本發(fā)明涉及反相器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種反相器結(jié)構(gòu)及其顯示面板。

背景技術(shù)：

反相器是可以將輸入信號(hào)的相位反轉(zhuǎn)180度，反相器電路主要應(yīng)用在模擬電路中，比如音頻放大電路，時(shí)鐘振蕩器電路等。在液晶顯示面板的線路設(shè)計(jì)中，也要經(jīng)常要用到反相器電路。

目前，在低溫多晶硅(LTPS)半導(dǎo)體薄膜晶體管的線路設(shè)計(jì)中，反相器的結(jié)構(gòu)是將NTFT和PTFT單獨(dú)進(jìn)行設(shè)計(jì)，因此反相器的高度和面積會(huì)影響整個(gè)液晶顯示面板的高度和面積，從而增加成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種反相器結(jié)構(gòu)及其顯示面板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中反相器的高度和面積影響液晶顯示面板的高度和面積從而增加成本的技術(shù)問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種反相器結(jié)構(gòu)，其至少包括：

第一晶體管，包括：

第一多晶硅層，包括第一源極區(qū)域、第一漏極區(qū)域以及第一溝道區(qū)域，第一溝道區(qū)域設(shè)置在第一源極區(qū)域和第一漏極區(qū)域之間；

第一柵極，設(shè)置在第一溝道區(qū)域上；

第一源極，設(shè)置在第一源極區(qū)域上，與第一電平連接；

第一漏極，設(shè)置在第一漏極區(qū)域上；

第二晶體管，包括：

第二多晶硅層，與第一多晶硅層相鄰設(shè)置，包括第二源極區(qū)域、第二漏極區(qū)域以及第二溝道區(qū)域，第二漏極區(qū)域與第一漏極區(qū)域設(shè)置在同一行并且相鄰設(shè)置，第二溝道區(qū)域設(shè)置在第二源極區(qū)域和第二漏極區(qū)域之間；

第二柵極，設(shè)置在第二溝道區(qū)域上，與第一柵極電性連接，形成反相器的輸入端；

第二源極，設(shè)置在第二源極區(qū)域上，與第二電平連接；

第二漏極，設(shè)置在第二漏極區(qū)域上，且與第一漏極電性連接，形成反相器的輸出端。

其中，第一漏極區(qū)域和第二漏極區(qū)域分別為長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)，且第一漏極區(qū)域和第二漏極區(qū)域排列在同一行中。

其中，第一漏極區(qū)域包括第一主體部和第一延伸部，第一延伸部從第一主體部遠(yuǎn)離第一溝道區(qū)域的邊緣處向第二漏極區(qū)域的方向延伸；

第二漏極區(qū)域包括第二主體部和第二延伸部，第二延伸部從第二主體部遠(yuǎn)離第二溝道區(qū)域的邊緣處向第一漏極區(qū)域的方向延伸；

其中，第一延伸部的長(zhǎng)度和第二延伸部的長(zhǎng)度之和小于第一主體部的長(zhǎng)度或者第二主體部的長(zhǎng)度。

其中，反相器結(jié)構(gòu)應(yīng)用到至少兩個(gè)反相器，反相器結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：

第三晶體管，包括：

第二多晶硅層進(jìn)一步包括第三溝道區(qū)域和第三漏極區(qū)域，第三溝道區(qū)域設(shè)置在第二源極區(qū)域和第三漏極區(qū)域之間；

第三柵極，設(shè)置在第三溝道區(qū)域上；

第三源極，為第二源極；

第三漏極，設(shè)置在第三漏極區(qū)域上；

第四晶體管，包括：

第三多晶硅層，與第二多晶硅層相鄰設(shè)置，包括第四源極區(qū)域、第四漏極區(qū)域以及第四溝道區(qū)域，第四漏極區(qū)域與第三漏極區(qū)域設(shè)置在同一行并且相鄰設(shè)置，第四溝道區(qū)域設(shè)置在第四源極區(qū)域和第四漏極區(qū)域之間；

第四柵極，設(shè)置在第四溝道區(qū)域上，與第三柵極電性連接，形成至少兩個(gè)反相器中另一個(gè)反相器的輸入端；

第四源極，設(shè)置在第四源極區(qū)域上，與第一電平連接；

第四漏極，設(shè)置在第四漏極區(qū)域上，且與第三漏極電性連接，形成至少兩個(gè)反相器中另一個(gè)反相器的輸出端。

其中，第一晶體管和第四晶體管為第一類(lèi)型晶體管，而第二晶體管和第三晶體管為第二類(lèi)型晶體管，且第一類(lèi)型晶體管和第二類(lèi)型晶體管的類(lèi)型不同。

