本申請要求于2015年10月26日提交的韓國專利申請第10-2015-0148681號以及于2015年6月30日提交的韓國專利申請第10-2015-0093689號的優(yōu)先權(quán)，其通過引用合并到本文中如同在本文中完全闡述一樣以用于所有目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示圖像的有機發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

近來作為顯示裝置引起注意的有機發(fā)光顯示裝置使用自發(fā)光有機發(fā)光二極管(OLED)。因此，有機發(fā)光顯示裝置具有高響應(yīng)速度、高發(fā)光效率、高亮度和寬視角的優(yōu)點。

在有機發(fā)光顯示裝置中，包括OLED的像素以矩陣形式排列，并且響應(yīng)于掃描信號選擇的像素的亮度根據(jù)數(shù)據(jù)的灰度來控制。

有機發(fā)光顯示裝置中的每個像素具有其中設(shè)置有OLED和用于驅(qū)動OLED的驅(qū)動電路的像素結(jié)構(gòu)。

為了制造其中限定有多個具有所述像素結(jié)構(gòu)的像素的顯示面板，需要實施許多工藝。在這些工藝期間，像素中會生成工藝誘發(fā)的(一種或多種)外來物質(zhì)。在該情況下，像素會變成被看作為亮點或暗點的有缺陷像素。

這樣的像素缺陷會導(dǎo)致圖像質(zhì)量的嚴(yán)重劣化。在嚴(yán)重的情況下，顯示面板自身需要廢棄。

因此，極其需要有效修復(fù)像素缺陷的方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本示例性實施方案的一個方面提供一種包括能夠修復(fù)像素缺陷的修復(fù)結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光顯示裝置，并且還提供了一種其中像素缺陷被修復(fù)的有機發(fā)光顯示裝置。

本示例性實施方案的一個方面提供一種如下有機發(fā)光顯示裝置：其中在修復(fù)工藝期間熱損傷不擴展至有機層，并且因此，可以抑制在修復(fù)工藝期間由熱損傷導(dǎo)致的相鄰像素的不發(fā)光或接合。

本示例性實施方案的一個方面提供一種如下有機發(fā)光顯示裝置：可以對該有機發(fā)光顯示裝置實施上述的修復(fù)工藝，即使應(yīng)用黑色堤部也是如此。

根據(jù)本公開的一個方面，提供一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：通過開口區(qū)域限定發(fā)光區(qū)域的堤部；設(shè)置在堤部上的結(jié)構(gòu)部；設(shè)置在堤部的發(fā)光區(qū)域中的第一電極；設(shè)置在堤部、結(jié)構(gòu)部和第一電極上的有機層；以及設(shè)置在有機層上的第二電極。

根據(jù)本公開的另一個方面，提供一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：絕緣層；堤部，其設(shè)置在絕緣層上并且配置為通過開口區(qū)域限定發(fā)光區(qū)域；設(shè)置在絕緣層上的結(jié)構(gòu)部；設(shè)置在堤部的發(fā)光區(qū)域中的第一電極；設(shè)置在堤部、結(jié)構(gòu)部和第一電極上的有機層；以及設(shè)置在有機層上的第二電極。

在文本中，設(shè)置在結(jié)構(gòu)部上的有機層與其他有機層分離。

根據(jù)本公開，可以提供包括能夠修復(fù)像素缺陷的修復(fù)結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光顯示裝置，并且還可以提供其中像素缺陷被修復(fù)的有機發(fā)光顯示裝置。

此外，根據(jù)本公開，可以提供如下有機發(fā)光顯示裝置：其中在修復(fù)工藝期間熱損傷不擴展至有機層，并且因此，可以抑制在修復(fù)工藝期間由熱損傷導(dǎo)致的相鄰像素的不發(fā)光或接合。

根據(jù)本公開，可以提供如下有機發(fā)光顯示裝置：可以對該有機發(fā)光顯示裝置實施上述的修復(fù)工藝，即使應(yīng)用黑色堤部也是如此。

附圖說明

結(jié)合附圖根據(jù)下面的詳細描述將更清楚地理解本公開的上述及其他方面、特征和其他優(yōu)點，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)一個示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的示意性系統(tǒng)的圖。

圖2A是根據(jù)一個示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。

圖2B是示出根據(jù)示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的基本像素結(jié)構(gòu)的圖。

圖3是示出根據(jù)示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的兩種類型的像素缺陷的圖。

圖4是提供為說明根據(jù)示例性實施方案的用于有機發(fā)光顯示裝置100的每種類型的像素缺陷的修復(fù)方法的概念圖。

圖5A是包括修復(fù)結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖。

圖5B是在修復(fù)工藝之后包括修復(fù)結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光顯示裝置100的平面圖。

圖6A和圖6B是包括圖5A中所示的修復(fù)結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光顯示裝置100的截面圖。

圖7A是根據(jù)另一示例性實施方案的并且包括圖5A中所示的第一像素P1的像素區(qū)域PA 1和第二像素P2的像素區(qū)域PA 2的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖。圖7B和圖7C是圖7A中所示的第一連接圖案和結(jié)構(gòu)的放大平面圖。

圖8A和圖8B是作為一個實例在激光切割之前和之后沿圖7A的線AA'截取的截面圖。

圖9是示出對圖8A中所示的切割點的激光處理的工藝的圖。

圖10是根據(jù)一個比較例的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。

圖11A和圖11B是提供為說明根據(jù)圖10中所示的比較例的有機發(fā)光顯示裝置的有機層中的熱損傷擴展現(xiàn)象。

圖11C是示出根據(jù)一個比較例的有機發(fā)光顯示裝置中由熱損傷引起的相鄰像素的不發(fā)光的圖。

圖12是根據(jù)又一示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖。

圖13A和圖13B是作為一個實例在激光切割之前和之后沿圖12的線BB'截取的截面圖。

圖14是示出對圖13中所示的切割點的激光處理的工藝的圖。

圖15A和圖15B是在焊接之前和之后根據(jù)又一示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的焊接點WP的截面圖。

