dǎo)電粒子147。

因此，輔助線137與第二電極146之間的第二發(fā)光輔助層144可包括多個導(dǎo)電粒子147，以與沒有導(dǎo)電粒子147的情況相比具有導(dǎo)電特性或提高了導(dǎo)電率。

在一個方面中，像素區(qū)域P的第一部分210中的具有導(dǎo)電粒子147的第二發(fā)光輔助層144比像素區(qū)域P的第二部分220中的不具有導(dǎo)電粒子147的第二發(fā)光輔助層144導(dǎo)電性更強。例如，輔助線137與第二電極146之間的包括多個導(dǎo)電粒子147的第二發(fā)光輔助層144可具有5Ω和1kΩ之間的電阻。多個導(dǎo)電粒子147可包括與輔助線137或第二電極146相同的材料。

因為與像素區(qū)域P的第二部分220中的第二發(fā)光輔助層144相比，由于導(dǎo)電粒子147，像素區(qū)域P的第一部分210中的位于輔助線137與第二電極146之間的第二發(fā)光輔助層144具有導(dǎo)電特性或具有提高的導(dǎo)電率，所以輔助線137和第二電極146通過第二發(fā)光輔助層144彼此電連接。因此，由于通過第二發(fā)光輔助層144電連接至輔助線137，所以能夠降低具有相對較薄厚度的第二電極146的電阻，并且能夠減小在驅(qū)動OLED顯示裝置100的同時施加至第二電極146的低電平電壓VSS的壓降。結(jié)果，能夠防止亮度的非均勻性和顯示質(zhì)量的劣化。

下文中將說明制造OLED顯示裝置100的方法。

圖3A到3E是顯示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的有機發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法的剖面圖。可省略對與圖2相同的部件的說明。

在圖3A中，在基板120上的每個像素區(qū)域P中形成半導(dǎo)體層122，并且在具有半導(dǎo)體層122的基板120的整個表面上形成柵極絕緣層124。

接著，在對應(yīng)于半導(dǎo)體層122的柵極絕緣層124上形成柵極電極126，并且在柵極電極126上形成層間絕緣層128。

接著，在對應(yīng)于半導(dǎo)體層122的層間絕緣層128上形成彼此間隔開的源極電極130和漏極電極132。半導(dǎo)體層122、柵極電極126、源極電極130和漏極電極132組成薄膜晶體管(TFT)Td。

接著，在TFT Td上形成鈍化層134。

接著，在與像素區(qū)域P的第二部分220對應(yīng)的鈍化層134上形成第一電極136，并且在與像素區(qū)域P的第一部分210對應(yīng)的鈍化層134上形成輔助線137。

接著，在第一電極136和輔助線137上形成堤層138。堤層138覆蓋第一電極136的邊緣部分和輔助線137的邊緣部分。此外，堤層138具有暴露第一電極136的中心部分的第一開口以及暴露輔助線137的中心部分的第二開口。

在圖3B中，在通過堤層138的第一開口暴露的第一電極136上形成第一發(fā)光輔助層140，并且在堤層138的第一開口中在第一發(fā)光輔助層140上形成發(fā)光層142?？赏ㄟ^使用有機材料執(zhí)行諸如噴墨印刷和噴嘴印刷之類的溶液工藝在每個像素區(qū)域P中圖案化第一發(fā)光輔助層140和發(fā)光層142。此外，第一發(fā)光輔助層140可包括空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)，發(fā)光層142可包括用于每個像素區(qū)域P的、發(fā)射不同顏色光的單獨的有機材料。

在圖3C中，在具有發(fā)光層142和輔助線137的基板120的整個表面上形成第二發(fā)光輔助層144，并且在具有第二發(fā)光輔助層144的基板120的整個表面上形成第二電極146。可通過使用有機材料執(zhí)行諸如噴墨印刷和噴嘴印刷之類的溶液工藝形成第二發(fā)光輔助層144，用來降低制造成本并增加產(chǎn)率，并且可通過使用金屬材料執(zhí)行熱蒸鍍形成第二電極146。此外，第二發(fā)光輔助層144可包括電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)，并且第二發(fā)光輔助層144可具有大約到大約范圍內(nèi)的厚度。

在圖3D中，在制造工藝過程中給輔助線137和第二電極146施加偏壓。施加至輔助線137和第二電極146的偏壓可以是直流(DC)電壓、交流(AC)電壓或脈沖電壓例如具有矩形波形狀的脈沖電壓。例如，可給輔助線137和第二電極146依次施加以0.5V為梯度的大約-20V到大約+20V范圍內(nèi)的電壓。此外，偏壓可重復(fù)幾次施加至輔助線137和第二電極146。

