技術(shù)特征：

1.一種半導體晶圓，包括：

底部半導體層，具有第一摻雜濃度，其中，所述底部半導體層的第一橫向表面是所述半導體晶圓的外表面；

中間半導體層，位于所述底部半導體層上方，其中，所述中間半導體層包括大于所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度；以及

頂部半導體層，位于所述中間半導體層上方，其中，所述頂部半導體層包括小于所述第二摻雜濃度的第三摻雜濃度，并且其中，所述底部半導體層、所述中間半導體層和所述頂部半導體層的側(cè)壁對齊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓，其中，根據(jù)所述中間半導體層中的摻雜劑的擴散特性選擇所述底部半導體層的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓，其中，所述底部半導體層包括梯度的摻雜濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體晶圓，其中，所述底部半導體層的所述第一橫向表面處的摻雜濃度小于所述底部半導體層的與所述底部半導體層的所述第一橫向表面相對的第二橫向表面處的摻雜濃度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓，其中，所述第二摻雜濃度為1×10¹⁸cm^-3至1×10²⁰cm^-3。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓，其中，所述底部半導體層薄于所述中間半導體層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓，其中，所述底部半導體層厚于所述中間半導體層。

8.一種用于形成半導體晶圓的方法，包括：

提供設(shè)置在第二半導體層上方的第一半導體層，其中，所述第一半導體層包括比所述第二半導體層的摻雜濃度更高的摻雜濃度；以及

在所述第一半導體層上方外延生長第三半導體層；其中，所述第三半導體層和所述第一半導體層覆蓋所述第二半導體層的整個頂面；以及

與所述第一半導體層相比，以更低的摻雜濃度來摻雜所述第三半導體層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，提供設(shè)置在所述第二半導體層上方的所述第一半導體層包括在所述第二半導體層上方外延生長所述第一半導體層。

10.一種方法，包括：

提供第一半導體晶圓，所述第一半導體晶圓包括：

底部半導體層，包括第一摻雜濃度，其中，所述底部半導體層的橫向表面是所述第一半導體晶圓的外表面；

中間半導體層，包括大于所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度；和

頂部半導體層，包括小于所述第二摻雜濃度的第三摻雜濃度；

在所述頂部半導體層上方形成電路；

在所述電路上方將第二半導體晶圓接合至所述第一半導體晶圓；以及減薄所述第一半導體晶圓，其中，減薄所述第一半導體晶圓包括：

去除所述底部半導體層以暴露所述中間半導體層；和

使用化學蝕刻劑來蝕刻所述中間半導體層，所述化學蝕刻劑以比蝕刻所述頂部半導體層更快的速率蝕刻所述中間半導體層。