圖16A和圖16B是在焊接之前和之后根據(jù)又一示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的焊接點WP的截面圖。

圖17A和圖17B是作為另一實例在激光切割之前和之后沿圖7A的線AA'截取的截面圖。

圖18A和圖18B是作為另一實例在激光切割之前和之后沿圖12的線BB'截取的截面圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖詳細描述本公開的一些實施方案。當(dāng)附圖標(biāo)記指示每個附圖的部件時，雖然在不同的附圖中示出相同的部件，但是相同的部件盡可能通過相同的附圖標(biāo)記來指示。此外，如果認(rèn)為相關(guān)已知配置或功能的描述會模糊本公開的要點，則將省略其描述。

此外，在描述本公開的部件時，可以使用術(shù)語如第一、第二、A、B、(a)、(b)等。這些術(shù)語用于區(qū)分一個部件與另一部件。然而，部件的性質(zhì)、順序、序列或數(shù)目不受限于術(shù)語。如果描述部件“連接”或“耦接”至另一部件，應(yīng)理解，該部件直接連接或耦接至其他部件，但是可以在這些部件之間插入部件，或者這些部件可以通過另一部件“連接”或“耦接”。

圖1是示出根據(jù)一個示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的示意性系統(tǒng)的圖。

參照圖1，根據(jù)一個示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置100包括顯示面板110，顯示面板110包括設(shè)置在沿一個方向形成的多個數(shù)據(jù)線DL1至DLm與沿另一方向形成并且與多個數(shù)據(jù)線DL1至DLm交叉的多個柵極線GL1至GLn之間的交叉部處的多個像素P。此外，有機發(fā)光顯示裝置100包括：數(shù)據(jù)驅(qū)動器120，其配置為通過多個數(shù)據(jù)線DL1至DLm提供數(shù)據(jù)電壓；柵極驅(qū)動器130，其配置為通過多個柵極線GL1至GLn提供掃描信號；以及定時控制器140，其配置為控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器120和柵極驅(qū)動器130的操作定時。

在設(shè)置于顯示面板110上的每個像素P中，設(shè)置有機發(fā)光二極管(OLED)和用于驅(qū)動OLED的驅(qū)動電路DRC。

設(shè)置在每個像素中的驅(qū)動電路DRC主要包括：驅(qū)動晶體管DT，其配置為向OLED提供電流；開關(guān)晶體管，其配置為向驅(qū)動晶體管DT的柵極節(jié)點施加數(shù)據(jù)電壓；以及存儲電容器，其配置為在一個幀周期期間保持?jǐn)?shù)據(jù)電壓。驅(qū)動電路DRC還可以包括配置為向驅(qū)動晶體管DT的源極節(jié)點(或漏極節(jié)點)施加參考電壓Vref的感測晶體管。

定時控制器140控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器120和柵極驅(qū)動器130的操作定時，并且輸出用于控制操作定時的各種控制信號。

圖2A是根據(jù)一個示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。

參照圖2A，根據(jù)一個示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置100可以是沿與基板210相反的方向放出從有機發(fā)光二極管220發(fā)射的光的頂部發(fā)光有機發(fā)光顯示裝置。

根據(jù)一個示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置100包括在基板210上的每個像素區(qū)域中發(fā)光的有機發(fā)光二極管(OLED)220。OLED 220可以包括第一電極222、第二電極226、以及在發(fā)光區(qū)域中設(shè)置在第一電極222與第二電極226之間的有機層224。OLED 220可以發(fā)射相同顏色例如白色(W)的光。在本文中，為了實現(xiàn)顏色，有機發(fā)光顯示裝置100可以包括在光向外部放出的方向上的濾色器。例如，在頂部發(fā)光有機發(fā)光顯示裝置中，濾色器可以設(shè)置在OLED 220上。

此外，OLED 220的有機層224可以包括第一至第三有機發(fā)光層。第一有機發(fā)光層可以發(fā)射藍色(B)光，第二有機發(fā)光層可以發(fā)射綠色(G)光或黃綠色光中任一種，第三有機發(fā)光層可以發(fā)射紅色(R)光和藍色(B)光兩者。

有機發(fā)光顯示裝置100可以包括密封OLED 220的封裝層240。封裝層240可以保護OLED 220免受來自外部的水分、空氣、震動等的影響。

圖2B是示出根據(jù)示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置100的基本像素結(jié)構(gòu)的圖。

參照圖2B，根據(jù)示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置100的顯示面板110中限定的每個像素P中的像素區(qū)域PA可以包括：發(fā)光區(qū)域EA(光通過該發(fā)光區(qū)域EA從OLED發(fā)出)和電路區(qū)域CA(用于驅(qū)動OLED的驅(qū)動電路DRC設(shè)置在該電路區(qū)域CA處)。電路區(qū)域CA還可以稱為非發(fā)光區(qū)域。

在發(fā)光區(qū)域EA中，設(shè)置有包括OLED的發(fā)光單元。在電路區(qū)域CA中，設(shè)置有包括用于驅(qū)動OLED的驅(qū)動電路DRC的電路單元。

同時，圖2B示出作為單獨區(qū)域的發(fā)光區(qū)域EA和電路區(qū)域CA。然而，這樣的圖示僅提供用于方便說明。在一些情況下，發(fā)光區(qū)域EA和電路區(qū)域CA可以彼此交疊。例如，在參照圖2A的頂部發(fā)光有機發(fā)光顯示裝置中，電路單元設(shè)置在發(fā)光單元下，使得發(fā)光區(qū)域EA和電路區(qū)域CA可以彼此交疊。

