1.一種基于粗化外延片的LED芯片的電極色差改善方法，其特征在于：包括如下步驟：
S1，提供一粗化GaN外延片，該GaN外延片包括：藍(lán)寶石襯底，依次層疊設(shè)置在該藍(lán)寶石襯底上的N型層、發(fā)光層及粗化P型層；
S2，在部分粗化P型層表面蝕刻至裸露出N型層；
S3，在粗化P型層與裸露出的N型層的表面制備金屬保護(hù)層，并分別在粗化P型層與N型層上裸露出供后續(xù)制備電極的讓位區(qū)域；
S4，置于堿性蝕刻液中進(jìn)行蝕刻，將S3中裸露在金屬保護(hù)層外的讓位區(qū)域的GaN表面蝕刻至平整；
S5，去除金屬保護(hù)層；
S6，制備透明導(dǎo)電層及P、N電極，且P、N電極分別對(duì)應(yīng)設(shè)置在讓位區(qū)域的位置上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于粗化外延片的LED芯片的電極色差改善方法，其特征在于：所述步驟S2中，在部分粗化P型層表面蝕刻至裸露出N型層，其蝕刻方式為ICP干蝕刻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于粗化外延片的LED芯片的電極色差改善方法，其特征在于：所述步驟S3中，具體包括如下步驟：
S3-1，分別在P型層與N型層上后續(xù)制備P、N電極的區(qū)域制備一光阻掩膜層，
S3-2，在粗化P型層、N型層及光阻掩膜層的表面制備金屬保護(hù)層，
S3-3，去除光阻掩膜層及在該光阻掩膜層表面的金屬保護(hù)層，即得到裸露的讓位區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于粗化外延片的LED芯片的電極色差改善方法，其特征在于：所述光阻掩膜層不做烘烤硬化處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于粗化外延片的LED芯片的電極色差改善方法，其特征在于：所述金屬保護(hù)層的厚度小于光阻掩膜層厚度的三分之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的基于粗化外延片的LED芯片的電極色差改善方法，其特征在于：所述金屬保護(hù)層為層疊的鉻層與鎳層，所述鉻層連接在GaN表面與鎳層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于粗化外延片的LED芯片的電極色差改善方法，其特征在于：所述步驟S5中，去除金屬保護(hù)層的具體方式為將其置于鉻蝕刻液中進(jìn)行蝕刻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于粗化外延片的LED芯片的電極色差改善方法，其特征在于：所述步驟S4中，堿性蝕刻液為5-20mol/L的KOH溶液，其蝕刻溫度為90-120℃，蝕刻時(shí)間50-100分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于粗化外延片的LED芯片的電極色差改善方法，其特征在于：所述步驟S4中，蝕刻深度小于1μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于粗化外延片的LED芯片的電極色差改善方法，其特征在于：所述讓位區(qū)域的直徑比所對(duì)應(yīng)電極的直徑大1-5μm。