本公開涉及有機發(fā)光顯示裝置，并且更具體地，涉及一種具有提高的效率或壽命的有機發(fā)光顯示裝置。
背景技術：
：隨著社會發(fā)展成為更傾向于信息導向的社會，在視覺上表達信息的顯示裝置的領域正在快速地發(fā)展。在厚度、亮度和低功率消耗方面具有優(yōu)異性能的各種顯示裝置正在相應地發(fā)展。顯示裝置的示例包括液晶顯示(LCD)裝置、等離子體顯示板(PDP)裝置、場發(fā)射顯示(FED)裝置、有機發(fā)光顯示裝置等。具體地，有機發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光裝置。與其它顯示裝置相比，有機發(fā)光顯示裝置具有快的響應時間、高的發(fā)光效率、高的亮度以及寬的視角，并因此備受關注。技術實現(xiàn)要素：因此，本公開旨在提供一種基本上消除由于現(xiàn)有技術的局限性和缺陷而導致的一個或更多個問題。有機發(fā)光顯示裝置各包括形成在兩個電極之間的有機發(fā)光層。電子和空穴被從所述兩個電極注入到有機發(fā)光層中，并且通過將所述電子和所述空穴相結合來生成激子。所述有機發(fā)光顯示裝置是基于如下原理的裝置：當所生成的激子從受激態(tài)(excitedstate)下降到基態(tài)時發(fā)出光。在頂部發(fā)光型有機發(fā)光裝置中，由于多個子像素當中的綠色子像素要求最高的亮度比，因此重要的是在配置紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素時提高綠色發(fā)光層的發(fā)光效率。因此，正在進行將發(fā)光效率比一般綠色熒光宿主材料(hostmaterial)的發(fā)光效率高的綠色磷光宿主材料應用到綠色發(fā)光層的研究。此外，制造有機發(fā)光裝置的方法包括熱蒸發(fā)工藝。所述熱蒸發(fā)工藝是這樣的工藝：通過利用精細金屬掩模選擇性地形成多個有機層來形成所述有機發(fā)光裝置所需要的每個功能層和有機發(fā)光層。在通過精細金屬掩模工藝制造的有機發(fā)光裝置當中，包括包含綠色磷光宿主材料的綠色發(fā)光層的有機發(fā)光裝置具有高的效率，但是在壽命方面比包括包含綠色熒光宿主材料的綠色發(fā)光層的一般有機發(fā)光裝置短。因此，本發(fā)明人意識到上述問題，并且已經(jīng)進行了用于提高有機發(fā)光顯示裝置的壽命的各種實驗。通過各種實驗，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)明了一種有機發(fā)光顯示裝置，其中，通過提高綠色磷光發(fā)光層中所包含的宿主的特性來提高壽命，以用于提高所述有機發(fā)光顯示裝置的壽命。本公開的一個方面旨在提供一種有機發(fā)光顯示裝置，其中，通過提高綠色磷光發(fā)光層中所包含的宿主的特性來提高效率或壽命。本公開的另一個方面旨在提供一種有機發(fā)光顯示裝置，其中，三種或更多種宿主被施加到綠色磷光發(fā)光層，并且激子限制層被設置為與綠色發(fā)光層相鄰，因此提高效率或壽命。本公開的目的不限于上述內容，而是從下面的描述中本領域技術人員將清楚地理解沒有在本文中進行描述的其它目的。本公開的另外的優(yōu)點、目的和特征將在下面的描述中部分地進行闡述，并且對于閱讀下面內容的本領域普通技術人員而言將部分地變得顯而易見，或者可以通過本公開的實踐來了解到。通過書面的說明書及其權利要求以及附圖中具體指出的結構可以實現(xiàn)和獲得本公開的目的和其它優(yōu)點。根據(jù)一個實施方式，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，該有機發(fā)光顯示裝置包括第一像素和第二像素，所述有機發(fā)光顯示裝置包括：第一電極，該第一電極位于所述第一像素和所述第二像素上；空穴傳輸層，該空穴傳輸層位于所述第一電極上；第一發(fā)光層，該第一發(fā)光層與所述第一像素相對應地位于所述空穴傳輸層上；第二發(fā)光層，該第二發(fā)光層與所述第二像素相對應地位于所述空穴傳輸層上，所述第二發(fā)光層包含混合宿主和電子型宿主；激子限制層，該激子限制層位于所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層上；以及第二電極，該第二電極位于所述激子限制層上。在另一個實施方式中，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，該有機發(fā)光顯示裝置包括位于陽極和陰極之間的至少一個空穴傳輸層、至少一個發(fā)光層以及至少一個電子傳輸層，所述有機發(fā)光顯示裝置包括激子限制層，該激子限制層位于所述至少一個發(fā)光層上，其中，所述至少一個發(fā)光層包含第一宿主和電子型宿主，并且當所述激子限制層的三重態(tài)能級(tripletenergylevel)為ECL(T1)，所述第一宿主的三重態(tài)能級為W(T1)，并且所述電子型宿主的三重態(tài)能級為E(T1)時，滿足ECL(T1)>W(T1)>E(T1)。在另一個實施方式中，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，該有機發(fā)光顯示裝置包括：空穴傳輸層，該空穴傳輸層位于陽極上；以及發(fā)光層，該發(fā)光層位于所述空穴傳輸層上，所述發(fā)光層包含空穴型宿主、電子型宿主以及三重態(tài)能級介于所述空穴型宿主的三重態(tài)能級和所述電子型宿主的三重態(tài)能級之間的第一宿主，其中，所述空穴型宿主、所述第一宿主和所述電子型宿主構成激基復合物(exciplex)。在詳細的說明書和附圖中包括實施方式的細節(jié)。應該理解的是，本公開的以上總體描述和以下詳細描述二者是示例性和解釋性的，并旨在對所要求保護的本公開提供進一步的解釋。附圖說明附圖被包括進來以提供對本公開的進一步理解，并且被并入到本申請中并構成本申請的一部分，附圖例示了本公開的實施方式，并且與說明書一起用于解釋本公開的原理。圖1是例示了根據(jù)本公開的第一實施方式、第二實施方式和第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的圖。圖2是例示了根據(jù)本公開的第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的元件的圖。圖3是示出了根據(jù)本公開的第一實施方式的能帶圖的圖。圖4是示出了根據(jù)本公開的第一實施方式的三重態(tài)能級的圖。圖5是例示根據(jù)本公開的第一實施方式的形成綠色發(fā)光層的方法的圖。圖6是例示根據(jù)本公開的第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的元件的圖。圖7是例示根據(jù)本公開的第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的元件的圖。具體實施方式現(xiàn)在將詳細地參照本公開的示例性實施方式，其示例被例示在附圖中。在任何可能的地方，相同的附圖標記在所有圖中將被用來指代相同的或相似的部件。本公開的優(yōu)點和特征及其實現(xiàn)方法將通過參照附圖所描述的以下實施方式來澄清。然而，本公開可以按照不同的形式來具體實現(xiàn)，并且不應當被解釋為限于本文中陳述的實施方式。相反，這些實施方式被提供使得本公開將是徹底且完整的，并且將把本公開的范圍充分地傳遞給本領域技術人員。此外，本公開僅由權利要求的范圍限定。用于描述本公開的實施方式的圖中公開的形狀、尺寸、比例、角度和編號僅僅是示例，并因此本公開不限于所例示的細節(jié)。相同的附圖標記在整個說明書中指代同樣的元件。在以下描述中，當相關已知功能或配置的詳細描述被確定為不必要地使本公開的要點模糊不清時，將省去該詳細描述。在使用本說明中所描述的“包含”、“具有”和“包括”的情況下，除非使用了“僅～”，否則還可以添加其它部分。除非相反地指出，否則單數(shù)形式的術語可以包括復數(shù)形式。在對元件進行解釋時，盡管沒有明確的描述，然而元件被解釋為包括誤差范圍。在描述位置關系時，例如，當將兩個部件之間的位置關系描述成“在～上”、“在～上面”、“在～下面”和“靠近～”時，除了使用“恰好”或“直接”，否則可以在兩個部件之間設置一個或更多個其它部件。在描述時間關系時，例如，當時間順序被描述為“在～之后”、“在～以后”、“在～后”和“在～之前”時，除非使用了“正好”或“恰好”，否則可以包括不是連續(xù)的情況。將理解的是，盡管術語“第一”、“第二”等在本文中可以被用來描述各種元件，然而這些元件不應受這些術語限制。這些術語僅用來將一個元件和另一元件區(qū)分開。例如，在不脫離本公開的范圍的情況下，第一元件能夠被稱為第二元件，并且類似地，第二元件能夠被稱為第一元件。本公開的各種實施方式的特征可以部分地或全部地彼此聯(lián)接或組合，并且可以彼此不同地互操作并在技術上如本領域技術人員能夠充分理解的那樣驅動。本公開的實施方式可以彼此獨立地執(zhí)行，或者可以按照相互依賴關系一起執(zhí)行。在下文中，將參照附圖詳細地描述本公開的實施方式。圖1是例示了根據(jù)本公開的第一實施方式、第二實施方式和第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的圖。參照圖1，有機發(fā)光顯示裝置1000可以包括基板100、薄膜晶體管(TFT)300、以及多個發(fā)光裝置400P1和400P2。有機發(fā)光顯示裝置1000可以包括多個像素P。像素P表示與實際發(fā)出光的最小單元對應的區(qū)域，并且可以被稱為子像素或像素區(qū)域。另外，特定的多個像素P可以構成用于實現(xiàn)白光的最小組。例如，三個像素可以構成一個組，即，紅色像素、綠色像素和藍色像素可以構成一個組。另選地，四個像素可以構成一個組，即，紅色像素、綠色像素、藍色像素和白色像素可以構成一個組。然而，本公開不限于此，并且可以進行各種像素設計。在圖1中，為了便于說明，僅例示了分別發(fā)出具有第一顏色的光L1和具有第二顏色的光L2的兩個相鄰的像素P1和P2。如圖1中所例示的，有機發(fā)光顯示裝置1000可以包括設置在多個像素中的每一個中的TFT300和多個發(fā)光裝置400P1和400P2。TFT300可以被設置在基板100上，并且可以將信號提供給多個發(fā)光裝置400P1和400P2。圖1中所例示的TFT300可以是與發(fā)光裝置400P1和400P2中的每一個的第一電極410連接的驅動TFT。像素P1和P2中的每一個還可以包括用于驅動多個發(fā)光裝置400P1和400P2的開關TFT或電容器。基板100可以由絕緣材料或者具有柔性的材料形成?；?00可以由玻璃、金屬、塑料和/或類似物形成，但是不限于此。