1.一種三端自帶防護(hù)功能的垂直型恒流器件，其特征在于：包括集成在同一硅基片上的恒流器件結(jié)構(gòu)和雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管結(jié)構(gòu)；所述恒流器件結(jié)構(gòu)和雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管結(jié)構(gòu)共用如下部分：N型摻雜襯底，N型摻雜襯底下表面的第三P型重?fù)诫s區(qū)，第三P型重?fù)诫s區(qū)下表面的陽極；
所述恒流器件結(jié)構(gòu)還包括：N型摻雜襯底內(nèi)部靠近上表面的兩個(gè)第一擴(kuò)散P型阱區(qū)，兩個(gè)第一擴(kuò)散P型阱區(qū)內(nèi)部設(shè)有上表面和N型摻雜襯底上表面平齊的N型重?fù)诫s區(qū)和第一P型重?fù)诫s區(qū)，兩個(gè)第一擴(kuò)散P型阱區(qū)內(nèi)部的N型重?fù)诫s區(qū)和第一P型重?fù)诫s區(qū)關(guān)于恒流器件結(jié)構(gòu)的中心鏡像對(duì)稱，在N型重?fù)诫s區(qū)和N型摻雜襯底之間的第一擴(kuò)散P型阱區(qū)的上表面嵌入N型溝道區(qū)，兩個(gè)N型重?fù)诫s區(qū)之間的N型摻雜襯底的上表面和N型溝道區(qū)上表面被第一氧化層覆蓋，N型重?fù)诫s區(qū)、第一P型重?fù)诫s區(qū)和第一氧化層的上表面被第一金屬陰極覆蓋，所述N型重?fù)诫s區(qū)、第一P型重?fù)诫s區(qū)和第一金屬陰極形成歐姆接觸，所述第三P型重?fù)诫s區(qū)和陽極形成歐姆接觸；
所述雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管結(jié)構(gòu)還包括：遠(yuǎn)離N型重?fù)诫s區(qū)的第一P型重?fù)诫s區(qū)外側(cè)的第二P型重?fù)诫s區(qū)、覆蓋N型摻雜襯底和第二P型重?fù)诫s區(qū)邊緣上表面的第二氧化層，位于第二P型重?fù)诫s區(qū)上表面的第二金屬陰極，第二P型重?fù)诫s區(qū)的上表面和N型摻雜襯底上表面平齊，所述第二P型重?fù)诫s區(qū)和第二金屬陰極形成歐姆接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三端自帶防護(hù)功能的垂直型恒流器件，其特征在于：雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管結(jié)構(gòu)還包括位于兩個(gè)第一擴(kuò)散P型阱區(qū)外側(cè)的N型摻雜襯底內(nèi)部靠近上表面的第二擴(kuò)散P型阱區(qū)，所述第二P型重?fù)诫s區(qū)位于第二擴(kuò)散阱區(qū)內(nèi)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種三端自帶防護(hù)功能的垂直型恒流器件，其特征在于：所述第一擴(kuò)散P型阱區(qū)和第二擴(kuò)散P型阱區(qū)之間設(shè)置隔離區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三端自帶防護(hù)功能的垂直型恒流器件，其特征在于：所述器件中各摻雜類型可相應(yīng)變?yōu)橄喾吹膿诫s，即P型摻雜變?yōu)镹型摻雜的同時(shí)，N型摻雜變?yōu)镻型摻雜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三端自帶防護(hù)功能的垂直型恒流器件，其特征在于：所述恒流器件結(jié)構(gòu)是平面型或槽型。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三端自帶防護(hù)功能的垂直型恒流器件，其特征在于：第一擴(kuò)散P型阱區(qū)、第二擴(kuò)散P型阱區(qū)、N型溝道區(qū)采用挖槽填充的方式形成。
