本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)廣泛地應(yīng)用與各個領(lǐng)域。

現(xiàn)有的薄膜晶體管液晶顯示器中包括顯示面板，顯示面板包括陣列基板、液晶層和對盒基板。其中，陣列基板上設(shè)置有公共電極和像素電極?，F(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上的公共電極或像素電極一般采用沉積工藝或濺射工藝形成透明導(dǎo)電薄膜，然后在其上形成光刻膠，采用掩模板對光刻膠進(jìn)行圖案化，再以圖案化的光刻膠為掩模進(jìn)行刻蝕得到圖案化的公共電極或像素電極。

其中，現(xiàn)有技術(shù)中的一種公共電極和像素電極的設(shè)置方式，如圖1所示，是將設(shè)置在襯底10上的公共電極200分為多個電連接的公共電極條210，像素電極100分為多個電連接的像素電極條110，每個公共電極條210的寬度相等，每個像素電極條110的寬度相等，且每個公共電極條210和與其相鄰的像素電極條110之間的間距S1＝S2。然而，通常現(xiàn)有的工藝在制造過程中會產(chǎn)生關(guān)鍵尺寸偏差(CDbias)，即實際制造出來的電極條的寬度與期望形成的電極條的寬度之間的偏差，導(dǎo)致公共電極條210和像素電極條110實際的間距與期望形成的間距之間出現(xiàn)偏差，而導(dǎo)致公共電極200和像素電極100之間形成的電場不均一，從而導(dǎo)致整個面板顯示亮度不均一。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，可提高制作電極過程中對關(guān)鍵尺寸偏差的容忍度，從而提高顯示均一性。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種陣列基板，包括多個子像素，所述子像素包括設(shè)置在襯底上的第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極相互絕緣；所述第一電極包括多個電連接的第一電極條，所述第二電極包括多個電連接的第二電極條；所述第一電極和所述第二電極在所述襯底上的正投影中，所述第一電極條和所述第二電極條交替且平行排列，且針對任一個所述第一電極條，與沿第一方向相鄰的所述第二電極條在任意位置處的間距S1均相等，與沿第二方向相鄰的所述第二電極條在任意位置處的間距S2均相等。

其中，所述第一方向和所述第二方向為相反方向；在沿所述第一電極條延伸方向的不同位置處，所述第一電極條的寬度不同；在沿所述第二電極條延伸方向的不同位置處，所述第二電極條的寬度不同。

優(yōu)選的，所述第一方向和所述第二方向均為垂直于所述第一電極條和所述第二電極條的方向。

優(yōu)選的，每個子像素均包括第一疇和第二疇；所述第一疇中，S1大于S2，所述第二疇中，S1小于S2。

或者，所述第一疇中，部分所述第一電極條和所述第二電極條中，S1大于S2，其余部分所述第一電極條和所述第二電極條中，S1小于S2；所述第二疇中，部分所述第一電極條和所述第二電極條中，S1大于S2，其余部分所述第一電極條和所述第二電極條中，S1小于S2。

進(jìn)一步優(yōu)選的，每個子像素還包括與所述第一疇鏡像對稱的第三疇、以及與所述第二疇鏡像對稱的第四疇。

優(yōu)選的，任意相鄰的兩個子像素分別包括第一疇和第二疇；所述第一疇中，S1大于S2；所述第二疇中，S1小于S2。

或者，所述第一疇中，部分所述第一電極條和所述第二電極條中，S1大于S2，其余部分所述第一電極條和所述第二電極條中，S1小于S2；所述第二疇中，部分所述第一電極條和所述第二電極條中，S1大于S2，其余部分所述第一電極條和所述第二電極條中，S1小于S2。

優(yōu)選的，在所述第一疇和所述第二疇中，用于使S1大于S2的第一電極條和第二電極條的個數(shù)與用于使S1小于S2的第一電極條和第二電極條的個數(shù)相等。