如果有機發(fā)光顯示裝置是柔性有機發(fā)光顯示裝置，則基板100可以由諸如塑料和/或類似物這樣的柔性材料形成。另外，如果具有高的柔性的有機發(fā)光裝置被應用作為車輛的照明裝置，則能夠根據(jù)車輛的結構或外觀來確保車輛的照明裝置的各種設計和設計的自由度。TFT300包括柵極310、有源層320、源極330和漏極340。參照圖1，柵極310可以形成在基板100上，并且柵絕緣層210可以覆蓋柵極310。有源層320可以被設置在柵絕緣層210上，并且源極330和漏極340可以被設置在有源層320上以彼此間隔開。在本說明書中，彼此交疊的兩個對象可以表示在這兩個對象的垂直關系中，這兩個對象中的一個的至少一部分與這兩個對象中的另一個的至少一部分交疊，而不論另一個對象是否位于這兩個對象之間，并且這兩個對象可以被稱為其它不同的名稱。柵極310、源極330和漏極340可以各自由導電材料形成。柵極310、源極330和漏極340可以各自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)當中的一種或者其合金形成，但是不限于此。在其它實施方式中，柵極310、源極330和漏極340可以各自由不同的材料形成。有源層320可以由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、氧化物和取決于種類的有機材料形成，但是不限于此。柵絕緣層210可以由無機材料形成的單層或多層形成，并且可以由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或類似物形成。然而，該實施方式不限于此。另外，在圖1中，TFT300被例示為具有反向交錯結構，但是不限于此。在其它實施方式中，TFT300可以形成為共面結構。使源極330的一部分露出的平整層220可以被設置在TFT300上。平整層220可以由單層或多層形成，并且可以由有機材料形成。平整層220可以由聚酰亞胺、丙烯醛基和/或類似物形成，但是不限于此。還可以在平整層220和TFT300之間形成鈍化層。鈍化層可以由無機材料形成。鈍化層可以保護TFT300，并且可以與平整層220相似地使源極330的一部分露出。岸部230可以劃分像素P1和P2。另外，岸部230可以由有機材料形成，并且例如可以由聚酰亞胺和光敏性丙烯醛基形成，但是不限于此。發(fā)光裝置400P1和400P2可以被設置在平整層220上，并且可以包括第一電極410、發(fā)光部420和第二電極430。根據(jù)本公開的實施方式的有機發(fā)光顯示裝置1000可以是頂部發(fā)光型的，在這種情況下，從發(fā)光部420發(fā)出的光可以穿過第二電極430在向上方向上輸出。另外，如圖1中所例示的，有機發(fā)光顯示裝置1000的第一發(fā)光裝置400P1可以被設置在第一像素P1中，第二發(fā)光裝置400P2可以被設置在第二像素P2中。第一像素P1可以是發(fā)出具有第一顏色的光L1的像素，第二像素P2可以是發(fā)出具有第二顏色的光L2的像素。具有第一顏色的光L1和具有第二顏色的光L2可以是不同的顏色。下面將參照圖2描述設置在兩個相鄰的像素P1和P2中的每一個中的發(fā)光裝置的詳細結構。圖2是例示了根據(jù)本公開的第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置1000的元件的圖。更詳細地，圖2是用于描述分別設置在有機發(fā)光顯示裝置1000中所包含的多個像素R、G和B中的三個發(fā)光裝置的元件的截面視圖。另外，圖2例示了有機發(fā)光顯示裝置1000的元件，并且這些元件中的每一個的厚度不限制本公開的細節(jié)。有機發(fā)光顯示裝置1000可以包括多個相鄰的像素R、G和B。更詳細地，有機發(fā)光顯示裝置1000可以包括紅色像素R、綠色像素G和藍色像素B。這三個像素R、G和B可以構成用于實現(xiàn)白光的最小組。在有機發(fā)光顯示裝置1000中，這三個像素R、G和B可以被重復地布置以顯示圖像。參照圖2，紅色發(fā)光裝置可以被設置在紅色像素R中。紅色發(fā)光裝置可以包括發(fā)光部420，該發(fā)光部420包括P型空穴傳輸層(HTL)425、第一HTL421、第二HTL423R、紅色發(fā)光層(EML)424R、激子限制層(ECL)428R和電子傳輸層(ETL)426。綠色發(fā)光裝置可以被設置在綠色像素G中。綠色發(fā)光裝置可以包括發(fā)光部420，該發(fā)光部420包括P型HTL425、第一HTL421、第二HTL423G、綠色EML424R、ECL428G和ETL426。藍色發(fā)光裝置可以被設置在藍色像素B中。藍色發(fā)光裝置可以包括發(fā)光部420，該發(fā)光部420包括P型HTL425、第一HTL421、藍色EML424B、ECL428B和ETL426。第一電極410可以是向發(fā)光部420供應空穴的電極，并且可以被稱為陽極。第一電極410可以取決于TFT300的種類與漏極340連接。另外，由于根據(jù)本實施方式的有機發(fā)光顯示裝置1000是頂部發(fā)光型的，因此第一電極410可以包括反射層。例如，第一電極410可以具有透明層和反射層依次層疊的雙層結構，或者可以具有透明層、反射層和透明層依次層疊的三層結構。透明層可以由例如諸如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等這樣的透明導電氧化物(TCO)形成。反射層可以由例如銅(Cu)、銀(Ag)、鈀(Pd)和/或類似物形成。因此，第一電極410可以由金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)、Mg；LiF、Ag；Mg、ITO、IZO和/或類似物形成，或者可以由其合金形成。另選地，第一電極410可以由單層或多層形成。另外，第一電極410可以被稱為反射電極。第二電極430可以被設置在共用的多個像素R、G和B中的每一個中，并且可以是向發(fā)光部420供應電子的電極。第二電極430可以被稱為陰極或公共電極。由于從發(fā)光部420發(fā)出的光應當穿過第二電極430，因此第二電極430可以由金屬材料或透明材料形成，以具有薄的厚度，例如15nm至25nm的厚度。第二電極430可以由例如金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)、Mg；LiF、Ag；Mg、ITO、IZO和/或類似物形成，可以由作為諸如透明導電氧化物(TCO)這樣的透明導電材料的銦鎵鋅氧化物(IGZO)、IZO或者ITO形成，或者可以由其單層或多層形成。然而，該實施方式不限于此。另外，第二電極430可以被稱為半透明電極或半透射電極。覆蓋層(cappinglayer)432還可以形成在第二電極430上，以用于保護有機發(fā)光裝置?？梢匀Q于有機發(fā)光裝置的結構或特性而省去覆蓋層432。P型HTL425可以是摻雜有P型摻雜劑的HTL，并且可以增加空穴遷移率以使得從第一電極410供應的空穴能夠平穩(wěn)地注入到發(fā)光部420中。可以通過將P型摻雜劑添加到構成第一HTL421的材料中來形成P型HTL425，并因此，可以使用一件處理設備通過連續(xù)工序來形成P型HTL425和第一HTL421。第一HTL421可以被設置在像素R、G和B中的每一個中的第一電極410上。第一HTL421可以將從第一電極410注入的空穴平穩(wěn)地遞送到紅色EML424R、綠色EML424G或藍色EML424B。第一HTL421可以由N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-2,2’-二甲基聯(lián)苯胺(NPD)、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二(苯基)-聯(lián)苯胺(TPD)、2,2’,7,7’-四(N,N-二苯基氨基)-9,9-螺二芴(Spiro-TAD)以及4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(MTDATA)中的一種或更多種形成，但是不限于此。P型HTL425和第一HTL421可以各自是具有公共結構的層，并且可以各自與多個像素R、G和B相對應地延伸到第一電極410的頂部。具有公共結構的第一HTL421可以通過使用全部像素被暴露的公共掩模來形成，并且可以在全部像素R、G和B中層疊在相同結構中，而無需對多個像素R、G和B中的每一個進行構圖。也就是說，第一HTL421可以被設置為在無需被斷開的情況下將一個像素連接到相鄰像素或者從一個像素延伸到相鄰像素，并且可以橫跨多個像素被共享。P型HTL425和第一HTL421可以被稱為公共層或公共結構層。發(fā)光裝置可以被配置有基于分別設置在像素R、G和B中的EML424R、EML424G和EML424B的特性(例如，所發(fā)出的光的波長或材料)而將不同的層疊結構設置在像素R、G和B中的發(fā)光部420。更詳細地，紅色發(fā)光裝置的發(fā)光部420可以具有基于第一電極410和第二電極430之間的取決于從紅色EML424R發(fā)出的光的波長的微腔距離的結構和厚度。微腔距離是指從紅色EML424R發(fā)出的光通過在兩個電極410和430之間的反復的反射和二次反射被放大并造成相長干涉，并因此，發(fā)光效率得到提高。另外，當?shù)谝浑姌O410被配置有包括ITO、IZO等的透明層以及包括金屬材料的反射層時，從反射層的頂部到第二電極430的底部的距離可以是第一電極410和第二電極430之間的微腔距離。更詳細地，紅色發(fā)光裝置的發(fā)光部420還可以包括第一HTL421和紅色EML424R之間的第二HTL423R，以用于使第一電極410和第二電極430之間的微腔距離最佳化。第二HTL423R可以使紅色發(fā)光裝置的微腔距離最佳化，并且可以將從第一電極410注入的空穴平穩(wěn)地傳送到紅色EML424R。同樣地，綠色發(fā)光裝置的發(fā)光部420還可以包括用于使綠色發(fā)光裝置的微腔距離最佳化的第二HTL423G。微腔距離可以具有與從EML424R、EML424G和EML424B中的每一個發(fā)出的光的波長成比例的厚度。因此，如圖2中所例示的，紅色發(fā)光裝置的第二HTL423R的厚度可以被調整為比綠色發(fā)光裝置的第二HTL423G的厚度厚，因而使紅色發(fā)光裝置和綠色發(fā)光裝置的微腔距離最佳化?；诎l(fā)光裝置的設計，藍色發(fā)光裝置還可以包括用于調整微腔距離的第二HTL。藍色發(fā)光裝置的第二HTL可以具有與不比紅色發(fā)光裝置的發(fā)光部420的厚度或者綠色發(fā)光裝置的發(fā)光部420的厚度厚的范圍相對應的厚度，并因此，可以使三個發(fā)光裝置中的每一個的微腔距離最佳化。