本申請要求2015年7月27日提交的10-2015-0106065號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的內(nèi)容通過引用整體合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及等離子處理裝置以及使用該等離子處理裝置對基底進(jìn)行等離子處理的方法。

背景技術(shù)：

等離子處理裝置可使用等離子在基底上執(zhí)行各種處理過程。例如，等離子處理裝置可以在基底上執(zhí)行表面處理過程。表面處理過程可修改基底的表面，并且由于表面處理過程增加表面的表面能。

表面處理過程可用作用于在基底上形成涂覆層的過程的一部分。例如，當(dāng)在基底上形成第一涂覆層之后在第一涂覆層上執(zhí)行表面處理過程時(shí)，可以提高第一涂覆層與在第一涂覆層上形成的第二涂覆層之間的粘合強(qiáng)度。

移動顯示設(shè)備(例如智能電話)可包括覆蓋顯示屏幕的窗口。窗口可由塑料材料形成，并且可在窗口上形成涂覆層以提高窗口的硬度。此外，當(dāng)在窗口上形成涂覆層時(shí)，可應(yīng)用表面處理過程，并且因此可以提高各涂覆層之間的粘合強(qiáng)度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的示例性實(shí)施方式的各方面提供了能夠容易地在各種基底上執(zhí)行等離子處理過程的等離子處理裝置。

發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式提供了一種等離子處理裝置，所述等離子處理裝置包括基底支撐單元、等離子單元、第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元和氣體供應(yīng)部分。

在一些實(shí)施方式中，基底支撐單元支撐基底。等離子單元生成等離子并將等離子提供至基底。第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元聯(lián)接至等離子單元以相對于基底支撐單元旋轉(zhuǎn)等離子單元。氣體供應(yīng)部分將源氣體供應(yīng)至等離子單元。

在一些實(shí)施方式中，等離子單元可包括本體、位于本體中的第一電極、位于本體中并面對第一電極的第二電極，以及位于第一電極與第二電極之間以在其中流過源氣體的管路(例如，管)。

在一些實(shí)施方式中，第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元可包括第一旋轉(zhuǎn)軸線和第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分。當(dāng)在側(cè)視圖(例如相對于第一旋轉(zhuǎn)軸線)中觀察時(shí)，等離子單元的出口可通過第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元在順時(shí)針方向或逆時(shí)針方向上旋轉(zhuǎn)。

在一些實(shí)施方式中，等離子處理裝置可進(jìn)一步包括第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元。第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元可聯(lián)接至等離子單元，從而當(dāng)在平面圖(例如相對于第一旋轉(zhuǎn)軸線)中觀察時(shí)，通過第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元在順時(shí)針方向或逆時(shí)針方向上旋轉(zhuǎn)等離子單元。

在一些實(shí)施方式中，等離子處理裝置可進(jìn)一步包括第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元。第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元可聯(lián)接至等離子單元，以將等離子單元的出口所面對的方向從腔室的上端部改變?yōu)榍皇业南露瞬俊?/p>

根據(jù)一些實(shí)施方式，等離子單元和基底中的至少一個(gè)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，以允許等離子單元的出口面對基底的彎曲部(例如彎曲的表面部)。

根據(jù)一些實(shí)施方式，借助于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元，等離子單元在腔室的反應(yīng)空間中旋轉(zhuǎn)。從而，可控制等離子單元的出口面對各種方向，并因此，通過出口排放的等離子可各向同性地供應(yīng)至基底。

因此，通過使用等離子單元，可以在基底的整個(gè)表面上均勻地執(zhí)行表面處理過程。此外，可在基底的彎曲部上容易地執(zhí)行表面處理過程。

附圖說明

結(jié)合附圖參照下文的詳細(xì)描述，本公開的上述特征或其它特征將變得顯而易見，其中：

圖1是示出根據(jù)本公開的一些示例性實(shí)施方式的等離子處理裝置的側(cè)視圖；

圖2A是示出第一等離子單元的剖視圖，該剖面是沿著圖1中所示的線I-I'截取的；

圖2B是示出根據(jù)圖1的等離子單元的平面圖；

圖3A和圖3B是示出根據(jù)一些實(shí)施方式的通過第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元旋轉(zhuǎn)的等離子單元的側(cè)視圖；

