集成電子模塊可用于執(zhí)行各種功能。例如，這樣的模塊可以包括一個或多個無源組件和互連部分，例如提供能夠放置在一個印刷電路板組件的單個單元化模塊組件。這樣的模塊可以包括用于執(zhí)行各種功能的，例如提供一個無源濾波器電路，例如，或用于提供更復(fù)雜的功能，例如，包括一個或多個單片集成電路s或有源器件。一種單片集成電路可以包括一個或多個有源器件例如晶體管，或無源器件例如電阻器，電感器，或電容，和互連部分第這樣的單片集成電路可根據(jù)被制造或包括一個半導(dǎo)體襯底。限制可以相對于存在于無源組件的值的大小，可以使用單片集成電路來實現(xiàn)。因此，在某些應(yīng)用中，單片集成電路可耦合到“芯片外”，位于一個或多個組件，但這些組件可能仍然被包括內(nèi)集成的電子模塊包。

在一個說明性的應(yīng)用中，一個單片集成電路可以包括一個電源控制器電路例如包括一個或多個模擬或數(shù)字的電路系統(tǒng)形成一個穩(wěn)壓電源的一部分。在集成電路和其他片組件的組合可以提供穩(wěn)壓電源電路。部件從分離集成電路可以包括能量存儲元件(例如一個電感器)，與其他電路系統(tǒng)例如一或多個大旁路電容器或電力開關(guān)設(shè)備(例如功率晶體管)。旁路電容器的使用仍可能導(dǎo)致在各種負載條件下的輸出紋波(例如輸出電壓的變化或噪聲從標稱穩(wěn)壓輸出電壓偏離)的不希望的水平。因此，不同的技術(shù)可用于提供過濾或脈動的抑制。在一種方法中，一個調(diào)諧濾波器電路可以用來衰減波紋，例如具有對應(yīng)于脈動信號的基本頻率的阻帶。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在一個例子中，一個或多個部件可以位于一個共同共享電子組件模塊包組件可以包括一個或多個無源組件例如一或多個感應(yīng)設(shè)備(例如包括電感器或變壓器)，一個或多個電容器內(nèi)，或一個或多個電阻器。代替或另外，這些組件可以包括一個或多個單片集成電路芯片。的間隔和內(nèi)單獨組分的取向的集成電子組件模塊包可能導(dǎo)致部件之間的不期望的電耦合，即使這些組件之間不存在導(dǎo)電耦合路徑。

例如，如果組件包括電感器，不需要的相互磁性耦合可以這樣電感器之間發(fā)生。不希望的相互磁性耦合可不利地影響電路的功能，例如移動的工作頻率或改變的調(diào)諧電路的品質(zhì)因數(shù)，或引起不期望的靈敏度來處理或其他變化，例如元件值的變化，或敏感性在負載和溫度變化的工作條件下。不希望的耦合例如電容性或靜電耦合的其他形式可發(fā)生，這也可能影響電路的功能。

其中，本發(fā)明人已經(jīng)認識到，組件例如電感器都位于人口稠密的集成電子模塊包具有緊湊包幾何并攏時，這種不期望的電耦合可以加劇。這種緊湊的幾何形狀可以包括，但不限于，芯片級封裝(CSP)或鄰近的CSP的外形。在一個說明性示例中，一個CSP或接近的CSP模塊可以包括一個單片集成電路含有至少一個直流對直流(DC-DC)的一部分切換方式調(diào)節(jié)器，以及離散的組件(例如1或多個電阻器，電容器或電感器)，例如，以提供一個高-集成模塊。這樣的模塊可以由最終用戶在應(yīng)用電路更小的體積或更簡單的實現(xiàn)相比，一個電源電路，其包括一個單一的包單片集成電路耦合到外部組件上的印刷電路板組件。在另一例子中，集成電子組件模塊可以包括兩個或多個無源組件，例如，以提供一個單一的部件模塊執(zhí)行過濾器或其他信號調(diào)節(jié)電路，例如，以提供可被定位在集成無源濾波器模塊和放置在印刷電路板組件作為一個單一的單元化模塊組件。其中，本發(fā)明人已經(jīng)認識到，導(dǎo)電可磁性滲透的屏障可以包括在一個集成電子組件模塊，例如，以阻抑或抑制相互磁性耦合的某些之間組件。這種導(dǎo)電可磁性滲透的屏障可導(dǎo)電和可磁性滲透的。這樣的屏障也可以提供靜電屏障，例如以減少組件之間的電容耦合。

在一個例子中，集成電子組件配件可以包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括：在所述集成電子組件配件的外部上能夠接近的兩個或多個導(dǎo)電末端；在所述集成電子組件配件內(nèi)用于第一組件的第一組件附接區(qū)域；和在所述集成電子組件配件內(nèi)用于第二組件的第二組件附接區(qū)域。所述集成電子組件配件可以包括耦合所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)或由所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)限定的導(dǎo)電可磁性滲透的屏障，所述導(dǎo)電可磁性滲透的屏障位于所述第一和第二組件附接區(qū)域之間，包括沿著由所述第一和第二組件附接區(qū)域限定的平面外面方向延伸的部分，從而抑制所述第一和第二組件之間的磁性耦合。

此概述意欲提供對本專利申請的主題的概述。它并不旨在提供本發(fā)明的排他性或窮盡的說明。被包括的詳細描述，以提供關(guān)于本專利申請的進一步的信息。

附圖說明

圖1A通常至少部分描述一部分集成電子模塊，包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，例如包括引線框架。

圖1B通常至少部分描述一部分集成電子模塊，包括介電基材和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，例如包括耦合介電基材的金屬化層。

圖1C通常至少部分描述一部分集成電子模塊，包括介電基材和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，例如包括耦合介電基材的金屬化層。