第二HTL423R和第二HTL423G可以使三個發(fā)光裝置的微腔距離最佳化，此外還可以將從發(fā)光裝置的第一電極410注入的空穴平穩(wěn)地傳送到EML424R、EML424G和EML424B。第二HTL423R和第二HTL423G可以各自由例如N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二(苯基)-聯(lián)苯胺(TPD)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-聯(lián)苯胺(NPB)和/或類似物形成，但是不限于此。第二HTL423R和第二HTL423G可以各自被稱為構圖層或者構圖結構層。然而，取決于發(fā)光裝置的設計，可以不設置第二HTL423R和第二HTL423G。還可以在第二HTL423R和423G與EML424R和424G之間以及在第一HTL421與EML424B之間形成電子阻擋層(EBL)。EBL防止電子被傳送到第一HTL421以使得空穴和電子在EML424R、EML424G和EML424B中平穩(wěn)地重新組合，因而提高有機發(fā)光顯示裝置的發(fā)光效率。ETL426可以將從第二電極430注入的電子平穩(wěn)地傳送到EML424R、EML424G和EML424B。ETL426可以是具有公共結構的層，并且可以延伸到EML424R、EML424G和EML424B中的每一個的頂部。ETL426可以由例如三(8-羥基-喹啉)鋁(Alq3)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、二(2-甲基-8-羥基-喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁(BAlq)、8-羥基喹啉-鋰(Liq)以及2,2’,2”-(1,3,5-苯三酚)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(TPBi)中的一種或更多種形成，但是不限于此。還可以在ETL426上形成電子注入層(EIL)。EIL可以由例如三(8-羥基-喹啉)鋁(Alq3)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、二(2-甲基-8-羥基-喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁(BAlq)中的一種形成，但是不限于此。根據(jù)本公開的第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置1000的發(fā)光裝置可以具有構圖發(fā)光層結構。更詳細地，設置在第一HTL421和第二電極430之間的EML424R、EML424G和EML424B可以具有分別設置在像素R、G和B中的構圖結構。與紅色像素R對應的紅色EML424R、與綠色像素G對應的綠色EML424G和與藍色像素B對應的藍色EML424B可以是發(fā)出不同顏色的光的EML，并且可以具有分別設置在像素R、G和B中的結構。EML424R、EML424G和EML424B中的每一個可以通過使用對每個像素被暴露的掩模(例如，精細金屬掩模(FMM))來進行圖案沉積。紅色像素R的紅色EML424R可以是發(fā)出紅光的層，并且可以由具有在約600nm至650nm的范圍內的峰值波長的材料形成。紅色EML424R可以包含一種或更多種宿主材料，并且所述一種或更多種宿主材料的示例可以包括4,4’-二(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(MCP)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-2,2’-二甲基聯(lián)苯胺(NPD)、鈹配合物等，但是不限于此。另外，構成紅色EML424R的摻雜劑可以包括磷光摻雜劑，并且所述磷光摻雜劑的示例可以包括二(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮(銥(III)(Ir(btp)2(acac))、二(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)銥(III)(Ir(piq)2(acac))、三(1-苯基喹啉)銥(III)(Ir(piq)3)、5,10,15,20-四苯基四苯并卟啉鉑配合物(Pt(TPBP))等，但是不限于此。另外，構成紅色EML424R的摻雜劑可以包括熒光摻雜劑，并且所述熒光摻雜劑的示例可以包括二萘嵌苯等，但是不限于此。構成紅色EML424R的宿主或摻雜劑的材料不限制本公開的細節(jié)。藍色像素B的藍色EML424B可以是發(fā)出紅光的層，并且可以由具有在約440nm到480nm的范圍內的峰值波長的材料形成。藍色EML424B可以包含一種或更多種宿主材料，并且所述一種或更多種宿主材料的示例可以包括4,4’-二(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(MCP)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、蒽衍生物等，但是限于此。另外，構成藍色EML424B的摻雜劑可以是包括摻雜劑材料的磷光摻雜劑，并且所述磷光摻雜劑的示例可以包括二(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)銥(III)(FIrPic)等，但是不限于此。另外，構成藍色EML424B的摻雜劑可以是熒光摻雜劑，并且所述熒光摻雜劑的示例可以包括聚芴(PFO)類聚合物、聚苯撐乙烯(PPV)的聚合物、芘衍生物等，但是不限于此。構成藍色EML424B的宿主或摻雜劑的材料不限制本公開的細節(jié)。綠色像素G的綠色EML424G可以是發(fā)出綠光的層，并且可以由具有在約510nm到590nm的范圍內的峰值波長的材料形成。此外，綠色EML424G可以包括至少三種宿主和至少一種摻雜劑。所述至少三種宿主可以包括空穴型宿主424G-H、第一宿主424G-W和電子型宿主424G-E?？昭ㄐ退拗?24G-H、第一宿主424G-W和電子型宿主424G-E可以各自是磷光宿主?？昭ㄐ退拗?24G-H可以包括4,4’-二(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-聯(lián)苯胺(NPB)等中的一種，但是不限于此。第一宿主424G-W可以包括1,3-二(咔唑-9-基)苯(MCP)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-2,2’-二甲基聯(lián)苯胺(NPD)、配合物、蒽衍生物等中的一種，但是不限于此。電子型宿主424G-E可以包括2,2’,2”-(1,3,5-苯三酚)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(TPBi)、4,6-二(3,5-二(吡啶-3-基)苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、1,3-二[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(BmPyPhB)、聚(對亞苯基亞乙烯基)(PPV)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁氧化物(BAlq)等中的一種，但是不限于此。另外，綠色EML424G中包含的摻雜劑424G-D可以包括磷光摻雜劑，并且所述磷光摻雜劑的示例可以包括三(2-苯基吡啶)銥(III)(Ir(ppy)3)、二(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)銥(III)(Ir(ppy)2(acac))、三[2-(對甲苯基基)吡啶]銥(III)(Ir(mppy)3)、N,N’-二甲基喹吖啶酮(DEQ)、2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑)喹[9,9a,1gh]香豆素(C545T)等，但是不限于此。當綠色EML424G中包含的摻雜劑的摻雜濃度增加時，摻雜劑可以用作綠色EML424G中的陷阱部位(trapsite)，為此，當綠色EML424G發(fā)光時，效率被降低。因此，綠色EML424G中包含的磷光摻雜劑可以按照在3％到20％的范圍內的濃度進行摻雜，并且例如可以按照在5％到10％的范圍內的濃度進行摻雜。另外，基于隨著綠色EML424G的厚度變厚而增加的驅動電壓和發(fā)光裝置的光學距離，綠色EML424G的厚度可以被調整為在20nm到50nm的范圍內?？梢詫⒍鄠€ECL428R、ECL428G和ECL428B分別被設置為與EML424R、EML424G和EML424B相鄰。ECL428R、ECL428G和ECL428B可以限制綠色EML424G的激子，因而提高發(fā)光效率。另外，ECL428R、ECL428G和ECL428B可以各自由三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁(BAlq)、8-羥基喹啉-鋰(Liq)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、2-甲基-9,10-二(萘-2-基)蒽(MADN)、2,5-二-(2,2-聯(lián)吡啶-6-基)-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯噻咯(PyPySPyPy)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三酚)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(TPBi)中的一種或更多種形成，但是不限于此。下面將參照圖3描述第二HTL423G、綠色EML424G、ECL428G和ETL426中的每一個的能帶圖。圖3是示出了根據(jù)本公開的第一實施方式的能帶圖的圖。在圖3中，h+指示空穴，e-指示電子。參照圖3，根據(jù)本公開的第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置1000的綠色EML424G可以包含混合宿主和電子型宿主。所述混合宿主可以通過將空穴型宿主424G-H和第一宿主424G-W進行混合而產(chǎn)生。綠色EML424G可以包括受激態(tài)復合物(激基復合物)，該激基復合物(激基復合物)包含混合宿主和電子型宿主。激光復合體可以表示在具有受激態(tài)的原子-分子和具有基態(tài)的原子-分子之間形成的二聚體或分子復合物。