1.一種分段雙溝槽高壓屏蔽的橫向絕緣柵雙極器件，包括：P型襯底(1)，在P型襯底(1)上設(shè)有埋氧層(2)，在埋氧層(2)上設(shè)有N型外延層(3)，在N型外延層(3)的表面淀積有氧化層(20)，在N型外延層(3)上設(shè)有環(huán)形溝槽(12)且所述環(huán)形溝槽(12)立于埋氧層(2)上，在N型外延層(3)中設(shè)有呈U形的P型體區(qū)(4)和環(huán)形N型緩沖層(5)且所述呈U形的P型體區(qū)(4)和環(huán)形N型緩沖層(5)位于環(huán)形溝槽(12)的內(nèi)側(cè)，所述環(huán)形N型緩沖層(5)位于所述呈U形的P型體區(qū)(4)的U形內(nèi)側(cè)，在呈U形的P型體區(qū)(4)內(nèi)設(shè)有呈U形的N型發(fā)射極(6)和呈U形的P型發(fā)射極(7)，在P型體區(qū)(4)的內(nèi)邊界上方設(shè)有呈U形的多晶硅柵(13)且呈U形的多晶硅柵(13)位于氧化層(20)內(nèi)，在多晶硅柵(13)上連接有金屬(18)且多晶硅柵(13)連接至第一外圍結(jié)構(gòu)端子(16)，在環(huán)形N型緩沖層(5)中設(shè)有P型集電極(8)，在環(huán)形N型緩沖層(5)的外邊界上方有環(huán)形多晶硅場(chǎng)板(14)且所述環(huán)形多晶硅場(chǎng)板(14)位于氧化層(20)內(nèi)，在P型集電極(8)上引出的集電極金屬連線(xiàn)(9)且所述集電極金屬連線(xiàn)(9)通過(guò)U形的開(kāi)口區(qū)域延伸并連接至第二外圍結(jié)構(gòu)端子(15)，在U形開(kāi)口外側(cè)設(shè)有連續(xù)溝槽(11)，在環(huán)形溝槽(12)及連續(xù)溝槽(11)內(nèi)填充有二氧化硅或耐壓介質(zhì)包裹多晶硅，其特征在于，在U形開(kāi)口與連續(xù)溝槽(11)之間設(shè)有一排分段溝槽(10)，在相鄰分段溝槽(10)之間設(shè)有由多晶硅形成的載流子撤離通道(21)，在所述分段溝槽(10)中設(shè)有填充有二氧化硅或耐壓介質(zhì)包裹多晶硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分段雙溝槽高壓屏蔽的橫向絕緣柵雙極器件，其特征在于分段溝槽(10)的數(shù)量介于2到10之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分段雙溝槽高壓屏蔽的橫向絕緣柵雙極器件，其特征在于耐壓介質(zhì)包裹多晶硅采用二氧化硅包裹多晶硅。