1.一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括：
包括第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域的基板；
設置在所述第一子像素區(qū)域中并包括第一薄膜晶體管的第一驅動電路，所述第一薄膜晶體管包括：i)包括第一源區(qū)、第一溝道區(qū)和第一漏區(qū)的第一有源圖案及ii)與所述第一有源圖案絕緣的第一柵電極；
設置在所述第二子像素區(qū)域中并包括第二薄膜晶體管的第二驅動電路，所述第二薄膜晶體管包括：i)包括第二源區(qū)、第二溝道區(qū)和第二漏區(qū)的第二有源圖案及ii)與所述第二有源圖案絕緣的第二柵電極；
分別電連接到所述第一驅動電路和所述第二驅動電路的第一像素電極和第二像素電極；
面對所述第一像素電極和所述第二像素電極的公共電極；以及
遮擋入射光的遮光構件，其中所述遮光構件設置在所述第二薄膜晶體管上，
其中所述第一像素電極的至少一部分在所述有機發(fā)光二極管顯示器的深度維度上與所述第一源區(qū)和所述第一漏區(qū)中的至少一個重疊，并且其中所述遮光構件的至少一部分在所述有機發(fā)光二極管顯示器的所述深度維度上與所述第二源區(qū)和所述第二漏區(qū)中的至少一個重疊。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述遮光構件和所述第二像素電極設置在同一層上，并且其中所述遮光構件與所述第二像素電極隔開。
3.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述遮光構件從與所述第一像素電極和所述第二像素電極不同并且與所述第二子像素區(qū)域相鄰的第三像素電極延伸。
4.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述第二驅動電路包括：
包括所述第一有源圖案和所述第二有源圖案的半導體層；
設置在所述半導體層上的包括所述第一柵電極和所述第二柵電極的第一導電層；
設置在所述第一導電層上的第二導電層；
設置在所述第二導電層上的第三導電層；和
分別插入在所述半導體層和所述第一導電層之間、所述第一導電層和所述第二導電層之間以及所述第二導電層和所述第三導電層之間的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層。
5.根據(jù)權利要求4所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一驅動電路進一步包括第一驅動薄膜晶體管和第一電容器，并且
其中所述第二驅動電路進一步包括第二驅動薄膜晶體管和第二電容器。
6.根據(jù)權利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管被配置為分別使所述第一驅動薄膜晶體管和所述第二驅動薄膜晶體管二極管連接。
7.根據(jù)權利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一驅動薄膜晶體管包括：i)包括在所述第一驅動電路的所述半導體層中的第一驅動有源圖案，ii)包括在所述第一驅動電路的所述第一導電層中的第一驅動柵電極，以及iii)在所述有機發(fā)光二極管顯示器的所述深度維度上與所述第一驅動柵電極重疊、包括在所述第二導電層中并設置在所述第一驅動柵電極上的第一上電極，并且
其中所述第二驅動薄膜晶體管包括：i)包括在所述第二驅動電路的所述半導體層中的第二驅動有源圖案，ii)包括在所述第二驅動電路的所述第一導電層中的第二驅動柵電極，以及iii)在所述有機發(fā)光二極管顯示器的所述深度維度上與包括在所述第二導電層中的所述第二驅動柵電極重疊并設置在所述第二驅動柵電極上的第二上電極。
8.根據(jù)權利要求7所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述遮光構件和所述第二上電極設置在同一層上，并且其中所述遮光構件與所述第二上電極隔開。
9.根據(jù)權利要求7所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述遮光構件從所述第二上電極的一部分延伸。
10.根據(jù)權利要求7所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述第二驅動有源圖案包括第二驅動源區(qū)和第二驅動漏區(qū)，
其中所述第二驅動薄膜晶體管包括電連接到所述第二驅動源區(qū)的第二驅動源電極和電連接到所述第二驅動漏區(qū)的第二驅動漏電極；并且
其中所述遮光構件、所述第二驅動源電極和所述第二驅動漏電極設置在同一層上。
11.根據(jù)權利要求7所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述第三導電層包括連接所述第二驅動柵電極和所述第二漏區(qū)的連接器，并且
其中所述遮光構件從所述連接器的一部分延伸。
12.根據(jù)權利要求4所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述第三導電層包括被配置為分別將多個數(shù)據(jù)信號傳送到所述第一驅動電路和所述第二驅動電路的多條數(shù)據(jù)線。
13.根據(jù)權利要求12所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述遮光構件和所述數(shù)據(jù)線設置在同一層上，并且其中所述遮光構件與所述數(shù)據(jù)線隔開。
14.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述基板進一步包括與所述第二子像素區(qū)域相鄰的第三子像素區(qū)域，并且
其中所述第一子像素區(qū)域至所述第三子像素區(qū)域分別對應于紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域和藍色子像素區(qū)域。
15.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述基板進一步包括：
與所述第二子像素區(qū)域相鄰的第三子像素區(qū)域；
設置在所述基板上的所述第三子像素區(qū)域中的第三驅動電路；和
電連接到所述第三驅動電路的第三像素電極，
其中所述第二像素電極設置在第一行上，其中所述第一像素電極和所述第三像素電極設置在與所述第一行相鄰的第二行上，其中所述第一像素電極和所述第二像素電極被交替設置，并且其中所述第二像素電極和所述第三像素電極被交替設置。
16.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一源區(qū)、所述第一漏區(qū)、所述第二源區(qū)和所述第二漏區(qū)中的每一個由Si形成。
17.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，進一步包括：
插入在所述第一像素電極和所述公共電極之間的第一有機發(fā)射層；
插入在所述第二像素電極和所述公共電極之間的第二有機發(fā)射層；
插入在所述第一像素電極和所述第一有機發(fā)射層之間并且在所述第二像素電極和所述第二有機發(fā)射層之間的第一公共層；以及
插入在所述第一有機發(fā)射層和所述第二有機發(fā)射層與所述公共電極之間的第二公共層，
其中所述第一公共層包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個，并且
其中所述第二公共層包括電子傳輸層和電子注入層中的至少一個。
18.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述遮光構件包括金屬層。
19.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述遮光構件由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一種形成。
20.根據(jù)權利要求17所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述第二有機發(fā)射層被配置為發(fā)射綠光。