詳細地，激基復合物可以基于EML中的多種不同的有機材料的不同能量值來生成，并且可以基于與所述不同的能量值之間的差對應的能量來發(fā)出光。通常，在將激基復合物施加到EML的情況下，所發(fā)出的光的顏色可以進行調整，但是發(fā)光效率被顯著降低。因此，要意識到的是，激基復合物的使用不適于獲得高效的發(fā)光裝置。然而，，發(fā)明人已經(jīng)意識到在使用激發(fā)光復合體作為能量傳遞介質的情況下將進一步提高發(fā)光效率。因此，通過調整磷光EML中包含的多種宿主材料的三重態(tài)能級，通過由激基復合物造成的光的發(fā)射來進一步提高發(fā)光效率。當通過從激基復合物(能量傳遞介質)傳送到EML的摻雜劑的能量來發(fā)出光時，發(fā)光效率被進一步提高。為了使得空穴被容易地注入到綠色EML424G中，空穴型宿主424G-H、第一宿主424G-W和電子型宿主424G-E中的每一個的最高占有分子軌道(HOMO)能級可以具有第二HTL423G的HOMO能級和ETL426的HOMO能級之間的能級。也就是說，為了使得空穴被注入到綠色EML424G中，空穴型宿主424G-H可以被設置成與第一HTL421或者第二HTL423G相鄰。為了使電子被容易地注入到綠色EML424G中，空穴型宿主424G-H的最低未占有分子軌道(LUMO)能級可以具有與第二HTL423G的LUMO能級相似的能級。第一宿主424G-W的LUMO能級可以具有介于空穴型宿主424G-H的LUMO能級和電子型宿主424G-E的LUMO能級之間的能級，并且第一宿主424G-W的HOMO能級可以具有與電子型宿主424G-E的HOMO能級相似的能級，由此第一宿主424G-W可以被配置為具有所述三種宿主當中最寬的能帶隙。因此，第一宿主424G-W的能帶隙可以具有比空穴型宿主424G-H的能帶隙和電子型宿主424G-E的能帶隙寬的能帶隙。因此，第一宿主424G-W可以被稱為寬能帶隙宿主。第一宿主424G-W的能帶隙可以在3.0eV至3.5eV的范圍內。能帶隙表示HOMO能級和LUMO能級之差。在圖3中，已經(jīng)作為示例在上面描述了將第二HTL423G設置在發(fā)光部420中的情況，但是取決于有機發(fā)光顯示裝置1000的結構或特性可以不設置第二HTL423G。在這種情況下，第一HTL421的HOMO能級和LUMO能級可以等同地被施加到第二HTL423G的上述HOMO能級和LUMO能級。因此，第一HTL421和第二HTL423G可以各自被稱為HTL。下面將參照圖4描述第二HTL423G、綠色EML424G、ECL428G和ETL426中的每一個的三重態(tài)能級。圖4是示出了根據(jù)本公開的第一實施方式的三重態(tài)能級的圖。發(fā)冷光是指材料基于通過電磁波、熱或摩擦被激發(fā)并且利用能量而發(fā)出具有特定波長的光的現(xiàn)象。在有機發(fā)光裝置中，EML的發(fā)光材料基于電子和空穴的組合通過能量被轉變成受激態(tài)S1，并且當受激態(tài)S1被轉變成基態(tài)S0時發(fā)出光。受激態(tài)S1(即，單能級)直接被轉變成基態(tài)S0的發(fā)冷光可以被稱為熒光。受激態(tài)S1經(jīng)由相對低的三重態(tài)能級T1被轉變成基態(tài)S0的發(fā)冷光可以被稱為磷光。為了防止通過空穴和電子的組合而生成的激子消散在綠色EML424G中，綠色EML424G可以被配置為具有比第二HTL423G的三重態(tài)能級T1和ETL426的三重態(tài)能級T1低的三重態(tài)能級T1。也就是說，綠色EML424G的三重態(tài)能級T1可以是比第二HTL423G的三重態(tài)能級T1和ETL426的三重態(tài)能級T1低的三重態(tài)能級T1。另選地，當綠色EML424G的三重態(tài)能級為G(T1)，第二HTL423G的三重態(tài)能級為HTL(T1)并且ETL426的三重態(tài)能級為ETL(T1)時，可以滿足HTL(T1)>G(T1)并且G(T1)>ETL(T1)。另外，綠色EML424G的三重態(tài)能級T1可以被調整為比ECL428G的三重態(tài)能級T1低，此外還可以被調整為比第二HTL423G的三重態(tài)能級T1低。因此，防止了綠色EML424G的激子消散，并且可以通過ECL428G將激子限制在綠色EML424G中，因而進一步提高發(fā)光效率。此外，為了使綠色EML424G生成激基復合物以提高發(fā)光效率，可以調整空穴型宿主424G-H的三重態(tài)能級T1和電子型宿主424G-E的三重態(tài)能級T1。也就是說，第一宿主424G-W的三重態(tài)能級T1和空穴型宿主424G-H的三重態(tài)能級T1可以被調整為比電子型宿主424G-E的三重宿主T1高。詳細地，第一宿主424G-W的三重態(tài)能級T1和空穴型宿主424G-H的三重態(tài)能級T1可以被調整為比電子型宿主424G-E的三重宿主T1高0.04eV到0.10eV。另外，為了使激基復合物不被電子型宿主424G-E消散，可以將電子型宿主424G-E的三重態(tài)能級T1調整為低于空穴型宿主424G-H的三重態(tài)能級T1和第一宿主424G-W的三重態(tài)能級T1。因此，綠色EML424G的激基復合物可以由第一宿主424G-W、空穴型宿主424G-H和電子型宿主424G-E形成。因此，可以通過綠色EML424G中包含的激基復合物來提高綠色EML424G的發(fā)光效率。ECL428G可以被設置為與綠色EML424G中包含的電子型宿主424G-E相鄰。另外，可以將ECL428G的三重態(tài)能級T1調整為比電子型宿主424G-E的三重態(tài)能級T1高。另外，可以將ECL428G的三重態(tài)能級T1和電子型宿主424G-E的三重態(tài)能級T1之差(ΔE’)調整為大于第一宿主424G-W的三重態(tài)能級T1和電子型宿主424G-E的三重態(tài)能級T1之差(ΔE’)。因此，可以通過相對于電子型宿主424G-E的三重態(tài)能級T1來調整空穴型宿主424G-H的三重態(tài)能級T1、第一宿主424G-W的三重態(tài)能級T1和ECL428G的三重態(tài)能級T1來將激基復合物保持在綠色EML424G中。另外，為了使激基復合物被保持在綠色EML424G中，還可以將ECL428G設置為與電子型宿主424G-E相鄰，并且因此，激子可以被限制在綠色EML424G中，因而進一步提高發(fā)光效率。因此，當ECL428G的三重態(tài)能級T1是ECL(T1)，電子型宿主424G-E的三重態(tài)能級T1是E(T1)并且第一宿主424G-W的三重態(tài)能級T1是W(T1)時，可以滿足ECL(T1)>W(T1)>E(T1)。另外，當空穴型宿主424G-H的三重態(tài)能級T1是H(T1)時，可以滿足H(T1)>W(T1)>E(T1)。另外，當空穴型宿主424G-H的三重態(tài)能級T1是H(T1)時，可以滿足ECL(T1)>W(T1)>E(T1)。因此，可以調整綠色EML424G中包含的宿主的三重態(tài)能級，并且因此，激基復合物可以形成在綠色EML424G中，因而提高綠色EML424G的發(fā)光效率。另外，還可以將ECL428G設置為與綠色EML424G相鄰，并且因此，激子可以被限制在綠色EML424G中，因而進一步提高發(fā)光效率。在圖4中，已經(jīng)作為示例在上面描述了將第二HTL423G設置在發(fā)光部420中的情況，但是取決于有機發(fā)光顯示裝置1000的結構或特性可以不設置第二HTL423G。在這種情況下，第一HTL421的三重態(tài)能級可以等同地被施加到第二HTL423G的上述三重態(tài)能級。因此，第一HTL421和第二HTL423G可以各自被稱為HTL。圖5是例示根據(jù)上面參照圖2所描述的本公開的第一實施方式形成有機發(fā)光顯示裝置1000的綠色EML424G的方法的圖。參照圖5，根據(jù)本公開的第一實施方式的用于形成有機發(fā)光顯示裝置1000的綠色EML424G的裝置可以包括蒸發(fā)源105，該蒸發(fā)源105包括用于使基板100上的綠色宿主材料蒸發(fā)的第一蒸發(fā)源110和第二蒸發(fā)源120以及用于使基板100上的綠色摻雜劑材料蒸發(fā)的第三蒸發(fā)源115?？梢詫⒕哂斜瓤昭ㄐ退拗鞑牧虾碗娮有退拗鞑牧现械拿恳环N的能帶隙寬的能帶隙的空穴型宿主材料和第一宿主材料在第一蒸發(fā)源110中進行混合。第一蒸發(fā)源110可以相對于被固定在適當位置的基板100沿著圖5中的一個方向125移動，并因此，具有寬能帶隙的空穴型宿主材料和第一宿主材料可以通過熱蒸發(fā)處理而形成在基板100上?？梢詫㈦娮有退拗鞑牧显O置在第二蒸發(fā)源120中。電子型宿主材料可以在第二蒸發(fā)源120相對于被固定在適當位置的基板100與第一蒸發(fā)源110同時在圖5中的一個方向125上移動的同時，通過熱蒸發(fā)處理在基板100上蒸發(fā)?？梢詫⒕G色摻雜劑材料設置在第三蒸發(fā)源115中。在第三蒸發(fā)源115相對于被固定在適當位置的基板100與第一蒸發(fā)源110和第二蒸發(fā)源120一起在圖5的一個方向125上移動的同時，可以通過熱蒸發(fā)處理使綠色摻雜劑材料在基板100上蒸發(fā)。通過上述處理，第一蒸發(fā)源110、第二蒸發(fā)源120和第三蒸發(fā)源115可以相對于被固定在適當位置的基板100在一個方向125上進行一次性掃描，并因此，根據(jù)本公開的第一實施方式，包含空穴型宿主材料、第一宿主材料、電子型宿主材料和摻雜劑材料的綠色EML可以形成在有機發(fā)光顯示裝置中。另外，第一宿主材料可以具有比空穴型宿主材料和電子型宿主材料中的每一種的能帶隙寬的能帶隙。考慮到使綠色EML424G在基板100上蒸發(fā)和在基板100上形成綠色EML424G的處理，當空穴型宿主材料和第一宿主材料在一個蒸發(fā)源中在混合比率上具有大的差異時，在綠色EML424G中包含的宿主材料中出現(xiàn)非均勻蒸發(fā)。此外，由于多個蒸發(fā)源和基板100之間的蒸發(fā)距離差，在綠色EML424G中包含的宿主材料中出現(xiàn)非均勻蒸發(fā)。因此，空穴型宿主材料與第一宿主材料的混合比率在體積比上可以是1:1、2:1至3:1以及1:2至1:3)當中的一個。因此，綠色EML424G中包含的空穴型宿主與第一宿主與電子型宿主之間的比率在體積比上可以是1:1:1。另選地，綠色EML424G中包含的空穴型宿主與第一宿主與電子型宿主之間的比率在體積比上可以是(2到3):1:1、1:(2到3):1以及1:1:(2到3)當中的一個。