本發(fā)明涉及一種倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置及方法，具體而言，涉及一種照射助焊劑能夠最強地吸收的具有特定區(qū)域的波長范圍的光，從而根據(jù)所反射的反射光的光強之差來檢查倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)的方法。

背景技術(shù)：

近年來，隨著電子通信技術(shù)的發(fā)展，電子設(shè)備越來越傾向于小型化、輕量化。因此，內(nèi)置于各種電子設(shè)備的電子部件(例如，半導體芯片)必須滿足高集成化、超小型化。

因此，針對將高密度、超小型的表面貼裝部件(SMD：Surface Mount Device)貼裝到印刷電路基板(PCB：Printed Circuit Board，在下文中，將其稱之為“基板”)的表面貼裝技術(shù)的研究正積極進行著。

作為這種表面貼裝技術(shù)，代替以往的鍵合技術(shù)而有一種利用凸點(Bump)將作為半導體芯片的裸片(die)的電極和基板連接的倒裝芯片(Flip Chip)工藝。

倒裝芯片是能夠以面朝下(Face-down)形態(tài)將電子裝置或半導體芯片直接安裝到基板的貼裝板的裝置。

在將倒裝芯片安裝到基板時，可以通過生成在芯片表面上的導電性凸點實現(xiàn)電連接，而且在將芯片安裝到基板時，該芯片以倒置的狀態(tài)得到貼裝，基于此稱之為倒裝芯片。

倒裝芯片不需要焊線(Wire bond)，因此倒裝芯片的尺寸明顯小于通常的經(jīng)過引線鍵合工序(Wire-bonding process)的芯片。此外，在引線鍵合中，焊線的芯片和基板之間的連接是以一次焊接一個的方式進行，相反，在倒裝芯片中，可以同時執(zhí)行，因此，相比焊線的芯片，倒裝芯片的費用將會得到節(jié)儉，而且倒裝芯片的連接長度比引線鍵合的芯片短，因此其性能也將會得到提高。

以下，對根據(jù)上述的倒裝芯片工藝而將倒裝芯片貼裝到基板的工藝進行簡單說明。

首先執(zhí)行凸點加工(Bumping)工藝，即，從晶片(wafer)分離并取出芯片，并翻轉(zhuǎn)(flip)芯片而使上下表面的位置翻轉(zhuǎn)。

之后執(zhí)行回流(Reflow)工藝，即，貼裝機的頭將被翻轉(zhuǎn)的芯片吸附之后使其移動到預定的位置，并且在需要時對包含凸點的面進行加熱。

此時，為提高基板和芯片的接合性能，將執(zhí)行助熔(Fluxing)工藝，即，向芯片的凸點轉(zhuǎn)移助焊劑(Flux)。

之后，執(zhí)行如下的工藝：利用相機視覺(camera vision)識別基板的作為將要貼裝芯片的預定位置的襯墊，從而識別凸點的位置，并使凸點抵接襯墊以貼裝(Mounting)芯片。

最后，，通過回流進行加熱以接合基板和芯片，并通過涂覆環(huán)氧樹脂的底部填充(Under filling)和借助熱等來進行硬化的固化(Curing)而保護芯片。

在如上所述的倒裝芯片工藝中，在進行朝芯片的凸點轉(zhuǎn)移助焊劑的助熔工藝時，可能會發(fā)生助焊劑無法正常地被涂覆在芯片的凸點的情況，在此情況下，芯片沒有正常地接合到基板的可能行較大，據(jù)此，可能會引起生產(chǎn)出不良電子部件的問題。

對此，在現(xiàn)有技術(shù)中，被提出用于檢查助焊劑是否正常地被涂覆在芯片凸點的多樣的方法。

例如，具有如下的方法：將芯片浸漬(Deeping)在裝有助焊劑的容器之后，利用相機對容器內(nèi)助焊劑的凸點痕跡進行拍攝而檢查助焊劑的涂覆與否。然而這種方法，由于助焊劑由液體構(gòu)成，因而其痕跡將會瞬間消失，從而存在著難以容易地檢查針對芯片凸點的助焊劑的涂覆與否的問題。