圖3C是示出根據(jù)一些實(shí)施方式的通過第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元旋轉(zhuǎn)的等離子單元的平面圖；

圖3D是示出根據(jù)一些實(shí)施方式的通過第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元旋轉(zhuǎn)的等離子單元的側(cè)視圖；

圖4是示出根據(jù)本公開的一些示例性實(shí)施方式的等離子處理裝置的側(cè)視圖；以及

圖5A至圖5C是示出根據(jù)一些實(shí)施方式的、當(dāng)在基底上形成多個(gè)涂覆層時(shí)使用圖1中所示的等離子處理裝置對基底進(jìn)行等離子處理的方法的視圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。在以下的描述中，相同的附圖標(biāo)記將指示具有大致相同的功能或配置的元件和結(jié)構(gòu)，并且為了避免冗余將省略其詳細(xì)描述。

在附圖中，為了清楚起見，層、膜和區(qū)域的厚度可以被夸大。將理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為位于另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接至”或“聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，可以直接位于另一元件或?qū)由?、連接至或聯(lián)接至另一元件或?qū)?，或者可存在介于其間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接位于”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接至”或“直接聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在介于其間的元件或?qū)印?/p>

本文中使用的術(shù)語僅是為了描述特定實(shí)施方式的目的，并且無意限制本發(fā)明。如本文所使用的，除非上下文另有明確表示，否則單數(shù)形式的“一(a)”和“一(an)”旨在同樣包括復(fù)數(shù)形式。還將理解，當(dāng)在本說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”以及“包括(including)”指定所闡述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其集合的存在或增加。如在本文中所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)的任意組合或所有組合。當(dāng)措辭(諸如“……中的至少一個(gè)”)放在一列元件之后時(shí)，該措辭修飾整列元件，而并非修飾該列中的單個(gè)元件。

為了便于描述，本文中可使用空間上相對的術(shù)語諸如“在……下方”、“在……之下”、“下方”、“下面”、“在……之上”、“上方”等來描述一個(gè)元件或特征與另外的元件或特征如附圖中所示的關(guān)系。將理解，除了附圖中所繪出的定向以外，空間上相對的術(shù)語旨在包括設(shè)備在使用或操作中的不同定向。例如，如果附圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件或特征“之下”、“下方”或“下面”的元件或特征將定向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧戏健?。因此，示例性術(shù)語“在……之下”和“下面”可包括上方和下方兩種定向。設(shè)備可以以其它方式定向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或者處于其它定向)，并且應(yīng)對本文中所使用的空間上相對的描述語進(jìn)行相應(yīng)地解讀。

如本文中所使用，術(shù)語“基本上”、“大約”和類似的術(shù)語用作近似的術(shù)語而不是用作程度的術(shù)語，并且其旨在說明本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠認(rèn)識到的、所測量或計(jì)算的值上的固有差異。此外，當(dāng)描述本發(fā)明的實(shí)施方式時(shí)“可”的使用是指“本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式”。如本文中所使用的，術(shù)語“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可認(rèn)為分別與術(shù)語“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同義。同樣地，術(shù)語“示例性”旨在表示示例或例示。

除非另外定義，否則本文中所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還將理解，除非本文明確定義，否則術(shù)語(諸如在常用詞典中定義的術(shù)語)應(yīng)解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域背景中和/或本說明書中的含義一致的含義，而不應(yīng)在理想化或過于正式的意義上進(jìn)行解釋。