另選地，綠色EML424G中包含的空穴型宿主與第一宿主與電子型宿主之間的比率在體積比上可以是(2到3):(2到3):1、(2到3):1:(2到3)以及1:(2到3):(2到3)當中的一個。這里，體積比表示由特定材料占據(jù)的層的一部分的體積，并且是基于所占據(jù)的體積的總和的。在本公開的第一實施方式中，已經(jīng)描述了激基復合物形成在綠色EML424G中，但是該實施方式不限于此。在其它實施方式中，激基復合物可以形成在紅色EML424R和藍色EML424B當中的至少一種中。在本公開的第一實施方式中，作為示例已經(jīng)描述了包括一個發(fā)光部的有機發(fā)光顯示裝置，但是本公開不限于此。在其它實施方式中，可以將根據(jù)本公開的第一實施方式的綠色EML和ECL中包含的三種或更多種宿主以及至少一種摻雜劑施加到兩個或更多個發(fā)光部。下面將參照圖6和圖7來對此進行描述。圖6是例示了根據(jù)本公開的第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置2000的元件的圖。另外，圖6例示了有機發(fā)光顯示裝置2000的元件，并且所述元件中的每一個的厚度不限制本公開的細節(jié)。有機發(fā)光顯示裝置2000可以包括多個相鄰像素R、G和B。詳細地，有機發(fā)光顯示裝置2000可以包括紅色像素R、綠色像素G和藍色像素B。三個像素R、G和B可以構成用于實現(xiàn)白光的最小組。在有機發(fā)光顯示裝置2000中，三個像素R、G和B可以被重復地布置以顯示圖像。參照圖6，根據(jù)本公開的第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置2000可以包括第一發(fā)光部520以及位于第一電極510和第二電極530之間的第二發(fā)光部550。圖6中所例示的第一電極510、第二電極530和第一發(fā)光部520可以與上面參照圖2所描述的第一電極410、第二電極430和發(fā)光部420大致相同，并且因此，本文中不再提供其詳細描述。參照圖6，紅色發(fā)光裝置可以被設置在紅色像素R中。紅色發(fā)光裝置可以包括第一發(fā)光部520，該第一發(fā)光部520包括P型HTL525、第一HTL521、第二HTL523G、第一紅色EML524R、ECL528R和ETL526。另外，紅色發(fā)光裝置可以包括第二發(fā)光部550，該第二發(fā)光部550包括第三HTL522、第二紅色EML5255R和第二ETL527。綠色發(fā)光裝置可以被設置在綠色像素G中。綠色發(fā)光裝置可以包括第一發(fā)光部520，該第一發(fā)光部520包括P型HTL525、第一HTL521、第二HTL523G、第一綠色EML524G、ECL528G和ETL526。另外，綠色發(fā)光裝置可以包括第二發(fā)光部550，該第二發(fā)光部550包括第三HTL522、第二綠色EML5255G和第二ETL527。藍色發(fā)光裝置可以被設置在藍色像素B中。藍色發(fā)光裝置可以包括第一發(fā)光部520，該第一發(fā)光部520包括P型HTL525、第一HTL521、第一藍色EML524B、ECL528B和第一ETL526。另外，藍色發(fā)光裝置可以包括第二發(fā)光部550，該第二發(fā)光部550包括第三HTL522、第二藍色EML5255B和第二ETL527?？梢栽诘谝话l(fā)光部520和第二發(fā)光部550之間形成電荷產(chǎn)生層(CGL)。CGL可以是具有公共結構的層，并且可以延伸到多個第一EML524R、第一EML525G和第一EML524B中的每一個的頂部。CGL可以調整第一發(fā)光部520和第二發(fā)光部550之間的電荷平衡，并且可以包括N型CGL541和P型CGL542。N型CGL541可以將電子注入到第一EML524R、第一EML524G和第一EML524B中。N型CGL541可以被形成為與金屬和/或類似物進行摻雜的有機層，但是不限于此。另外，P型CGL542可以將空穴注入到多個第二EML5255R、第二EML5255G和第二EML5255B中。P型CGL542可以被形成為與P型摻雜劑進行摻雜的有機層，但是不限于此。覆蓋層532還可以形成在第二電極530上，以用于保護有機發(fā)光裝置?？梢匀Q于有機發(fā)光裝置的結構或特性而省去覆蓋層532。還可以在第二HTL523R和523G與第一EML524R和524G之間以及在第一HTL521與第一EML524B之間形成EBL。EBL防止電子被傳送到第一HTL521以使得空穴和電子在第一EML524R、第一EML524G和第一EML524B中平穩(wěn)地重新組合，因而提高發(fā)光顯示裝置的發(fā)光效率。此外，第一綠色EML524G可以包括至少三種宿主和至少一種摻雜劑。第一綠色EML524G可以與上面參照圖2所描述的綠色EML424G大致相同地進行配置，并因此將不再提供其詳細描述。第一綠色EML524G的三重態(tài)能級和能帶圖的描述與上面參照圖3和圖4所描述的細節(jié)大致相同，并因此被省去。另外，第一綠色EML524G可以與上面參照圖5所描述的細節(jié)相同地來形成。ECL528R、ECL528G和ECL528B可以分別被設置為與第一EML524R、第一EML524G和第一EML524B相鄰。ECL528R、ECL528G和ECL528B可以與上面參照圖2所描述的ECL428R、ECL428G和ECL428B大致相同地進行配置。另外，ECL528R、ECL528G和ECL528B中的每一個的三重態(tài)能級和能帶圖的描述與上面參照圖3和圖4所描述的細節(jié)大致相同，因此被省去。第二發(fā)光部550的第三HTL522可以是具有公共結構的層，并且可以延伸到第二EML5255R、第二EML5255G和第二EML5255B中的每一個的底部。第三HTL522可以由與第一HTL521的材料相同的材料形成，但是不限于此。第三HTL522可以由N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)-2,2’-二甲基聯(lián)苯胺(NPD)、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二(苯基)-聯(lián)苯胺(TPD)、2,2’,7,7’-四(N,N-二苯基氨基)-9,9-螺二芴(螺-TAD)和4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(MTDATA)中的一種或更多種形成，但是不限于此。第二發(fā)光部550的第二紅色EML5255R可以由具有在約600nm到650nm的范圍內的峰值波長的材料形成。第二紅色EML5255R可以包含一種或更多種宿主材料，并且所述一種或更多種宿主材料的示例可以包括4,4’-二(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(MCP)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-2,2’-二甲基聯(lián)苯胺(NPD)、配合物等，但是限于此。另外，構成第二紅色EML5255R的摻雜劑可以包括磷光摻雜劑，并且所述磷光摻雜劑的示例可以包括雙(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮(銥(III)(Ir(btp)2(acac))、二(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)銥(III)(Ir(piq)2(acac))、三(1-苯基喹啉)銥(III)(Ir(piq)3)、5,10,15,20-四苯基四苯并卟啉鉑絡合物(Pt(TPBP))等，但是不限于此。另外，構成第二紅色EML5255R的摻雜劑可以包括熒光摻雜劑，并且所述熒光摻雜劑的示例可以包括二萘嵌苯等，但是不限于此。構成第二紅色EML5255R的宿主或摻雜劑的材料不限制本公開的細節(jié)。第二發(fā)光部550的第二綠色EML5255G可以由具有在約510nm到590nm的范圍內的峰值波長的材料形成。第二綠色EML5255G可以包含一種或更多種宿主材料，并且所述一種或更多種宿主材料的示例可以包括4,4’-二(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三酚)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(TPBi)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁(BAlq)等，但是不限于此。構成第二綠色EML5255G的摻雜劑可以包括磷光摻雜劑，并且所述磷光摻雜劑的示例可以包括三(2-苯基吡啶)銥(III)(Ir(ppy)3)、二(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)銥(III)(Ir(ppy)2(acac))、三[2-(對甲苯基基)吡啶]銥(III)(Ir(mppy)3)、N,N’-二甲基喹吖啶酮(DEQ)、2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑)喹[9,9a,1gh]香豆素(C545T)等，但是不限于此。另外，構成第二綠色EML5255G的摻雜劑可以包括熒光材料，并且所述熒光材料的示例可以包括三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)等，但是不限于此。構成第二綠色EML5255G的宿主或摻雜劑的材料不限制本公開的細節(jié)。第二發(fā)光部550的第二藍色EML5255B可以是發(fā)出藍光的層，并且可以由具有在約440nm到480nm的范圍內的峰值波長的材料形成。第二藍色EML5255B可以包含一種或更多種宿主材料，并且所述一種或更多種宿主材料的示例可以包括4,4’-二(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(MCP)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、蒽衍生物等，但是限于此。另外，構成第二藍色EML5255B的摻雜劑可以是包括摻雜劑材料的磷光摻雜劑，并且所述磷光摻雜劑的示例可以包括雙(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)銥(III)(FIrPic)等，但是不限于此。另外，構成第二藍色EML5255B的摻雜劑可以是熒光摻雜劑，并且所述熒光摻雜劑的示例可以包括聚芴(PFO)類聚合物、聚苯撐乙烯(PPV)的聚合物、芘衍生物等，但是不限于此。