基于上述，優(yōu)選的，所述第一電極條的寬度基準(zhǔn)值M為3.1±1.5μm，在沿所述第一電極條延伸方向的不同位置處，所述第一電極條的寬度在M±0.5之間范圍內(nèi)變化；所述第二電極條的寬度基準(zhǔn)值N為2.1±1.5μm，在沿所述第二電極條延伸方向的不同位置處，所述第二電極條的寬度在N±0.5之間范圍內(nèi)變化；其中，M＞N。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一電極條的寬度基準(zhǔn)值M為3.1μm，在沿所述第一電極條延伸方向的不同位置處，所述第一電極條的寬度在M±0.3之間范圍內(nèi)變化；所述第二電極條的寬度基準(zhǔn)值N為2.1μm，在沿所述第二電極條延伸方向的不同位置處，所述第二電極條的寬度在N±0.3之間范圍內(nèi)變化；其中，在每一疇中，所述第一電極條等分為9段，第1、3、5、7、9段的所述第一電極條的寬度為M，第2、4、6、8從M-0.3依次遞增0.2變化；在每一疇中，所述第二電極條等分為9段，第1、3、5、7、9段的所述第二電極條的寬度為N，第2、4、6、8從N+0.3依次遞減0.2變化。

優(yōu)選的，所述第一電極和所述第二電極均為透明電極。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極；所述陣列基板還包括柵線、與所述柵線同層的公共電極線、以及數(shù)據(jù)線、與所述數(shù)據(jù)線同層的輔助金屬線；所述公共電極與所述公共電極線和所述輔助金屬線均電連接。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管為U型薄膜晶體管。

第二方面，提供一種顯示面板，包括上述第一方面所述的陣列基板。

第三方面，提供一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板包括多個子像素，所述子像素包括形成在襯底上的第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極相互絕緣且位于不同層；所述第一電極包括多個電連接的第一電極條，所述第二電極包括多個電連接的第二電極條；所述第一電極和所述第二電極在所述襯底上的正投影中，所述第一電極條和所述第二電極條交替且平行排列，且針對任一個所述第一電極條，與沿第一方向相鄰的所述第二電極條在任意位置處的間距S1均相等，與沿第二方向相鄰的所述第二電極條在任意位置處的間距S2均相等。

其中，所述第一方向和所述第二方向為相反方向；在沿所述第一電極條延伸方向的不同位置處，所述第一電極條的寬度不同；在沿所述第二電極條延伸方向的不同位置處，所述第二電極條的寬度不同。

優(yōu)選的，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極；所述制備方法還包括形成柵線、與所述柵線同層的公共電極線、以及數(shù)據(jù)線、與所述數(shù)據(jù)線同層的輔助金屬線；所述公共電極與所述公共電極線和所述輔助金屬線均電連接。