圖1是示出根據(jù)本公開的一些示例性實(shí)施方式的等離子處理裝置500的側(cè)視圖。圖2A是示出第一等離子單元200的剖視圖，該剖視圖是沿著圖1中所示的線I-I'截取的，以及圖2B是示出圖1中所示的等離子單元200和等離子單元201的平面圖。

參照圖1、圖2A和圖2B，等離子處理裝置500可在基底W1、基底W2、基底W3、基底W4、基底W5和基底W6中的每個(gè)上執(zhí)行等離子處理。在一些示例性實(shí)施方式中，基底W1至基底W6中的每個(gè)可以是但不限于覆蓋顯示設(shè)備的顯示部分的窗口，并且基底W1至基底W6中的每個(gè)可包括具有彎曲表面的彎曲部BP。

在一些示例性實(shí)施方式中，等離子處理裝置500可包括腔室CB，基底支撐單元51、52、53、54、55和56，氣體供應(yīng)部分100和101，等離子單元200和201，第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元80和85，第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元400以及第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元300。

腔室CB可包括上端部P3、下端部P4，以及連接上端部P3和下端部P4的多個(gè)側(cè)壁。例如，圖1示出第一側(cè)壁P1和面對第一側(cè)壁P1的第二側(cè)壁P2，但腔室CB不受限于此或由此限制。腔室CB設(shè)置有在其中限定的反應(yīng)空間RS，在該空間中在基底W1至基底W6上執(zhí)行等離子處理。

在一些示例性實(shí)施方式中，反應(yīng)空間RS可維持在真空狀態(tài)。在這樣的實(shí)施方式中，等離子處理裝置500可進(jìn)一步包括連接至反應(yīng)空間RS的真空泵(未示出)。

然而，反應(yīng)空間RS應(yīng)理解為不限于維持在真空狀態(tài)。也就是說，根據(jù)一些實(shí)施方式，反應(yīng)空間RS可維持在大氣壓力狀態(tài)。

在一些示例性實(shí)施方式中，基底入口D1和基底出口D2每個(gè)均與腔室CB的上端部P3和下端部P4相鄰。基底入口D1延伸穿過第一側(cè)壁P1并且基底出口D2延伸穿過第二側(cè)壁P2。

等離子處理裝置500可進(jìn)一步包括傳送軌道TR以傳送基底W1至基底W6。傳送軌道TR穿過反應(yīng)空間RS，傳送軌道TR的一端在腔室CB的基底入口D1外側(cè)，并且傳送軌道TR的另一端在腔室CB的基底出口D2外側(cè)。在一些實(shí)施方式中，基底W1至基底W6通過基底入口D1進(jìn)入到反應(yīng)空間RS中并且通過基底出口D2退出到腔室CB之外。

基底支撐單元51至基底支撐單元56(例如，基底支撐件)分別支撐基底W1至基底W6，并且在反應(yīng)空間RS中旋轉(zhuǎn)基底W1至基底W6，正如下文進(jìn)一步描述的。

在一些實(shí)施方式中，基底支撐單元51至基底支撐單元53與腔室CB的上端部P3相鄰，并且基底支撐單元54至基底支撐單元56與腔室CB的下端部P4相鄰。因?yàn)榛字螁卧?1至基底支撐單元56可具有大致相同的結(jié)構(gòu)和功能，所以將作為代表性示例詳細(xì)描述(基底支撐單元51至基底支撐單元56中的)第一基底支撐單元51，并且將作為代表性示例詳細(xì)描述(基底W1至基底W6中的)第一基底W1。第一基底W1聯(lián)結(jié)至第一基底支撐單元51(例如見圖1)。

在一些實(shí)施方式中，第一基底支撐單元51可包括驅(qū)動部分RD、旋轉(zhuǎn)軸線RA以及保持部分RC(例如見圖1)。驅(qū)動部分RD包括馬達(dá)以生成旋轉(zhuǎn)力，并且旋轉(zhuǎn)軸線RA(例如，具有旋轉(zhuǎn)軸線RA的旋轉(zhuǎn)軸)連接至驅(qū)動部分RD以從驅(qū)動部分RD接收旋轉(zhuǎn)力。保持部分RC的一端連接至旋轉(zhuǎn)軸線RA，并且保持部分RC的另一端保持第一基底W1。

