本發(fā)明涉及電子元器件領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種金屬化薄膜電容的制造工藝。
背景技術(shù)：
薄膜電容器是以金屬箔當電極，將其和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬作為電極而制成的薄膜電容稱之為金屬化薄膜電容。金屬化薄膜電容可以省去電極箔的厚度，縮小電容器單位容量的體積，具有形狀小、容量大的優(yōu)點，在電氣領(lǐng)域得到廣泛的應用。
現(xiàn)有技術(shù)中，薄膜電容的制造工藝是：元件繞卷--熱壓--包裹--噴金--封裝，但是，這種工藝由于溫度不均勻以及噴金槍嘴的距離控制不精確，導致金屬化薄膜電容通電后容易被擊穿、電能損耗大、使用壽命降低。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
針對上述技術(shù)中存在的不足之處，本發(fā)明提供一種金屬化薄膜電容的制造工藝，具有電能損耗低、耐熱性高、使用壽命長的優(yōu)點。
為了實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：
本發(fā)明所述的金屬化薄膜電容的制造工藝，包括以下步驟：S1，薄膜電容金屬化：采用聚丙烯薄膜為基膜，通過真空蒸鍍方式將鋅鋁附著在聚丙烯薄膜表面形成電極，并且，鋅鋁附著在聚丙烯薄膜兩側(cè)的兩邊形成金屬層；
S2，包裹：在金屬層和聚丙烯薄膜中間的留邊位置，通過真空熱壓的方式，包裹一層絕緣材料形成絕緣層；
S3，卷繞、定型：通過無感式對聚丙烯薄膜層以及金屬層電極進行繞卷形成芯子，芯子之間串聯(lián)；
S4，噴金：在金屬化薄膜電容的兩個端面噴鍍合金形成金屬合金層；所述合金是鋅錫合金；
S5，真空熱處理：噴金后的金屬化薄膜電容進行真空熱處理，真空熱處理后采用風冷的方式冷卻；
S6，賦能，將噴金、真空熱處理處理后的芯子進行賦能處理；
S7，封裝，將芯子單向引出，以絕緣材料進行熱壓封裝，并以阻燃防紫外絕緣材料灌封；
其中，步驟S4中噴金時，噴金槍嘴與芯子端面間的距離為150cm-155cm，壓力為0.6Mpa-0.7Mpa；所述金屬合金層的厚度為0.25mm-0.30mm。
優(yōu)選的是，所述金屬層的加厚端厚度是0.1um、方阻為2-3Ω/□，非加厚端厚度是0.08um、方阻為3-4Ω/□。
優(yōu)選的是，步驟S2中的真空熱壓的溫度是100℃-110℃。
優(yōu)選的是，步驟S5中，真空熱處理后采用風冷的方式冷卻具體指，在真空條件下加熱至120℃-130℃保持20分鐘，再通風冷卻至室溫保持15分鐘。
優(yōu)選的是，步驟S2和步驟S7中絕緣材料是環(huán)氧樹脂。
優(yōu)選的是，步驟S7中，所述阻燃防紫外絕緣材料包括重量份數(shù)分別為10-15份阻燃劑、3-5份紫外吸收劑、15-18份環(huán)氧樹脂。
優(yōu)選的是，所述阻燃劑包括氫氧化鋁或氫氧化鎂。
優(yōu)選的是，所述紫外吸收劑包括水楊酯苯酯、2-羥基-4-正辛氧基二苯甲酮以及單苯甲酸間苯二酚酯。
本發(fā)明至少包括以下有益效果：
本發(fā)明提供的金屬化薄膜電容的制造工藝，
1)在金屬層和聚丙烯薄膜中間的留邊位置，通過真空熱壓的方式，包裹一層絕緣材料形成絕緣層，提高了金屬化薄膜電容的絕緣性和電能的穩(wěn)定性；
2)噴金時，噴金槍嘴與芯子端面間的距離為150cm-155cm，壓力為0.6Mpa-0.7Mpa，金屬合金層的厚度為0.25mm-0.30mm；此時，金屬化薄膜電容電性能穩(wěn)定，電能損耗較低，適合高脈沖、大電流的電路；
3)阻燃防紫外絕緣材料包括重量份數(shù)分別為10-15份阻燃劑、3-5份紫外吸收劑、15-18份環(huán)氧樹脂；提高金屬化薄膜電容的耐腐蝕性、耐熱性，提高使用壽命；
4)噴金后的金屬化薄膜電容進行真空熱處理，真空熱處理后采用風冷的方式冷卻；提高了金屬化薄膜電容的耐熱性。
本發(fā)明的其它優(yōu)點、目標和特征將部分通過下面的說明體現(xiàn)，部分還將通過對本發(fā)明的研究和實踐而為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解。
附圖說明
圖1為本發(fā)明所述的金屬化薄膜電容的制造工藝的流程圖。
具體實施方式
應當理解，本文所使用的諸如“具有”、“包含”以及“包括”術(shù)語并不配出一個或多個其它元件或其組合的存在或添加。
本發(fā)明提供一種金屬化薄膜電容的制造工藝，其包括以下步驟：S1，薄膜電容金屬化：采用聚丙烯薄膜為基膜，通過真空蒸鍍方式將鋅鋁附著在聚丙烯薄膜表面形成電極，并且，鋅鋁附著在聚丙烯薄膜兩側(cè)的兩邊形成金屬層；