進(jìn)一步優(yōu)選的，形成所述柵線、所述公共電極線、所述數(shù)據(jù)線、所述輔助電極線、所述像素電極和所述公共電極，具體包括：

在襯底上通過一次構(gòu)圖工藝形成所述柵線、與所述柵線平行的公共電極線；在形成所述柵線和所述公共電極線的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成第一絕緣層，所述第一絕緣層包括露出所述公共電極線的第一過孔；在形成所述第一絕緣層的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述公共電極，所述公共電極通過所述第一過孔與所述公共電極線電連接；在形成所述公共電極的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成第二絕緣層，所述第二絕緣層包括露出所述公共電極的第二過孔；在形成所述第二絕緣層的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層、漏極、所述數(shù)據(jù)線、以及與所述數(shù)據(jù)線平行的所述輔助電極線；所述輔助電極線通過所述第二過孔與所述公共電極電連接；在形成所述漏極、所述數(shù)據(jù)線的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層，所述鈍化層包括位于漏極上方的第三過孔；在形成所述鈍化層的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述像素電極，所述像素電極通過所述第三過孔與所述漏極電連接。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制備方法、顯示面板，通過將陣列基板上的第一電極設(shè)置為多個電連接的第一電極條，將第二電極設(shè)置為多個電連接的第二電極條，并使第一電極中的第一電極條在沿第一電極條延伸方向的不同位置處的寬度不同，第二電極中的第二電極條在沿第二電極條延伸方向的不同位置處的寬度不同，但在此過程中仍保證第一電極條與沿第一方向相鄰的第二電極條在任意位置處的間距S1均相等，與沿第一方向反向相鄰的第二電極條在任意位置處的間距S2均相等。由此一來，雖然制作過程中會由于關(guān)鍵尺寸偏差導(dǎo)致第一電極條和第二電極條之間的實際間距與預(yù)期間距不一致，但是由于本發(fā)明中第一電極條和第二電極條在不同位置處的寬度不同，相對現(xiàn)有技術(shù)中任意位置處第一電極條和第二電極條的寬度相同，本發(fā)明提供的電極條結(jié)構(gòu)在出現(xiàn)關(guān)鍵尺寸偏差之后對液晶效率的影響較小，使得顯示亮度的均一性較好，因而本發(fā)明電極條的設(shè)置方式可提高制作過程中對關(guān)鍵尺寸偏差的容忍度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖3為圖2中A的局部放大圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的關(guān)鍵尺寸偏差與液晶效率的關(guān)系示意圖；

圖5(a)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖5(b)為圖5(a)中沿B-B向的剖面示意圖；

圖5(c)為圖5(a)中沿C-C向的剖面示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的一種子像素中電極條的設(shè)置方式示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的一種電極條寬度示意圖；

圖8(a)本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖8(b)為圖8(a)中沿D-D向的剖面示意圖；

圖8(c)為圖8(a)中沿E-E向的剖面示意圖；

圖9為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板制備方法的流程圖。

附圖標(biāo)記

100-像素電極；110-像素電極條；200-公共電極；210-公共電極條；01-第一疇；02-第二疇；03-第三疇；04-第四疇；10-襯底；20-第一電極；21-第一電極條；30-第二電極；31-第二電極條；40-柵線；50-公共電極線；60-數(shù)據(jù)線；70-輔助金屬線；80-薄膜晶體管；81-第一絕緣層；811-第一過孔；82-第二絕緣層；821-第二過孔；83-半導(dǎo)體層；84-漏極；90-鈍化層；901-第三過孔。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

除非另作定義，此處使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的通常意義。本發(fā)明專利申請說明書以及權(quán)利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，如圖2所示，包括多個子像素(圖2以一個子像素進(jìn)行示意)，所述子像素包括設(shè)置在襯底10上的第一電極20和第二電極30，第一電極20和第二電極30相互絕緣；第一電極20包括多個電連接的第一電極條21，第二電極30包括多個電連接的第二電極條31；第一電極20和第二電極30在襯底10上的正投影中，第一電極條21和第二電極條31交替且平行排列，且針對任一個第一電極條21，與沿第一方向相鄰的第二電極條31在任意位置處的間距S1均相等，與沿第二方向相鄰的第二電極條31在任意位置處的間距S2均相等。

其中，第一方向和第二方向為相反方向；如圖3所示，在沿第一電極條21延伸方向的不同位置處，第一電極條21的寬度不同；在沿第二電極條31延伸方向的不同位置處，第二電極條31的寬度不同。

所述陣列基板還包括柵線40、數(shù)據(jù)線60、以及設(shè)置在所述子像素中的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)80，當(dāng)然還可以包括公共電極線(圖2中未示出)。其中，薄膜晶體管80可以是非晶硅TFT、多晶硅TFT、金屬氧化物TFT、有機(jī)TFT等?？梢允堑讝判停部梢允琼敄判?。

