1.一種垂直溝道的納米線生物傳感器的集成方法，包括如下步驟：
A.提供一半導(dǎo)體襯底，實(shí)現(xiàn)器件隔離；
B.形成重?fù)诫s的下有源區(qū)；
C.淀積假柵疊層；
具體實(shí)現(xiàn)步驟如下：
C1.淀積一層介質(zhì)作第一SDE掩膜層，其厚度定義了器件的下有源區(qū)側(cè)墻的寬度；
C2.淀積一層介質(zhì)作假柵層，其厚度定義了器件的溝道修飾長(zhǎng)度；
C3.淀積一層介質(zhì)作第二SDE掩膜層，其厚度定義了器件的上有源區(qū)側(cè)墻的寬度；
D.通過刻蝕通孔、外延溝道形成垂直溝道結(jié)構(gòu)；
具體實(shí)現(xiàn)步驟如下：
D1.通過光刻定義溝道截面的形狀、大小；
D2.通過各向異性刻蝕形成溝道窗口，窗口底部露出器件的重?fù)诫s下有源區(qū)，去膠；
D3.通過圖形化外延技術(shù)形成器件的溝道；
D4.通過化學(xué)機(jī)械拋光去除淀積超出第二SDE掩膜層上表面的溝道材料，實(shí)現(xiàn)平坦化；
E.通過淀積、刻蝕形成器件的重?fù)诫s的上有源區(qū)；
具體實(shí)現(xiàn)步驟如下：
E1.淀積一層有源材料；
E2.通過光刻技術(shù)定義上有源區(qū)窗口；
E3.通過各向異性刻蝕形成上有源區(qū)，去膠；
E4.通過離子注入技術(shù)對(duì)上有源區(qū)進(jìn)行重?fù)诫s；
E5.通過退火工藝激活源、漏；
F.去除假柵材料，形成納米線溝道修飾區(qū)域；
具體實(shí)現(xiàn)步驟如下：
F1.淀積一層介質(zhì)作頂部掩膜層；
F2.通過光刻定義液柵區(qū)域；
F3.通過各向異性刻蝕，露出第一SDE掩膜層的上表面，去膠；
F4.通過各向同性刻蝕，去除整個(gè)假柵層；
G.形成器件源漏兩端的金屬接觸；
具體實(shí)現(xiàn)步驟如下：
G1.去除頂部掩膜層；
G2.各向異性淀積一層層間介質(zhì)，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化；
G3.通過光刻、各向異性刻蝕形成器件源漏兩端的接觸孔，去膠；
G4.在各接觸孔中填充金屬M(fèi)etal 0；
G5.通過對(duì)金屬M(fèi)etal 0進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化，去除超出層間介質(zhì)的上表面的金屬M(fèi)etal 0，實(shí)現(xiàn)器件之間的導(dǎo)電層分離；
H.形成金屬互聯(lián)圖形；
具體實(shí)現(xiàn)步驟如下：
H1.淀積金屬M(fèi)etal 1；
H2.通過光刻、各向異性刻蝕形成源漏兩端的引出和探針測(cè)試pad，去膠；
I.形成溶液滴定的修飾窗口；
I1.淀積一層介質(zhì)作為鈍化層，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化；
I2.通過光刻定義修飾窗口，用于溶液滴定時(shí)，待修飾的生物分子通過此窗口擴(kuò)散經(jīng)液柵層，再擴(kuò)散至納米線的表面成鍵修飾；
I3.通過各向異性刻蝕，連通修飾窗口和液柵層，形成從基片表面至納米線溝道修飾表面的通路，去膠；
J.形成探針測(cè)試窗口；
具體實(shí)現(xiàn)步驟如下：
J1.光刻定義探針測(cè)試窗口；
J2.通過各向異性刻蝕，露出互聯(lián)金屬M(fèi)etal 1所定義的探針測(cè)試pad，去膠；
K.合金，使金屬與源漏的接觸處呈現(xiàn)更好的歐姆特性，同時(shí)使介質(zhì)材料更加致密。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟C中第一SDE掩膜層與第二SDE掩膜層的材料相同，與假柵層材料相異，且假柵層材料對(duì)第一SDE掩膜層的各向同性刻蝕選擇比大于5:1。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟F中所述頂部掩膜層材料與假柵層不同，假柵層材料對(duì)該頂部掩膜層的各向同性刻蝕選擇比大于5:1。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟A中所述半導(dǎo)體襯底包括體硅襯底、SOI襯底、體鍺襯底和GOI襯底。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，步驟A中所述隔離，對(duì)于體襯底使用阱隔離加淺槽隔離；對(duì)于SOI和GOI襯底使用淺槽隔離。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟G中所述作為導(dǎo)電層的填充金屬M(fèi)etal0為鎢或銅。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟H和J中所述作為導(dǎo)電層的填充金屬M(fèi)etal 1為鋁、銀、鉑、銅和鈦中的一種及其復(fù)合金屬。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟D、E、F、G、H、I和J中，各向異性刻蝕采用RIE或ICP。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟E中，退火方式采用快速熱退火、尖峰退火、閃耀退火和激光退火中的一種。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟步驟G和H中，淀積金屬采用蒸發(fā)、濺射、電鍍和化學(xué)氣相淀積中的一種。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟C、E、F和G中，非金屬材料的各向同性淀積方法采用低壓化學(xué)氣相淀積LPCVD、原子層淀積ALD中的一種，各向異性淀積方法采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積PECVD、電感耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積ICPECVD。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟K中，合金采用的溫度為300-500℃，處理時(shí)間為30min-60min。