圖1D通常至少部分描述一部分集成電子模塊，例如具有由電鍍區(qū)域和介電填料限定的導(dǎo)電“扇出”結(jié)構(gòu)。

圖2A通常部分描述一部分集成電子模塊，例如包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電可磁性滲透的屏障，電氣和機械性地耦合導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

圖2B通常部分描述一部分集成電子模塊，例如包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括限定導(dǎo)電可磁性滲透的屏障的部分。

圖3通常描述代表集成電子模塊，例如可以包括各種組件的電路圖的示意性例子。

圖4通常描述至少一部分集成電子模塊，例如可以包括限定各種組件附接區(qū)域的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的示意性例子，內(nèi)連圖3的電路圖的示意性例子。

圖5通常示出了示出用于在共振頻率變化的模擬的一個示例性例子的諧振陷波濾波器電路時一個電感器包括作為一部分的諧振陷波濾波器電路感應(yīng)耦合到另一電感器根據(jù)各種偶系數(shù)。

圖6一般地示出用于測試電路包括各種屏障構(gòu)造測量脈動衰減的說明性示例。

圖7通常示出技術(shù)，例如可以包括形成集成電子模塊的方法，包括導(dǎo)電末端、組件附接區(qū)域和導(dǎo)電可磁性滲透的屏障。

在附圖中，附圖不一定按比例繪制，相同的標號可在不同的視圖描述相似組件。具有不同字母后綴可以表示類似組件。附圖的不同實例標號一般說明，以舉例的方式，而不是通過限制的方式，各種實施例在本文檔中討論。

具體實施方式

圖1A通常至少部分描述一部分的集成電子模塊，包括一個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)180例如包括一個集成模塊包一個引線框架。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)180可以包括或定義兩個或多個導(dǎo)電末端，例如末端到的外部訪問一個集成電子模塊組件，例如上或超出的密封劑150。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)180的表面可訪問可以定義或以其它方式包括一個或多個組件附接區(qū)域，例如一個第一組件附接區(qū)域建立提供電氣和機械的連接對于第一組件104和第二組件附接區(qū)域建立，以提供一個第二組件106電氣和機械連接。

第一組件附接區(qū)域可以包括一個或多個土地或“墊”包括所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)180，例如導(dǎo)體112和導(dǎo)體132導(dǎo)體112可以電耦合至一個末端，或者可以定義一個末端延伸超出密封劑區(qū)域150在圖1A中，例如示出說明性。第二組件附接區(qū)域還可以包括一個或多個土地或“墊”包括所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)180例如導(dǎo)體114和導(dǎo)體116導(dǎo)體116也可以被電耦合到一個末端或可以定義一個末端延伸超出密封劑區(qū)域150，如在圖1A中所示示例。如示出和本文別處描述的，本發(fā)明人已經(jīng)認識到，除其他事項外，不希望的電組件之間的耦合，例如在第一和第二組件104和106，可以使用抑制或抑制例如一個導(dǎo)電可磁性滲透之間的屏障108，例如電氣和機械性地耦合一屏障區(qū)域的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)180 118或者，或另外，可磁性滲透的屏障108可以由來定義，或者從導(dǎo)電結(jié)構(gòu)180的一部分而形成，例如在圖2B的實例中說明性地示出。如圖圖1A和在其它實施例在本文別處描述的，導(dǎo)電可磁性滲透的屏障108可以包括在一個方向上出由第一和第二組件附接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)180的區(qū)域限定的平面的延伸的部分，例如打壓磁性耦合的第一和第二組件104和106之間。

圖1B通常至少部分描述一部分的集成電子模塊，包括一個介電基材和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)例如包括一個第一金屬化層181A聯(lián)接到介電基材190.介電基材可以包括玻璃纖維環(huán)氧樹脂或其他疊層，例如機械地連接到所述第一金屬化層181A或其他導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。第二金屬化層181B可耦合到所述第一金屬化層181A相對的介電層190，或一個多的表面層堆疊式可以具有三個或更多可用于金屬化層。金屬化層之前的互連部分可通過通孔結(jié)構(gòu)的一個或多個經(jīng)由170來提供例如。

如關(guān)于圖1A的實施例類似地描述的，集成模塊通常包括一個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，例如在第一金屬化層181A，具有導(dǎo)體112，132，114和116，例如，以提供電氣和機械附接區(qū)域為第一和第二組件104和106導(dǎo)電可磁性滲透的屏障108可以是電氣和機械性地耦合的第一金屬化層181A，或者由第一金屬化層181A的一部分限定，例如抑制磁性耦合內(nèi)集成電子組件模塊的組件104和106之間。

該第一金屬化層181A被填充了組件，例如第一和第二組件104和106，和一個導(dǎo)電可磁性滲透的屏障108形成或在一個屏障區(qū)域118填充，可以提供一個密封劑150后封裝模塊。一個或多個末端可被訪問的集成電子模塊，例如第一導(dǎo)電帶160A的外部，第二導(dǎo)電帶160B或第三導(dǎo)電帶160℃。這些土地可以形成陣列(例如脊陣列或焊料凸點球陣列)的一部分，例如用于電連接集成組件模塊到另一個組件，例如一個印刷電路板組件。

圖1C通常至少部分描述一部分的集成電子模塊，包括一個介電基材和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)例如包括一個第一金屬化層181A聯(lián)接到介電基材190在圖1B中，的例子介電基材190可以包括一個層疊體，例如機械地連接到所述第一金屬化層181A或另外導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。第二金屬化層181B可耦合到相對的第一金屬化層181A在介電層190的表面或多層堆疊式可以具有三個或更多可用于金屬化層。金屬化層之前的互連部分可通過通孔結(jié)構(gòu)的一個或多個經(jīng)由170來提供例如。