在一些示例性實(shí)施方式中，保持部分RC可包括卡盤(未示出)以保持第一基底W1，并且卡盤可包括與第一基底W1接觸的支撐銷(未示出)。

當(dāng)通過驅(qū)動部分RD生成旋轉(zhuǎn)力時(shí)，旋轉(zhuǎn)力施加至旋轉(zhuǎn)軸線RA，并且當(dāng)從側(cè)面觀察時(shí)，保持部分RC在反應(yīng)空間RS中在第一順時(shí)針方向RDR1上或者在第一逆時(shí)針方向RDR1-1上旋轉(zhuǎn)(即關(guān)于旋轉(zhuǎn)軸線RA旋轉(zhuǎn)，例如見圖1)。第一基底W1與保持部分RC的旋轉(zhuǎn)相連鎖，并且(例如取決于保持部分RC的旋轉(zhuǎn))在反應(yīng)空間RS中在第一順時(shí)針方向RDR1上或在第一逆時(shí)針方向RDR1-1上旋轉(zhuǎn)。

在第一基底W1在反應(yīng)空間RS中旋轉(zhuǎn)(即關(guān)于旋轉(zhuǎn)軸線RA旋轉(zhuǎn))的一些實(shí)施方式中，第一基底W1的上表面、第一基底W1的下表面以及彎曲部BP的彎曲表面可以朝向等離子單元200和等離子單元201定向。由等離子單元200和等離子單元201(例如等離子發(fā)生器)生成的等離子可以均勻地施加至第一基底W1的整個(gè)表面，并且因此，通過從等離子單元200和等離子單元201提供的等離子，可以在第一基底W1的整個(gè)表面上均勻地執(zhí)行表面處理過程。

在一些實(shí)施方式中，氣體供應(yīng)部分100和氣體供應(yīng)部分101(例如氣體供應(yīng)器)可以為等離子單元200和等離子單元201提供源氣體SG。氣體供應(yīng)部分100和氣體供應(yīng)部分101包括第一氣體供應(yīng)部分100和第二氣體供應(yīng)部分101，并且等離子單元200和等離子單元201包括第一等離子單元200和第二等離子單元201。

第一氣體供應(yīng)部分100通過第一氣體管線PR1將源氣體SG提供至第一等離子單元200，并且第二氣體供應(yīng)部分101通過第二氣體管線PR2將源氣體SG提供至第二等離子單元201。

在一些示例性實(shí)施方式中，源氣體SG可包括氬氣、氫氣、氮?dú)庖约把鯕庵械闹辽僖粋€(gè)。

第一氣體管線PR1和第二氣體管線PR2可具有柔韌的形狀。例如，第一氣體管線PR1和第二氣體管線PR2可以是由塑料材料形成的軟管。相應(yīng)地，當(dāng)?shù)谝坏入x子單元200和第二等離子單元201旋轉(zhuǎn)時(shí)，第一氣體管線PR1和第二氣體管線PR2可以是可變形的。因此，源氣體SG可以通過第一氣體管線PR1和第二氣體管線PR2穩(wěn)定地提供至第一等離子單元200和第二等離子單元201。

在一些實(shí)施方式中，第一等離子單元200和第二等離子單元201從第一氣體供應(yīng)部分100和第二氣體供應(yīng)部分101接收源氣體SG，并且生成等離子PS。第一等離子單元200可包括第一出口DH1，通過所述第一出口DH1排放等離子PS(例如第一等離子單元200和/或第一出口DH1可位于反應(yīng)空間RS中)，并且第二等離子單元201可包括第二出口DH2，通過所述第二出口DH2排放等離子PS(例如第二等離子單元201和/或第二出口DH2可位于反應(yīng)空間RS中)。因而，當(dāng)操作第一等離子單元200和第二等離子單元201時(shí)，反應(yīng)空間RS中填充有等離子PS。第一等離子單元200和第二等離子單元201可具有大致相同的結(jié)構(gòu)和功能，并且因此將作為代表性示例詳細(xì)描述第一等離子單元200。