如上所述，例如，設(shè)置在每個電路區(qū)域CA中的驅(qū)動電路DRC主要包括：驅(qū)動晶體管DT，其配置為向OLED提供電流；開關(guān)晶體管(在下文中稱為“第二晶體管T2”)，其配置為向驅(qū)動晶體管DT的柵極節(jié)點施加數(shù)據(jù)電壓；以及存儲電容器Cstg，其配置為在一個幀周期期間保持?jǐn)?shù)據(jù)電壓。驅(qū)動電路DRC還可以包括感測晶體管(在下文中稱為“第一晶體管T1”)，其被配置為向驅(qū)動晶體管DT的源極節(jié)點(或漏極節(jié)點)施加參考電壓Vref。

即，設(shè)置在每個電路區(qū)域CA中的驅(qū)動電路DRC可以包括3T1C像素結(jié)構(gòu)(包括三個晶體管DT、T1和T2以及一個電容器Cstg)。

圖3是示出根據(jù)示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的兩種類型的像素缺陷的圖。

如上所述，在每個像素區(qū)域PA的電路區(qū)域CA中，形成有晶體管DT、T1和T2以及電容器Cstg。因此，制造工藝變得復(fù)雜。因此，如圖3A中所示，在電路區(qū)域CA中可能存在缺陷。同時，如圖3B中所示，在每個像素區(qū)域PA的發(fā)光區(qū)域EA中也可能存在缺陷。

電路區(qū)域CA和發(fā)光區(qū)域EA中的這種缺陷是導(dǎo)致相應(yīng)像素增亮或變暗的主要因素。因此，像素變成有缺陷的像素。

圖4是提供為說明根據(jù)示例性實施方案的用于有機發(fā)光顯示裝置100的每種類型的像素缺陷的修復(fù)方法的概念圖。

參照圖4A，在第一像素P1和第二像素P2(其為設(shè)置在顯示面板110上的多個像素中的兩個像素)中，分別設(shè)置有機發(fā)光二極管OLED 1和OLED 2、以及驅(qū)動電路DRC 1和DRC 2。

在圖4A中，示出為連接至第一像素P1的有機發(fā)光二極管OLED 1的一個晶體管不僅表示第一像素P1的驅(qū)動晶體管DT，而且表示第一像素P1的驅(qū)動電路DRC 1。

此外，第一像素P1和第二像素P2可以是相同顏色的像素，或者可以在一些情況下為不同顏色的像素。

參照圖4A，如果在第二像素P2中的驅(qū)動電路DRC 2的電路單元中存在缺陷，則電路單元缺陷的修復(fù)可以包括：“斷開工藝(例如切割工藝)”，其使出現(xiàn)電路單元缺陷的第二像素P2的驅(qū)動電路DRC 2與有機發(fā)光二極管OLED 2電斷開；以及“連接工藝(例如焊接工藝)”，其使第一像素P1的有機發(fā)光二極管OLED 1電連接至第二像素P2的有機發(fā)光二極管OLED 2，以便將來自第一像素P1的驅(qū)動電路DRC 1的電流提供給第二像素P2的有機發(fā)光二極管OLED 2。

因此，從第一像素P1的驅(qū)動電路DRC 1輸出的電流I1分至第一像素P1的有機發(fā)光二極管OLED 1和第二像素P2的有機發(fā)光二極管OLED 2，并且以并聯(lián)方式提供(I1＝Ioled1+Ioled2)。即，第一像素P1的有機發(fā)光二極管OLED 1和第二像素P2的有機發(fā)光二極管OLED 2共享第一像素P1的驅(qū)動電路DRC 1。

參照圖4B，如果任一像素P的有機發(fā)光二極管OLED中存在發(fā)光單元缺陷，則發(fā)光單元缺陷的修復(fù)可以包括如下“切割工藝”：從具有發(fā)光單元缺陷的有機發(fā)光二極管OLED的第一電極(例如陽極或陰極)切割發(fā)光單元的由于工藝誘導(dǎo)的外來物質(zhì)導(dǎo)致存在缺陷的部分。

當(dāng)修復(fù)發(fā)光單元缺陷時，相應(yīng)像素P的像素區(qū)域PA中的發(fā)光區(qū)域EA會減小，這可以導(dǎo)致相應(yīng)像素P的亮度的降低。然而，這種亮度的降低可以通過修改提供至相應(yīng)像素P的數(shù)據(jù)電壓來內(nèi)部或外部補償。因此，可以補償亮度的降低。

如上所述，在修復(fù)像素缺陷(電路單元缺陷、發(fā)光單元缺陷)的情況下，使用例如切割工藝和焊接工藝。

因此，為了在沒有損傷相鄰電路等的情況下對像素缺陷精確并且容易實施修復(fù)工藝(切割工藝、焊接工藝)，需要小心地確定切割工藝的位置和焊接工藝的位置。

在修復(fù)電路單元缺陷的情況下，切割工藝的位置為用于使其中存在電路單元缺陷的相應(yīng)像素的驅(qū)動電路與有機發(fā)光二極管電斷開的位置。在修復(fù)發(fā)光單元缺陷的情況下，切割工藝的位置為用于將其中存在發(fā)光單元缺陷的區(qū)域或點與相應(yīng)像素的有機發(fā)光二極管的第一電極切割的位置。在下面，切割工藝的位置將描述為切割點CP。

焊接工藝的位置為如下位置：將其中存在電路單元缺陷的相應(yīng)像素的有機發(fā)光二極管的第一電極連接至并聯(lián)的另一像素的有機發(fā)光二極管的第一電極，以便其中存在電路單元缺陷的相應(yīng)像素的有機發(fā)光二極管與所述另一像素的有機發(fā)光二極管共享從所述另一像素的驅(qū)動電路輸出的電流。在下面，焊接工藝的位置將描述為焊接點WP。

切割點CP和焊接點WP可以根據(jù)像素的結(jié)構(gòu)和排列改變位置或數(shù)目。除了上述的位置之外，切割點CP可以是用于對從其中存在像素缺陷的像素的驅(qū)動電路至有機發(fā)光二極管的電流供應(yīng)進行抑制的任意點。