如關(guān)于類似地描述于圖1A的例子中，集成模塊可以包括一個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，例如第一金屬化層181A，具有導(dǎo)體112，132，114和116，例如，以提供電氣和機械附接區(qū)域的第一和第二組件104和106導(dǎo)電可磁性滲透的屏障108可以是電氣和機械性地耦合的第一金屬化層181A，或者由第一金屬化層181A的一部分限定，例如以抑制磁性耦合于所述集成電子組件模塊的組件104和106之間。一個或多個末端可被訪問的集成電子模塊，例如第一導(dǎo)電帶160A的外部，第二導(dǎo)電帶160B或第三導(dǎo)電帶160℃。

在第一金屬化層181A被填充了組件，例如第一和第二組件104和106，和一個導(dǎo)電可磁性滲透的屏障108形成或在一個屏障區(qū)域118填充，可以提供一蓋151。通過用圖1B的實施例相反，蓋子151可限定腔洞152例如，集成電子組件模塊可以在一個通信應(yīng)用程序或高頻應(yīng)用中使用(例如可以包括電路系統(tǒng)被構(gòu)造為在微波操作范圍的頻率或以上)。的腔洞152的電介質(zhì)滲透性可以是接近統(tǒng)一(例如，包括一個真空，空氣或惰性環(huán)境中)，例如保持或建立其它情況下可能由使用固體密封而受到影響的一個或多個操作特性劑缺乏腔洞。根據(jù)各種實施例，蓋151可以包括環(huán)氧樹脂或其它密封劑，例如形成或模制以限定腔洞152在另一例子中，蓋151可以包括蓋子，例如包括導(dǎo)電材料，其可被機械地固定在基板上，例如，以在介電層190或的金屬化層181A的部分。例如，蓋151可以被焊接或焊接到所述金屬化層181A。腔洞152可以是氣密分離的形式形成圍繞集成電子組件模塊的環(huán)境中的導(dǎo)電環(huán)。

圖1D通常至少部分的描述一部分的集成電子模塊，例如具有導(dǎo)電“扇出”由電鍍區(qū)域定義結(jié)構(gòu)182，而在其它一個介電填料位于區(qū)域192或?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)182的各部分之間的空隙本文中所描述的例子中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)182可以提供區(qū)域為組件的電氣和機械連接，例如一個第一組件附接區(qū)域通過導(dǎo)體112和132，和一個第二組件附連區(qū)域至少部分地限定限定至少部分由導(dǎo)體114和116屏障108可被填充或形成在屏障區(qū)域118屏障區(qū)域118可以包括在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)182的一部分，例如可電內(nèi)部或外部連接到基準電位(例如連接到公共參考或“接地”節(jié)點)。密封劑150可以按照例如其他例子提供。

在圖1A，1B圖，圖1C或圖1D的例子中，導(dǎo)電可磁性滲透的屏障108可以集中磁力線。這樣助熔劑的濃度可以一個或多個重定向或“短路”(例如狹)所產(chǎn)生或耦合的組件104和106之間的磁力線，例如抑制或壓制組件104和106導(dǎo)電之間的這種磁通聯(lián)動可磁性滲透的屏障108可以是導(dǎo)電性地耦合的基準節(jié)點，例如一個或一個以上的電子模塊內(nèi)內(nèi)部耦合至另一結(jié)構(gòu)，或?qū)щ娦缘伛詈夏┒?，例如由屏障區(qū)域118導(dǎo)電提供的參考末端可磁性滲透的屏障108可以垂直的方向延伸出來的第一和第二組件附接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的區(qū)域限定的平面，例如向其它部分的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

圖1A，圖1B，圖1C和圖1D的組件104和106被示出具有橫截面為矩形，并包括端值末端，例如焊接或以其它方式電氣和機械性地耦合的電導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。然而，其他組件的類型或包時，可以用在上述實施例中所示或本文別處描述的屏障108的配置一起使用。例如，第一和第二組件可以包括半導(dǎo)體芯片，例如引線接合到一個或多個導(dǎo)電區(qū)域的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的，并且具有位于所述半導(dǎo)體芯片之間的屏障108。這種骰子可以包括一個或多個單片集成電路S或有源裝置裸片(例如功率晶體管或其它開關(guān)裝置)。

圖2A通常部分描述一部分的集成電子模塊，例如包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280A和導(dǎo)電可磁性滲透的屏障208A電氣和機械性地耦合的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280A，該模塊內(nèi)。圖2B通常部分描述一部分的集成電子模塊，例如包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280B，其中包括定義一個導(dǎo)電可磁性滲透的屏障208B的部分。

在圖2A和圖2B，的說明性實例第一和第二組件204和206被示出取向為每個彼此平行的組件204和206的長軸線。其它取向也是可能的，彼此平行或具有組件204和206旋轉(zhuǎn)，使得長軸反平行，例如，以進一步減少或抑制組件之間的耦合，例如具有短軸。如上述和本文別處所提到的，本發(fā)明人已經(jīng)認識到組件例如電感器設(shè)在相互靠近位置可表現(xiàn)出不期望的電連接。在一個例子中，為了抑制組件例如第一和第二組件204和206之間不期望的磁性耦合，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280A或280B可以提供屏障區(qū)域，例如導(dǎo)電性地耦合導(dǎo)電可磁性滲透的屏障208A(例如圖2A中所示)或限定導(dǎo)電可磁性滲透的屏障208B(例如圖2B中所示)。

導(dǎo)電可磁性滲透的屏障208A或208B可稱作“垂直”屏障位于橫向組件204和206之間(除了或者代替定位屏障材料的上方或下方組件一個模塊內(nèi))。的一個垂直取向的屏障位于橫向組件之間使用可以比的一個屏障別處摻入較不復(fù)雜的，例如高于或低于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280A或280B，或高于或低于組件204或206，因為屏障可以制造過程中形成的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)本身或封裝前居住在符合其他業(yè)務(wù)例如組件安裝，例如。