第一等離子單元200可包括本體BD、第一電極E1、第二電極E2以及管路FP(例如見圖2A)。第一出口DH1位于本體BD的一端處。第一電極E1和第二電極E2位于本體BD中并彼此面對，以使得管路FP(例如管)位于第一電極E1與第二電極E2之間。

在一些實(shí)施方式中，第一電極E1和第二電極E2可連接至直流電源，在第一電極E1與第二電極E2之間形成電場EF。當(dāng)在形成電場EF的同時(shí)通過管路FP提供源氣體SG時(shí)，源氣體SG通過從第一電極E1和第二電極E2中的一個(gè)提供的電子轉(zhuǎn)換成離子態(tài)，從而生成等離子PS。此外，生成的等離子PS通過第一出口DH1排放。

在一些實(shí)施方式中，第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元80和第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元85可分別(例如，以一一對應(yīng)的方式)聯(lián)接至等離子單元200和等離子單元201。因?yàn)榈谝恍D(zhuǎn)驅(qū)動單元80和第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元85可具有大致相同的結(jié)構(gòu)和功能，所以在下文中，將作為代表性示例參照圖3A和圖3B僅詳細(xì)描述一個(gè)第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元80。

圖3A和圖3B是示出根據(jù)一些實(shí)施方式的通過第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元80旋轉(zhuǎn)的等離子單元200和等離子單元201的側(cè)視圖。

參照圖1、圖3A和圖3B，第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元80(例如第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器)可包括第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分81和第一旋轉(zhuǎn)軸線82。第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分81可包括馬達(dá)以生成旋轉(zhuǎn)力，并且第一旋轉(zhuǎn)軸線82可連接至第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分81，以從第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分81接收旋轉(zhuǎn)力。

第一旋轉(zhuǎn)軸線82可聯(lián)接至第一等離子單元200。因此，當(dāng)操作第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分81以旋轉(zhuǎn)第一旋轉(zhuǎn)軸線82時(shí)，第一等離子單元200通過第一旋轉(zhuǎn)軸線82的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)。具體地，當(dāng)在側(cè)面(例如見圖3A和圖3B)觀察時(shí)，第一等離子單元200的第一出口DH1在第一順時(shí)針方向RDR1或第一逆時(shí)針方向RDR1-1上旋轉(zhuǎn)。因此，通過第一出口DH1排放的等離子PS可均勻地提供至基底W1、基底W2和基底W3中每個(gè)的整個(gè)表面上。

第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元400(例如第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器)可聯(lián)接至第一等離子單元200和第二等離子單元201。在下文中，將參照圖3C詳細(xì)描述第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元400的結(jié)構(gòu)和功能。

圖3C是示出根據(jù)一些實(shí)施方式的通過第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元400旋轉(zhuǎn)的等離子單元的平面圖。

參照圖1和圖3C，第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元400可包括第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分401、第二旋轉(zhuǎn)軸線405和支撐部分403。

第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分401可包括馬達(dá)以生成旋轉(zhuǎn)力。第二旋轉(zhuǎn)軸線405可聯(lián)接至第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分401以接收旋轉(zhuǎn)力。支撐部分403可聯(lián)接至第二旋轉(zhuǎn)軸線405，并且當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)(例如見圖3C)，支撐部分403通過旋轉(zhuǎn)力在第二順時(shí)針方向RDR2或第二逆時(shí)針方向RDR2-1上旋轉(zhuǎn)。