圖4為第一電極20和第二電極30的關(guān)鍵尺寸偏差在±0.3μm時，第一電極條21和第二電極條31的關(guān)鍵尺寸偏差和液晶效率的關(guān)系圖。其中，圖4中縱坐標(biāo)表示液晶的效率(即光的出射率)；橫坐標(biāo)中1代表的是第一電極條21和第二電極條31的關(guān)鍵尺寸偏差均為-0.3μm的點、2代表的是第一電極條21的關(guān)鍵尺寸偏差為-0.3μm，第二電極條31的關(guān)鍵尺寸偏差為+0.3μm的點、3代表的是第一電極條21和第二電極條31的關(guān)鍵尺寸偏差均為0的點、4代表的是第一電極條21的關(guān)鍵尺寸偏差為+0.3μm，第二電極條31的關(guān)鍵尺寸偏差為-0.3μm的點、5代表的是第一電極條21和第二電極條31的關(guān)鍵尺寸偏差均為+0.3μm的點。

圖4中的細(xì)曲線表示現(xiàn)有技術(shù)中的電極條在制造過程中出現(xiàn)±0.3μm的關(guān)鍵尺寸偏差時對應(yīng)的液晶效率，粗曲線表示本發(fā)明中的電極條在制造過程中出現(xiàn)±0.3μm的關(guān)鍵尺寸偏差時對應(yīng)的液晶效率。從圖4中可以看出，在關(guān)鍵尺寸偏差在±0.3μm時，本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)中液晶效率的變化范圍小于現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)中液晶效率的變化范圍，并且本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)中液晶效率變化在83％-100％之間。

其中，圖4只是以關(guān)鍵尺寸偏差為±0.3μm，對第一電極條21和第二電極條31的關(guān)鍵尺寸偏差與液晶效率的關(guān)系進(jìn)行示意。本發(fā)明實施例提供的結(jié)構(gòu)當(dāng)關(guān)鍵尺寸偏差在±0.2～0.5μm范圍內(nèi)時，均能達(dá)到減小液晶效率變化范圍的效果。

需要說明的是，第一，第一電極20和第二電極30可以同層設(shè)置，也可以不同層設(shè)置。其中，本發(fā)明實施例附圖中均以第一電極20和第二電極30不同層設(shè)置進(jìn)行示例。

此外，第一電極20和第二電極30可以均為透明電極。在此基礎(chǔ)上，第一電極20可以是公共電極，也可以是像素電極，本發(fā)明實施例附圖中均以第一電極20為公共電極進(jìn)行示例。其中，不對第一電極20和第二電極30的材料進(jìn)行限定，例如可以為ITO(Indium tin oxide，氧化銦錫)。

第二，不對第一方向和第二方向進(jìn)行限定，只要針對任一個第一電極條21，沿第一方向，一個第二電極條31位于一個第一電極條21一側(cè)且相鄰，沿第二方向，另一個第二電極條31位于該第一電極條21另一側(cè)且相鄰即可。

第三，第一電極條21與相鄰的第二電極條31在任意位置處的間距，即為在任意位置處，第一電極條21與相鄰的第二電極條31的垂直距離。

第四，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，第一電極20中第一電極條21的形狀相同，在沿第一電極條21的任意垂線方向上，第一電極20中各第一電極條21的寬度相同。

第二電極30中第二電極條22的形狀相同，在沿第二電極條31的任意垂線方向上，第二電極30中各第二電極條31的寬度相同。

在此基礎(chǔ)上，如圖3所示，在某些位置處可以使第一電極條21的寬度適當(dāng)大一些，使第二電極條31的寬度適當(dāng)小一些，在其他位置處可以使第一電極條21的寬度適當(dāng)小一些，使第二電極條31的寬度適當(dāng)大一些，來使第一電極條21和第二電極條31之間的間距在任意位置處均相等。

第五，電極條各位置處的寬度不同，可以是將電極條均分為X小段，每一小段的寬度相同，相鄰小段的寬度不同，對于X的值在此不做限定。

本發(fā)明實施例通過將陣列基板上的第一電極20設(shè)置為多個電連接的第一電極條21，將第二電極30設(shè)置為多個電連接的第二電極條31，并使第一電極20中的第一電極條21在沿第一電極條21延伸方向的不同位置處的寬度不同，第二電極30中的第二電極條31在沿第二電極條31延伸方向的不同位置處的寬度不同，但在此過程中仍保證第一電極條21與沿第一方向相鄰的第二電極條31在任意位置處的間距S1均相等，與沿第一方向反向相鄰的第二電極條31在任意位置處的間距S2均相等。由此一來，雖然制作過程中會由于關(guān)鍵尺寸偏差導(dǎo)致第一電極條21和第二電極條31之間的實際間距與預(yù)期間距不一致，但是由于本發(fā)明中第一電極條21和第二電極條31在不同位置處的寬度不同，相對現(xiàn)有技術(shù)中任意位置處第一電極條21和第二電極條31的寬度相同，本發(fā)明提供的電極條結(jié)構(gòu)在出現(xiàn)關(guān)鍵尺寸偏差之后對液晶效率的影響較小，使得顯示亮度的均一性較好，因而本發(fā)明電極條的設(shè)置方式可提高制作過程中對關(guān)鍵尺寸偏差的容忍度。

優(yōu)選的，如圖2所示，第一方向和第二方向均為垂直于第一電極條21和第二電極條31的方向。

優(yōu)選的，如圖5(a)-5(c)所示，每個子像素均包括第一疇01和第二疇02；第一疇01中，S1大于S2，第二疇02中，S1小于S2。

其中，第一疇01中各電極條的延伸方向相同，第二疇02中各電極條的延伸方向相同。第一疇01中電極條的延伸方向和第二疇02中電極條的延伸方向的夾角可大于等于0°小于等于90°，例如該夾角可以在0°-15°范圍內(nèi)、15°-30°范圍內(nèi)、30°-45°范圍內(nèi)、45°-60°范圍內(nèi)、60°-90°范圍內(nèi)。

本發(fā)明實施例通過使子像素中第一疇01的S1大于S2，第二疇02的S1小于S2，即使因關(guān)鍵尺寸偏差和重疊余量(即，第一電極條21和第二電極條31實際產(chǎn)生的間距與期望形成的間距之間的偏差)使得S1和S2發(fā)生變化，但是由于在第一疇01和第二疇02中|S1-S2|必然會有一個增加，一個減少，從而表現(xiàn)為第一疇01和第二疇02中會有一個電場增強(qiáng)，另一個電場減弱，進(jìn)而使得同一子像素中出射的光通過疊加進(jìn)行相互補(bǔ)償，以使顯示亮度的均一性更好。因而本發(fā)明實施例進(jìn)一步提高了制作過程中對關(guān)鍵尺寸偏差的容忍度，而且也可提高對重疊余量的容忍度。

或者，優(yōu)選的，第一疇01中，部分第一電極條21和第二電極條31中，S1大于S2，其余部分第一電極條21和第二電極條31中，S1小于S2；第二疇02中，部分第一電極條21和第二電極條31中，S1大于S2，其余部分第一電極條21和第二電極條31中，S1小于S2。

即，第一疇01中，既有S1大于S2的情況，也有S1小于S2的情況；第二疇02中，既有S1大于S2的情況，也有S1小于S2的情況。

其中，第一疇01中各電極條的延伸方向相同，第二疇02中各電極條的延伸方向相同。第一疇01中電極條的延伸方向和第二疇02中電極條的延伸方向的夾角可大于等于0°小于等于90°。

本發(fā)明實施例中，當(dāng)?shù)谝划?1和第二疇01中即包括S1大于S2又包括S1小于S2時，在每個子像素中，每個疇的內(nèi)部會先對從該疇出射的光進(jìn)行一定的相互補(bǔ)償，然后在不同疇之間再對從各疇出射的光進(jìn)一步進(jìn)行補(bǔ)償，從而更好的實現(xiàn)顯示亮度的均一性。

進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖6所示，每個子像素還包括與第一疇01鏡像對稱的第三疇03、以及與第二疇02鏡像對稱的第四疇04。

本發(fā)明實施例通過在同一子像素中將疇的結(jié)構(gòu)設(shè)置為米字型，即可以達(dá)到抑制灰階反轉(zhuǎn)和色偏的效果，提高產(chǎn)品品質(zhì)，又可以使同一子像素中出射的光的補(bǔ)償效果得到增強(qiáng)，更好的實現(xiàn)顯示亮度的均一性。

優(yōu)選的，任意相鄰的兩個子像素分別包括第一疇01和第二疇02；第一疇01中，S1大于S2；第二疇02中，S1小于S2。

或者，第一疇01中，部分第一電極條21和第二電極條31中，S1大于S2，其余部分第一電極條21和第二電極條31中，S1小于S2；第二疇02中，部分第一電極條21和第二電極條31中，S1大于S2，其余部分第一電極條21和第二電極條31中，S1小于S2。

本發(fā)明實施例可達(dá)到的效果與上述每個子像素中均包括第一疇01和第二疇02的效果相同，在此不再贅述。

其中，當(dāng)分別包括第一疇01和第二疇02的兩個相鄰子像素用于顯示同一種顏色且同樣灰度時，第一疇01和第二疇02互相補(bǔ)償?shù)男Ч^好。

基于上述，優(yōu)選的，在第一疇01和第二疇02中，用于使S1大于S2的第一電極條21和第二電極條31的個數(shù)與用于使S1小于S2的第一電極條21和第二電極條31的個數(shù)相等。

即，當(dāng)?shù)谝划?1中只包括S1大于S2的情況，第二疇02中只包括S1小于S2的情況時，第一疇01中第一電極條21和第二電極條31的個數(shù)分別與第二疇02中第一電極條21和第二電極條31的個數(shù)相同。

當(dāng)?shù)谝划?1中包括S1大于S2和S1小于S2的情況，第二疇02中也包括S1大于S2和S1小于S2的情況時，第一疇01中用于使S1大于S2的第一電極條21和第二電極條31的個數(shù)與用于使S1小于S2的第一電極條21和第二電極條31的個數(shù)相等；第二疇02中用于使S1小于S2的第一電極條21和第二電極條31的個數(shù)與用于使S1大于S2的第一電極條21和第二電極條31的個數(shù)相等。

本發(fā)明實施例通過使第一疇01和第二疇02中，用于使S1大于S2的第一電極條21和第二電極條31的個數(shù)與用于使S1小于S2的第一電極條21和第二電極條31的個數(shù)相等，使得從第一疇01和第二疇02出射的光能夠均勻的得到補(bǔ)償，進(jìn)一步提高從每個子像素出射的光的均一性，更好的實現(xiàn)顯示亮度的均一性。

優(yōu)選的，第一電極條21的寬度基準(zhǔn)值M為3.1±1.5μm，在沿第一電極條21延伸方向的不同位置處，第一電極條21的寬度在M±0.5之間范圍內(nèi)變化；第二電極條31的寬度基準(zhǔn)值N為2.1±1.5μm，在沿第二電極條31延伸方向的不同位置處，第二電極條31的寬度在N±0.5之間范圍內(nèi)變化；其中，M＞N。

基準(zhǔn)值M的取值例如可以為2.0μm、2.6μm、3.1μm、3.5μm、4.0μm等，基準(zhǔn)值N的取值例如可以為1.6μm、2.1μm、2.5μm、3.0μm、3.6μm等。

