本發(fā)明涉及碘領域，具體是一種平行流超音速氧碘混合噴管。

背景技術：

現(xiàn)有技術中，用于現(xiàn)代科學領域如半導體、碘硫化銻(SbSI)這類化合物晶體作為具有潛在應用前景的一類材料，其合成路線的探索及控制生長越來越受到人們的關注。到目前為止，研究者們已經(jīng)利用化學氣相沉積法(CVD)，超聲化學法和高溫水熱方法制備出SbSI等晶體。如用CVD方法可通過單質(zhì)反應源在溫度超過600℃的條件下生長出碘硫化銻(SbSI)晶體。

發(fā)明專利內(nèi)容

本發(fā)明專利提供一種平行流超音速氧碘混合噴管，亞音速混合段(1)和超音速膨脹段(2)由一長條狀結(jié)構(gòu)構(gòu)成，于長條狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部、沿其長邊方向設有長方形孔，其為注碘腔(3)；

沿長條狀結(jié)構(gòu)的厚度方向的截面由上、下二部份構(gòu)成，截面下部為長方形、且長方形的下部寬邊為弧形邊，截面上部為三角形、三角形的底邊長度大于長方形的上部寬邊長度，三角形的底邊兩端與長方形的上部寬邊兩端采用弧線過渡連接，即沿長條狀結(jié)構(gòu)的厚度方向的截面由上部水滴狀結(jié)構(gòu)和下部的長方形結(jié)構(gòu)連接而成；長方形結(jié)構(gòu)一側(cè)為亞音速混合段(1)，水滴狀結(jié)構(gòu)一側(cè)為超音速膨脹段(2)；于亞音速混合段(1)上設有噴碘孔(4)，噴碘孔(4)與長條狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部的長方形孔相連通；

附圖說明

圖1為非金屬噴管元件結(jié)構(gòu)示意圖

具體實施方式

本發(fā)明一種平行流超音速氧碘混合噴管，亞音速混合段(1)和超音速膨脹段(2)由一長條狀結(jié)構(gòu)構(gòu)成，于長條狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部、沿其長邊方向設有長方形孔，其為注碘腔(3)；

沿長條狀結(jié)構(gòu)的厚度方向的截面由上、下二部份構(gòu)成，截面下部為長方形、且長方形的下部寬邊為弧形邊，截面上部為三角形、三角形的底邊長度大于長方形的上部寬邊長度，三角形的底邊兩端與長方形的上部寬邊兩端采用弧線過渡連接，即沿長條狀結(jié)構(gòu)的厚度方向的截面由上部水滴狀結(jié)構(gòu)和下部的長方形結(jié)構(gòu)連接而成；長方形結(jié)構(gòu)一側(cè)為亞音速混合段(1)，水滴狀結(jié)構(gòu)一側(cè)為超音速膨脹段(2)；于亞音速混合段(1)上設有噴碘孔(4)，噴碘孔(4)與長條狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部的長方形孔相連通；

顯然，本發(fā)明的上述實施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對本發(fā)明的實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。