技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括器件區(qū)域和測(cè)試區(qū)域。在器件區(qū)域中，第一鰭間隔件覆蓋第一鰭結(jié)構(gòu)的側(cè)壁并且具有第一高度，并且第一外延結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一鰭結(jié)構(gòu)中，其中，部分第一外延結(jié)構(gòu)位于第一鰭間隔件之上并且具有第一寬度。在測(cè)試區(qū)域中，第二鰭間隔件覆蓋第二鰭結(jié)構(gòu)的側(cè)壁并且具有第二高度，并且第二高度大于第一高度。第二外延結(jié)構(gòu)設(shè)置在第二鰭結(jié)構(gòu)中，并且部分第二外延結(jié)構(gòu)位于第二鰭間隔件之上并且具有第二寬度，其中，第二寬度小于第一寬度。本發(fā)明的實(shí)施例還涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員：宋學(xué)昌;張智強(qiáng);李昆穆
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610654720
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.11
技術(shù)公布日：2017.05.17