此外，也有一種將可識別的其他添加物添加到助焊劑以能夠容易地實現(xiàn)識別過程的技術(shù)，然而對該技術(shù)而言，可能會存在助焊劑特性變化的問題。

另外，還提出過通過利用相機拍攝助焊劑涂覆于芯片的凸點的狀態(tài)而獲取的視頻或圖像來檢查針對芯片凸點的助焊劑的涂覆與否的方法，然而，在此情況下，由于助焊劑是無色液體，因此為了正確地判斷助焊劑被涂覆在芯片的凸點的狀態(tài)而需要使用具有高價的鏡頭的相機，從而存在發(fā)生費用負擔的問題。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻]

[專利文獻]

韓國授權(quán)專利第10-1377444號

日本公開專利第2008-041758號

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明是著眼于上述的各種問題而提出的，本發(fā)明所要解決的技術(shù)課題在于提供一種如下的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置及方法，該裝置及方法向涂覆有助焊劑的倒裝芯片的凸點照射助焊劑能夠最強地吸收的具有特定區(qū)域的波長范圍的光，據(jù)此根據(jù)對從涂覆有助焊劑的凸點和未涂覆有助焊劑的凸點反射的光的光強之差進行比較和判斷，從而能夠更為容易地檢查助焊劑的涂覆與否。

此外，本發(fā)明所要解決的技術(shù)課題在于提供一種倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置及方法，該裝置及方法利用助焊劑能夠最強地吸收的具有特定區(qū)域的波長范圍的光而容易地檢查助焊劑針對芯片的凸點的涂覆與否，從而能夠預防生產(chǎn)出不良電子產(chǎn)品。

本發(fā)明的課題并不局限于如上所述的課題，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)下文中的記載而容易地理解未提及的其他課題。

用于解決所述課題的根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置可以包括：吸嘴驅(qū)動部，用于使助焊劑涂覆在凸點的倒裝芯片移動到檢查位置；主照明部，用于向所述倒裝芯片的凸點照射具有針對所述助焊劑的吸收率高的特定區(qū)域的波長范圍的光；拍攝部，用于拍攝從所述主照明部照射的所述光的反射光；以及視覺確認部，用于讀取通過所述拍攝部拍攝的視頻或圖像而顯示助焊劑針對所述倒裝芯片的凸點的涂覆與否，所述特定區(qū)域的波長范圍可以是具有針對所述助焊劑的吸收率隨著波長的變化而呈現(xiàn)的多個峰值中的一個峰值的波長范圍。

在此，所述主照明部可以從所述凸點的下部側(cè)的側(cè)方向以傾斜的方向照射具有所述助焊劑能夠最強地吸收的特定區(qū)域的波長范圍的光，而且照射到所述倒裝芯片的凸點的所述光可以沿著所述倒裝芯片的凸點的下方向反射。

此外，可以包括：反射部,用于將從所述倒裝芯片的凸點反射的所述反射光的路徑引導至所述拍攝部側(cè)，在所述反射部的下部側(cè)還可以包括：輔助照明部，用于根據(jù)輸入信號而使具有針對所述助焊劑的吸收率高的特定區(qū)域的波長范圍的光照射到所述倒裝芯片的凸點。

在此情況下，所述反射部可以是分束器，用于使從所述輔助照明部照射的光透過，并使從所述倒裝芯片的凸點反射的反射光反射。

此外，所述主照明部可以形成有透光孔，用于使從所述倒裝芯片的凸點反射的反射光透過，并使從所述輔助照明部照射的光通過。

此外，從所述主照明部照射的光的波長范圍可以是400nm～500nm區(qū)域的波長范圍，而且可以將帶通濾波器布置在所述主照明部，從而使具有所述特定區(qū)域的波長范圍的光照射。

此外，從所述輔助照明部照射的光的波長范圍可以是400nm～500nm區(qū)域的波長范圍，而且可以將帶通濾波器布置在所述輔助照明部，從而使具有所述特定區(qū)域的波長范圍的光照射。

另外，根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法是利用倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置檢查倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)的方法，可以包括如下步驟：使涂覆有助焊劑的倒裝芯片移動到檢查位置；向所述倒裝芯片的凸點照射具有針對所述助焊劑的吸收率高的特定區(qū)域的波長范圍的光；拍攝從所述主照明部照射的所述光的反射光；讀取通過所述拍攝部拍攝的視頻或圖像而顯示助焊劑針對所述倒裝芯片的凸點的涂覆與否；而且，基于所述拍攝到的反射光，可以將具有相對較低的光強的反射光的位置判斷為涂覆有助焊劑的位置；將具有相對較低的光強的位置判斷為未涂覆有助焊劑的位置。