其中，反相器結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：

第一層間介質(zhì)層，設(shè)置在第一多晶硅層與第一柵極、第一源極和第一漏極之間；

第二層間介質(zhì)層，設(shè)置在第二多晶硅層與第二柵極、第二源極和第二漏極之間。

其中，第一源極通過(guò)至少一個(gè)通孔連接第一源極區(qū)域，第一漏極通過(guò)至少一個(gè)通孔連接第一漏極區(qū)域；第二源極通過(guò)至少一個(gè)通孔連接第二源極區(qū)域，第二漏極通過(guò)至少一個(gè)通孔連接第二漏極區(qū)域。

其中，第一晶體管為P型薄膜晶體管，第二晶體管為N型薄膜晶體管。

其中，第一源極區(qū)域?yàn)镻型摻雜區(qū)域，第一漏極區(qū)域?yàn)镻型摻雜區(qū)域；第二源極區(qū)域?yàn)镹型摻雜區(qū)域，第二漏極區(qū)域?yàn)镹型摻雜區(qū)域。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種顯示面板，其包括上述的反相器結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明提供的反相器結(jié)構(gòu)由于設(shè)有第一漏極區(qū)域和第二漏極區(qū)域，第二漏極區(qū)域與第一漏極區(qū)域設(shè)置在同一行并且相鄰設(shè)置，可以減少反相器結(jié)構(gòu)的高度和面積，從而達(dá)到減少顯示面板的高度和面積，以便節(jié)約成本。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，進(jìn)一步可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中：

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的反相器結(jié)構(gòu)的版圖設(shè)計(jì)示意圖；

圖2是圖1中反相器的電路圖；

圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的反相器結(jié)構(gòu)的版圖設(shè)計(jì)示意圖；

圖4是本發(fā)明第三實(shí)施例的反相器結(jié)構(gòu)的版圖設(shè)計(jì)示意圖；

圖5是本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性的勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參見(jiàn)圖1所示，圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的反相器結(jié)構(gòu)的版圖設(shè)計(jì)示意圖。本實(shí)施例所揭示的反相器應(yīng)用于顯示面板的GOA(Gate Driver on Array，陣列基板行驅(qū)動(dòng))電路設(shè)計(jì)中，優(yōu)選地GOA電路中最后一級(jí)的反相器采用本實(shí)施例所揭示的反相器結(jié)構(gòu)。

如圖1所示，本實(shí)施例所揭示的反相器結(jié)構(gòu)10至少包括第一晶體管11和第二晶體管12，該反相器結(jié)構(gòu)10對(duì)應(yīng)的電路圖如圖2所示。

其中，第一晶體管11包括第一多晶硅層111、第一柵極112、第一源極113以及第一漏極114，第一多晶硅層111包括第一源極區(qū)域115、第一漏極區(qū)域116以及第一溝道區(qū)域117，第一溝道區(qū)域117設(shè)置在第一源極區(qū)域115和第一漏極區(qū)域116之間。第一柵極112設(shè)置在第一溝道區(qū)域117上，第一源極113設(shè)置在第一源極區(qū)域115上，第一漏極114設(shè)置在第一漏極區(qū)域116上。第一源極113與第一電平連接，第一電平優(yōu)選為高電平VGH。

其中，第二晶體管12包括第二多晶硅層121、第二柵極122、第二源極123以及第二漏極124，第二多晶硅層121包括第二源極區(qū)域125、第二漏極區(qū)域126以及第二溝道區(qū)域127，第二溝道區(qū)域127設(shè)置在第二源極區(qū)域125和第二漏極區(qū)域126之間。第二柵極122設(shè)置在第二溝道區(qū)域127上，第二源極123設(shè)置在第二源極區(qū)域125上，第二漏極124設(shè)置在第二漏極區(qū)域126上。第二源極123與第二電平連接，第二電平優(yōu)選為低電平VGL。

其中，第一漏極區(qū)域116和第二漏極區(qū)域126所組成的區(qū)域與第一源極區(qū)域115和第二源極區(qū)域125分別相對(duì)設(shè)置。