導(dǎo)電可磁性滲透的屏障208A或208B可以包括類似的材料的電導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280A或280B，或?qū)щ娍纱判詽B透的屏障208A或208B可以包括不同材料。例如，具有材料的磁導(dǎo)率的其它部分大于單位大得多一般可以用于提供磁屏障，而這樣的材料通?？梢苑Q為可磁性滲透的。這樣的材料可以包括合金包含鐵，鎳，鈷，硅，鉻，鉬或它們的組合。例如，畝金屬都可以使用(例如具有相對磁導(dǎo)率大于約10,000)。多種材料可具有大于約1000和小于約1,000,000的導(dǎo)磁率，其中包括硅鋼或其他電級鋼，或鐵使用。

導(dǎo)電可磁性滲透的屏障208A可以機械和導(dǎo)電性地耦合導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280A，或電子模塊的其他部分，例如使用焊劑或?qū)щ娬澈蟿?例如導(dǎo)電環(huán)氧樹脂)。然而，如圖2B的例子所示，導(dǎo)電可磁性滲透的屏障208B不必是電子模塊內(nèi)的分離組件。例如，屏障280B可以由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280B的一部分形成，例如通過彎曲或其他方式形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280B的一部分，以包括沿著垂直方向延伸的一部分。為了兼容現(xiàn)有制造方法和材料，導(dǎo)電可磁性滲透的屏障208A或208B可以鉗有或電鍍另外材料層282A或282B。例如，如果導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280A或280B是非磁性或僅僅弱可磁性滲透的，材料層282A或282B可用于增強導(dǎo)電可磁性滲透的屏障208A或208B的可磁性滲透。

圖3一般示出了代表一個集成電子模塊300的電路圖的一個說明性的例子，例如可以包括各種組件，包括一個導(dǎo)電可磁性滲透的屏障308。電子模塊300可容納各種電路，例如一個調(diào)節(jié)的部分或全部電源電路。例如，該模塊300可以包括一個集成電路芯片附接區(qū)域330中，例如可以包括一個導(dǎo)電墊.conductive墊可以是導(dǎo)電性地耦合使用耦合332與一個或多個基準電子模塊300，例如一個外部引腳秒(例如接地引腳GND 326)，或通過電子模塊300包，例如熱墊的暴露的區(qū)域。

集成電路芯片例如切換方式集成電路302包括的一部分的調(diào)節(jié)器電路可以在模塊300內(nèi)被容納在一個方法中，分立的組件可以位于外側(cè)的電子模塊300。這樣的組件可以包括存儲元件例如存儲電感器，和過濾器組件例如一個電感器包括作為輸出濾波器電路的一部分。與此相反，本發(fā)明人已經(jīng)認識到離散的組件可以位于一個densely-集成電子組件模塊300中，例如，以一個或多個占用減少印刷電路板(PCB)面積的調(diào)節(jié)器電路或降低總帳單的-材料(BOM)組件數(shù)。有些組件可能仍位于電子模塊300包之外，例如一個大的輸出電容(例如COUT)，或反饋元件例如一個反饋電阻網(wǎng)絡(luò)382的其他組件可以包括中間濾波或耦合電容器C2例如，或C3。但是，將至少一些組件的電子模塊300包內(nèi)，除一個單片集成電路例如在切換方式集成電路302，還可以導(dǎo)致區(qū)域節(jié)約和應(yīng)用電路設(shè)計的簡化，包括電子模塊300。

切換方式集成電路302可以包括模擬和數(shù)字電路系統(tǒng)，例如控制或監(jiān)控電路系統(tǒng)，誤差放大器，晶體管驅(qū)動器，功率晶體管，電壓基準，或其他電路系統(tǒng)。電子模塊300可以包括封裝或密封設(shè)備包有各種導(dǎo)電信號引腳秒(例如末端)。在包括一個切換方式穩(wěn)壓電源電路，所述引腳小號可以包括一個參考引腳一個例子(例如地線或接地326引腳)，一個反饋引腳(例如FB 324)，一個開關(guān)電流輸出引腳(例如SW 334)例如耦合到一個存儲裝置，第一電壓輸出引腳(例如VO1 312)，過濾器輸入引腳(例如VTI 314)，和一個濾波器輸出引腳(例如VTO 316)。如上所述，本發(fā)明人已經(jīng)認識除其他事項到一個內(nèi)部存儲電感器(例如LS 304)可位于電子模塊300內(nèi)，例如聯(lián)接到切換方式集成電路302的波紋濾波器的切換輸出310可以在模塊內(nèi)是共集成并可以包括一個調(diào)諧陷波濾波器拓撲結(jié)構(gòu)，例如具有一個電容器(例如CT)和一個電感器(例如LT 306)，形成一個“LC”罐網(wǎng)絡(luò)。

其中，本發(fā)明人還已經(jīng)認識到，相互磁性耦合，例如在存儲電感器LS304和坦克電感器LT 306，可以失諧一陷波的可調(diào)的濾波電路310，例如降低的頻率紋波抑制之間性能。在電感器之間的耦合系數(shù)可以影響或轉(zhuǎn)移的可調(diào)的濾波電路310陷波頻率“拉”的程度。根據(jù)在圖5通常示出的仿真，這樣的耦合系數(shù)的結(jié)果-即使在約0.01％或更少-仍然可以創(chuàng)建一個顯著頻移，例如降低由可調(diào)的濾波電路在所提供的衰減因子期望的中心頻率，例如的調(diào)節(jié)器電路的開關(guān)頻率。