除了所示例性的位置之外，焊接點WP可以是用于將其中存在電路單元缺陷的像素的有機發(fā)光二極管的第一電極連接至其中不存在電路單元缺陷的像素的有機發(fā)光二極管的第一電極的任意點?？梢栽陲@示面板110的每個焊接點WP處形成特定圖案。

在顯示面板110的每個焊接點WP處形成的特定圖案稱為浮置圖案。浮置圖案將兩個像素中的有機發(fā)光二極管的第一電極保持為電斷開狀態(tài)。為了如此，浮置圖案可以與兩個像素中的有機發(fā)光二極管的第一電極中至少之一絕緣。

同時，浮置圖案可以通過焊接工藝如激光焊接來焊接，并且然后，可以形成用于電連接兩個像素中的有機發(fā)光二極管的第一電極的“連接圖案”。

圖5A是包括修復(fù)結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖。

參照圖5A，在包括修復(fù)結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光顯示裝置100的顯示面板110中，作為多個像素中的兩個像素的第一像素P1和第二像素P2的發(fā)光區(qū)域可以設(shè)置成彼此相鄰。即，第一像素P1的有機發(fā)光二極管OLED 1和第二像素P2的有機發(fā)光二極管OLED 2可以設(shè)置成彼此相鄰。

在修復(fù)工藝期間待焊接的浮置圖案300在焊接點WP處形成。

此外，浮置圖案300可以形成為在第一像素P1的像素區(qū)域PA 1與第二像素P2的像素區(qū)域PA 2之間的邊界周圍與第一像素P1的像素區(qū)域PA 1和第二像素P2的像素區(qū)域PA 2交疊。

即，對于像素排列類型，用于修復(fù)電路單元缺陷的焊接點WP可以與第一像素P1的像素區(qū)域PA 1中的發(fā)光區(qū)域EA 1和第二像素P2的像素區(qū)域PA 2的發(fā)光區(qū)域EA 2交疊。

在第一像素P1和第二像素P2中的每一個中，可以存在驅(qū)動電路中存在電路單元缺陷時用于使有機發(fā)光二極管與驅(qū)動電路之間的電路斷開的切割點CP1和CP2。

從電路的角度，在修復(fù)第一像素P1中的電路單元缺陷的情況下，切割點CP1可以位于從第一像素P1的驅(qū)動電路DRC 1至有機發(fā)光二極管OLED 1的電流供應(yīng)路徑上的任意點處。此外，在修復(fù)第二像素P2中的電路單元缺陷的情況下，切割點CP2可以位于從第二像素P2的驅(qū)動電路DRC 2至有機發(fā)光二極管OLED 2的電流供應(yīng)路徑上的任意點處。

圖5B是在修復(fù)工藝之后包括修復(fù)結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光顯示裝置100的平面圖。

參照圖5B，如果在第二像素P2的驅(qū)動電路DRC 2中存在電路單元缺陷，則第二像素P2的有機發(fā)光二極管OLED 2通過切割工藝與驅(qū)動電路DRC 2斷開，以修復(fù)第二像素P2中的電路單元缺陷。

其中實施切割工藝的切割點CP2可以位于其中第二像素P2的有機發(fā)光二極管OLED 2的第一電極222延伸至電路區(qū)域CA 2的部分處。

通過在切割點CP2處實施切割工藝，其中第二像素P2的有機發(fā)光二極管OLED 2的第一電極222延伸至電路區(qū)域CA 2的部分被切割。因此，第二像素P2的有機發(fā)光二極管OLED 2與驅(qū)動電路DRC 2中的晶體管DT 2電斷開。

參照圖5B，為了以電路方式將與第二像素P2的驅(qū)動電路DRC 2斷開的第二像素P2的有機發(fā)光二極管OLED 2的第一電極222電連接至第一像素P1的有機發(fā)光二極管OLED 1的第一電極，對于在焊接點WP處形成的浮置圖案300實施焊接工藝。因此，可以定位通過焊接浮置圖案300形成的連接圖案310。

連接圖案310以電路方式將第二像素P2的有機發(fā)光二極管OLED 2的第一電極222連接至第一像素P1的有機發(fā)光二極管OLED 1的第一電極，并且因此，可以將來自第一像素P1的驅(qū)動電路DRC 1的電流提供至連接圖案310。

圖6A和圖6B是包括圖5A中所示的修復(fù)結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光顯示裝置100的截面圖。

參照圖2和圖6A，有機發(fā)光顯示裝置100包括在基板210上的每個發(fā)光區(qū)域中發(fā)射光的OLED 220。OLED 220可以包括第一電極222、第二電極226、以及在發(fā)光區(qū)域中設(shè)置在第一電極222與第二電極226之間的有機層224。有機發(fā)光顯示裝置100可以包括密封OLED 220的封裝層240。

有機發(fā)光顯示裝置100包括限定發(fā)光區(qū)域的堤部307和設(shè)置在堤部307上的結(jié)構(gòu)部305。堤部307包括限定發(fā)光區(qū)域的開口區(qū)域。通常，除了限定發(fā)光區(qū)域的開口區(qū)域之外，堤部307可以在電路區(qū)域或非發(fā)光區(qū)域中不包括開口的區(qū)域。第一電極222設(shè)置在堤部307下在堤部307的開口區(qū)域中。第一電極222通過堤部307的開口區(qū)域暴露出。有機層224設(shè)置在堤部307、結(jié)構(gòu)部305以及第一電極222上。在有機層224中，設(shè)置在結(jié)構(gòu)部305上的有機層224b和224c與另一有機層224a分離。在本文中，術(shù)語“分離”表示完全地物理分離，并且還表示在修復(fù)工藝期間由激光工藝導(dǎo)致的熱損傷不擴展至另一有機層的分離或者以相對小的厚度連接，如下所述。

結(jié)構(gòu)部305可以具有尺寸從堤部307起增大的倒錐形形狀，但是不限于此。結(jié)構(gòu)部305可以具有形成為環(huán)形形狀(例如方形環(huán)形狀)或平面形狀的平面結(jié)構(gòu)，但是不限于此。在結(jié)構(gòu)部305下，可以設(shè)置由于電路單元缺陷導(dǎo)致斷開或者由于沒有電路單元缺陷而未斷開的各種線。