在一些示例性實(shí)施方式中，支撐部分403可具有大致圓板形狀，但不限于此或由此限制。在一些實(shí)施方式中，例如，支撐部分403可具有將第一等離子單元200和第二等離子單元201連接的框架形狀。

支撐部分403可聯(lián)接至第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元80和第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元85、第一等離子單元200以及第二等離子單元201。因此，在支撐部分403依照第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元400的驅(qū)動在第二順時(shí)針方向RDR2或第二逆時(shí)針方向RDR2-1上旋轉(zhuǎn)(例如見圖3C)的一些實(shí)施方式中，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第一等離子單元200和第二等離子單元201在第二順時(shí)針方向RDR2或第二逆時(shí)針方向RDR2-1上旋轉(zhuǎn)(即，基于第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元400的旋轉(zhuǎn))。

此外，在第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元80和第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元85以及第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元400大致同時(shí)被驅(qū)動的一些實(shí)施方式中，第一等離子單元200和第二等離子單元201不僅在第一順時(shí)針方向RDR1或第一逆時(shí)針方向RDR1-1上旋轉(zhuǎn)，而且也在第二順時(shí)針方向RDR2或第二逆時(shí)針方向RDR2-1上旋轉(zhuǎn)。相應(yīng)地，第一等離子單元200和第二等離子單元201的第一出口DH1和第二出口DH2可被控制為面對各個(gè)方向，因此，通過第一出口DH1和第二出口DH2排放的等離子PS可以各向同性地供應(yīng)至基底W1、基底W2和基底W3。

第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元300(例如第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器)可聯(lián)接至第一等離子單元200和第二等離子單元201。在下文中，將參照圖3D詳細(xì)描述第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元300的結(jié)構(gòu)和功能。

圖3D是示出根據(jù)一些實(shí)施方式的通過第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元300旋轉(zhuǎn)的等離子單元的側(cè)視圖。

參照圖1和圖3D，第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元300可包括第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分301和第三旋轉(zhuǎn)軸線305。

第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分301可包括馬達(dá)以生成旋轉(zhuǎn)力。第三旋轉(zhuǎn)軸線305的一端可聯(lián)接至第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分301，并且第三旋轉(zhuǎn)軸線305的另一端可固定至支撐部分403。因此，由第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分301生成的旋轉(zhuǎn)力可通過第三旋轉(zhuǎn)軸線305施加至支撐部分403，并因而支撐部分403可以通過旋轉(zhuǎn)力進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。

此外，在一些實(shí)施方式中，支撐部分403相對于第三旋轉(zhuǎn)軸線305的定向可通過第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部分301的旋轉(zhuǎn)而反向。因此，(位于支撐部分403上)第一等離子單元200和第二等離子單元201相對于第三旋轉(zhuǎn)軸線305的定向可以反向。因此，第一出口DH1和第二出口DH2所面對的方向可以從腔室CB的上端部P3變化到腔室CB的下端部P4。

如圖1中所示，在第一等離子單元200和第二等離子單元201面對腔室CB的上端部P3的一些實(shí)施方式中，(與上端部P3相鄰的)基底W1至基底W3可以被進(jìn)行等離子處理。此外，如圖3D中所示，在第一等離子單元200和第二等離子單元201面對腔室CB的下端部P4的一些實(shí)施方式中，(與下端部P4相鄰的)基底W4至基底W6可以被進(jìn)行等離子處理。

在一些實(shí)施方式中，可以通過使用第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元300(例如以旋轉(zhuǎn)第三旋轉(zhuǎn)軸線305)來控制第一出口DH1和第二出口DH2所面對的方向(例如上端部P3或下端部P4)。因此，可以在位于腔室CB的上端部P3和下端部P4的基底W1至基底W6上大致同時(shí)地執(zhí)行等離子處理過程。

圖4是示出根據(jù)本公開的一些示例性實(shí)施方式的等離子處理裝置501的側(cè)視圖。在圖4中，相同的附圖標(biāo)記表示上文提及的實(shí)施方式中的相同元件，并因此將省略對相同元件的詳細(xì)描述。