構成第二藍色EML5255B的宿主或摻雜劑的材料不限制本公開的細節(jié)。第二ETL527可以將從第二電極530注入的電子平穩(wěn)地傳送到第二EML5255R、第二EML5255G和第二EML5255B。第二ETL527可以是具有公共結構的層，并且可以延伸到第二EML5255R、第二EML5255G和第二EML5255B中的每一個的頂部。第二ETL527可以由例如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁氧化物(BAlq)、8-羥基喹啉-鋰(Liq)和2,2’,2”-(1,3,5-苯三酚)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(TPBi)中的一種或更多種形成，但是不限于此。還可以在第二ETL527上形成EIL。EIL可以由例如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁氧化物(BAlq)當中的一種形成，但是不限于此。因此，在本公開的第二實施方式中，可以設置第一發(fā)光部520和第二發(fā)光部550，可以將包含所述至少三種宿主的第一綠色EML524G設置在第一發(fā)光部520中，并且激基復合物可以包含所述至少三種宿主，因而提高綠色EML的發(fā)光效率。另外，由于ECL528R、ECL528G和ECL528B被進一步設置為與第一綠色EML524G相鄰，可以將激子限制在第一綠色EML524G中，因而進一步提高發(fā)光效率。由于發(fā)光效率得到提高，因此提供了具有改進的壽命和消耗功率的有機發(fā)光顯示裝置。另外，在設置有兩個發(fā)光部的情況下，由于CGL被設置在所述兩個發(fā)光部之間，因此電流密度可以保持在低水平，并且發(fā)光裝置可以在高亮度區(qū)域中發(fā)出光。因此，由于電流密度被保持在低水平，因此提供了具有改進的壽命的有機發(fā)光顯示裝置。在本公開的第二實施方式中，已經(jīng)描述了激基復合物形成在第一綠色EML524G中，但是該實施方式不限于此。在其它實施方式中，激基復合物可以形成在第一紅色EML524R和第一藍色EML524B當中的至少一個中。此外，在本公開的第二實施方式中，已經(jīng)描述了ECL528R、ECL528G和ECL528B形成在第一發(fā)光部520中，但是該實施方式不限于此。在其它實施方式中，ECL可以被設置在第二發(fā)光部550中。下面將參照圖7對其進行說明。圖7是例示了根據(jù)本公開的第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置3000的元件的圖。另外，圖7例示了有機發(fā)光顯示裝置3000的元件，并且所述元件中的每一個的厚度不限制本公開的細節(jié)。有機發(fā)光顯示裝置3000可以包括多個相鄰像素R、G和B。詳細地，有機發(fā)光顯示裝置3000可以包括紅色像素R、綠色像素G和藍色像素B。三個像素R、G和B可以構成用于實現(xiàn)白光的最小組。在有機發(fā)光顯示裝置3000中，三個像素R、G和B可以被重復地布置以顯示圖像。參照圖7，根據(jù)本公開的第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置3000可以包括第一發(fā)光部620以及位于第一電極610和第二電極630之間的第二發(fā)光部650。圖7中所例示的第一電極610、第二電極630和第一發(fā)光部620可以與上面參照圖2所描述的第一電極410、第二電極430和發(fā)光部420大致相同，并且因此，本文中不再提供其詳細描述。參照圖7，紅色發(fā)光裝置可以被設置在紅色像素R中。紅色發(fā)光裝置可以包括第一發(fā)光部620，該第一發(fā)光部620包括P型HTL625、第一HTL621、第二HTL623R、第一紅色EML624R、第一ECL628R和第一ETL626。另外，紅色發(fā)光裝置可以包括第二發(fā)光部650，該第二發(fā)光部650包括第三HTL622、第二紅色EML6255R、第二ECL629R和第二ETL627。綠色發(fā)光裝置可以被設置在綠色像素G中。綠色發(fā)光裝置可以包括第一發(fā)光部620，該第一發(fā)光部620包括P型HTL625、第一HTL621、第二HTL623G、第一綠色EML624G、第一ECL628G和第一ETL626。另外，綠色發(fā)光裝置可以包括第二發(fā)光部650，該第二發(fā)光部650包括第三HTL622、第二綠色EML6255G、第二ECL629G和第二ETL627。藍色發(fā)光裝置可以被設置在藍色像素B中。藍色發(fā)光裝置可以包括第一發(fā)光部620，該第一發(fā)光部520包括P型HTL625、第一HTL621、第一藍色EML624B、第一ECL628B和第一ETL626。另外，藍色發(fā)光裝置可以包括第二發(fā)光部650，該第二發(fā)光部650包括第三HTL622、第二藍色EML6255BG、第二ECL629B和第二ETL627?？梢栽诘谝话l(fā)光部620和第二發(fā)光部650之間形成CGL。CGL可以是具有公共結構的層，并且可以延伸到多個第一EML624R、第一EML624G和第一EML624B中的每一個的頂部。CGL可以調整第一發(fā)光部620和第二發(fā)光部650之間的電荷平衡，并且可以包括N型CGL641和P型CGL642。N型CGL641可以將電子注入到第一EML624R、第一EML624G和第一EML624B中。N型CGL641可以被形成為與金屬和/或類似物進行摻雜的有機層，但是不限于此。另外，P型CGL642可以將空穴注入到多個第二EML6255R、第二EML6255G和第二EML6255B中。P型CGL642可以被形成為與P型摻雜劑進行摻雜的有機層，但是不限于此。覆蓋層632還可以形成在第二電極630上，以用于保護有機發(fā)光裝置?？梢匀Q于有機發(fā)光裝置的結構或特性省去覆蓋層632。還可以在第二HTL623R和623G與第一EML624R和624G之間以及在第一HTL621與第一EML624B之間形成EBL。EBL防止電子被傳送到第一HTL621以使得空穴和電子在第一EML624R、第一EML624G和第一EML624B中平穩(wěn)地重新組合，因而提高發(fā)光顯示裝置的發(fā)光效率。第一ECL628R、第一ECL628G和第一ECL628B可以分別被設置為與第一EML624R、第一EML624G和第一EML624B相鄰。此外，第一綠色EML624G可以包括至少三種宿主和至少一種摻雜劑。所述至少三種宿主可以包括空穴型宿主、第一宿主和電子型宿主。另外，空穴型宿主和第一宿主可以構成混合宿主。另外，第一綠色EML624G的HOMO能級、LUMO能級和三重態(tài)能級可以與上面參照圖3和圖4所描述的細節(jié)大致相同，但是將在下面描述其說明。為了使得空穴被容易地注入到第一綠色EML624G中，空穴型宿主、第一宿主和電子型宿主中的每一個的HOMO能級可以具有介于第二HTL623G的HOMO能級和第一ETL626的HOMO能級之間的能級。也就是說，為了使得空穴被注入到第一綠色EML624G中，空穴型宿主可以被設置成與第二HTL623G相鄰。另外，為了使得電子被容易地注入到第一綠色EML624G中，空穴型宿主的LUMO能級可以具有與第二HTL623G的LUMO能級相似的能級。因此，第一宿主的LUMO能級可以具有介于空穴型宿主的LUMO能級和電子型宿主的LUMO能級之間的能級，并且第一宿主的HOMO能級可以具有與電子型宿主的HOMO能級相似的能級，由此第一宿主可以被配置為具有所述三種宿主當中最寬的能帶隙。因此，第一宿主424G-W的能帶隙可以具有比空穴型宿主424G-H的能帶隙和電子型宿主424G-E的能帶隙寬的能帶隙。因此，第一宿主的能帶隙可以具有比空穴型宿主的能帶隙和電子型宿主的能帶隙寬的能帶隙。因此，第一宿主可以被稱為寬能帶隙宿主。第一宿主的能帶隙可以在3.0eV至3.5eV的范圍內。為了防止通過空穴和電子的組合而生成的激子消散在第一綠色EML624G中，第一綠色EML624G可以被配置為具有比第二HTL623G的三重態(tài)能級T1和第一ETL626的三重態(tài)能級T1低的三重態(tài)能級T1。也就是說，第一綠色EML624G的三重態(tài)能級T1可以是比第二HTL623G的三重態(tài)能級T1和第一ETL626的三重態(tài)能級T1低的三重態(tài)能級T1。另選地，當?shù)谝痪G色EML624G的三重態(tài)能級為G(T1)，第二HTL623G的三重態(tài)能級為HTL(T1)并且第一ETL626的三重態(tài)能級為ETL(T1)時，可以滿足HTL(T1)>G(T1)以及G(T1)<ETL(T1)。另外，第一綠色EML624G的三重態(tài)能級T1可以被調整為比第一ETL626的三重態(tài)能級T1低，此外還可以被調整為比第二HTL623G的三重態(tài)能級T1低。因此，防止了第一綠色EML624G的激子消散，并且可以通過第一ECL628G將激子限制在第一綠色EML624G中，因而進一步提高發(fā)光效率。此外，為了使第一綠色EML624G生成激基復合物以提高發(fā)光效率，可以調整第一宿主的三重態(tài)能級T1、空穴型宿主的三重態(tài)能級T1和電子型宿主的三重態(tài)能級T1。也就是說，第一宿主的三重態(tài)能級T1和空穴型宿主的三重態(tài)能級T1可以被調整為比電子型宿主的三重宿主T1高。詳細地，第一宿主的三重態(tài)能級T1和空穴型宿主的三重態(tài)能級T1可以被調整為比電子型宿主的三重宿主T1高0.04eV到0.10eV。另外，為了使激基復合物不被電子型宿主消散，可以將電子型宿主的三重態(tài)能級T1調整為比空穴型宿主的三重態(tài)能級T1和第一宿主的三重態(tài)能級T1低。因此，第一綠色EML624G的激基復合物可以通過第一宿主、空穴型宿主和電子型宿主624G-E來形成。因此，可以通過第一綠色EML624G中包含的激基復合物來提高綠色第一EML624G的發(fā)光效率?？梢詫⒌谝籈CL628G設置為與第一綠色EML624G中包含的電子型宿主相鄰。另外，可以將第一ECL628G的三重態(tài)能級T1調整為比電子型宿主的三重態(tài)能級T1高。另外，可以將第一ECL628G的三重態(tài)能級T1和電子型宿主的三重態(tài)能級T1之差(ΔE’)調整為大于第一宿主的三重態(tài)能級T1和電子型宿主的三重態(tài)能級T1之差(ΔE’)。因此，可以通過相對于電子型宿主的三重態(tài)能級T1來調整空穴型宿主的三重態(tài)能級T1、第一宿主的三重態(tài)能級T1和第一ECL628G的三重態(tài)能級T1來將激基復合物保持在第一綠色EML624G中。