7.如權(quán)利要求1或4或5任意一項(xiàng)所述的三端自帶防護(hù)功能的垂直型恒流器件的制造方法，其特征在于包括以下步驟：
步驟1：采用N型硅片作為N型摻雜襯底；
步驟2：進(jìn)行第一擴(kuò)散P型阱區(qū)的注入前預(yù)氧；
步驟3：光刻第一擴(kuò)散P型阱區(qū)窗口，進(jìn)行第一擴(kuò)散P型阱區(qū)注入；
步驟4：然后進(jìn)行第一擴(kuò)散P型阱區(qū)、推結(jié)，刻蝕多余的氧化層；
步驟5：進(jìn)行N型溝道區(qū)注入前預(yù)氧，進(jìn)行N型溝道區(qū)的注入；
步驟6：光刻N(yùn)型重?fù)诫s區(qū)窗口，進(jìn)行N型重?fù)诫s區(qū)注入；光刻第一P型重?fù)诫s區(qū)、第二P型重?fù)诫s區(qū)窗口，進(jìn)行第一P型重?fù)诫s區(qū)、第二P型重?fù)诫s區(qū)注入，刻蝕多余的氧化層；N型重?fù)诫s區(qū)、第一P型重?fù)诫s區(qū)、第二P型重?fù)诫s區(qū)的注入無先后順序；
步驟7：淀積氧化層，光刻、刻蝕形成第一氧化層，步驟1之后步驟2之前淀積氧化層，光刻、刻蝕形成第二氧化層；
步驟8：歐姆孔刻蝕，淀積鋁金屬；
步驟9：刻蝕金屬，形成第一金屬陰極、第二金屬陰極；
步驟10：淀積鈍化層，刻第一陰極PAD孔、第二陰極PAD孔；
步驟11：將硅片減薄，在N型摻雜襯底下表面注入第三P型重?fù)诫s區(qū)；
步驟12：第三P型重?fù)诫s區(qū)下表面形成陽極；
步驟13：淀積鈍化層，刻陽極PAD孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3或6所述的三端自帶防護(hù)功能的垂直型恒流器件的制造方法，其特征在于包括如下步驟：
步驟1：采用N型硅片作為N型摻雜襯底；
步驟2：進(jìn)行第一擴(kuò)散P型阱區(qū)的注入前預(yù)氧；
步驟3：光刻第一擴(kuò)散P型阱區(qū)窗口，進(jìn)行第一擴(kuò)散P型阱區(qū)注入；
步驟4：然后進(jìn)行第一擴(kuò)散P型阱區(qū)、推結(jié)，刻蝕多余的氧化層；
步驟5：進(jìn)行N型溝道區(qū)注入前預(yù)氧，進(jìn)行N型溝道區(qū)的注入；
步驟5-1：在步驟(1)之后和步驟(6)之前的任意位置，按如下方法生成第二擴(kuò)散P型阱區(qū)：進(jìn)行第二擴(kuò)散P型阱區(qū)的注入前預(yù)氧；光刻第二擴(kuò)散P型阱區(qū)窗口，進(jìn)行第二擴(kuò)散P型阱區(qū)注入、推結(jié)，刻蝕多余的氧化層；
步驟6：光刻N(yùn)型重?fù)诫s區(qū)窗口，進(jìn)行N型重?fù)诫s區(qū)注入；光刻第一P型重?fù)诫s區(qū)、第二P型重?fù)诫s區(qū)窗口，進(jìn)行第一P型重?fù)诫s區(qū)、第二P型重?fù)诫s區(qū)注入，刻蝕多余的氧化層；N型重?fù)诫s區(qū)、第一P型重?fù)诫s區(qū)、第二P型重?fù)诫s區(qū)的注入無先后順序；
步驟7：淀積氧化層，光刻、刻蝕形成第一氧化層，步驟1之后步驟2之前淀積氧化層，光刻、刻蝕形成第二氧化層；
步驟8：歐姆孔刻蝕，淀積鋁金屬；
步驟9：刻蝕金屬，形成第一金屬陰極、第二金屬陰極；
步驟10：淀積鈍化層，刻第一陰極PAD孔、第二陰極PAD孔；
步驟11：將硅片減薄，在N型摻雜襯底下表面注入第三P型重?fù)诫s區(qū)；
步驟12：第三P型重?fù)诫s區(qū)下表面形成陽極；
步驟13：淀積鈍化層，刻陽極PAD孔。