參照圖4，等離子處理裝置501可包括腔室CB，基底支撐單元51至56，氣體供應(yīng)部分100、101、102和103，等離子單元200、201、202和203，第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元80、85、86和87，以及第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元400。

在一些示例性實(shí)施方式中，等離子單元200至等離子單元203位于支撐部分403的上端部處和下端部處。具體地，第一等離子單元200和第二等離子單元201可位于支撐部分403的上端部處，并且第三等離子單元202和第四等離子單元203可位于支撐部分403的下端部處。

在一些實(shí)施方式中，氣體供應(yīng)部分100至氣體供應(yīng)部分103分別與等離子單元200至等離子單元203相對應(yīng)，并且向等離子單元200至等離子單元203供應(yīng)源氣體。氣體供應(yīng)單元100至氣體供應(yīng)單元103可包括第一氣體管線PR1、第二氣體管線PR2、第三氣體管線PR3和第四氣體管線PR4，并且第一氣體管線PR1至第四氣體管線PR4可分別(例如以一一對應(yīng)的方式)連接至等離子單元200至等離子單元203。

第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元80、85、86和87可分別(例如以一一對應(yīng)的方式)聯(lián)接至等離子單元200至等離子單元203，從而當(dāng)在側(cè)視圖中(例如見圖4)觀察時(shí)，在第一順時(shí)針方向RDR1和第一逆時(shí)針方向RDR1-1上旋轉(zhuǎn)等離子單元200至等離子單元203。

在一些實(shí)施方式中，第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元400可聯(lián)接至等離子單元200至等離子單元203，從而當(dāng)在平面圖(例如見圖2B)中觀察時(shí)，在第二順時(shí)針方向RDR2和第二逆時(shí)針方向RDR2-1上旋轉(zhuǎn)等離子單元200至等離子單元203。

在反應(yīng)空間RS中，在本文中將與支撐部分403的上部相對應(yīng)的空間稱為上反應(yīng)空間，并且在本文中將與支撐部分403的下部相對應(yīng)的空間稱為下反應(yīng)空間。當(dāng)驅(qū)動第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元80、85、86和87以及第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元400時(shí)，可在上反應(yīng)空間中隨機(jī)確定第一等離子單元200和第二等離子單元201的第一出口DH1和第二出口DH2中的每個(gè)面對的方向，并且可在下反應(yīng)空間中隨機(jī)確定第三等離子單元202和第四等離子單元203的第三出口DH3和第四出口DH4中的每個(gè)面對的方向。

相應(yīng)地，通過第一出口DH1和第二出口DH2排放的等離子可以各向同性地供應(yīng)至鄰近上端部P3的基底W1、基底W2和基底W3，并且通過第三出口DH3和第四出口DH4排放的等離子可以各向同性地供應(yīng)至鄰近下端部P4的基底W4、基底W5和基底W6。

圖5A至圖5C是示出根據(jù)一些實(shí)施方式的、當(dāng)在基底W1上形成多個(gè)涂覆層HC時(shí)，使用圖1中所示的等離子處理裝置對基底W1進(jìn)行等離子處理的方法的視圖。

參照圖5A，噴射單元NZ可向基底W1提供第一涂覆溶液CS1，以在基底W1上形成第一涂覆層L1。在一些示例性實(shí)施方式中，基底W1可以是但不限于覆蓋顯示設(shè)備的顯示屏幕的窗口，并且基底W1可包括彎曲部BP以覆蓋顯示屏幕的彎曲表面。

第一涂覆溶液CS1可包括有機(jī)材料、無機(jī)材料或通過混合有機(jī)材料和無機(jī)材料獲得的混合材料。例如，有機(jī)材料可包括丙烯基化合物和環(huán)氧基化合物，并且無機(jī)材料可包括硅石和鋁。