本發(fā)明的其他具體事項包含在詳細的說明及附圖中。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查至裝置及方法，本發(fā)明可以提供如下的效果：向涂覆有助焊劑的倒裝芯片的凸點照射助焊劑能夠最強地吸收的具有特定區(qū)域的波長范圍的光，據(jù)此能夠根據(jù)對從涂覆有助焊劑的凸點和未涂覆有助焊劑的凸點反射的光的光強之差進行比較和判斷，更為容易地檢查助焊劑的涂覆與否。

此外，根據(jù)本發(fā)明所要解決的技術(shù)課題在于提供一種倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置及方法，本發(fā)明可以提供如下的效果：利用助焊劑能夠最強地吸收的具有特定區(qū)域的波長范圍的光而容易地檢查助焊劑針對芯片的凸點的涂覆與否，從而能夠預防生產(chǎn)出不良電子產(chǎn)品。

根據(jù)本發(fā)明的效果并不局限于如上所述的內(nèi)容，更為多樣的效果將包含在本說明書內(nèi)。

附圖說明

圖1是概略性地示出在利用根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置檢查倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)之前向倒裝芯片涂覆助焊劑的助焊劑浸漬裝置的立體圖。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置的概略性的構(gòu)成的模塊圖。

圖3是概略性地示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置的構(gòu)成圖。

圖4是為了確認助焊劑能夠最強地吸收的光的波長范圍區(qū)域而通過圖表示出助焊劑的吸收光譜測量結(jié)果的圖。

圖5是概略性地示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置所采用的主照明部向倒裝芯片的凸點照射光的路徑的局部剖面圖。

圖6是圖5的平面圖。

圖7以及圖8是示出視覺確認部讀取如下的情況下的反射光的光強并顯示的圖像及曲線圖的圖：在利用根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的涂覆狀態(tài)檢查裝置而檢查倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)的結(jié)果，助焊劑未被涂覆在倒裝芯片的凸點的情況和被涂覆在倒裝芯片的凸點的情況。

圖9是示出在助焊劑被涂覆在倒裝芯片的凸點的狀態(tài)下的凸點形狀的圖。

符號說明

110：吸嘴驅(qū)動部 120：反射部

130：拍攝部 140：視覺確認部

150：電源及控制部 210：主照明部

220：輔助照明部

具體實施方式

如果參照根據(jù)附圖而詳細地說明的實施例，本發(fā)明的優(yōu)勢及特征以及達成這些的方法會變得更加明確。然而本發(fā)明并不局限于以下公開的實施例，可由互不相同的多種形態(tài)來實現(xiàn)，只是，提供本實施例的目的在于完整地公開本發(fā)明，且使本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域中具有通常的知識的技術(shù)人員完整地認識本發(fā)明的范疇，而且本發(fā)明僅由權(quán)利要求書中所記載的范疇來定義。整個說明書中，相同的參照符號指稱相同的構(gòu)成要素。

另外，參考作為本發(fā)明的理想的示例圖的剖視圖及/或者概略圖而對本說明書中記述的實施例進行說明。因此，示例圖的形態(tài)可能根據(jù)制造技術(shù)及/或者允許誤差等而變形。另外，本發(fā)明所表示的各個附圖中，考慮到說明的方便性，各個構(gòu)成要素可能被多多少少放大或縮小而表示。在整個說明書中，相同的參照符號指稱相同的構(gòu)成要素。

首先，在對根據(jù)本發(fā)明的倒裝芯片的涂覆狀態(tài)檢查裝置及方法的優(yōu)選實施例進行說明之前，對將助焊劑涂覆到倒裝芯片的助焊劑浸漬裝置進行簡單地說明。

圖1是概略性地示出在利用根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置檢查倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)之前向倒裝芯片涂覆助焊劑的助焊劑浸漬裝置的立體圖。