因此，本發(fā)明人已經(jīng)認識上放置和電感器的取向到控制，單獨，可能不足以避免不希望的磁性耦合，以及一個導(dǎo)電可磁性滲透的屏障308可以包括，磁通例如濃縮線(如通過示出的橢圓形區(qū)域與箭頭)。這樣助熔劑的濃度可以一個或多個重定向或“短路”(例如狹)由每個電感器，例如產(chǎn)生磁力線，以抑制或抑制電感器304和306導(dǎo)電可磁性滲透之間的這種磁通聯(lián)動的屏障可以是導(dǎo)電性地耦合的基準節(jié)點，例如一個或一個以上的內(nèi)部的位置處328的電子模塊300內(nèi)耦合到另一“接地”結(jié)構(gòu)，或?qū)щ娦缘伛詈弦_，例如另外參照引腳318。

導(dǎo)電可磁性滲透的屏障308可以在一個方向上向外延伸(例如垂直)的電子模塊300例如一個平面，屏障308可被附連到引線框架，一個金屬化的基板，或另一種電的層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括所述電子模塊300如其他例子中所示和描述的，屏障308可以從一個引線框架，或屏障可以包括的一個部分形成一個類似的材料作為電子模塊300的其它部分，例如可以形成不同的材料，例如具有相對磁導(dǎo)率大于單位大得多的材料。

圖4示出了包括一個集成電子模塊，例如可以在至少一部分的一般的說明性示例的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)480限定各種組件附接區(qū)域互連根據(jù)圖3例如電路圖的結(jié)構(gòu)480的示意性示例，導(dǎo)電可以包括電子模塊包內(nèi)的引線框架或金屬化層。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)480可以限定各種區(qū)域，例如墊，其中第一電感器(例如存儲電感器LS)和第二電感器(例如可調(diào)的濾波電路電感器LT)可以導(dǎo)電和機械性地附接。這種附接可以包括使用焊料或?qū)щ娔z(例如導(dǎo)電環(huán)氧樹脂)集成電路芯片，例如切換方式集成電路芯片402可以機械性地附接集成電路芯片附接區(qū)域430在一個例子中，集成電路芯片402可以導(dǎo)電性地耦合導(dǎo)電結(jié)構(gòu)480，例如其中附接區(qū)域430提供的一個或多個捆的參考導(dǎo)體(例如GND)，其電“的“到的集成電路芯片402，或熱墊襯底提供熱傳導(dǎo)從集成電路芯片402電氣互連部分S上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)480的集成電路芯片402和其它部分之間包括使用接合線遠436所示說明性相對于開關(guān)節(jié)點SW在圖4.在引線框架例子中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)480的導(dǎo)電部分至少在制造過程中可以延伸超過密封區(qū)域450，以提供互連引腳S代表一個模塊包括引線框架，組件，和密封劑(例如過氧化物或其他材料)。通常，導(dǎo)電引線框架可以被制造為使用一個或多個的斯塔姆引腳g或蝕刻一個面板或引線框架陣列的一部分，例如。個別引線框架可以從面板或陣列，如之前或與組件，封裝，或其它操作填充后進行單片化。引線框架材料可以包括一種或多種金屬或合金，例如可以包括銅或銅合金，例如。在一個切換方式電源的說明性示例調(diào)節(jié)器電路，多個引腳s時，可以導(dǎo)電性地耦合的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)480的單個墊或部分，例如輸出電壓引腳412A，412B，412C，412D耦合到第一墊的第一電感器附接區(qū)域，交換節(jié)點耦合到第一電感器附接區(qū)域，可調(diào)的濾波電路輸出引腳小號416A，416B，416C的第二墊引432A和432B，416D連接到的第一墊一個第二電感器附接區(qū)域，以及可調(diào)的濾波電路的輸入引腳小號414A和414B耦合的第二電感器附接區(qū)域一個第二墊。其它墊位于別處可為引線鍵合電連接的集成電路芯片402的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)480，例如墊438向下觸摸位置作為說明性在圖1B和圖1C所示，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)480可以，但不是必須形成多層結(jié)構(gòu)，其包括一個電子模塊包的部分。

延伸超過導(dǎo)電結(jié)構(gòu)480的各部分的密封劑區(qū)域可以是修整或形成(例如除去導(dǎo)電結(jié)構(gòu)480的外側(cè)部分492在一個引線框架的例子)，例如，以提供電子模塊“引腳”一互連部分與其他設(shè)備，例如當模塊被放置在和焊接到印刷電路板(PCB)組件。封裝和一個模塊組件的單片化后，將引腳的某些部分可在一個或多個橫向邊緣的或包封區(qū)域450，以允許電子模塊300的附著到PCB組件的底面被暴露。暴露的末端引腳可被鈍化或與另一種材料(例如電鍍或鍍錫)處理。在一個說明性實例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)480可以包括一引線框架作為包(LFCSP)幾何的模塊具有引線框架的芯片級的部分。

示出圖3和圖4的例子。本發(fā)明人已經(jīng)認識到這種內(nèi)部可磁性滲透的屏障可以在其他組件比電感器之間使用，或除高集成切換方式電源調(diào)節(jié)器電路的其他應(yīng)用程序。

圖5通常示出了在諧振頻率為一個模擬表示變化的一個說明性實例的可調(diào)的濾波電路時的電感器，其包括一個可調(diào)的濾波電路感應(yīng)耦合到另一電感器別處根據(jù)各種耦合系數(shù)。在500，這可以通過將所示的耦合系數(shù)，“K”設(shè)定為零，提供一個基線例子。在502，耦合系數(shù)被設(shè)定為K＝0.00001(例如0.001％)，在504，K＝0.00005(例如0.005％)，并在506，K＝0.0001(例如0.01％)。本發(fā)明人已經(jīng)認識到，除其他事項外，一個0.01％的耦合系數(shù)可以創(chuàng)建一個調(diào)諧陷波濾波器電路中相對于基線約20％的范圍內(nèi)，例如放置停止的共振頻率的頻移在506的例子中的陷波濾波器的頻帶從在基準實例中所示的所需的中心頻率以及遠在圖5中所示的曲線圖的500.units是分貝(dB)參考1伏(v)，提供了DBV單位，作圖在兆赫(MHz)的頻率。

