本發(fā)明關(guān)于一種顯示裝置；具體而言，本發(fā)明關(guān)于一種具顯示范圍擴(kuò)大效果的自發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

平面及曲面顯示裝置已被廣泛地應(yīng)用于各式的電子裝置之中，例如行動(dòng)電話、個(gè)人穿戴裝置、電視、車用導(dǎo)航主機(jī)、個(gè)人電腦、數(shù)字相機(jī)、掌上型電玩等。除了單獨(dú)使用的電子裝置外，亦可將多個(gè)顯示裝置合并而拼成大型的顯示幕，以進(jìn)行大范圍的資訊顯示。然而無論是何種應(yīng)用或何種類型的顯示裝置，縮減邊框?qū)挾染鶠楝F(xiàn)今技術(shù)追求的目標(biāo)。

以傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置為例，如圖1所示，其包括了薄膜晶體管電路層10及有機(jī)發(fā)光二極管層30。有機(jī)發(fā)光二極管層30由多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管單元31排列組成顯示區(qū)，而薄膜晶體管電路層10包含多個(gè)像素控制電路單元11分別控制所對應(yīng)的有機(jī)發(fā)光二極管單元31的亮度。有機(jī)發(fā)光二極管單元31分別設(shè)置于所對應(yīng)的像素控制電路單元11上方，并經(jīng)由穿孔及連接線路彼此相連。

如圖1所示，在薄膜晶體管電路層10的外側(cè)邊緣帶設(shè)有供外引腳接合(Outer Lead Bonding,OLB)用的線路部50。由于有機(jī)發(fā)光二極管單元31均位于像素控制電路單元11上方，而線路部50位于由像素控制電路單元11所組成的薄膜晶體管電路層10外側(cè)，因此線路部50上方?jīng)]有有機(jī)發(fā)光二極管單元11，而形成非顯示區(qū)，如此一來，由視覺效果來看，非顯示區(qū)即為顯示區(qū)外的邊框，有效的減少非顯示區(qū)，便可達(dá)到窄化邊框的效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置，可擴(kuò)大顯示范圍。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種顯示裝置，可將邊緣帶的線路至少部分隱藏于顯示區(qū)之下。

在一實(shí)施例中，顯示裝置包含控制電路層及自發(fā)光層?？刂齐娐穼泳哂性跈M切方向上排列分布的多個(gè)控制電路區(qū)塊。自發(fā)光層設(shè)置于控制電路層上方，并具有在橫切方向上排列分布的多個(gè)自發(fā)光區(qū)塊。多個(gè)自發(fā)光區(qū)塊分別對應(yīng)于多個(gè)控制電路區(qū)塊，且自發(fā)光區(qū)塊與所對應(yīng)的控制電路區(qū)塊信號(hào)連接。其中，在橫切方向上，自發(fā)光區(qū)塊較所對應(yīng)的控制電路區(qū)塊朝向第一側(cè)邊突出一偏移距離，較接近第一側(cè)邊的自發(fā)光區(qū)塊具有較大的偏移距離。由于在同一橫切方向上排列，因此上述的偏移距離可以持續(xù)累積，而使得越接近第一側(cè)邊時(shí)，偏移距離越大。

在另一實(shí)施例中，控制電路層具有在橫切方向上相鄰排列的第一控制電路區(qū)塊及第二控制電路區(qū)塊。自發(fā)光層設(shè)置于控制電路層上方，并具有在橫切方向上相鄰排列的第一自發(fā)光區(qū)塊及第二自發(fā)光區(qū)塊。第一自發(fā)光區(qū)塊及第二自發(fā)光區(qū)塊分別對應(yīng)并與第一控制電路區(qū)塊及第二控制電路區(qū)塊信號(hào)連接。

在橫切方向上，第一發(fā)光區(qū)塊具有朝向第二發(fā)光區(qū)塊的一側(cè)，其較第一控制電路區(qū)塊朝向第二控制電路的一側(cè)突出第一偏移距離。第二發(fā)光區(qū)塊具有遠(yuǎn)離第一發(fā)光區(qū)塊的一側(cè)，其較第二控制電路區(qū)塊遠(yuǎn)離第一控制電路區(qū)塊的一側(cè)突出第二偏移距離。第二偏移距離大于該第一偏移距離。由于在同一橫切方向上排列，因此第二偏移距離大于該第一偏移距離間的差值可以累加，而使得越接近第一側(cè)邊時(shí)，偏移距離越大。

