本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝焊線工序品質(zhì)檢驗(yàn)工序領(lǐng)域，尤其涉及一種能快速檢測(cè)芯片彈坑的方法。
背景技術(shù)：
：芯片指內(nèi)含集成電路的硅片，體積很小，是計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備的一部分，集成電路封裝就是把芯片、引線框架經(jīng)過(guò)壓焊用引線連接后，再用塑封料包封起來(lái)，為集成電路芯片提供輸出和保護(hù)，避免人為和環(huán)境因素的損傷，從而保證集成電路能夠穩(wěn)定、可靠地工作。彈坑就是在集成電路封裝過(guò)程中，因各種因素使芯片鋁墊鋁層及底層硅化合物遭破壞的一種現(xiàn)象。產(chǎn)生彈坑問(wèn)題的因素多種多樣，為了生產(chǎn)出高質(zhì)量、低成本的芯片產(chǎn)品，彈坑的檢測(cè)和判定方法顯得尤為重要。目前最常用的芯片彈坑的檢測(cè)方法有兩種，一是用化學(xué)藥水氫氧化鉀、磷酸加熱進(jìn)行，另外使用王水進(jìn)行對(duì)比試驗(yàn)，最后在高倍顯微鏡下進(jìn)行檢查判定，對(duì)操作人員的安全防護(hù)要求比較高，且加熱時(shí)間和加熱溫度不好控制，耗時(shí)長(zhǎng)，工作效率低；二是把強(qiáng)堿溶液滴在做好的成品IC芯片上，利用室溫讓溶液與芯片上的焊點(diǎn)鋁起反應(yīng)，最后在高倍顯微鏡下進(jìn)行檢查判定，操作簡(jiǎn)單，但產(chǎn)品質(zhì)量不高，且所需時(shí)間長(zhǎng)，工作效率低。對(duì)此本發(fā)明提出了一種能快速檢測(cè)芯片彈坑的方法。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，而提出的一種能快速檢測(cè)芯片彈坑的方法。一種能快速檢測(cè)芯片彈坑的方法，包括以下步驟：S1、準(zhǔn)備：芯片產(chǎn)品、美工刀、100ML燒杯A、100ML燒杯B、加熱平臺(tái)、金屬小鑷子、攪拌棒、高倍顯微鏡、氫氧化鈉、丙酮、水；S2、按25-35%重量百分比的濃度來(lái)計(jì)算稱取所需要使用的氫氧化鈉和水；S3、將步驟S2中稱取的水倒入100ML燒杯A中，緩慢加入步驟S2中稱取的氫氧化鈉，用玻璃棒輕輕攪拌8-15min，直至完全溶解呈無(wú)色透明狀；S4、將步驟S3中配制好的氫氧化鈉溶液放入加熱平臺(tái)加熱至80-110℃，保溫備用；S5、使用美工刀切割芯片產(chǎn)品，將切割的芯片產(chