本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

低溫多晶硅(LTPS)產(chǎn)品已成為現(xiàn)有液晶顯示面板的主流產(chǎn)品，目前，常用的LTPS顯示面板的像素結(jié)構(gòu)中，如圖1所示，像素電極(P-ITO)層與源漏電極(SD)層之間包括平坦層(PLN)30、公共電極(C-ITO)層40和絕緣層(PVX)60三層結(jié)構(gòu)，像素電極70與源漏電極20之間通過(guò)第平坦層30、公共電極層40和絕緣層60三層結(jié)構(gòu)中的套孔50實(shí)現(xiàn)連接；上述像素結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是制備過(guò)程比較方便，但是該像素結(jié)構(gòu)也存在一些缺陷，具體為：由于平坦層30、公共電極層40和絕緣層60形成的套孔50結(jié)構(gòu)中，其各層通孔的孔徑尺寸大小不同，且各層通孔為逐層形成、孔徑中心容易產(chǎn)生偏移(OL Shift)，因此，在制備過(guò)程中很容易產(chǎn)生C-ITO與SD或者C-ITO與P-ITO短路的問(wèn)題，進(jìn)而導(dǎo)致像素結(jié)構(gòu)不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu)及其制備方法、陣列基板、顯示裝置，用以提高像素結(jié)構(gòu)的良率。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

一種像素結(jié)構(gòu)，包括：

基板；

位于所述基板上的源漏電極；

位于所述源漏電極上的第一絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)有第一通孔；

位于所述第一絕緣層上的公共電極和搭接電極，所述公共電極和所述搭接電極互不接觸，且所述搭接電極通過(guò)所述第一通孔與所述源漏電極電連接；

位于所述公共電極和所述搭接電極上的第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)有第二通孔；

位于所述第二絕緣層上的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述第二通孔與所述搭接電極電連接。

上述像素結(jié)構(gòu)中，源漏電極與像素電極之間可以通過(guò)第一絕緣層的第一通孔、搭接電極以及第二絕緣層的第二通孔實(shí)現(xiàn)連接；并且，首先，由于公共電極與搭接電極同層非接觸設(shè)置，所以，公共電極不容易通過(guò)搭接電極與源漏電極產(chǎn)生接觸；其次，由于第一通孔和第二通孔都通向搭接電極，所以，第一通孔和第二通孔也不容易導(dǎo)致公共電極(CITO)與源漏電極和/或像素電極之間產(chǎn)生接觸，綜上所述，上述像素結(jié)構(gòu)的公共電極與源漏電極和/或像素電極之間不容易產(chǎn)生接觸短路，所以，上述像素結(jié)構(gòu)的良率較高。

優(yōu)選地，所述搭接電極包括位于所述第一通孔內(nèi)的連接部和位于所述第一絕緣層上的搭接部；沿所述第一絕緣層的延展方向，所述搭接部的尺寸大于所述第一通孔的尺寸。

優(yōu)選地，沿所述第一絕緣層的延展方向，所述搭接部的尺寸大于所述第二通孔的尺寸。

優(yōu)選地，所述第二通孔與所述第一通孔的軸心線(xiàn)重合。

一種陣列基板，包括上述任一技術(shù)方案中所述的像素結(jié)構(gòu)。

一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案中所述的陣列基板。

一種像素結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：

在基板上形成源漏電極層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源漏電極的圖形；

在源漏電極層上形成第一絕緣層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第一絕緣層的圖形，所述第一絕緣層的圖形包括第一通孔；

在第一絕緣層上形成公共電極層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成公共電極和搭接電極的圖形，其中，所述公共電極與所述搭接電極互不接觸，且所述搭接電極通過(guò)所述第一通孔與所述源漏電極電連接；

在公共電極層上形成第二絕緣層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第二絕緣層的圖形，所述第二絕緣層的圖形包括第二通孔；

在第二絕緣層上形成像素電極層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素電極的圖形，所述像素電極通過(guò)所述第二通孔與所述搭接電極電連接。

優(yōu)選地，所述搭接電極包括位于所述第一通孔內(nèi)的連接部和位于所述第一絕緣層上的搭接部；沿所述第一絕緣層的延展方向，所述搭接部的尺寸大于所述第一通孔的尺寸。

優(yōu)選地，沿所述第一絕緣層的延展方向，所述搭接部的尺寸大于所述第二通孔的尺寸。

優(yōu)選地，所述第二通孔與所述第一通孔的軸心線(xiàn)重合。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種像素結(jié)構(gòu)的部分切面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖2中所示的像素結(jié)構(gòu)沿虛線(xiàn)方向的部分切面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制備方法流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參考圖2和圖3。

如圖2和圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)，包括：

基板1；

位于基板1上的源漏電極2；

位于源漏電極2上的第一絕緣層3，該第一絕緣層3設(shè)有貫穿其厚度方向的第一通孔31；

位于第一絕緣層3上的公共電極4和搭接電極5，公共電極4和搭接電極5互不接觸，搭接電極5覆蓋第一通孔31、且通過(guò)第一通孔31與源漏電極2電連接；

位于公共電極4和搭接電極5上的第二絕緣層6，該第二絕緣層6設(shè)有貫穿其厚度方向的第二通孔61；

位于第二絕緣層6上的像素電極7，像素電極7覆蓋第二通孔61、且通過(guò)第二通孔61與搭接電極5電連接。

上述像素結(jié)構(gòu)中，源漏電極2與像素電極7之間可以通過(guò)第一絕緣層3的第一通孔31、搭接電極5以及第二絕緣層6的第二通孔61實(shí)現(xiàn)連接；并且，首先，由于公共電極4與搭接電極5同層非接觸設(shè)置，所以，公共電極4不容易通過(guò)搭接電極5與源漏電極2產(chǎn)生接觸；其次，由于第一通孔31和第二通孔61都通向搭接電極5，所以，第一通孔31和第二通孔61也不容易導(dǎo)致公共電極(CITO)4與源漏電極2和/或像素電極7之間產(chǎn)生接觸，綜上所述，上述像素結(jié)構(gòu)的公共電極4與源漏電極2和/或像素電極7之間不容易產(chǎn)生接觸短路，所以，上述像素結(jié)構(gòu)的良率較高。

另外，由于上述第一通孔31和第二通孔61為相互獨(dú)立的結(jié)構(gòu)、其彼此對(duì)孔徑尺寸沒(méi)有限制，所以，第一通孔31與第二通孔61的直徑可以大于現(xiàn)有技術(shù)中的套孔的尺寸，進(jìn)而可以提升像素電極的充電效率。

如圖2和圖3所示，一種具體的實(shí)施例中，搭接電極5可以包括位于第一通孔31內(nèi)的連接部51和位于第一通孔31上的搭接部52，其中，連接部51一端與源漏電極2相接觸、另一端與搭接部52相接觸，而像素電極7可以通過(guò)第二通孔61與搭接部52相接觸，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與源漏電極2的電連接。

如圖2和圖3所示，優(yōu)選地，沿第一絕緣層3的延展方向，搭接部52的尺寸大于第一通孔31的尺寸。

當(dāng)搭接部52的尺寸大于第一通孔31的尺寸時(shí)，一方面，搭接部52可以完全將第一通孔31覆蓋，進(jìn)而可以避免公共電極4與源漏電極2之間產(chǎn)生接觸短路；另一方面，可以保證像素電極7與搭接電極5的接觸面積較大，進(jìn)而可以進(jìn)一步提升像素電極7的充電效率，并且可以有利于像素電極7與搭接電極5的電連接。

如圖2和圖3所示，進(jìn)一步優(yōu)選地，沿第一絕緣層3的延展方向，搭接部52的尺寸大于第二通孔61的尺寸。

同理，當(dāng)搭接部52的尺寸大于第二通孔61的尺寸時(shí)，一方面，搭接部52可以完全將第二通孔61的開(kāi)口部遮封，進(jìn)而，可以避免公共電極4與像素電極7之間產(chǎn)生接觸短路；另一方面，可以保證像素電極7與搭接電極5的接觸面積較大，進(jìn)而可以進(jìn)一步提升像素電極7的充電效率，并且可以有利于像素電極7與搭接電極5的電連接。

如圖2和圖3所示，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實(shí)施例中，第二絕緣層6的第二通孔62與第一絕緣層3的第一通孔31的軸心線(xiàn)o重合。

當(dāng)?shù)诙?3與第一通孔31的軸心線(xiàn)o重合時(shí)，可以縮短像素電極7與源漏電極2的耦合路徑，從而可以進(jìn)一步提升像素電極7的充電效率。

如圖2～圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種像素結(jié)構(gòu)的制備方法，該制備方法包括以下步驟：

步驟S101，在基板1上形成源漏電極層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源漏電極2的圖形；