在結(jié)構(gòu)部305下，與第一電極222絕緣的浮置圖案300可以設(shè)置為如圖6A中所示。另外，在結(jié)構(gòu)部305下，通過激光焊接浮置圖案300形成并且電連接至第一電極222的連接圖案310可以設(shè)置為如圖6B中所示。

浮置圖案300可以形成在柵極層、源極-漏極層或另一層上，或者可以形成在柵極層、源極-漏極層或另一層中的兩個層上。浮置圖案300可以由柵極材料、源極-漏極材料或另一材料中至少之一形成。

圖7A是根據(jù)另一示例性實施方案的并且包括圖5A中所示的第一像素P1的像素區(qū)域PA 1和第二像素P2的像素區(qū)域PA 2的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖。圖7B和圖7C是圖7A中所示的結(jié)構(gòu)和第一連接圖案的放大平面圖。

參照圖2和圖7A，在根據(jù)另一示例性實施方案彼此相鄰的有機發(fā)光顯示裝置400中，第一像素P1的像素區(qū)域PA 1和第二像素P2的像素區(qū)域PA 2彼此相鄰，并且第一像素P1的有機發(fā)光二極管OLED 1和第二像素P2的有機發(fā)光二極管OLED 2可以設(shè)置成彼此相鄰，如圖5中所示。

在第一像素P1和第二像素P2中，高電源電壓線VDDL和數(shù)據(jù)線DL沿第一方向例如縱向(圖7A中的縱向)設(shè)置，并且第一柵極線GL1和第二柵極線GL2可以沿第二方向例如橫向設(shè)置。

在層壓的結(jié)構(gòu)中，設(shè)置構(gòu)成第一像素P1和第二像素P2的每一個中的發(fā)光區(qū)域EA的存儲電容器Cstg的第一板PL1和第二板PL2。第一電極222設(shè)置在其上。第二柵極線GL2設(shè)置在第一板PL1與數(shù)據(jù)線DL之間，并且半導(dǎo)體層(或有源層AL)設(shè)置在第二柵極線GL2上，使得形成開關(guān)晶體管T2。第一柵極線GL1設(shè)置在第二板PL2與參考電壓線RVL之間，并且半導(dǎo)體層AL設(shè)置在第一柵極線GL1上，使得形成感測晶體管T1。半導(dǎo)體層AL設(shè)置在高電源電壓線VDDL與第二板PL2之間，使得形成驅(qū)動晶體管DT。

雖然在圖7A中未示出，但是有機層224和第二電極226相繼地設(shè)置在第一電極222上，如圖6A和圖6B中所示，使得第一電極222、第二電極226以及在它們之間的有機層224構(gòu)成OLED 220。

位于圖6A和圖6B中所示的切割點CP處的線可以是電連接驅(qū)動晶體管DT與OLED的第一電極222的第一連接圖案410或者位于驅(qū)動晶體管DT與向驅(qū)動晶體管DT的源極/漏極施加參考電壓的參考電壓線RVL之間的第二連接圖案420，但是不限于此。這對于采用激光對電路結(jié)構(gòu)中的第一連接圖案410和第二連接圖案420實施斷開工藝來說會是容易的。例如，如果位于切割點CP處的線為圖7B中示出的第一連接圖案410，則可以采用激光對位于如圖7C中所示的切割點CP處的第一連接圖案410實施斷開工藝。

圖8A和圖8B是作為一個實例在激光切割之前和之后沿圖7A的線AA'截取的截面圖。圖9是提供為說明對圖8A中所示的切割點的激光處理的工藝的圖。

參照圖8A，結(jié)構(gòu)部305設(shè)置在切割點CP處。結(jié)構(gòu)部305位于第一連接圖案410和堤部307上的切割點CP處。結(jié)構(gòu)部305可以具有其中上部比下部寬的倒錐形形狀，但是不限于此。結(jié)構(gòu)部305具有的平行四邊形截面，如圖8A中所示，并且可以具有形成為近似線性形狀(這可以在制造工藝期間形成)而不是完全線性形狀的倒錐形側(cè)表面。

包括堤部307和結(jié)構(gòu)部305的有機層224可以設(shè)置在顯示面板110的整個表面上。有機層224分成形成在除了結(jié)構(gòu)部305之外的任意區(qū)域上的有機層224a以及形成在結(jié)構(gòu)部305上的有機層224c。由于結(jié)構(gòu)部305具有倒錐形形狀，因此如果在沒有分離工藝的情況下有機層224形成在顯示面板110的整個表面上，則在沒有任何另外工藝的情況下有機層224可以分成兩個有機層224a和224c。

由于有機層224通過在切割點CP處的結(jié)構(gòu)部305分成兩個有機層224a和224c，因此即使從第二電極226、有機層224c和結(jié)構(gòu)部305上方朝向第一連接圖案410輻照激光，仍可以抑制通過相鄰有機層224的熱損傷擴展，如圖9中所示。如果從第一連接圖案410的方向輻照激光，如圖8B中所示，則第一連接圖案410被激光切割。

圖10是根據(jù)一個比較例的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。

參照圖10，在根據(jù)一個比較例的有機發(fā)光顯示裝置400A，如果位于切割點CP處的線為電連接驅(qū)動晶體管DT和有機發(fā)光二極管OLED的第一電極222的第一連接圖案410，則第一連接圖案410可以位于絕緣層430上。堤部307可以設(shè)置在第一連接圖案410上。有機層224、第二電極226和封裝層240可以位于堤部307上。

在該情況下，有機層224可以是在整個顯示面板上的公共層，而不是設(shè)置在根據(jù)參照圖8A和圖8B所述的另一示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置400中的兩個或更多個分離層。