第二柵極122與第一柵極112電性連接，以形成反相器結(jié)構(gòu)10的輸入端IN；第二漏極124與第一漏極114電性連接，以形成反相器結(jié)構(gòu)10的輸出端OUT。

第二多晶硅層121與第一多晶硅層111相鄰設(shè)置，即第一多晶硅層111與第二多晶硅層121之間存在一定的間隙，能夠在多個(gè)反相器采用該反相器結(jié)構(gòu)10時(shí)避免多晶硅層產(chǎn)生自加熱(Self-Heating)效應(yīng)。第二漏極區(qū)域126與第一漏極區(qū)域116設(shè)置在同一行并且相鄰設(shè)置，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本申請(qǐng)將第一晶體管11的第一漏極114和第二晶體管12的第二漏極124挖掉一半，進(jìn)而可以減少反相器結(jié)構(gòu)10的高度和面積。

其中，第一柵極112和第二柵極122采用同層?xùn)艠O金屬制備，第一源極113、第一漏極114、第二源極123以及第二漏極124采用同層漏源極金屬制備，漏源極金屬和柵極金屬制備可以設(shè)置在同一層，也可以設(shè)置在不同一層。即第一源極113和第二源極123可以與第一漏極114和第二漏極124設(shè)置在同一層。

優(yōu)選地，第一漏極區(qū)域116和第二漏極區(qū)域126分別為長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)，第二漏極區(qū)域126與第一漏極區(qū)域116設(shè)置在同一行并且相鄰設(shè)置，排列結(jié)構(gòu)可以分為左右排列。

其中，第一源極113通過(guò)至少一個(gè)通孔118連接第一源極區(qū)域115，第一漏極114通過(guò)至少一個(gè)通孔119連接第一漏極區(qū)域116；第二源極123通過(guò)至少一個(gè)通孔128連接第二源極區(qū)域125，第二漏極124通過(guò)至少一個(gè)通孔129連接第二漏極區(qū)域126。

第一晶體管11為第一類(lèi)型晶體管，而第二晶體管12為第二類(lèi)型晶體管，且第一類(lèi)型晶體管和第二類(lèi)型晶體管的類(lèi)型不同。優(yōu)選地，第一晶體管11為P型薄膜晶體管，第二晶體管12為N型薄膜晶體管。

具體的，第一源極區(qū)域115為P型摻雜區(qū)域，第一漏極區(qū)域116為P型摻雜區(qū)域，P型摻雜區(qū)域?yàn)閾饺肴齼r(jià)雜質(zhì)元素，如硼、鎵；而第二源極區(qū)域125為N型摻雜區(qū)域，第二漏極區(qū)域126為N型摻雜區(qū)域，N型摻雜區(qū)域?yàn)閾饺胛鍍r(jià)雜質(zhì)元素，如磷、砷。

進(jìn)一步的，反相器結(jié)構(gòu)10包括第一層間介質(zhì)層和第二層間介質(zhì)層(圖未示)，第一層間介質(zhì)層設(shè)置在第一多晶硅層111與第一柵極112、第一源極113以及第一漏極114之間，第二層間介質(zhì)層設(shè)置在第二多晶硅層121與第二柵極122、第二源極123以及第二漏極124之間。此外，第一層間介質(zhì)層或者第二層間介質(zhì)層還可以設(shè)置在第一源極113與第二源極123之間，即第一層間介質(zhì)層和第二層間介質(zhì)層可以設(shè)置在不同層之間，也可以設(shè)置在同層極之間，從而起到隔離和絕緣作用。

請(qǐng)參閱圖3，圖3是本發(fā)明提供的反相器結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的版圖設(shè)計(jì)示意圖。如圖3所示，本實(shí)施例所揭示的反相器結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例所揭示的反相器結(jié)構(gòu)10的不同之處在于：第一漏極區(qū)域116包括第一主體部100和第一延伸部101，第一延伸部101從第一主體部100遠(yuǎn)離第一溝道區(qū)域117的邊緣處向第二漏極區(qū)域126的方向延伸。第二漏極區(qū)域126包括第二主體部102和第二延伸部103，第二延伸部103從第二主體部102遠(yuǎn)離第二溝道區(qū)域127的邊緣處向第一漏極區(qū)域116的方向延伸。