步驟S102，在源漏電極層上形成第一絕緣層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第一絕緣層3的圖形，該第一絕緣層3的圖形包括第一通孔31；

步驟S103，在第一絕緣層3上形成公共電極層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成公共電極4和搭接電極5的圖形，其中，公共電極4與搭接電極5互不接觸，且搭接電極5通過(guò)第一通孔31與源漏電極2電連接；

步驟S104，在公共電極層上形成第二絕緣層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第二絕緣層6的圖形，該第二絕緣層6的圖形包括第二通孔61；

步驟S105，在第二絕緣層6上形成像素電極層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素電極7的圖形，像素電極7通過(guò)第二通孔61與搭接電極5電連接。

通過(guò)上述制備方法形成的像素結(jié)構(gòu)中，源漏電極2與像素電極7之間可以通過(guò)第一絕緣層3的第一通孔31、搭接電極5以及第二絕緣層6的第二通孔61實(shí)現(xiàn)連接；所以，上述像素結(jié)構(gòu)的公共電極4與源漏電極2和/或像素電極7之間不容易產(chǎn)生接觸短路，進(jìn)而，上述像素結(jié)構(gòu)的良率較高。

另外，由于通過(guò)上述制備方法形成的像素結(jié)構(gòu)中，第一通孔31和第二通孔61為相互獨(dú)立的結(jié)構(gòu)，所以第一通孔31與第二通孔61的尺寸可以大于現(xiàn)有技術(shù)中的套孔的尺寸，進(jìn)而可以提升像素電極7的充電效率；并且，由于第一通孔31和第二通孔61彼此對(duì)孔徑尺寸和位置沒(méi)有限制，所以，上述制備過(guò)程較簡(jiǎn)單、不易出現(xiàn)操作不良。

如圖2和圖3所示，一種具體的實(shí)施例中，通過(guò)上述制備方法形成的像素結(jié)構(gòu)中，搭接電極5可以包括位于第一通孔31內(nèi)的連接部51和位于第一通孔31上的搭接部52，其中，連接部51一端與源漏電極2相接觸、另一端與搭接部52相接觸，而像素電極7可以通過(guò)第二通孔61與搭接部52相接觸，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與源漏電極2的電連接。

如圖2和圖3所示，優(yōu)選地，沿第一絕緣層3的延展方向，搭接部52的尺寸大于第一通孔31的尺寸。

當(dāng)搭接部52的尺寸大于第一通孔31的尺寸時(shí)，一方面，搭接部52可以完全將第一通孔31覆蓋，進(jìn)而可以避免公共電極4與源漏電極2之間產(chǎn)生接觸短路；另一方面，可以保證像素電極7與搭接電極5的接觸面積較大，進(jìn)而可以進(jìn)一步提升像素電極7的充電效率，并且可以有利于像素電極7與搭接電極5的電連接。

如圖2和圖3所示，進(jìn)一步優(yōu)選地，沿第一絕緣層3的延展方向，搭接部52的尺寸大于第二通孔61的尺寸。

同理，當(dāng)搭接部52的尺寸大于第二通孔61的尺寸時(shí)，一方面，搭接部52可以完全將第二通孔61的開(kāi)口部遮封，進(jìn)而，可以避免公共電極4與像素電極7之間產(chǎn)生接觸短路；另一方面，可以保證像素電極7與搭接電極5的接觸面積較大，進(jìn)而可以進(jìn)一步提升像素電極7的充電效率，并且可以有利于像素電極7與搭接電極5的電連接。

如圖2和圖3所示，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實(shí)施例中，通過(guò)上述制備方法形成的像素結(jié)構(gòu)中，第二絕緣層6的第二通孔62與第一絕緣層3的第一通孔31的軸心線(xiàn)o重合。

當(dāng)?shù)诙?3與第一通孔31的軸心線(xiàn)o重合時(shí)，可以縮短像素電極7與源漏電極2的耦合路徑，從而可以進(jìn)一步提升像素電極7的充電效率。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括上述任一實(shí)施例中的像素結(jié)構(gòu)。由于該陣列基板中的像素結(jié)構(gòu)不容易產(chǎn)生短路，進(jìn)而，該陣列基板的良率較高。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述實(shí)施例中的陣列基板。

需要說(shuō)明的是，為了清楚示意源漏電極2、搭接部52和像素電極7之間的連接關(guān)系，附圖2中未畫(huà)出第一絕緣層3和第二絕緣層6的結(jié)構(gòu)；

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。