本發(fā)明涉及剩余電流動(dòng)作斷路器領(lǐng)域，具體涉及一種節(jié)能降耗剩余動(dòng)作電流斷路器。
背景技術(shù)：
目前國(guó)家在主推節(jié)能降耗，而剩余動(dòng)作電流斷路器屬于電網(wǎng)的一個(gè)重要組成部分，其所占用的功率也是較大的一筆損耗，而現(xiàn)有的剩余動(dòng)作電流斷路器主推的節(jié)能降耗，大多是通過(guò)選用能耗較低的元器件來(lái)實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗，但是電網(wǎng)的電壓始終會(huì)存在波動(dòng)，而剩余電流動(dòng)作斷路器始終處于被動(dòng)接受的一方，因此其可能會(huì)因?yàn)殡妷翰▌?dòng)從而產(chǎn)生溫升，造成能源損耗。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于克服上述不足之處，提出了一種節(jié)能降耗剩余動(dòng)作電流斷路器。
本發(fā)明的技術(shù)方案是： 一種節(jié)能降耗剩余動(dòng)作電流斷路器，其包括輸入端，與輸入端連接的脫扣電源電路，所述脫扣電源電路的正輸出端與節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路連接，所述節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路與剩余電流動(dòng)作控制電路連接，剩余電流動(dòng)作控制電路連接與剩余電流檢測(cè)電路連接，所述節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路包括三極管Q2，所述三極管Q2的發(fā)射極和集電極分別通過(guò)電阻R2和電阻R3與脫扣電源電路的正輸出端連接，三極管Q2的基極與集電極之間并聯(lián)電阻R4，所述三極管Q2的基極通過(guò)穩(wěn)壓管D5接地，所述三極管Q2的發(fā)射極與剩余電流動(dòng)作控制電路連接，電阻R2的阻值與電阻R3的阻值的比值在5-6之間。
所述剩余電流動(dòng)作控制電路包括穩(wěn)壓電路、芯片IC1和可控硅電路，所述芯片為SN54123。
所述可控硅電路包括可控硅Q1，所述可控硅Q1的陽(yáng)極與脫扣電源電路的正輸出端連接，所述可控硅Q1的陰極與脫扣電源電路的負(fù)輸出端連接，所述可控硅Q1的控制端與芯片IC1的7腳連接。
可控硅Q1的控制端依次并聯(lián)電阻R6、電容C1接地。
所述穩(wěn)壓電路包括并聯(lián)的電解電容C3和穩(wěn)壓管D6，穩(wěn)壓管D6的陰極與電解電容C3的正極連接，穩(wěn)壓管D6的陽(yáng)極與電解電容C3的負(fù)極連接，電解電容C3的正極分別與三極管Q2的發(fā)射極以及芯片IC1的8腳連接，電解電容C3的負(fù)極接地。
所述穩(wěn)壓管D6的兩端并聯(lián)電容C4，所述電容C4的電容值為0.1μF。
剩余電流檢測(cè)電路包括兩個(gè)剩余電流檢測(cè)端，兩個(gè)剩余電流檢測(cè)端分別通過(guò)電阻R8和電阻R9后與剩余電流動(dòng)作控制電路的兩個(gè)輸入端連接，兩個(gè)剩余電流檢測(cè)端之間依次并聯(lián)電阻R7和電容C10，剩余電流動(dòng)作控制電路的兩個(gè)輸入端之間并聯(lián)電容C9，所述剩余電流動(dòng)作控制電路的兩個(gè)輸入端分別通過(guò)電容C5和電容C8接地。
所述脫扣電源電路包括脫扣線圈和整流電路。
輸入端為兩個(gè)，且兩者之間并聯(lián)壓敏電阻RV。
所述節(jié)能降耗剩余動(dòng)作電流斷路器還設(shè)有剩余電流動(dòng)作試驗(yàn)電路。
本發(fā)明的有益效果：自動(dòng)判斷脫扣電源電路輸出的電壓，根據(jù)電壓波動(dòng)，利用電阻R2或電阻R3進(jìn)行供電，有效的降低能耗，并且能夠避免過(guò)電壓或欠電壓工作，降低溫升，實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗的效果。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
下面針對(duì)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作進(jìn)一步說(shuō)明：
如圖所示， 本發(fā)明提供了一種節(jié)能降耗剩余動(dòng)作電流斷路器，其包括輸入端，輸入端為輸入端L和輸入端N，兩個(gè)輸入端直接與脫扣電源電路連接，所述脫扣電源電路的正輸出端與節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路連接，所述節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路與剩余電流動(dòng)作控制電路連接，剩余電流動(dòng)作控制電路連接與剩余電流檢測(cè)電路連接，所述節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路包括三極管Q2，所述三極管Q2的發(fā)射極和集電極分別通過(guò)電阻R2和電阻R3與脫扣電源電路的正輸出端連接，三極管Q2的基極與集電極之間并聯(lián)電阻R4，所述三極管Q2的基極通過(guò)穩(wěn)壓管D5接地，所述三極管Q2的發(fā)射極與剩余電流動(dòng)作控制電路連接，電阻R2的阻值與電阻R3的阻值的比值在5-6倍之間，且電阻R3的阻值在100K以下，從而使得該斷路器在50V的情況下也能動(dòng)作。