第一電極條21的寬度和第二電極條31的寬度的取值例如可以在基準(zhǔn)值上下0.2～0.5μm的范圍內(nèi)變化。

具體的，如圖7所示，第一電極條21的寬度基準(zhǔn)值M可以為3.1μm，在沿第一電極條21延伸方向的不同位置處，第一電極條21的寬度在M±0.3之間范圍內(nèi)變化；第二電極條31的寬度基準(zhǔn)值N可以為2.1μm，在沿第二電極條31延伸方向的不同位置處，第二電極條31的寬度在N±0.3之間范圍內(nèi)變化；其中，在每一疇中，第一電極條21等分為9段，第1、3、5、7、9段的第一電極條21的寬度為M，第2、4、6、8從M-0.3依次遞增0.2變化；在每一疇中，第二電極條31等分為9段，第1、3、5、7、9段的第二電極條31的寬度為N，第2、4、6、8從N+0.3依次遞減0.2變化。

優(yōu)選的，如圖5(a)所示，第一電極20為公共電極200，第二電極30為像素電極100；第一電極20與公共電極線50電連接。其中，公共電極線50可與柵線40平行且同層設(shè)置。

進(jìn)一步的，如圖8(a)-8(c)所示，陣列基板還可以包括與數(shù)據(jù)線60同層的輔助金屬線70；輔助金屬線70與公共電極或公共電極線50電連接。

此處，優(yōu)選輔助金屬線70與數(shù)據(jù)線60平行。

示例的，可先在襯底10上形成柵線40、公共電極線50；之后可形成第一絕緣層81，并在第一絕緣層81之上形成第一電極20(即公共電極200)，其中，第一電極20通過設(shè)置在第一絕緣層81上的第一過孔811與公共電極線50電連接；之后形成第二絕緣層82，并在第二絕緣層82上形成半導(dǎo)體層83、數(shù)據(jù)線60、漏極84、輔助金屬線70，其中，輔助金屬線70通過設(shè)置在第二絕緣層82上的第二過孔821與第一電極20電連接；然后形成鈍化層90，并在鈍化層90上形成第二電極30(即像素電極100)，其中，第二電極30通過設(shè)置在第二鈍化層90上的第三過孔901與漏極84電連接。

其中，不對公共電極線50的設(shè)置位置進(jìn)行限定，圖5(a)、圖8(a)只是示例性的給出將公共電極線50設(shè)置于子像素的邊緣位置。

本發(fā)明實施例通過使公共電極線50沿柵線40方向，輔助金屬線70沿數(shù)據(jù)線60方向，此時，所有的公共電極線50和所有的輔助金屬線70構(gòu)成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)與公共電極電連接，可使公共電極的電阻均一性更好，從而可減小由于公共電極電阻不均一而引起的畫面發(fā)綠(Greenish)、閃爍(Flicker)等問題，提高顯示質(zhì)量。其中，將數(shù)據(jù)線60和輔助金屬線70同層設(shè)置可以減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，簡化工藝。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括薄膜晶體管80，如圖8(a)所示，薄膜晶體管80為U型薄膜晶體管。

本發(fā)明實施例通過設(shè)置U型薄膜晶體管，可以在保證像素開口率的同時，使得薄膜晶體管80有足夠發(fā)的寬長比，從而保證薄膜晶體管80的充電能力，提高顯示質(zhì)量。

本發(fā)明實施例提供一種顯示面板，包括上述陣列基板，還包括與陣列基板對盒的對盒基板。

在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括所述顯示面板。

上述顯示裝置具體可以是液晶顯示裝置，可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或者部件。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，參考圖2所示，陣列基板包括多個子像素，子像素包括形成在襯底10上的第一電極20和第二電極30，第一電極20和第二電極30相互絕緣；第一電極20包括多個電連接的第一電極條21，第二電極30包括多個電連接的第二電極條31；第一電極20和第二電極30在襯底10上的正投影中，第一電極條21和第二電極條31交替且平行排列，且針對任一個第一電極條21，與沿第一方向相鄰的第二電極條31在任意位置處的間距S1均相等，與沿第二方向相鄰的第二電極條31在任意位置處的間距S2均相等。

