技術(shù)特征：

1.一種GaN增強型器件制備方法，其特征在于，包括：

在含有P型GaN的外延片上濺射柵極金屬；

對所述經(jīng)濺射柵極金屬的含有P型GaN的外延片的柵極金屬層及P型GaN層進行光學(xué)光刻，形成柵極；

在所述形成有柵極的P型GaN的外延片上沉積形成第一鈍化層；

對所述第一鈍化層及所述第一鈍化層之下的所述外延片的AlGaN層進行光學(xué)光刻，形成第一源極沉積區(qū)及第一漏極沉積區(qū)；

在所述第一源極沉積區(qū)及第一漏極沉積區(qū)沉積金屬，形成歐姆接觸沉積層；

沉積形成第二鈍化層；

對所述歐姆接觸沉積層之上的所述第二鈍化層進行光學(xué)光刻，形成第二源極沉積區(qū)及第二漏極沉積區(qū)；

在所述第二源極沉積區(qū)及第二漏極沉積區(qū)沉積過渡金屬層；

沉積形成第三鈍化層；

對所述過渡金屬層之上的所述第三鈍化層進行光學(xué)光刻，形成第三源極沉積區(qū)及第三漏極沉積區(qū)；

在所述第三源極沉積區(qū)及第三漏極沉積區(qū)沉積源極連接電極金屬及漏極連接電極金屬；

沉積形成第四鈍化層，形成GaN增強型器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN增強型器件制備方法，其特征在于，

所述柵極金屬為TiN或W。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN增強型器件制備方法，其特征在于，所述柵極金屬及所述P型GaN層之間形成肖特基接觸或歐姆接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的GaN增強型器件制備方法，其特征在于，所述沉積形成第一鈍化層、沉積形成第二鈍化層、沉積形成第三鈍化層包括：通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積PECVD或原子層沉積PEALD或快速熱化學(xué)氣相沉積RTCVD或低壓力化學(xué)氣相沉積LPCVD沉積形成所述第一鈍化層、第二鈍化層、第三鈍化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的GaN增強型器件制備方法，其特征在于，所述沉積形成第一鈍化層、沉積形成第二鈍化層、沉積形成第三鈍化層包括：通過低溫沉積工藝與高溫沉積工藝的組合形成所述第一鈍化層、第二鈍化層、第三鈍化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的GaN增強型器件制備方法，其特征在于，所述第一鈍化層、第二鈍化層及第三鈍化層為SiO₂鈍化層或者SiN_x鈍化層或者Al₂O₃鈍化層。

7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的GaN增強型器件制備方法，其特征在于，在所述沉積形成第一鈍化層后還包括：通過離子注入或物理刻蝕斷開在器件兩側(cè)形成隔離。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的GaN增強型器件制備方法，其特征在于，所述含有P型GaN的外延片的厚度小于1000nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的GaN增強型器件制備方法，其特征在于，所述源極連接電極金屬及漏極連接電極金屬為Cu或Al。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的GaN增強型器件制備方法，其特征在于，所述含有P型GaN的外延片從上至下依次為：P型GaN層、AlGaN勢壘層、GaN溝道層、高阻AlGaN緩存層、AlN成核層、襯底。

11.一種GaN增強型器件，其特征在于，所述GaN增強型器件采用權(quán)利要求1-10中任一項所述的GaN增強型器件制備方法制備而成。