在對根據(jù)一個比較例的有機發(fā)光顯示裝置400A應(yīng)用激光修復(fù)工藝的情況下，從設(shè)置在第一連接圖案410上的有機層224、第二電極226和封裝層240的方向輻照激光。在該情況下，在斷開工藝期間，熱損傷可以通過具有最低熱分解溫度的有機層224從其中輻照激光的有機層224的特定位置擴展至相鄰位置。因此，在斷開工藝期間，熱可以擴展至有機層224，使得有機層224的熱損傷區(qū)域會增大。

為了在試驗上檢驗熱損傷區(qū)域的增大，測量了在其中從設(shè)置在頂部發(fā)光有機發(fā)光顯示裝置(其中在試驗上形成了有機層224)中的第一連接圖案410上的有機層224、第二電極226和封裝層240的方向輻照激光的情況下熱損傷區(qū)域的尺寸。此外，測量了在其中從設(shè)置在頂部發(fā)光有機發(fā)光顯示裝置(其中未形成有機層224)中的第一連接圖案410上的第二電極226和封裝層240的方向輻照激光的情況下熱損傷區(qū)域的尺寸。在如圖11A中所示的前者情況下，熱損傷區(qū)域的尺寸為60μm或更大，例如，70μm。在如圖11B中所示的后者情況下，熱損傷區(qū)域的尺寸為25μm。

如上所述，如果從設(shè)置在頂部發(fā)光有機發(fā)光顯示裝置(其中形成有機層224)中的第一連接圖案410上的有機層224、第二電極226和封裝層240的方向輻照激光，則熱損傷可以擴展至相鄰像素區(qū)域，并且位于相鄰像素區(qū)域中的相鄰像素可以不發(fā)光(相鄰像素的不發(fā)光)，如圖11C中所示。

在上述的另一示例性實施方案中，結(jié)構(gòu)部305已經(jīng)描述為具有形成為在切割點CP的整個區(qū)域上的平面形狀的平面結(jié)構(gòu)。然而，結(jié)構(gòu)部305可以具有在切割點CP的部分區(qū)域上的環(huán)形形狀例如方形環(huán)形狀，如圖12至圖14中所示。

圖13A和圖13B是作為一個實例在激光切割之前和之后沿圖12的線BB'截取的截面圖。

如圖13A和圖13B中所示，環(huán)形結(jié)構(gòu)部305可以具有其中上部比下部寬的倒錐形形狀，但是不限于此。

在根據(jù)又一示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置中，有機層224分成位于結(jié)構(gòu)部305外部的有機層224a、形成在結(jié)構(gòu)部305上的有機層224b以及位于結(jié)構(gòu)部305內(nèi)部即在環(huán)形結(jié)構(gòu)部305的井305a中的有機層224d。換言之，位于環(huán)形結(jié)構(gòu)部305的井305a中的有機層224d被環(huán)形結(jié)構(gòu)部305包圍，并且在結(jié)構(gòu)上與位于結(jié)構(gòu)部305的外部的有機層224a分離。由于結(jié)構(gòu)部305具有倒錐形形狀，因此如果在沒有分離工藝的情況下有機層224形成在顯示面板110的整個表面上，則在沒有任何另外的工藝的情況下有機層224可以分成三個有機層224a、224b和224d。

由于有機層224通過在切割點CP處的結(jié)構(gòu)部305分成了三個有機層224a、224b和224d，因此即使從第二電極226、位于結(jié)構(gòu)部305的井305a中的有機層224d以及結(jié)構(gòu)部305的方向?qū)⒓す廨椪盏降谝贿B接圖案410上，結(jié)構(gòu)部305仍屏蔽熱并且抑制熱損傷擴展至位于結(jié)構(gòu)部305外部的相鄰有機層224a，如圖14中所示。如果從第一連接圖案410的方向輻照激光，如圖13B中所示，則第一連接圖案410被激光切割。

如上所述，結(jié)構(gòu)部305設(shè)置在切割點CP處。因此，當(dāng)輻照激光用于修復(fù)時，結(jié)構(gòu)部305可以抑制熱損傷擴展至相鄰有機層224a。同時，切割點CP已經(jīng)描述為第一連接圖案410，但是可以是第二連接圖案420和另一線或連接圖案。即使在該情況下，參照圖8A至圖14示出的結(jié)構(gòu)部305設(shè)置在切割點CP處。因此，當(dāng)輻照激光用于修復(fù)時，結(jié)構(gòu)部305可以抑制熱損傷擴展至相鄰有機層224a。

除切割點CP以外，在對與其他部分分離的有機層224輻照激光的情況下，激光輻照以抑制熱損傷擴展至相鄰有機層的位置可以是焊接點WP，在焊接點WP處布置了圖5A至圖6B中所示的浮置圖案300或連接圖案310。

在結(jié)構(gòu)部305下，可以設(shè)置與第一電極222絕緣的浮置圖案300或者通過激光焊接浮置圖案300形成的并且電連接至第一電極222的連接圖案310。

圖15A和圖15B是在焊接之前和之后根據(jù)又一示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的焊接點WP的截面圖。

參照圖15A，根據(jù)又一示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置500包括：位于基板210上的焊接點WP處的浮置圖案300；第一至第三絕緣層430a、430b和430c；以及輔助線222a，其部分設(shè)置在第二絕緣層430b上并且另一其他部分通過第一絕緣層430a的接觸孔430aa設(shè)置在第三絕緣層430c上。輔助線222a電連接至第一電極222。

如以上參照圖6描述的第一電極222，包括通過其暴露出第一電極222的開口區(qū)域的堤部307，設(shè)置在堤部307、結(jié)構(gòu)部305和第一電極222上的有機層224，設(shè)置在有機層224上的第二電極226，以及設(shè)置在第二電極226上的封裝層240，可以以如參照圖6描述的相同的方式被包括。