參照圖5B，可以使用參照圖1描述的等離子處理裝置500在基底W1(在所述基底W1上形成有第一涂覆層L1)上執(zhí)行等離子處理過程。例如，更詳細(xì)地，可驅(qū)動等離子處理裝置的等離子單元200和等離子單元201生成等離子PS，并且等離子PS可供應(yīng)至第一涂覆層L1的暴露表面。相應(yīng)地，可通過等離子PS在第一涂覆層L1的暴露表面上執(zhí)行等離子處理過程。

在一些示例性實(shí)施方式中，如參照圖1、圖3A和圖3B所描述的，當(dāng)執(zhí)行等離子處理過程時(shí)等離子單元200和等離子單元201可以旋轉(zhuǎn)。具體地，當(dāng)驅(qū)動第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元80和第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元85時(shí)，等離子單元200和等離子單元201在第一順時(shí)針方向RDR1和第一逆時(shí)針方向RDR1-1上(例如見圖1)旋轉(zhuǎn)。

此外，如參照圖1和圖3C所描述的，當(dāng)執(zhí)行等離子處理過程時(shí)，可以驅(qū)動第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元400，從而當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，在第二順時(shí)針方向RDR2和第二逆時(shí)針方向RDR2-1上旋轉(zhuǎn)等離子單元200和等離子單元201。

此外，如參照圖1所描述的，當(dāng)執(zhí)行等離子處理過程時(shí)，基底W1可以旋轉(zhuǎn)。更具體地，基底W1可通過基底支撐單元51在第一順時(shí)針方向RDR1和第一逆時(shí)針方向RDR1-1上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)(例如見圖1)。

因此，通過驅(qū)動第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元和第二旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元，從等離子單元200和等離子單元201排放的等離子PS可以各向同性地供應(yīng)至基底W1。因此，可以對在窗口W1的平坦部和彎曲部BP上形成的第一涂覆層L1的表面進(jìn)行均勻的等離子處理。

在一些示例性實(shí)施方式中，如參照圖1和圖3D所描述的，當(dāng)執(zhí)行等離子處理過程時(shí)，通過第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元300的驅(qū)動，等離子單元200和等離子單元201相對于第三旋轉(zhuǎn)軸線305的定向可以(例如上下)反向(例如等離子單元200和等離子單元201的定向可以反向)。在這樣的實(shí)施方式中，盡管多個(gè)基底W1至基底W6位于腔室CB的上端部P3處和下端部P4處，但是因?yàn)橥ㄟ^第三旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元300，等離子單元200和等離子單元201相對于第三旋轉(zhuǎn)軸線305的定向可以反向，故而可以在基底W1至基底W6上容易地執(zhí)行等離子處理過程。

參照圖5C，在第一涂覆層L1上完全執(zhí)行表面處理過程之后，噴射單元NZ可向基底W1提供第二涂覆溶液CS2以在第一涂覆層L1上形成第二涂覆層L2。

與第一涂覆溶液CS1類似，第二涂覆溶液CS2可包括有機(jī)材料、無機(jī)材料或通過混合有機(jī)材料和無機(jī)材料獲得的混合材料。

如參照圖5B所描述的，可在形成第二涂覆層L2之前對第一涂覆層L1的表面進(jìn)行等離子處理。因此，在于第一涂覆層L1上形成第二涂覆層L2的一些實(shí)施方式中，可以提高第一涂覆層L1與第二涂覆層L2之間的粘合強(qiáng)度。因此，盡管涂覆層HC包括一個(gè)堆疊于另一個(gè)上的第一涂覆層L1和第二涂覆層L2(例如見圖5C)，但仍可防止第一涂覆層L1和第二涂覆層L2彼此分離。

盡管已描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，但應(yīng)理解，本發(fā)明不應(yīng)受限于這些示例性實(shí)施方式，而是在所附權(quán)利要求所要求的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以做出各種變化和修改。