技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法、顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的薄膜晶體管的制備方法，包括：在基底上方形成半導(dǎo)體材料層，并通過一次構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管的有源層和漏極圖案的圖形；對所述漏極圖案進(jìn)行退火，以形成薄膜晶體管漏極的圖形。本發(fā)明中所提供的薄膜晶體管的制備方法，將漏極與有源層形成在同一層，而漏極與源極分層設(shè)置，也即將漏極與陣列基板上的數(shù)據(jù)線分層設(shè)置，從而可以縮小漏極與數(shù)據(jù)線之間的間距，此時可以有效的改善曝光機(jī)的精度對陣列基板上像素分辨率的限制。

技術(shù)研發(fā)人員：張鋒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
文檔號碼：201610670772
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.15
技術(shù)公布日：2016.11.16