其中，第一方向和第二方向為相反方向；在沿第一電極條21延伸方向的不同位置處，第一電極條21的寬度不同；在沿第二電極條31延伸方向的不同位置處，第二電極條31的寬度不同。

本發(fā)明實施例通過將陣列基板上的第一電極20形成為多個電連接的第一電極條21，將第二電極30形成為多個電連接的第二電極條31，并使第一電極20中的第一電極條21在沿第一電極條21延伸方向的不同位置處的寬度不同，第二電極30中的第二電極條31在沿第二電極條31延伸方向的不同位置處的寬度不同，但在此過程中仍保證第一電極條21與沿第一方向相鄰的第二電極條31在任意位置處的間距S1均相等，與沿第一方向反向相鄰的第二電極條31在任意位置處的間距S2均相等。由此一來，雖然制作過程中會由于關(guān)鍵尺寸偏差導(dǎo)致第一電極條21和第二電極條31之間的實際間距與預(yù)期間距不一致，但是由于本發(fā)明中第一電極條21和第二電極條31在不同位置處的寬度不同，相對現(xiàn)有技術(shù)中任意位置處第一電極條21和第二電極條31的寬度相同，本發(fā)明提供的電極條結(jié)構(gòu)在出現(xiàn)關(guān)鍵尺寸偏差之后對液晶效率的影響較小，使得顯示亮度的均一性較好，因而本發(fā)明電極條的設(shè)置方式可提高制作過程中對關(guān)鍵尺寸偏差的容忍度。

優(yōu)選的，如圖8(a)所示，第一電極20為公共電極，第二電極30為像素電極；所述制備方法還包括形成柵線40、與柵線40同層的公共電極線50、以及數(shù)據(jù)線60、與數(shù)據(jù)線60同層的輔助金屬線70；公共電極與公共電極線50和輔助金屬線70均電連接。

具體的，如圖9所示，所述制備方法具體包括步驟：

S10、參考圖8(a)-8(c)所示，在襯底10上通過一次構(gòu)圖工藝形成柵線40、與柵線40平行的公共電極線50。

S20、在形成柵線40和公共電極線50的襯底10上，通過一次構(gòu)圖工藝形成第一絕緣層81，第一絕緣層81包括露出公共電極線50的第一過孔811。

S30、在形成第一絕緣層81的襯底10上，通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極200，公共電極200通過第一過孔811與公共電極線50電連接。

S40、在形成公共電極200的襯底10上，通過一次構(gòu)圖工藝形成第二絕緣層82，第二絕緣層82包括露出公共電極200的第二過孔821。

S50、在形成第二絕緣層82的襯底10上，通過一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層83、漏極84、數(shù)據(jù)線60、以及與數(shù)據(jù)線60平行的輔助電極線70；輔助電極線70通過第二過孔821與公共電極200電連接。

S60、在形成漏極84、數(shù)據(jù)線60的襯底10上，通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層90，鈍化層90包括位于漏極84上方的第三過孔901。

S70、在形成鈍化層90的襯底10上，通過一次構(gòu)圖工藝形成像素電極100，像素電極100通過第三過孔901與漏極84電連接。

本發(fā)明實施例通過使公共電極線50沿柵線40方向，輔助金屬線70沿數(shù)據(jù)線60方向，所有的公共電極線50和所有的輔助金屬線70構(gòu)成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)與公共電極電連接，可使公共電極的電阻均一性更好，從而可減小由于公共電極電阻不均一而引起的畫面發(fā)綠、閃爍等問題，提高顯示質(zhì)量。其中，將數(shù)據(jù)線60和輔助金屬線70同層設(shè)置可以減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，簡化工藝。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。