所述剩余電流動(dòng)作控制電路包括穩(wěn)壓電路、芯片IC1和可控硅電路，所述芯片為SN54123。
所述可控硅電路包括可控硅Q1，所述可控硅Q1的陽(yáng)極與脫扣電源電路的正輸出端連接，所述可控硅Q1的陰極與脫扣電源電路的負(fù)輸出端連接，所述可控硅Q1的控制端與芯片IC1的7腳連接，可控硅Q1的控制端依次并聯(lián)電阻R6、電容C1接地，芯片IC1的6腳和7腳之間并聯(lián)電容C6
芯片IC1的5腳和4腳通過(guò)電容C7接地。
所述穩(wěn)壓電路包括并聯(lián)的電解電容C3和穩(wěn)壓管D6，穩(wěn)壓管D6的陰極與電解電容C3的正極連接，穩(wěn)壓管D6的陽(yáng)極與電解電容C3的負(fù)極連接，電解電容C3的正極分別與三極管Q2的發(fā)射極以及芯片IC1的8腳連接，電解電容C3的負(fù)極接地。
所述穩(wěn)壓管D6的兩端并聯(lián)電容C4，所述電容C4的電容值為0.1μF。
剩余電流檢測(cè)電路包括兩個(gè)剩余電流檢測(cè)端，剩余電流檢測(cè)端為檢測(cè)端Z2和檢測(cè)端Z3，兩個(gè)剩余電流檢測(cè)端分別通過(guò)電阻R8和電阻R9后與剩余電流動(dòng)作控制電路的兩個(gè)輸入端（即芯片IC1的1腳和2腳）連接，兩個(gè)剩余電流檢測(cè)端之間依次并聯(lián)電阻R7和電容C10，剩余電流動(dòng)作控制電路的兩個(gè)輸入端之間并聯(lián)電容C9，所述剩余電流動(dòng)作控制電路的兩個(gè)輸入端分別通過(guò)電容C5和電容C8接地。
所述脫扣電源電路包括脫扣線圈L1和整流電路，該整流電路由二極管D1、二極管D2、二極管D3以及二極管D4組成。
輸入端為兩個(gè)，且兩者之間并聯(lián)壓敏電阻RV，起到防擊穿的保護(hù)。
所述節(jié)能降耗剩余動(dòng)作電流斷路器還設(shè)有剩余電流動(dòng)作試驗(yàn)電路，該剩余電流動(dòng)作試驗(yàn)電路由試驗(yàn)按鈕T和試驗(yàn)電阻R1構(gòu)成。
電源電壓在AC 275V-175V時(shí)該電路主動(dòng)選擇電阻R2給芯片IC1供電; 電源電壓從AC175V-50V時(shí)逐漸轉(zhuǎn)換為電阻R3經(jīng)過(guò)Q2給芯片IC1供電。R2選擇470K，電阻R3選擇80K，二極管D5選擇16v，二極管D6選擇20v。國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求電源電壓AC50V時(shí)剩余電流動(dòng)作斷路器能正常工作。
所以端口N、L輸入額定電壓時(shí)三極管Q2發(fā)射極電位高于基極電位，三極管Q2處于截止?fàn)顟B(tài)。端口N、L輸入電壓低于一定值時(shí)三極管Q2發(fā)射極電位低于基極電位，三極管Q2導(dǎo)通。
普通電路只有電阻R2直接給芯片IC1供電 (普通電路電阻R2選擇100K) ，所以在電源額定電壓AC220V 時(shí)，普通電路的功耗約為（220-20）x (220-20)/100=400毫瓦。
電源額定電壓AC220V 時(shí)該節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路的功耗約為（220-20）x (220-20)/470+（220-16）x220/2000=107.546毫瓦。節(jié)電292.454毫瓦，即每臺(tái)開(kāi)關(guān)（剩余電流動(dòng)作斷路器）年節(jié)電0.292454/1000 x24 x365=2.56度。同時(shí)使開(kāi)關(guān)溫升大幅降低，大大提升開(kāi)關(guān)的綜合質(zhì)量。
在電源額定電壓AC380V 時(shí)，普通電路的功耗約為（380-20）x (380-20)/100=1296毫瓦。
電源額定電壓AC380V 時(shí)該節(jié)能降耗主動(dòng)選擇電路的功耗約為（380-20）x (380-20)/470+（380-16）x380/2000=345毫瓦。節(jié)電0.951瓦，即每臺(tái)開(kāi)關(guān)（剩余電流動(dòng)作斷路器）年節(jié)電0.951/1000 x24 x365=8.33度。同時(shí)使開(kāi)關(guān)溫升大幅降低，對(duì)開(kāi)關(guān)質(zhì)量提升尤為明顯。
實(shí)施例不應(yīng)視為對(duì)發(fā)明的限制，但任何基于本發(fā)明的精神所作的改進(jìn)，都應(yīng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。