在本文中，有機層224分成形成在除了結(jié)構(gòu)部305之外的任意區(qū)域上的有機層224a以及形成在結(jié)構(gòu)部305上的有機層224c。由于結(jié)構(gòu)部305具有倒錐形形狀，因此如果在沒有分離工藝的情況下有機層224形成在顯示面板110的整個表面上，則在沒有任何另外的工藝的情況下有機層224可以分成兩個有機層224a和224c。

在該情況下，浮置圖案300延伸至相鄰像素，并且向電連接至位于每個像素中的第一電極222的輔助線222a輻照激光，使得輔助線222a通過第三絕緣層430連接至浮置圖案300。因此，如圖15B中所示激光焊接的輔助線222a和浮置圖案300可以用作圖6中所示的連接圖案310。

在該情況下，浮置圖案300可以由在柵極層上的源極-漏極材料形成。然而，如上所述，浮置圖案300可以位于柵極層或者源極-漏極層上，或者可以位于柵極層和源極-漏極層兩者上。浮置圖案300可以由柵極材料、源極-漏極材料或另一材料中的至少之一形成。

由于有機層224通過在焊接點WP處的結(jié)構(gòu)部305分成兩個有機層224a和224c，因此即使從第二電極226、有機層224c和結(jié)構(gòu)部305上方朝向輔助線222a和浮置圖案300輻照激光，仍可以抑制通過相鄰有機層224的熱損傷的擴展，如圖15B中所示。

圖16A和圖16B是在焊接之前和之后根據(jù)又一示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的焊接點WP的截面圖。

在上述的又一示例性實施方案中，具有形成為平面形狀的平面結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)部305已經(jīng)描述為設(shè)置在焊接點WP的整個區(qū)域上。然而，結(jié)構(gòu)部305可以在焊接點WP的部分區(qū)域上具有環(huán)形形狀，如圖16A和圖16B中所示。環(huán)形結(jié)構(gòu)部305具有其中上部比下部寬的倒錐形形狀，如圖16A和圖16B中所示。

有機層224分為位于結(jié)構(gòu)部305的外部即環(huán)形結(jié)構(gòu)部305井中的有機層224a、形成在結(jié)構(gòu)部305上的有機層224b、以及位于結(jié)構(gòu)部305內(nèi)部的有機層224d。由于結(jié)構(gòu)部305具有倒錐形形狀，因此如果有機層224形成在顯示面板的整個表面上，則在沒有任何另外的工藝的情況下有機層224可以分為三個有機層224a、224b和224d。

由于有機層224通過在焊接點WP處的結(jié)構(gòu)部305分成三個有機層224a、224b和224d，因此即使從為位于結(jié)構(gòu)部305內(nèi)部的有機層224d和結(jié)構(gòu)部305的方向?qū)⒓す廨椪盏礁≈脠D案300上，結(jié)構(gòu)部305仍屏蔽熱并且抑制熱損傷擴展至位于結(jié)構(gòu)部305外部的相鄰有機層224a，如圖13中所示。

參照圖8A至圖9和圖12至圖14中的每個圖，第一連接圖案410已經(jīng)示出為在切割點CP處，并且倒錐形結(jié)構(gòu)部305已經(jīng)描述為在堤部307上。然而，如以下所述，堤部307可以是開口的，使得第一連接圖案410可以暴露于外部，并且倒錐形結(jié)構(gòu)部305可以設(shè)置在第一連接圖案410周圍或者直接設(shè)置在第一連接圖案410上。

圖17A和圖17B是作為另一實例在激光切割之前和之后沿圖7A的線AA'截取的截面圖。

參照圖17A，根據(jù)又一示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置700包括絕緣層430、位于絕緣層430上并且配置為通過開口區(qū)域限定發(fā)光區(qū)域的堤部307、位于絕緣層430上的結(jié)構(gòu)部305、位于堤部307的發(fā)光區(qū)域中的第一電極(未示出)、位于堤部307、結(jié)構(gòu)部305以及第一電極(未示出)上的有機層224、以及位于有機層224上的第二電極226。

倒錐形結(jié)構(gòu)部305設(shè)置在切割點CP處。在該情況下，結(jié)構(gòu)部305可以具有形成為平面形狀的平面結(jié)構(gòu)。堤部307包括在切割點CP處開口的開口部307a。由于堤部307開口，因此第一連接圖案410通過堤部307的開口部307a暴露于堤部307的外部。切割點CP位于電路區(qū)域中或非顯示區(qū)域中，并且在切割點CP處的堤部307包括開口部307a。結(jié)構(gòu)部305位于絕緣層430上的開口部307a處。結(jié)構(gòu)部305直接位于第一連接圖案410上。

堤部307可以是典型的透明堤部，或者可以是包含黑色材料的黑色堤部。在本文中，黑色材料可以使用任何黑色樹脂，并且可以使用由具有低介電常數(shù)的光敏有機絕緣材料形成的黑色樹脂、石墨粉末、凹版油墨、黑色噴漆和黑色瓷漆中之一。特別地，如果應(yīng)用黑色堤部，則堤部307開口并且在結(jié)構(gòu)部305下的第一連接圖案410在激光切割工藝期間可見。因此，第一連接圖案410可以被激光切割。

包括堤部307和結(jié)構(gòu)部305的有機層224可以位于顯示面板110的整個表面上。有機層224分為形成在除了結(jié)構(gòu)部305之外的任意區(qū)域上的有機層224a以及形成在結(jié)構(gòu)部305上的有機層224c。由于結(jié)構(gòu)部305具有倒錐形形狀，因此如果在沒有分離工藝的情況下有機層224形成在顯示面板110的整個表面上，則在沒有任何另外的工藝的情況下有機層224可以分成兩個有機層224a和224c。

由于有機層224通過在切割點CP處的結(jié)構(gòu)部305分成兩個有機層224a和224c，因此即使從第二電極226、有機層224c和結(jié)構(gòu)部305上方朝向第一連接圖案410輻照激光，可以抑制通過相鄰有機層224的熱損傷的擴展。如果從第一連接圖案410的方向輻照激光，如圖12B中所示，則第一連接圖案410被激光切割。因此，通過切割點CP斷開或未斷開的線例如第一連接圖案410可以位于結(jié)構(gòu)部305下。