在圖3E中，由于施加至輔助線137和第二電極146的偏壓導(dǎo)致的電遷移效應(yīng)，組成輔助線137或第二電極146的一部分材料移動到第二發(fā)光輔助層144中，以成為多個導(dǎo)電粒子147。例如，多個導(dǎo)電粒子147可包括鋁(Al)、鎂(Mg)和銀(Ag)的至少之一。

結(jié)果，與不具有導(dǎo)電粒子147的第二發(fā)光輔助層144相比，位于輔助線137與第二電極146之間的包括多個導(dǎo)電粒子147的第二發(fā)光輔助層144實現(xiàn)了導(dǎo)電特性或較高的導(dǎo)電率。因而，輔助線137和第二電極146可通過具有導(dǎo)電特性的第二發(fā)光輔助層144彼此電連接。例如，位于輔助線137與第二電極146之間的包括多個導(dǎo)電粒子147的第二發(fā)光輔助層144可具有5Ω和1kΩ之間的電阻。

圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的有機發(fā)光二極管顯示裝置的第二發(fā)光輔助層的導(dǎo)電特性的圖表。

在圖4中，圖2的電子注入層(EIL)的第二發(fā)光輔助層144由具有大約厚度的氟化鈉(NaF)形成，并且圖2的第二電極146由具有大約厚度的鋁(Al)形成。接著，給圖2的輔助線137和第二電極146施加偏壓。在施加偏壓之前和之后測量第二發(fā)光輔助層144的電阻。例如，施加偏壓之前第二發(fā)光輔助層144的電阻可處于大約6.8kΩ到大約8.8kΩ的范圍內(nèi)，施加偏壓之后第二發(fā)光輔助層144的電阻可處于大約3.9Ω到大約4.6Ω的范圍內(nèi)。結(jié)果，施加偏壓之后的電阻減小為施加偏壓之前的電阻的大約1/2000。

盡管未示出，但當(dāng)?shù)诙l(fā)光輔助層144由具有大約厚度的氟化鈉(NaF)形成并且第二電極146由具有大約厚度的鋁(Al)形成時，第二發(fā)光輔助層144的電阻從施加偏壓之前的大約10kΩ到大約15kΩ的范圍減小為施加偏壓之后的大約50Ω到大約73Ω的范圍。

此外，當(dāng)?shù)诙l(fā)光輔助層144由具有大約厚度的氟化鈉(NaF)形成并且第二電極146由具有大約厚度的鋁(Al)形成時，第二發(fā)光輔助層144的電阻從施加偏壓之前的大約12kΩ到大約35kΩ的范圍減小為施加偏壓之后的大約78Ω到大約80Ω的范圍。

此外，當(dāng)?shù)诙l(fā)光輔助層144由具有大約厚度的氟化鈉(NaF)形成并且第二電極146由具有大約厚度的鋁(Al)形成時，第二發(fā)光輔助層144的電阻從施加偏壓之前的大約40kΩ到大約71kΩ的范圍減小為施加偏壓之后的大約154Ω到大約177Ω的范圍。

因為由于偏壓的施加，第二發(fā)光輔助層144的電阻從幾十kΩ的值減小為幾百Ω的值，所以圖2的包括多個導(dǎo)電粒子147的第二發(fā)光輔助層144變?yōu)閷?dǎo)電的。結(jié)果，輔助線137和第二電極146通過第二發(fā)光輔助層144彼此電連接。然而，位于第二部分220中的、不具有導(dǎo)電粒子147的發(fā)光二極管De的第二發(fā)光輔助層144可具有比位于第一部分210中的具有導(dǎo)電粒子的第二發(fā)光輔助層144更高的電阻(或是更低的導(dǎo)電性)。

因而，在根據(jù)本發(fā)明一實施方式的OLED顯示裝置100中，在形成第二電極146之后，給輔助線137和第二電極146施加偏壓，由于電遷移效應(yīng)，輔助線137或第二電極146的多個導(dǎo)電粒子147移動到位于輔助線137與第二電極146之間的第二發(fā)光輔助層144中。

位于輔助線137與第二電極146之間的第二發(fā)光輔助層144包括多個導(dǎo)電粒子147并且變?yōu)榫哂袑?dǎo)電特性。結(jié)果，輔助線137和第二電極146通過第二發(fā)光輔助層144彼此電連接。

因此，由于輔助線137，能夠降低具有相對較薄厚度的第二電極146的電阻。此外，通過減小施加至第二電極146的低電平電壓VSS的壓降，能夠防止亮度的非均勻性和顯示質(zhì)量的劣化。

上面已描述了多個例子。盡管如此，將理解到可進行各種變形。例如，如果以不同的順序執(zhí)行上述技術(shù)和/或如果所描述的系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)、裝置或電路中的組件以不同的方式組合和/或通過其他組件或它們的等同物替代或增補，則也可能獲得適當(dāng)結(jié)果。因此，其他相應(yīng)實施方案也落入所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。