和圖5的例子相反，圖6通常示出說明測量紋波衰減為測試電路包括各種磁性屏障構(gòu)造的例子。的印刷電路板裝有具有開關(guān)調(diào)節(jié)器一個存儲電感器和一個調(diào)諧陷波濾波器電感器彼此靠近被用來測量各種磁屏障構(gòu)造。印刷電路板的布局包括約電感器之間的距離2.8至2.9毫米(mm)，與電感器取向為寬側(cè)耦合與導(dǎo)電可磁性滲透的屏障豎直定向和電感器之間的中心(例如在圖3A中所示示例和圖3B)。槽電路波紋濾波器的目標共振頻率600在1.4兆赫成立，如圖圖6。在開關(guān)頻率的紋波的功率電平進行測定，并在圖6中的單位dBm的(參考1毫瓦(毫瓦)的50歐姆的基準阻抗端接分貝(dB))作圖，開關(guān)頻率被跨越掃范圍從1MHz至2兆赫的頻率。

下面表1概括在共振頻率關(guān)于各種屏障結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變。

表1–圖6中示意性示出的結(jié)果對應(yīng)的例子

不受理論的束縛，結(jié)果總結(jié)于上述表1和圖6所示一般說明的導(dǎo)電可磁性滲透的屏障可減少的共振頻率的偏移的調(diào)諧陷波濾波器電路，例如通過抑制相互磁性耦合一個電感器之間的可調(diào)的濾波電路和一個存儲電感器，即使當存儲電感器和可調(diào)的濾波電路電感器位于接近。相應(yīng)地，電子模塊可以包括一個導(dǎo)電可磁性滲透的屏障，以阻抑或抑制這種相互磁性耦合，如圖以及在其它實施例本文所描述。

圖7一般說明了包括形成集成電子模塊包括導(dǎo)電末端，組件附接區(qū)域，和一個導(dǎo)電可磁性滲透的屏障的技術(shù)，例如一種方法，即可以。在702中，兩個或多個導(dǎo)電末端可形成。導(dǎo)電末端可訪問上的集成電子組件配件的外部，例如聯(lián)接到或由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)限定包括作為的集成電子組件配件的一部分(例如作為一個模塊包)的一部分。在704中，第一和第二組件附接區(qū)域可以形成，例如聯(lián)接到或由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)限定包括作為的集成電子組件配件。第一和第二組件附接區(qū)域可以提供位置以焊接的部分或以其他方式電氣和機械連接的第一和第二組件的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括引線框架或金屬化層一個模塊包的)。

在706中，可以形成導(dǎo)電和可磁性滲透的屏障。屏障可以位于內(nèi)集成電子組件配件，例如具有至少由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)別處屏障可以位于組件之間。限定在方向從平面向外延伸的部分，例如減少或抑制組件之間不必要的電耦合。例如，屏障可以位于間組件例如電感器，以減少或抑制相互磁性耦合的電感器之間。屏障可從導(dǎo)電結(jié)構(gòu)來形成，或機械和電連接到導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。密封劑可施加到封裝組件和屏障內(nèi)的集成電子組件配件。在一個例子中，可以提供一個蓋限定一腔洞在其中屏障和組件的位置。

各種注釋和實施例

實施例1可以包括或使用主題(例如一個裝置，一種方法，用于執(zhí)行動作的裝置，或包括，由該裝置執(zhí)行時，可導(dǎo)致裝置執(zhí)行行為的指令的設(shè)備可讀介質(zhì))，例如可以包括或使用集成電子組件配件，包括：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括：在所述集成電子組件配件的外部上能夠接近的兩個或多個導(dǎo)電末端；在所述集成電子組件配件內(nèi)用于第一組件的第一組件附接區(qū)域；和在所述集成電子組件配件內(nèi)用于第二組件的第二組件附接區(qū)域；以及位于所述集成電子組件配件內(nèi)的導(dǎo)電可磁性滲透的屏障，所述導(dǎo)電可磁性滲透的屏障耦合所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)或由所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)限定，所述導(dǎo)電可磁性滲透的屏障位于所述第一和第二組件附接區(qū)域之間，包括沿著由所述第一和第二組件附接區(qū)域限定的平面外面方向延伸的部分，從而抑制所述第一和第二組件之間的磁性耦合。

實施例2可以包括或可以任選地聯(lián)合實施例1的主題，任選地包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括一個用于集成電路芯片的集成電路芯片附接區(qū)域，那第一和第二組件包括無源組件。

實施例3可以包括或可以任選地聯(lián)合一個或?qū)嵗?的任意組合或2到可選的標的物包括第一和第二組件，并且第一和第二組件包括電感器。

實施例4可以包括或可以任選地聯(lián)合的實施例3的標的物，任選地包括電感器包括第一電感器導(dǎo)電和機械性地耦合墊所限定的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第一組件附接區(qū)域和第二電感器導(dǎo)電和機械性地耦合墊所限定的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第二組件附接區(qū)域，并且該導(dǎo)電可磁性滲透的屏障就是被構(gòu)造為抑制或抑制相互電感耦合之間的第一和第二電感器相比，一個集成電子組件配件缺乏導(dǎo)電可磁性滲透的屏障。