其中，第一延伸部101的長(zhǎng)度和第二延伸部103的長(zhǎng)度之和小于第一主體部100的長(zhǎng)度或者第二主體部102的長(zhǎng)度。優(yōu)選地，第一延伸部101的長(zhǎng)度小于或者等于第一主體部100的長(zhǎng)度的一半，第二延伸部103的長(zhǎng)度小于或者等于第二主體部102的長(zhǎng)度的一半。本實(shí)施例的反相器結(jié)構(gòu)不僅減少高度和面積，還可以保證第一溝道區(qū)域117和第二溝道區(qū)域127的有效長(zhǎng)度。

請(qǐng)參閱圖4，圖4是本發(fā)明提供的反相器結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例的版圖設(shè)計(jì)示意圖。本實(shí)施例所揭示的反相器結(jié)構(gòu)在第二實(shí)施例所揭示的反相器結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行描述，其中本實(shí)施例所揭示的反相器結(jié)構(gòu)應(yīng)用到至少兩個(gè)反相器，本實(shí)施例以?xún)蓚€(gè)反相器進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在其他實(shí)施例中，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員還可以將多個(gè)反相器采用該反相器結(jié)構(gòu)，例如五個(gè)反相器采用該反相器結(jié)構(gòu)，在此不再贅述。

如圖4所示，該反相器結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括第三晶體管13和第四晶體管14。其中，第三晶體管13包括第二多晶硅層121、第三柵極131、第三源極132以及第三漏極133，第二多晶硅層121進(jìn)一步包括第三溝道區(qū)域134和第三漏極區(qū)域135，第三溝道區(qū)域134設(shè)置在在第二源極區(qū)域125和第三漏極區(qū)域135之間。第三柵極131設(shè)置在第三溝道區(qū)域134上；第三源極132為第二源極123，即兩個(gè)反相器共用第二源極123；第三漏極133設(shè)置在第三漏極區(qū)域135上。

第四晶體管14包括第三多晶硅層141、第四柵極142、第四源極143以及第四漏極144，第三多晶硅層141包括第四源極區(qū)域145、第四漏極區(qū)域146以及第四溝道區(qū)域147，第四溝道區(qū)域147設(shè)置在第四源極區(qū)域145和第四漏極區(qū)域146之間。第四柵極142設(shè)置在第四溝道區(qū)域127上，第四源極143設(shè)置在第四源極區(qū)域145上，第四漏極144設(shè)置在第四漏極區(qū)域146上。第四源極143與第一電平連接，第一電平優(yōu)選為高電平VGH。

其中，第四柵極142與第三柵極131電性連接，形成至少兩個(gè)反相器中另一個(gè)反相器的輸入端IN1。第四漏極144與第三漏極133電性連接，形成至少兩個(gè)反相器中另一個(gè)反相器的輸出端OUT1。

其中，第四漏極區(qū)域146與第三漏極區(qū)域135設(shè)置在同一行并且相鄰設(shè)置。由于第一多晶硅層111、第二多晶硅層121以及第三多晶硅層141之間存在一定的間隙，因此本實(shí)施例的反相器結(jié)構(gòu)不僅減少高度和面積，還可以避免多晶硅層產(chǎn)生自加熱效應(yīng)。

請(qǐng)參閱圖5，圖5是本發(fā)明提供的顯示面板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖5所示，該顯示面板40包括多個(gè)上述的反相器結(jié)構(gòu)300，反相器結(jié)構(gòu)300設(shè)置在顯示面板40周邊電路的線路設(shè)計(jì)中。

其中，反相器結(jié)構(gòu)300為上述實(shí)施例所描述的反相器結(jié)構(gòu)，此處不再重復(fù)贅述。

綜上所述，本發(fā)明提供的反相器結(jié)構(gòu)由于設(shè)有第一漏極區(qū)域和第二漏極區(qū)域，第二漏極區(qū)域與第一漏極區(qū)域設(shè)置在同一行并且相鄰設(shè)置，可以減少反相器結(jié)構(gòu)的高度和面積，從而達(dá)到減少顯示面板的高度和面積，以便節(jié)約成本。由于第一多晶硅層、第二多晶硅層以及第三多晶硅層之間存在一定的間隙，還可以避免多晶硅層產(chǎn)生自加熱效應(yīng)。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專(zhuān)利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍內(nèi)。