附圖說明

圖1為傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的示意圖；

圖2為本發(fā)明顯示裝置的實(shí)施例元件爆炸圖；

圖3為圖2所示實(shí)施例的剖視圖；

圖4為顯示裝置的另一實(shí)施例剖視圖；

圖5為顯示裝置的另一實(shí)施例剖視圖；

圖6為顯示裝置的另一實(shí)施例剖視圖；

圖7為顯示裝置的另一實(shí)施例剖視圖。

其中，附圖標(biāo)記：

100 控制電路層

101 第一側(cè)

110 控制電路區(qū)塊

111 第一控制電路區(qū)塊

112 第二控制電路區(qū)塊

113 第三控制電路區(qū)塊

171、172 柵極

210、220、230、240 側(cè)

300 自發(fā)光層

310 自發(fā)光區(qū)塊

311 第一自發(fā)光區(qū)塊

312 第二自發(fā)光區(qū)塊

313 第三自發(fā)光區(qū)塊

350 電極

500 邊緣帶

700 連接層

710 連接線路

711 第一連接線路

712 第二連接線路

910 第一連續(xù)結(jié)構(gòu)

920 第二連續(xù)結(jié)構(gòu)

X 橫切方向

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。

本發(fā)明提供一種顯示裝置，具有自發(fā)光層。在本實(shí)施例中，顯示裝置包含主動(dòng)矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，但不以此為限。自發(fā)光層較佳由有機(jī)發(fā)光二極管所形成；然而在不同實(shí)施例中，自發(fā)光層亦可由其他材料形成。

在圖2所示的實(shí)施例中，顯示裝置包含控制電路層100及自發(fā)光層300?？刂齐娐穼?00具有在橫切方向X上排列分布的多個(gè)控制電路區(qū)塊110；以控制電路層100整體而言，控制電路區(qū)塊110較佳采矩陣的方式分布。矩陣分布包含但不限于正交矩陣分布，亦可包含蜂巢式矩陣分布或其他由不規(guī)則形狀但以規(guī)則或重復(fù)方式排列而形成的周期性分布。橫切方向X較佳指跨越整個(gè)控制電路層100且平行于控制電路層100一側(cè)邊的方向。以本實(shí)施例而言，橫切方向X較佳與顯示裝置的第一側(cè)邊101垂直且與第二側(cè)邊102平行，其中第一側(cè)邊101及第二側(cè)邊102較佳指顯示裝置相垂直的兩側(cè)實(shí)體邊緣?？刂齐娐穮^(qū)塊110較佳為薄膜晶體管所形成的控制電路，并對應(yīng)于顯示裝置的每一像素或子像素而設(shè)置。每一控制電路區(qū)塊110中包括兩個(gè)薄膜晶體管，以分別控制此一區(qū)塊充電的啟閉及充電的電壓?？刂齐娐穮^(qū)塊110的范圍，舉例而言，可以為由交錯(cuò)的信號(hào)線路(例如掃描線及數(shù)據(jù)線)所圍成的范圍。然而上述范圍亦可以在控制電路層100上以矩陣形式形成重復(fù)變化的結(jié)構(gòu)來劃分?？刂齐娐穮^(qū)塊110的范圍形狀較佳為四邊形，但亦可為其他多邊形或不規(guī)則的形狀。在較佳實(shí)施例中，控制電路區(qū)塊110包含在橫切方向X上相鄰排列的第一控制電路區(qū)塊111及第二控制電路區(qū)塊112。在本實(shí)施例中，第一控制電路區(qū)塊111及第二控制電路區(qū)塊112分別對應(yīng)于相鄰的子像素；但在不同實(shí)施例中，第一控制電路區(qū)塊111及第二控制電路區(qū)塊112分別對應(yīng)于相鄰的像素。