實施例5可以包括或可以任選地聯(lián)合的主題的實施例4，如果選擇物質(zhì)包括集成電路芯片附接區(qū)域，以及集成電路芯片機械性地附接的集成電路芯片附接區(qū)域，該集成電路包括電路系統(tǒng)被構(gòu)造為提供至少的一部分的切換方式調(diào)節(jié)器電路，所述第一電感器包括一個存儲電感器導(dǎo)電性地耦合的集成電路芯片，所述第二電感器包括一個部分的陷波濾波器電路，以及導(dǎo)電可磁性滲透的屏障被構(gòu)造為一個穩(wěn)定陷波頻率的陷波濾波器電路相比于一個集成電子組件配件缺乏導(dǎo)電可磁性滲透的屏障建立。

實施例6可以包括或可以任選地聯(lián)合之一的主題或?qū)嵤├?或5任選地包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括一金屬化層連接到一個第一介電材料，該第一介電材料的任何組合包括用于集成電子組件配件的基板。

實施例7可以包括或可以任選地聯(lián)合的實施例6，標的物的選擇包括第一和第二組件和密封劑，那第一和第二組件和導(dǎo)電可磁性滲透的屏障被密封封裝劑。

實施例8可以包括或可以任選地聯(lián)合的主題的實施例7物，任選地包括第一和第二組件和導(dǎo)電可磁性滲透的屏障位于密封劑內(nèi)的腔洞。

實施例9可以包括或可以任選地聯(lián)合的實施例6，標的物的任選包括外殼，并且第一和第二組件和屏障是由位于部分腔洞至少定義范圍內(nèi)外殼。

實施例10可以包括或可以任選地聯(lián)合之一的主題或通過5至任選實施例1的任意組合包括在第一和第二組件，所述金屬化層包括電鍍區(qū)域和互連部分S，以及在第一和第二組件嵌入內(nèi)的介電材料。

實施例11可以包括或可以任選地聯(lián)合一項的題材或?qū)嵤├?的任意組合，通過5任選地包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括一個導(dǎo)電引線框架。

實施例12可以包括或可以任選地聯(lián)合的實施例11，任選地包括導(dǎo)電可磁性滲透的屏障就是由所述導(dǎo)電引線框架的一部分限定的主題。

實施例13可以包括或可以任選地聯(lián)合的實施例12中，任選地包括導(dǎo)電可磁性滲透的屏障是由一電鍍部分所限定的導(dǎo)電引線框架，所述電鍍部分包括一個可磁性滲透的標的物電鍍材料。

實施例14可以包括或使用的標的物(例如一種設(shè)備，方法，用于執(zhí)行動作的裝置，或包括指令的設(shè)備可讀介質(zhì)，由裝置執(zhí)行時，可導(dǎo)致裝置執(zhí)行行為)，例如可以包括或者使用一個集成電子組件配件，包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括兩個或多個導(dǎo)電末端上的外部訪問的集成電子組件配件，一個用于第一組件的第一組件附接區(qū)域內(nèi)的集成電子組件配件和用于第二組件的第二組件附接區(qū)域內(nèi)的集成電子組件配件，以及一個導(dǎo)電可磁性滲透的屏障位于內(nèi)集成電子組件配件，在導(dǎo)電可磁性滲透的屏障連接到或定義由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電可磁性滲透的屏障位于之間的第一和第二組件附接區(qū)域，包括在一個方向上出由第一和第二組件附接區(qū)域限定的平面的延伸的部分，以抑制磁性耦合的第一和第二組件中，第一和第二組件包括電感器包括第一電感器導(dǎo)電和機械性地耦合墊的結(jié)構(gòu)位于第一組件附接區(qū)域?qū)щ姸x，和一個第二電感器導(dǎo)電和機械性地耦合墊由位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)限定的第二組件附接區(qū)域，并且導(dǎo)電可磁性滲透的屏障被構(gòu)造為抑制或抑制相互電感之間耦合的第一和第二電感器相比，一個集成電子組件配件缺乏導(dǎo)電可磁性滲透的屏障。

實施例15可以包括或可以任選地聯(lián)合之一的主題或至14實施例1的任意組合，包括，主題(例如一個裝置，一種方法，用于執(zhí)行動作的裝置，或包括指令的機器可讀介質(zhì)即，由機器執(zhí)行時，可以導(dǎo)致機器執(zhí)行的行為)，例如可以形成集成電子組件配件，包括形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其包括兩個或多個導(dǎo)電末端上被訪問的一個外部的集成電子組件配件，一個用于第一組件的第一組件附接區(qū)域中的集成電子組件配件，和一個用于第二組件的第二組件附接區(qū)域中的集成電子組件配件，以及形成導(dǎo)電可磁性滲透的屏障位于內(nèi)集成電子組件配件，所述導(dǎo)電可磁性滲透的屏障連接到或由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所定義的導(dǎo)電可磁性滲透的屏障位于之間的第一和第二組件附接區(qū)域，其中包括在延伸的部分方向從飛機上被定義的第一和第二組件附接區(qū)域，打壓磁性耦合的第一和第二組件。

實施例16可以包括或可以任選地聯(lián)合的實施例15的標的物，任選地包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括一個用于集成電路芯片的集成電路芯片附接區(qū)域，那第一和第二組件包括：無源組件。

實施例17可以包括或可以任選地聯(lián)合的實施例16，任選地包括第一和第二組件包括電感器的題材和技術(shù)，包括傳導(dǎo)和機械耦合第一電感器來墊被定義位于第一組件附接區(qū)域，并傳導(dǎo)和機械耦合第二電感器，以通過墊定義的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第二組件附接區(qū)域，其中導(dǎo)電可磁性滲透的屏障就是被該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)構(gòu)造為抑制或抑制相互電感耦合的第一和第二電感器相比，一個集成電子組件配件缺乏導(dǎo)電可磁性滲透的屏障之間。