圖18A和圖18B是作為另一實例在激光切割之前和之后沿圖12的線BB'截取的截面圖。

參照圖18A，根據(jù)又一示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置800與根據(jù)參照圖17A描述的又一示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置700基本上相同。

倒錐形環(huán)形結(jié)構(gòu)部305設(shè)置在切割點CP處。堤部307包括在切割點CP處開口的開口部307a。由于堤部307開口，因此第一連接圖案410通過堤部307的開口部307a暴露于堤部307的外部。結(jié)構(gòu)部305位于絕緣層430上的開口部307a處。環(huán)形結(jié)構(gòu)部305可以為位于第一連接圖案410周圍，或者可以直接位于第一連接圖案410上或者第一連接圖案410的一部分上以及絕緣層430的一部分上。

如上所述，堤部307可以是典型的透明堤部，或者可以是包含黑色材料的黑色堤部。如上所述，如果應(yīng)用黑色堤部，則堤部307開口并且在結(jié)構(gòu)部305下的第一連接圖案410在激光切割工藝期間可見。因此，第一連接圖案410可以被激光切割。

在根據(jù)又一示例性實施方案的有機發(fā)光顯示裝置中，有機層224分為位于結(jié)構(gòu)部305外部的有機層224a、形成在結(jié)構(gòu)部305上的有機層224b以及位于結(jié)構(gòu)部305內(nèi)部即在環(huán)形結(jié)構(gòu)部305的井305a中的有機層224d。換言之，位于環(huán)形結(jié)構(gòu)部305的井305a中的有機層224d被環(huán)形結(jié)構(gòu)部305包圍，并且結(jié)構(gòu)上與位于結(jié)構(gòu)部305的外部的有機層224a分離。由于結(jié)構(gòu)部305具有倒錐形形狀，因此如果在沒有分離工藝的情況下有機層224形成在顯示面板的整個表面上，則在沒有任何另外工藝的情況下有機層224可以分成三個有機層224a、224b和224d。

由于有機層224通過在切割點CP處的結(jié)構(gòu)部305分成三個有機層224a、224b、和224d，因此即使從第二電極226、位于結(jié)構(gòu)部305的井305a中的有機層224d以及結(jié)構(gòu)部305的方向?qū)⒓す廨椪盏降谝贿B接圖案410上，結(jié)構(gòu)部305仍屏蔽熱并且抑制熱損傷擴展至位于結(jié)構(gòu)部305外部的相鄰有機層224a。如果從第一連接圖案410的方向輻照激光，如圖18B中所示，則第一連接圖案410被激光切割。如以上參照圖17A至圖18B所述，由于堤部307開口，因此第一連接圖案410暴露于外部。此外，由于倒錐形結(jié)構(gòu)部305設(shè)置在第一連接圖案410周圍或者在切割點CP處直接設(shè)置在第一連接圖案410上，因此當(dāng)輻照激光用于修復(fù)時，結(jié)構(gòu)部305可以抑制熱損傷擴展至相鄰有機層224a。

類似地，參照圖15A至圖16B所述，堤部307是開口的，并且因此第一連接圖案410暴露于外部，并且倒錐形結(jié)構(gòu)部305設(shè)置在第一連接圖案410周圍或者在焊接點WP處直接設(shè)置在第一連接圖案410上。因此，當(dāng)輻照激光用于修復(fù)時，結(jié)構(gòu)部305可以抑制熱損傷擴展至相鄰有機層224a。換言之，在結(jié)構(gòu)部305下，可以設(shè)置與第一電極絕緣的浮置圖案或者通過激光焊接浮置圖案形成的并且電連接至第一電極的連接圖案。如上所述，浮置圖案可以位于柵極層或者源極-漏極層上，或者可以位于柵極層和源極-漏極層兩者上。浮置圖案可以由柵極材料或源極-漏極材料中的至少之一形成。

如上所述，堤部307可以是典型的透明堤部，或者可以是包含黑色材料的黑色堤部。如上所述，如果應(yīng)用黑色堤部，則堤部307開口并且在結(jié)構(gòu)部305下的第一連接圖案410在激光切割工藝期間可見。因此，第一連接圖案410可以被激光切割。

如上所述，根據(jù)本公開的示例性實施方案，可以提供包括能夠修復(fù)作為像素缺陷的一個因素的電路單元缺陷的修復(fù)結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光顯示裝置，并且還可以提供其中電路單元缺陷被修復(fù)的有機發(fā)光顯示裝置。

此外，根據(jù)本公開的示例性實施方案，可以提供如下有機發(fā)光顯示裝置：其中在修復(fù)工藝期間熱損傷不擴展至有機層，并且因此，可以抑制在修復(fù)工藝期間由熱損傷導(dǎo)致的相鄰像素的不發(fā)光或接合。

此外，根據(jù)本公開的示例性實施方案，可以提供如下有機發(fā)光顯示裝置：可以對該有機發(fā)光顯示裝置實施上述修復(fù)工藝，即使應(yīng)用黑色堤部也是如此。

以上描述和附圖僅提供為說明本公開的技術(shù)構(gòu)思，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以在不脫離本公開的范圍的情況下進行各種修改和改變?nèi)绮考慕M合、分離、替代和變更。因此，本公開的示例性實施方案僅提供用于說明的目的，并且不旨在限制本公開的技術(shù)構(gòu)思。本公開的技術(shù)構(gòu)思的范圍不限于此。因此，應(yīng)理解，上述示例性實施方案在所有方面是說明性的并且不限制本公開。本公開的范圍應(yīng)解釋為基于所附權(quán)利要求書，并且所附權(quán)利要求書的等同范圍中的所有技術(shù)構(gòu)思應(yīng)當(dāng)解釋為落入本公開的范圍內(nèi)。