如圖2所示，自發(fā)光層300設(shè)置于控制電路層100上方。在本實(shí)施例中，以最終的影像顯示方向作為上側(cè)來進(jìn)行說明。自發(fā)光層300具有在橫切方向X上排列分布的多個(gè)自發(fā)光區(qū)塊310；以自發(fā)光層300整體而言，自發(fā)光區(qū)塊310較佳采矩陣方式分布。矩陣分布包含但不限于正交矩陣分布，亦可包含蜂巢式矩陣分布或其他由不規(guī)則形狀但以規(guī)則或重復(fù)方式排列而形成的周期性分布。在本實(shí)施例中，自發(fā)光區(qū)塊310較佳為由有機(jī)發(fā)光二極管所形成的子像素，并與控制電路區(qū)塊110分別對應(yīng)。但在不同實(shí)施例中，自發(fā)光區(qū)塊310亦可包含多個(gè)子像素，并由多個(gè)子像素形成一個(gè)完整像素的范圍。自發(fā)光區(qū)塊310可以下方的電極350與所對應(yīng)的控制電路區(qū)塊110信號(hào)連接，以為控制電路區(qū)塊110所控制而產(chǎn)生光線。每個(gè)自發(fā)光區(qū)塊310可具有不同的顏色，例如紅、綠、藍(lán)、白等，而各顏色周期性地分布于整個(gè)自發(fā)光層300上。自發(fā)光區(qū)塊310的范圍，較佳為發(fā)光材料本身分布的范圍；然而上述范圍亦可以在自發(fā)光層300上以矩陣形式形成重復(fù)變化的結(jié)構(gòu)來劃分，因此可包含作為發(fā)光材料間間隔的結(jié)構(gòu)。自發(fā)光區(qū)塊310的范圍形狀較佳為四邊形，但亦可為其他多邊形或不規(guī)則的形狀。在較佳實(shí)施例中，自發(fā)光區(qū)塊310包含在橫切方向X上相鄰排列的第一自發(fā)光區(qū)塊311及第二自發(fā)光區(qū)塊312。第一自發(fā)光區(qū)塊311及第二自發(fā)光區(qū)塊312分別與第一控制電路區(qū)塊111及第二控制電路區(qū)塊112對應(yīng)且信號(hào)連接。

如圖3所示為在橫切方向X上垂直于顯示面的剖面示意圖。在橫切方向X上，自發(fā)光區(qū)塊310較所對應(yīng)的控制電路區(qū)塊110朝向第一側(cè)邊101突出一偏移距離D。較接近第一側(cè)邊101的自發(fā)光區(qū)塊310比較遠(yuǎn)離第一側(cè)邊101的自發(fā)光區(qū)塊310具有較大的偏移距離D；換言之，越接近第一側(cè)邊101的自發(fā)光區(qū)塊310會(huì)突出于所對應(yīng)的控制電路區(qū)塊110越多。具體而言，以第一自發(fā)光區(qū)塊311、第二自發(fā)光區(qū)塊312及第三自發(fā)光區(qū)塊313為例，第一發(fā)光區(qū)塊311具有朝向第二發(fā)光區(qū)塊312的一側(cè)210，其較第一控制電路區(qū)塊111朝向第二控制電路112的一側(cè)220突出第一偏移距離D₁。第二發(fā)光區(qū)塊312具有遠(yuǎn)離第一發(fā)光區(qū)塊311的一側(cè)230，其較第二控制電路區(qū)塊112遠(yuǎn)離第一控制電路區(qū)塊111的一側(cè)240突出第二偏移距離D₂。第二偏移距離D₂大于該第一偏移距離D₁。另在第二自發(fā)光區(qū)塊312右側(cè)(朝向第一側(cè)邊101的一側(cè))的第三自發(fā)光區(qū)塊313較所對應(yīng)的第三控制電路區(qū)塊113突出偏移距離D₃。第三偏移距離D₃又大于該第二偏移距離D₂。由于在同一橫切方向X上排列，因此第二偏移距離D₂大于該第一偏移距離D₁間的差值以及第三偏移距離D₃大于該第二偏移距離D₂間的差值可以累加，而使得偏移距離逐步變大。因此最接近第一側(cè)邊101的第三偏移距離D₃將會(huì)最大；換言之，即上方自發(fā)光區(qū)塊310與下方對應(yīng)的控制電路區(qū)塊110間錯(cuò)位越大。

如圖3所示，最靠近第一側(cè)邊101的電路控制區(qū)塊110外側(cè)設(shè)有邊緣帶500，邊緣帶500較佳包含外引腳接合(Outer Lead Bonding,OLB)用的線路，亦可包含其他的邊緣傳導(dǎo)線路。對于最靠近第一側(cè)邊101的第三自發(fā)光區(qū)塊313而言，已經(jīng)突出于下方對應(yīng)的第三控制電路區(qū)塊113一定距離(至少為第三偏移距離D₃)，因此可完全覆蓋于邊緣帶500上或至少覆蓋邊緣帶500的部分。藉由此一設(shè)計(jì)，可達(dá)成增加顯示面積的功效，并有助于縮小顯示裝置邊框的寬度。

此外，如圖4所示，在控制電路層100及自發(fā)光層300間可設(shè)有連接層700作為信號(hào)傳導(dǎo)之用。連接層700包含了多個(gè)連接線路710，其較佳可由金屬或其他具導(dǎo)電性的材料設(shè)置而成。每一連接線路710的兩端(兩側(cè))分別連接于彼此對應(yīng)的控制電路區(qū)塊110及自發(fā)光區(qū)塊310。例如第一連接線路711的一端連接于第一控制電路區(qū)塊111，而另一端則連接于第一自發(fā)光區(qū)塊311；第二連接線路712的一端連接于第二控制電路區(qū)塊112，而另一端則連接于第二自發(fā)光區(qū)塊312。以在橫切方向X上的投影長度而言，越接近第一側(cè)邊101的連接線路710具有越長的投影長度。例如第二連接線路712在橫切方向X上的投影長度L₂即大于第一連接線路711在橫切方向X上的投影長度L₁。

為達(dá)成上述偏移距離D累加的效果，可采用如下所示的實(shí)施方式。在圖5的實(shí)施例中，控制電路區(qū)塊110在橫切方向X上具有平均寬度A₁，而自發(fā)光區(qū)塊310在橫切方向X上具有平均寬度A₂，其中寬度A₂大于寬度A₁。當(dāng)控制電路區(qū)塊110及自發(fā)光區(qū)塊310為矩形時(shí)，寬度A₁及寬度A₂分別為各自的平行于橫切方向X的邊長長度。然而由于控制電路區(qū)塊110及自發(fā)光區(qū)塊310在平行于控制電路層100及自發(fā)光層300的平面上形狀可能為矩形外的其他形狀，因此寬度A₁及寬度A₂可分別為各自于橫切方向X上各剖面寬度的平均值。

在圖6的實(shí)施例中，控制電路區(qū)塊110在橫切方向X上的排列共同組成周期性變化的第一連續(xù)結(jié)構(gòu)910，且第一連續(xù)結(jié)構(gòu)910于每第一距離W₁即出現(xiàn)重復(fù)的結(jié)構(gòu)特征；換言之，每個(gè)控制電路區(qū)塊110與相鄰的控制電路區(qū)塊110間為具有重復(fù)性的結(jié)構(gòu)特征，且相鄰控制電路區(qū)塊110彼此對應(yīng)的結(jié)構(gòu)特征間距為第一距離W₁。例如可以在控制電路區(qū)塊110中的柵極171作為具有重復(fù)性的結(jié)構(gòu)特征，而可定義在相鄰控制電路區(qū)塊110中的柵極171與柵極172側(cè)邊間的距離為第一距離W₁。自發(fā)光區(qū)塊310在橫切方向X上的排列共同組成周期性變化的第二連續(xù)結(jié)構(gòu)920，且第二連續(xù)結(jié)構(gòu)920于每第二距離W₂即出現(xiàn)重復(fù)的結(jié)構(gòu)特征；換言之，每個(gè)自發(fā)光區(qū)塊310與相鄰的自發(fā)光區(qū)塊310間為具有重復(fù)性的結(jié)構(gòu)特征，且相鄰自發(fā)光區(qū)塊310彼此對應(yīng)的結(jié)構(gòu)特征間距為第二距離W₂。例如可以在自發(fā)光區(qū)塊310中實(shí)質(zhì)發(fā)光區(qū)域的最外緣作為具重復(fù)性的結(jié)構(gòu)特征，而可定義在相鄰自發(fā)光區(qū)塊310中各自實(shí)質(zhì)發(fā)光的區(qū)域最外緣間的距離為第二距離W₂。第二距離W₂較佳大于第一距離W₁，以達(dá)成偏移距離D累積的效果。

在圖7所示的實(shí)施例中，在橫切方向X上，第一控制電路區(qū)塊111寬度的中心C₁與第二控制電路區(qū)塊112寬度的中心C₂相距第一間距G₁。另第一自發(fā)光區(qū)塊311寬度的中心C₃與第二自發(fā)光區(qū)塊312寬度的中心C₄相距第二間距G₂。第二間距G₂較佳大于第一間距G₁，以達(dá)成偏移距離D累積的效果。當(dāng)?shù)谝?、第二控制電路區(qū)塊111、112及第一、第二自發(fā)光區(qū)塊311、312為矩形時(shí)，中心C₁、C₂、C₃、C₄分別為各自的平行于橫切方向X的邊長中點(diǎn)。然而由于第一、第二控制電路區(qū)塊111、112及第一、第二自發(fā)光區(qū)塊311、312在平行于控制電路層100及自發(fā)光層300的平面上形狀可能為矩形外的其他形狀，因此中心C₁、C₂、C₃、C₄較佳分別為第一、第二控制電路區(qū)塊111、112及第一、第二自發(fā)光區(qū)塊311、312各自的形心位置。

本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。必需指出的是，已揭露的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于申請專利范圍的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。