如圖所示，助焊劑浸漬裝置包含：碟狀的助焊劑存儲部20，用于在基底部件30上存儲助焊劑F；葉片部50，沿著上下方向移動而以特定的厚度弄平助焊劑；Z軸部件2，具有用于吸附倒裝芯片4的吸嘴3。

具有用于吸附倒裝芯片4的吸嘴3的Z軸部件2根據(jù)電機的驅(qū)動而向下方移動以使倒裝芯片4的凸點4a抵接到存儲有助焊劑的助焊劑存儲部20的底部，之后向助焊劑浸漬倒裝芯片4的凸點4a。

在進行如上所述的助焊劑浸漬工序時，如果未對倒裝芯片4的凸點4a形成助焊劑的均勻的涂覆，則倒裝芯片無法正常地被接合到基板上，從而將會生產(chǎn)出不良電子部件。

本發(fā)明提出一種倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢測裝置和利用該裝置的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查方法，以解決如上所述的生產(chǎn)出不良電子部件的問題。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置的概略性的構(gòu)成的模塊圖；圖3是概略性地示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置的構(gòu)成圖。

如圖2以及圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置100可以包含：吸嘴驅(qū)動部110、主照明部210、拍攝部130以及視覺確認部140。

吸嘴驅(qū)動部110可以由包含如下項的構(gòu)成形成：吸嘴114，用于吸附一面形成有多個凸點118的倒裝芯片116；頭112，用于使所述吸嘴114移動到設(shè)定的位置。

因此，吸嘴驅(qū)動部110可以執(zhí)行如下的功能：吸附形成有凸點118且通過助焊劑浸漬工藝而在凸點118的一面涂覆有助焊劑的倒裝芯片116之后，使其移動到用于檢查助焊劑的涂覆狀態(tài)的設(shè)定位置。

主照明部210可以執(zhí)行向涂覆有助焊劑的倒裝芯片116的凸點118照射光的功能。

在此，主照明部210可以根據(jù)電源及控制部150的電壓接通/斷開信號和輸入信號而向涂覆有助焊劑的倒裝芯片116的凸點118照射光。

主照明部210可以包含多個光源202，該多個光源202以助焊劑能夠最強地吸收的特定區(qū)域的波長范圍照射光。

本發(fā)明的申請人為了掌握助焊劑能夠最強地吸收的光的波長范圍區(qū)域而測量了助焊劑的吸收光譜(Spectrum)，其測量結(jié)果的值如圖4所示地示出。作為參考，在圖4的曲線圖中，橫軸表示波長(nm)，豎軸表示特定波長下的光吸收量。

如圖4所示，可以看出，助焊劑對光的吸收量隨著波長范圍從300nm區(qū)域的波長范圍逐漸變高而增加，尤其，在第一個峰值所處的420nm左右的波長范圍下，所吸收的光最多。

此外，可以看出：隨著波長范圍從420nm左右的波長范圍逐漸變高，光的吸收量先變少，再到第二個峰值所處的465nm左右的波長范圍下，所吸收的的光相對較多。

因此，根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置可以提供包含具有400nm～500nm區(qū)域的波長范圍的光源202的主照明部210。

提供于主照明部210的光源202可以提供以GaN(氮化鎵)作為材料、具有350～450nm區(qū)域的波長范圍、照射藍色光的發(fā)光二極管。

目前在市場上廣泛銷售這種發(fā)光二極管，因此可以將該發(fā)光二極管作為主照明部210的光源而使用，或者可以在光源布置帶通濾波器(Band Pass Filter)等，從而使光能夠以所述區(qū)域的波長范圍(400nm～500nm)照射。

在此，帶通濾波器可以起到僅使特定波長范圍的光透過的功能。

或者，除了用于照射具有所述區(qū)域的波長范圍的光的光源以外，對照射連其他波長范圍都包括在內(nèi)的白色光的光源的情況而言，也可以布置帶通濾波器等而以所述區(qū)域的波長范圍(400nm～500nm)照射光。

作為參考，在根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置及方法中，對助焊劑能夠最強地吸收的光的波長范圍最優(yōu)選為400nm～500nm的情況進行了說明，然而在提供具有新的光特性的助焊劑的情況下，光的吸收量可能會改變，在此情況下，也可以采用具有其他區(qū)域的波長范圍的光源。

另外，圖5以及圖6是概略性地示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置所提供的主照明部向倒裝芯片的凸點照射光的路徑的剖面圖以及平面圖。

如圖所示，主照明部210可以形成包含如下項的構(gòu)成：在上文中說明的多個光源202；基底部件204，引導光的路徑，以使從所述光源202照射的光能夠以向上傾斜的方向而向倒裝芯片116的凸點118照射。

在主照明部210的基底部件204中，用于使光透過的透光孔206形成于中央部位，而該透光孔206的周圍，即，基底部件204的下部側(cè)的透光孔206的周圍可以布置有多個光源202。

因此，從光源202照射的光在通過基底部件204時折射，而且所折射的光以朝向倒裝芯片116的凸點118以向上傾斜的方向進行照射。

如上所述，從主照明部210的光源202照射的光以向上傾斜的方向照射到倒裝芯片116的凸點，而且，所照射的光將會從倒裝芯片116的凸點118反射，此時，所反射的反射光可以通過主照明部210的透光孔206而向下方照射。

從倒裝芯片116的凸點118反射的反射光借助拍攝部130而被拍攝，所述反射光可以隨著被可布置于倒裝芯片116以及主照明部210的下側(cè)的反射部反射而改變路徑并被引導至拍攝部130側(cè)。

例如，如圖3所示，倒裝芯片116以及主照明部210的下側(cè)可以布置有大約以45度的角度傾斜的形態(tài)的反射部120，而且拍攝部130可以布置于與該反射部120水平的位置。

據(jù)此，倒裝芯片116以及主照明部210和拍攝部130可以分別布置于以形成大約90度的角度的位置，對此，將在下文中進行詳細的說明。

以下，對利用由如上所述的構(gòu)成形成的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置100檢查助焊劑針對倒裝芯片116的凸點118的涂覆狀態(tài)的方法進行說明。

首先，如果吸嘴驅(qū)動部110吸附經(jīng)過助焊劑浸漬工序的倒裝芯片116而使其移動到助焊劑涂覆狀態(tài)檢查位置，則電源及控制部150對主照明部210供應(yīng)電源，同時提供輸入信號，從而打開(on)主照明部210。

因此，主照明部210的多個光源202被點亮，從而分別照射光，而且所照射的光在通過基底部件204時折射，從而以朝向倒裝芯片116的凸點118方向進行照射。

此時，主照明部210的光源202布置于倒裝芯片116的下側(cè)的周圍，從而由光源202照射的光將會以向上傾斜的形態(tài)朝向倒裝芯片116的凸點118進行照射，而且以如上所述的方式照射的光在倒裝芯片116的凸點118得到反射之后，通過主照明部210的透光孔206而朝向下側(cè)。

通過主照明部210的透光孔206的反射光被反射部120再反射一次，并被引導至拍攝部130側(cè)，從而拍攝部130可以拍攝從倒裝芯片116的凸點118反射的反射光。

被反射部120反射的反射光將會被拍攝部130拍攝而轉(zhuǎn)換為視頻或圖像，而且視覺確認部140將會讀取如上所述的視頻或圖像而判斷助焊劑針對倒裝芯片116的凸點118的涂覆與否。

從主照明部210的光源202照射的光是如上所述的具有助焊劑能夠最強地吸收的特定區(qū)域的波長范圍(即，400nm～500nm的波長范圍區(qū)域)的光，因此，部分光可以被涂覆于倒裝芯片116的凸點118的助焊劑所吸收。

例如，假設(shè)從主照明部210的光源照射的光的大小為100，則隨著部分光被涂覆于倒裝芯片116的凸點118的助焊劑所吸收，從倒裝芯片116的凸點118反射的光的大小將會降至100以下(60左右)。

相反，在倒裝芯片116的凸點118未涂覆有助焊劑的情況下，從倒裝芯片116的凸點118反射的光的大小將會大約保持在80。

如上所述，在倒裝芯片116的凸點118涂覆有助焊劑的狀態(tài)下，如果假設(shè)大部分凸點118的表面涂覆有助焊劑，而部分凸點的表面未涂覆有助焊劑，則從涂覆有助焊劑的凸點反射的反射光的大小(即，光強)將會由于助焊劑的光吸收所導致的光損失而相對較小，相反，從未涂覆有助焊劑的凸點反射的反射光的大小(即，光強)相對較大。