實施例18可以包括或可以任選地聯(lián)合的實施例16的題材，有選擇地包括機械連接的集成電路芯片的集成電路芯片附接區(qū)域，該集成電路包括電路系統(tǒng)被構(gòu)造為提供至少的切換方式調(diào)節(jié)器電路的第一電感器，包括一個存儲電感器導(dǎo)電性地耦合的集成電路芯片，在第二電感器，包括部分的陷波濾波器電路，并且該導(dǎo)電可磁性滲透部分的屏障就是被構(gòu)造為一個穩(wěn)定陷波頻率的陷波濾波器電路相比于一個集成電子組件配件缺乏導(dǎo)電可磁性滲透的屏障建立。

實施例19可以包括或可以任選地聯(lián)合之一的主題或?qū)嵤├?5或18的任意組合，以選擇性地包括封裝所述第一和第二組件和導(dǎo)電可磁性滲透的使用密封劑屏障。

實施例20可以包括或可以任選地聯(lián)合的實施例19的標的物，任選地包括第一和第二組件和導(dǎo)電可磁性滲透的屏障位于密封劑內(nèi)的腔洞。

實施例21可以包括或可以任選地聯(lián)合之一的主題或?qū)嵤├?5或18的任何組合有選擇地包括形成外殼，并且該第一和第二組件和所述屏障位于一個腔內(nèi)洞定義至少在由外殼的一部分。

實施例22可以包括或可以任選地聯(lián)合之一的主題或?qū)嵤├?5或任意組合的18任選地包括金屬化層包括電鍍區(qū)域和互連部分，并且該第一和第二組件是嵌入介電材料中。

實施例23可以包括或可以任選地聯(lián)合之一的主題或?qū)嵤├?5或18的任何組合有選擇地包括形成該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括形成一個導(dǎo)電引線框架。

實施例24可以包括或可以任選地聯(lián)合實施例23的主題，任選地包括導(dǎo)電可磁性滲透的屏障由所述導(dǎo)電引線框架的一部分限定.

每個這些非限制性-實例可以自立，或者可以以各種排列或組合與一種或多種的其它實施例進行組合。

上面的詳細描述包括對附圖，其形成詳細描述附圖的一部分顯示，以說明的方式引用，具體的實施方案，其中本發(fā)明可以實施。這些實施方案在本文中也稱作“實施例”。除了示出或描述的那些這樣的例子可以包括元素。然而，本發(fā)明人還考慮在其中顯示或描述僅提供那些元件的例子。此外，本發(fā)明的發(fā)明人還考慮使用任何組合或示出或描述(或其一個或多個方面)這些元素的置換實施例中，任一相對于一特定實施例(或其一個或多個方面)，或相對于其它實施例(或其一個或多個方面)中所示或本文所述的。

在本文件和任何文件之間不一致用法的情況下，因此通過引用并入，本文件控件的使用。

在該文件中，術(shù)語“一”或“一個”的使用，如在專利文件中常見，包括一個或一個以上的，獨立的“至少一個”或“一個或更多個的任何其他實例或用法?！耙员疚募?，術(shù)語”或“用于指非排它或，使得”A或B“包括”A而非B“，”B但非A“以及”A和B“，除非另有表示。在這個文件中，術(shù)語“包括”和“其中”被用作純英語等同物的各術(shù)語“包括”和“其中”。另外，在下面的權(quán)利要求，術(shù)語“包括”和“包括”是開放式的，也就是說，其包括除了那些列出后權(quán)利要求中這樣的術(shù)語仍然認為落在該權(quán)利要求的范圍內(nèi)的元件的系統(tǒng)，設(shè)備，物品，組合物，制劑或方法。此外，在下面的權(quán)利要求中，術(shù)語“第一”，“第二”和“第三”等僅僅是用作標記，并不旨在對它們的對象施加數(shù)字要求。

本文中所描述的方法實施例可以實施的計算機至少部分機器或。一些實施例可以包括計算機可讀介質(zhì)或具有可操作以配置電子裝置如在上述實施例中所述來執(zhí)行方法的指令編碼的機器可讀介質(zhì)。這樣的方法可以包括代碼，例如微代碼，匯編語言代碼，高級語言代碼，或類似的實現(xiàn)。用于進行各種方法、模式可形成計算機程序產(chǎn)品的部分，例如代碼可以包括計算機可讀指令。此外，在一個例子中，代碼可以被有形地執(zhí)行期間或在其它時間存儲在一個或多個易失性，非短暫性或非易失性有形計算機可讀介質(zhì)，例如。這些有形計算機可讀介質(zhì)可以包括，例如，但不限于，硬盤，可移動磁盤，可移動光盤(例如致密盤和數(shù)字視頻盤)，磁帶盒，存儲卡或棒，隨機存取存儲器(RAM)，只讀存儲器(ROM)等。

上面的描述旨在是說明性的，而不是限制性的。例如，上述實施例(或其一個或多個方面)可以組合使用彼此。其他實施方案中，可以使用例如通過在回顧以上中文。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員中的一個被提供以符合37C.F.R.§1.72(b)中，以允許讀者快速地確定技術(shù)公開的本質(zhì)。它與它不會被用來解釋或限制權(quán)利要求的范圍或含義的理解提交的。另外，在上述的詳細說明中，各種特征可以被分組在一起以精簡本公開。這不應(yīng)該被解釋為意圖使該一個無人認領(lǐng)的公開特征對任何權(quán)利要求的關(guān)鍵。相反，本發(fā)明的主題可以在于少于特定公開的實施方案的所有特征。因此，下面的權(quán)利要求被結(jié)合到詳細描述中作為實例或?qū)嵤├?，每個權(quán)利要求獨立地作為單獨的實施方案，并且可以預(yù)期的是這樣的實施例可以以各種組合或各種范圍。彼此結(jié)合本發(fā)明應(yīng)當參考所附的權(quán)利要求來確定的等價物的完整范圍給這些權(quán)利要求有權(quán)沿。