S2，包裹：在金屬層和聚丙烯薄膜中間的留邊位置，通過真空熱壓的方式，包裹一層絕緣材料形成絕緣層；
S3，卷繞、定型：通過無感式對聚丙烯薄膜層以及金屬層電極進行繞卷形成芯子，芯子之間串聯(lián)；
S4，噴金：在金屬化薄膜電容的兩個端面噴鍍合金形成金屬合金層；所述合金是鋅錫合金；
S5，真空熱處理：噴金后的金屬化薄膜電容進行真空熱處理，真空熱處理后采用風冷的方式冷卻；
S6，賦能，將噴金、真空熱處理處理后的芯子進行賦能處理；
S7，封裝，將芯子單向引出，以絕緣材料進行熱壓封裝，并以阻燃防紫外絕緣材料灌封；
其中，步驟S4中噴金時，噴金槍嘴與芯子端面間的距離為150cm-155cm，壓力為0.6Mpa-0.7Mpa；所述金屬合金層的厚度為0.25mm-0.30mm。
本發(fā)明提供的金屬化薄膜電容的制造工藝，在金屬層和聚丙烯薄膜中間的留邊位置，通過真空熱壓的方式，包裹一層絕緣材料形成絕緣層，提高了金屬化薄膜電容的絕緣性；噴金時，噴金槍嘴與芯子端面間的距離為150cm-155cm，壓力為0.6Mpa-0.7Mpa，金屬合金層的厚度為0.25mm-0.30mm；此時，金屬化薄膜電容電性能穩(wěn)定，電損耗較低，適合高脈沖、大電流的電路；噴金后的金屬化薄膜電容進行真空熱處理，真空熱處理后采用風冷的方式冷卻，提高了金屬化薄膜電容的耐熱性；以阻燃防紫外絕緣材料灌封，提高了金屬化薄膜電容的邊緣絕緣性和電能穩(wěn)定性。
上述技術(shù)方案中，金屬層的加厚端厚度是0.1um、方阻為2-3Ω/□，非加厚端厚度是0.08um、方阻為3-4Ω/□，在不影響金屬化薄膜電容電性能的前提下，降低了金屬化薄膜電容的厚度。
上述技術(shù)方案中，步驟S2中的真空熱壓的溫度是100℃-110℃，可以較好地將絕緣材料包裹在金屬層和聚丙烯薄膜中間的留邊位置。
上述技術(shù)方案中，步驟S5中，真空熱處理后采用風冷的方式冷卻具體指，在真空條件下加熱至120℃-130℃保持20分鐘，再通風冷卻至室溫保持15分鐘，通過真空熱處理后，金屬化薄膜電容的耐熱性最好，溫度可達到120℃-130℃。
上述技術(shù)方案中，步驟S2和步驟S7中絕緣材料是環(huán)氧樹脂，柔韌性好、粘黏度強。
上述技術(shù)方案中，步驟S7中，阻燃防紫外絕緣材料包括重量份數(shù)分別為10-15份阻燃劑、3-5份紫外吸收劑、15-18份環(huán)氧樹脂，封裝材料中添加的阻燃劑和紫外吸收劑，提高了金屬化薄膜電容的耐腐蝕性和使用壽命，不易自燃。
上述技術(shù)方案中，阻燃劑包括氫氧化鋁或氫氧化鎂。
上述技術(shù)方案中，紫外吸收劑包括水楊酯苯酯、2-羥基-4-正辛氧基二苯甲酮以及單苯甲酸間苯二酚酯。
對比例1
在本發(fā)明實施方式的基礎上，與本發(fā)明實施方式不同的是，沒有在金屬層和聚丙烯薄膜中間的留邊位置，通過真空熱壓的方式，包裹一層絕緣材料形成絕緣層；其他方法步驟和參數(shù)均相同。
對比例2
在本發(fā)明實施方式的基礎上，與本發(fā)明實施方式不同的是，噴金槍嘴與芯子端面間的距離以及壓力不同：對比例2中噴金槍嘴與芯子端面間的距離為138cm-148cm，壓力為0.4Mpa-0.5Mpa；其他方法步驟和參數(shù)均相同。
對比例3
在本發(fā)明實施方式的基礎上，與本發(fā)明實施方式不同的是，噴金槍嘴與芯子端面間的距離以及壓力不同：對比例2中噴金槍嘴與芯子端面間的距離為158cm-170cm，壓力為0.8Mpa-0.9Mpa；其他方法步驟和參數(shù)均相同。
對比例4
在本發(fā)明實施方式的基礎上，與本發(fā)明實施方式不同的是，噴金工藝和賦能工藝中間無真空熱處理工藝，其他方法步驟和參數(shù)均相同。
對比例5
在本發(fā)明實施方式的基礎上，與本發(fā)明實施方式不同的是，阻燃層中阻燃劑沒有添加紫外吸收劑；其他方法步驟和參數(shù)均相同。
本發(fā)明與對比例1、對比例2、對比例3、對比例4以及對比例5各項指標對比如下表1所示：
表1 指標對比結(jié)果
通過表1的指標對比可知，本發(fā)明提供的金屬化薄膜電容的制造方法，具有電能損耗低、電性能穩(wěn)定、耐熱性高以及使用壽命長的優(yōu)點。
盡管本發(fā)明的實施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實施方式中所列運用。它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領(lǐng)域。對于熟悉本領(lǐng)域的人員而言可容易地實現(xiàn)另外的修改。因此在不背離權(quán)利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發(fā)明并不限于特定的細節(jié)和這里示出與描述的圖例。