圖7以及圖8是示出視覺確認部讀取如下的情況下的反射光的光強并顯示的圖像及曲線圖的圖：在利用根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的涂覆狀態(tài)檢查裝置而檢查倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)的結(jié)果，助焊劑未被涂覆在倒裝芯片的凸點的情況下的反射光的光強(A-A’線)和被涂覆在倒裝芯片的凸點的情況下的反射光的光強(B-B’線)。

首先，如圖7所示，可以看出從未涂覆有助焊劑的凸點反射的反射光呈現(xiàn)相對較大的光強，從涂覆有助焊劑的凸點反射的反射光呈現(xiàn)相對較小的光強。

其原因在于，根據(jù)從主照明部210照射的光形成助焊劑能夠最強地吸收的特定波長范圍區(qū)域，從未涂覆助焊劑的凸點反射的反射光完整地保持從照明部210照射的光強，相反，對從涂覆有助焊劑的凸點反射的反射光而言，其光強隨著從主照明部210照射的光的一部分被吸收而減少。

另外，如圖7以及圖8所示，可以看出凸點118的周圍的光強相對大于其中央部位的光強，其原因在于，如上所述，因主照明部210的光源布置于倒裝芯片116下側(cè)的周圍部，所以從主照明部210的光源202照射的光以向上傾斜的形態(tài)被照射，從而光被集中照射到凸點118的側(cè)表面部位(即，周圍部位)。

即，其原因在于，凸點118以如圖9中的上圖所示地形成大致為球形的形狀，因此相比光以直線方向照射的情況，在光從側(cè)面部位照射的情況下反射的光的量更多，據(jù)此，凸點118的周圍部位所呈現(xiàn)的光強較大。

然而，在進行針對倒裝芯片116的凸點118的助熔工序的過程中，由于凸點118被按壓，如圖9的下圖所示，其凸點118的前端的中央部位119可能形成扁平(flat)的形狀，在此情況下，可能無法正常地使從主照明部210照射的光反射。

因此，在根據(jù)本發(fā)明的實施例的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態(tài)檢查裝置100中，還可以包含用于以直線方向朝向凸點118照射光的輔助照明部220，以應(yīng)對涂覆有助焊劑的凸點118的前端被按壓而具有扁平的部位119的情況。

參照圖3，輔助照明部220可以布置于倒裝芯片116的下側(cè)豎直線上，以能夠沿著直線方向而向倒裝芯片116的凸點118照射光。

優(yōu)選地，由于倒裝芯片116以及主照明部210的下側(cè)布置有反射部120，因此，輔助照明部220可以布置于反射部120的下側(cè)。

在此，可以提供分束器(Beam splitter)作為反射部120，用于使照射的光直接透過的同時使反射光反射。

除此之外，輔助照明部220也可以根據(jù)電源及控制部150的接通/斷開和輸入信號而與主照明部210一同被點亮。

此外，從輔助照明部220照射的光可以通過反射部120，并通過主照明部210的透光孔206而直接照射到倒裝芯片116的凸點118，而且，以如上所述的方式照射的光可以從倒裝芯片116的凸點118逆反射而通過主照明部210的透光孔206，并借助反射部120而被反射到拍攝部130側(cè)。

被反射部120反射的反射光可以被拍攝部130拍攝而轉(zhuǎn)換為視頻或圖像，而且視覺確認部140將會讀取如上所述的視頻或圖像而判斷針對倒裝芯片116的凸點118的助焊劑的涂覆與否，然而，根據(jù)所反射的反射光的光強之差來判斷助焊劑的涂覆與否的方法與在上文中說明的內(nèi)容相同，因此省略反復的說明。

在本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域中具有基本知識的人皆可理解本發(fā)明在不改變其技術(shù)思想或必需的特征的情況下可實施為其他具體的形態(tài)。因此要理解上述的實施例在所有的方面上都是示例性的，而不是局限性的。本發(fā)明的范圍根據(jù)權(quán)利要求書而表現(xiàn)，而不是上述詳細的說明，而且從權(quán)利要求書中的意思及范圍還有其等同的概念導出的所有變更或變形的形態(tài)均應(yīng)解釋為包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。