另外，為了使激基復合物被保持在第一綠色EML624G中，還可以將第一ECL628G設置為與電子型宿主相鄰，并且因此，激子可以被限制在第一綠色EML624G中，因而進一步提高發(fā)光效率。因此，當?shù)谝籈CL628G的三重態(tài)能級T1是ECL(T1)，電子型宿主的三重態(tài)能級T1是E(T1)并且第一宿主的三重態(tài)能級T1是W(T1)時，可以滿足ECL(T1)>W(T1)>E(T1)。另外，當空穴型宿主的三重態(tài)能級T1是H(T1)時，可以滿足H(T1)>W(T1)>E(T1)。另外，當空穴型宿主的三重態(tài)能級T1是H(T1)時，可以滿足ECL(T1)>H(T1)>W(T1)>E(T1)。因此，可以調整第一綠色EML624G中包含的宿主的三重態(tài)能級，并且因此，激基復合物可以形成在第一綠色EML624G中，因而提高第一綠色EML624G的發(fā)光效率。另外，還可以設置第一ECL628G，并且因此，激子可以被限制在第一綠色EML624G中，因而進一步提高發(fā)光效率。第一綠色EML624G中包含的空穴型宿主可以包括4,4’-二(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-聯(lián)苯胺(NPB)等當中的一種，但是不限于此。第一綠色EML624G中包含的第一宿主可以包括1,3-二(咔唑-9-基)苯(MCP)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-2,2’-二甲基聯(lián)苯胺(NPD)、配合物、蒽衍生物等當中的一種，但是不限于此。第一綠色EML624G中包含的電子型宿主可以包括2,2’,2”-(1,3,5-苯三酚)-三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(TPBi)、4,6-二(3,5-二(吡啶-3-基)苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、1,3-二[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(BmPyPhB)、聚(對亞苯基亞乙烯基)(PPV)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁(BAlq)等當中的一種，但是不限于此。另外，第一綠色EML624G中包含的摻雜劑可以包括磷光摻雜劑，并且所述磷光摻雜劑的示例可以包括三(2-苯基吡啶)銥(III)(Ir(ppy)3)、二(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)銥(III)(Ir(ppy)2(acac))、N,N’-二甲基喹吖啶酮(DEQ)、2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑)喹[9,9a,1gh]香豆素(C545T)等，但是不限于此。此外，第一綠色EML624G中包含的空穴型宿主材料與第一宿主材料的混合比率在體積比上可以是1:1、(2到3):1以及1:(2到3)當中的一個。另外，第一綠色EML624G中包含的空穴型宿主與第一宿主與電子型宿主之間的比率在體積比上可以是1:1:1。另選地，空穴型宿主與第一宿主與電子型宿主之間的比率在體積比上可以是(2到3):1:1、1:(2到3):1以及1:1:(2到3)當中的一個。另選地，空穴型宿主與第一宿主與電子型宿主之間的比率在體積比上可以是(2到3):(2到3):1、(2到3):1:(2到3)以及1:(2到3):(2到3)當中的一個。這里，體積比表示由特定材料占據(jù)的層的一部分的體積，并且是基于所占據(jù)的體積的總和的。當?shù)谝痪G色EML624G中包含的摻雜劑的摻雜濃度增加時，摻雜劑可以當作第一綠色EML624G中的陷阱部位，為此，當?shù)谝痪G色EML624G發(fā)光時，效率被降低。因此，第一綠色EML624G中包含的磷光摻雜劑可以按照在3％到20％的范圍內的濃度進行摻雜，并且例如可以按照在5％到10％的范圍內的濃度進行摻雜。另外，基于隨著第一綠色EML624G的厚度變厚而增加的發(fā)光裝置的光學距離和驅動電壓，第一綠色EML624G的厚度可以被調整為在20nm到50nm的范圍內。第一ECL628R、第一ECL628G和第一ECL628B可以分別被設置為與第一EML624R、第一EML624G和第一EML624B相鄰。第一ECL628R、第一ECL628G和第一ECL628B可以限制第一綠色EML624G的激子，因而提高發(fā)光效率。另外，第一ECL628R、第一ECL628G和第一ECL628B可以各自由三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁氧化物(BAlq)、8-羥基喹啉-鋰(Liq)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、2-甲基-9,10-二(萘-2-基)蒽(MADN)、2,5-二-(2,2-聯(lián)吡啶-6-基)-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯噻咯(PyPySPyPy)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三酚)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(TPBi)中的一種或更多種形成，但是不限于此。此外，第一綠色EML624G可以與上面參照圖5所描述的細節(jié)相同地來形成。第二發(fā)光部650的第三HTL622可以是具有公共結構的層，并且可以延伸到第二EML6255R、第二EML6255G和第二EML6255B中的每一個的底部。第三HTL622可以由與第一HTL621的材料相同的材料形成，但是不限于此。第三HTL622可以由N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-2,2’-二甲基聯(lián)苯胺(NPD)、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二(苯基)-聯(lián)苯胺(TPD)、2,2’,7,7’-四(N,N’-二苯基氨基)-9,9-螺二芴(螺-TAD)和4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(MTDATA)中的一種或更多種形成，但是不限于此。第二發(fā)光部650的第二紅色EML5255R可以由具有在約600nm到650nm的范圍內的峰值波長的材料形成。第二紅色EML6255R可以包含一種或更多種宿主材料，并且所述一種或更多種宿主材料的示例可以包括4,4’-二(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(MCP)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-2,2’-二甲基聯(lián)苯胺(NPD)、配合物等，但是限于此。另外，構成第二紅色EML6255R的摻雜劑可以包括磷光摻雜劑，并且所述磷光摻雜劑的示例可以包括二(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮(銥(III)(Ir(btp)2(acac))、二(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)銥(III)(Ir(piq)2(acac))、三(1-苯基喹啉)銥(III)(Ir(piq)3)、5,10,15,20-四苯基四苯并卟啉鉑絡合物(Pt(TPBP))等，但是不限于此。另外，構成第二紅色EML6255R的摻雜劑可以包括熒光摻雜劑，并且所述熒光摻雜劑的示例可以包括二萘嵌苯等，但是不限于此。構成第二紅色EML6255R的宿主或摻雜劑的材料不限制本公開的細節(jié)。第二發(fā)光部650的第二藍色EML6255B可以是發(fā)出藍光的層，并且可以由具有在約440nm到480nm的范圍內的峰值波長的材料形成。第二藍色EML6255B可以包含一種或更多種宿主材料，并且所述一種或更多種宿主材料的示例可以包括4,4’-二(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(MCP)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、蒽衍生物等，但是限于此。另外，構成第二藍色EML6255B的摻雜劑可以是包含摻雜劑材料的磷光摻雜劑，并且所述磷光摻雜劑的示例可以包括二(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)銥(III)(FIrPic)等，但是不限于此。另外，構成第二藍色EML6255B的摻雜劑可以是熒光摻雜劑，并且所述熒光摻雜劑的示例可以包括聚芴(PFO)類聚合物、聚苯撐乙烯(PPV)的聚合物、芘衍生物等，但是不限于此。構成第二藍色EML6255B的宿主或摻雜劑的材料不限制本公開的細節(jié)。第二ECL629R、第二ECL629G和第二ECL629B可以分別被設置為與第二EML6255R、第二EML6255G和第二EML6255B相鄰。可以與第一ECL628R、第一ECL628G和第一ECL628B大致相同地來配置第二ECL629R、第二ECL629G和第二ECL629B，并因此省去其詳細描述。此外，第二綠色EML6255G可以包含至少三種宿主和至少一種摻雜劑?？梢耘c第一綠色EML624G大致相同地來配置第二綠色EML6255G，并因此省去其詳細描述。此外，第二綠色EML6255G的三重態(tài)能級和能帶圖的描述與上面參照圖3和圖4所描述的細節(jié)大致相同，因此被省去。另外，第二綠色EML6255G可以與上面參照圖5所描述的細節(jié)相同地來形成。第二ETL627可以將從第二電極630注入的電子平穩(wěn)地傳送到第二EML6255R、第二EML6255G和第二EML6255B。第二ETL627可以是具有公共結構的層，并且可以延伸到第二EML6255R、第二EML6255G和第二EML6255B中的每一個的頂部。第二ETL627可以由例如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁氧化物(BAlq)、8-羥基喹啉-鋰(Liq)和2,2’,2”-(1,3,5-苯三酚)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(TPBi)中的一種或更多種形成，但是不限于此。還可以在第二ETL627上形成EIL。EIL可以由例如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁氧化物(BAlq)當中的一種形成，但是不限于此。因此，在本公開的第三實施方式中，可以設置第一發(fā)光部620和第二發(fā)光部650，可以將包括至少三種宿主的第一綠色EML624G和第二綠色EML6255G分別設置在第一發(fā)光部620和第二發(fā)光部650中，并且激基復合物可以包括所述至少三種宿主，因而提高綠色EML的發(fā)光效率。另外，由于第一ECL628R、第一ECL628G和第一ECL628B以及第二ECL629R、第二ECL629G和第二ECL629B還被設置為與第一綠色EML624G和第二綠色EML6255G相鄰，激子可以被限制在第一綠色EML624G和第二綠色6255G中，因而進一步提高發(fā)光效率。由于發(fā)光效率得到提高，因此提供了具有改進的壽命和消耗功率的有機發(fā)光顯示裝置。另外，在設置有兩個發(fā)光部的情況下，由于CGL被設置在所述兩個發(fā)光部之間，因此電流密度可以保持在低水平，并且發(fā)光裝置可以在高亮度區(qū)域中發(fā)出光。因此，由于電流密度被保持在低水平，因此提供了具有改進的壽命的有機發(fā)光顯示裝置。在本公開的第三實施方式中，已經(jīng)描述了激基復合物形成在第一綠色EML624G和第二綠色EML6255G中，但是該實施方式不限于此。在其它實施方式中，激基復合物可以形成在第一紅色EML624R、第二綠色EML6255G、第一藍色EML624B和第二藍色EML6255B當中的至少一個中。根據(jù)本公開的第一實施方式、第二實施方式和第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置可以被實現(xiàn)為包括三個像素(例如，紅色(R)像素、綠色(G)像素和藍色(B)像素)的顯示裝置，所述三個像素各自包括單色裝置。因此，可以實現(xiàn)將RGB的三個原色組合來表達各種顏色的顯示裝置。另外，根據(jù)本公開的第一實施方式、第二實施方式和第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置可以被應用于底部發(fā)光顯示裝置、頂部發(fā)光顯示裝置、雙發(fā)光顯示裝置、用于車輛的照明裝置等。用于車輛的照明裝置可以是頭燈、遠光燈、尾燈、剎車燈、備用燈、霧燈、轉向信號燈和輔助燈當中的至少一種，但是不限于此。另選地，包括根據(jù)本公開的第一實施方式、第二實施方式和第三實施方式的有機發(fā)光裝置在內的有機發(fā)光顯示裝置可以被應用于用來確保駕駛員的視野并且發(fā)送或接收車輛的信號的全部指示燈。另外，根據(jù)本公開的第一實施方式、第二實施方式和第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置可以被應用于移動設備、監(jiān)視器、電視機(TV)和/或類似物。下面的表1示出了通過關于8mA/cm2的電流密度來測量根據(jù)本公開的比較示例和第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的驅動電壓、效率和壽命而獲得的結果。[表1]劃分驅動電壓(Volt)效率(cd/A)壽命(hrs)比較示例100％100％100％第一實施方式100％105％120％在表1中，已經(jīng)通過應用圖2的有機發(fā)光顯示裝置對本公開的比較示例和第一實施方式進行了測量。在表1中，比較示例與從圖2的有機發(fā)光顯示裝置中排除ECL的情況對應，而本公開的第一實施方式與應用了包括圖2中所例示的ECL的有機發(fā)光顯示裝置的情況對應。另外，已經(jīng)將本公開的第一實施方式與驅動電壓、效率和壽命各自被設置為100％的比較示例進行了比較。能夠看出，在驅動電壓(Volt)方面，本公開的第一實施方式與比較示例相同。能夠看出，還設置有ECL，并且因此，即使當有機發(fā)光顯示裝置的厚度變厚時，驅動電壓也不增加。另外，能夠看出，在效率(cd/A)方面，本公開的第一實施方式與比較示例相比被提高了約5％。因此，能夠看出，由于綠色EML包括激基復合物，因此綠色EML的效率得到提高，并且發(fā)光效率通過ECL被進一步提高。另外，當初始發(fā)光亮度為100％時，能夠看出，針對直至亮度被降低95％所花費的時間(即，有機發(fā)光裝置的95％的壽命(T95))，本公開的第一實施方式與比較示例相比被提高了約20％。因此，能夠看出，由于綠色EML包含激基復合物并且激子通過ECL被限制在綠色EML中，因此發(fā)光效率被進一步提高，并且因此，壽命被提高。如上所述，根據(jù)本公開的實施方式，綠色EML可以包括三種或更多種宿主，并且通過調整宿主的三重態(tài)能級，可以在綠色EML中形成激基復合物以提高發(fā)光效率，因此為有機發(fā)光顯示裝置提供了提高的壽命。此外，根據(jù)本公開的實施方式，綠色EML可以包括三種或更多種宿主，并且通過調整宿主的三重態(tài)能級，可以在綠色EML中形成激基復合物，并且可以將激子限制層設置為與綠色EML相鄰，由此激子可以被限制在綠色EML中。因此，提供了一種發(fā)光效率被提高、消耗功率被提高并且壽命被提高的有機發(fā)光顯示裝置。此外，根據(jù)本公開的實施方式，可以提供包含混合宿主和電子宿主的綠色磷光EML，因而提供壽命相比綠色熒光綠色EML的壽命被進一步提高的有機發(fā)光顯示裝置。根據(jù)本公開的有機發(fā)光顯示裝置包括第一像素和第二像素。所述有機發(fā)光顯示裝置包括：第一電極，該第一電極位于所述第一像素和所述第二像素上；空穴傳輸層，該空穴傳輸層位于所述第一電極上；第一發(fā)光層，該第一發(fā)光層與所述第一像素相對應地位于所述空穴傳輸層上；第二發(fā)光層，該第二發(fā)光層與所述第二像素相對應地位于所述空穴傳輸層上，所述第二發(fā)光層包含混合宿主和電子型宿主；激子限制層，該激子限制層位于所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層上；以及第二電極，該第二電極位于所述激子限制層上。第二發(fā)光層可以包括綠光發(fā)光層，并且混合宿主和電子型宿主可以構成激基復合物。有機發(fā)光顯示裝置還可以包括電子傳輸層，該電子傳輸層位于激子限制層上，其中，第一發(fā)光層的三重態(tài)能級可以低于空穴傳輸層的三重態(tài)能級和電子傳輸層的三重態(tài)能級。混合宿主可以包括空穴型宿主和第一宿主，所述空穴型宿主被設置為與空穴傳輸層相鄰。第一宿主的最低未占有分子軌道(LUMO)能級可以具有介于空穴型宿主的LUMO能級和電子型宿主的LUOMO能級之間的能級。第一宿主的能帶隙可以比電子型宿主的能帶隙和空穴型宿主的能帶隙寬。第一宿主的三重態(tài)能級和空穴型宿主的三重態(tài)能級可以比電子型宿主的三重態(tài)能級高0.04eV到0.10eV。激子限制層的三重態(tài)能級可以比電子型宿主的三重態(tài)能級高。激子限制層的三重態(tài)能級和電子型宿主的三重態(tài)能級之差可以大于第一宿主的三重態(tài)能級和電子型宿主的三重態(tài)能級之差?；旌纤拗骱碗娮有退拗髦械拿恳环N可以是磷光宿主。激子限制層可以被設置為與電子型宿主相鄰。第二發(fā)光層的三重態(tài)能級可以低于激子限制層的三重態(tài)能級，并且第二發(fā)光層的三重態(tài)能級可以低于空穴傳輸層的三重態(tài)能級。第一發(fā)光層可以是發(fā)出紅光或藍光的發(fā)光層。根據(jù)本公開的有機發(fā)光顯示裝置包括位于至少一個空穴傳輸層、至少一個發(fā)光層以及至少一個電子傳輸層，所述有機發(fā)光顯示裝置包括激子限制層，該激子限制層位于所述至少一個發(fā)光層上，其中，所述至少一個發(fā)光層包含第一宿主和電子型宿主，并且當所述激子限制層的三重態(tài)能級為ECL(T1)，所述第一宿主的三重態(tài)能級為W(T1)并且所述電子型宿主的三重態(tài)能級為E(T1)時，滿足ECL(T1)>W(T1)>E(T1)。至少一個發(fā)光層可以包括綠光發(fā)光層，該綠光發(fā)光層包含激基復合物。綠光發(fā)光層的三重態(tài)能級可以低于至少一個空穴傳輸層的三重態(tài)能級和至少一個電子傳輸層的三重態(tài)能級。所述至少一個發(fā)光層還可以包括空穴型宿主，并且所述空穴型宿主和第一宿主可以進行混合。當空穴型宿主的三重態(tài)能級為H(T1)時，可以滿足H(T1)>W(T1)>E(T1)。激子限制層可以被設置為與電子型宿主相鄰。所述至少一個發(fā)光層的三重態(tài)能級可以低于激子限制層的三重態(tài)能級，并且所述至少一個發(fā)光層的三重態(tài)能級可以低于所述至少一個空穴傳輸層的三重態(tài)能級。激子限制層的三重態(tài)能級和電子型宿主的三重態(tài)能級之差可以大于第一宿主的三重態(tài)能級和電子型宿主的三重態(tài)能級之差。根據(jù)本公開的有機發(fā)光顯示裝置包括：空穴傳輸層，該空穴傳輸層位于陽極上；以及發(fā)光層，該發(fā)光層位于所述空穴傳輸層上，所述發(fā)光層包含空穴型宿主、電子型宿主以及三重態(tài)能級介于所述空穴型宿主的三重態(tài)能級和所述電子型宿主的三重態(tài)能級之間的第一宿主，其中，所述空穴型宿主、所述第一宿主和所述電子型宿主構成激基復合物?？昭ㄐ退拗骱偷谝凰拗骺梢赃M行混合，并且空穴型宿主、電子型宿主和第一宿主中的每一種可以是磷光宿主。當空穴型宿主的三重態(tài)能級為H(T1)，第一宿主的三重態(tài)能級為W(T1)并且電子型宿主的三重態(tài)能級為E(T1)時，可以滿足H(T1)>W(T1)>E(T1)。有機發(fā)光顯示裝置還包括激子限制層，該激子限制層位于發(fā)光層上，其中，當激子限制層的三重態(tài)能級為ECL(T1)時，可以滿足ECL(T1)>H(T1)>W(T1)>E(T1)。當發(fā)光層的三重態(tài)能級為G(T1)、空穴傳輸層的三重態(tài)能級為HTL(T1)并且電子傳輸層的三重態(tài)能級為ETL(T1)時，可以滿足HTL(T1)>G(T1)以及G(T1)<ETL(T1)。本公開的目的不限于上述內容，而是從下面的描述中本領域技術人員將清楚地理解沒有在本文中進行描述的其它目的?？梢栽诓槐畴x本公開的精神或范圍的情況下對本公開做出各種修改和變化，這對于本領域技術人員來說是顯而易見的。因此，本公開旨在涵蓋落入所附權利要求書及其等同物的范圍內的本公開的修改和變型。本申請要求于2015年12月17日提交的韓國專利申請No.10-2015-0181250的權益，該韓國專利申請通過引用方式并入到本文中，如同在本文中完全闡述一樣。當前第1頁1 2 3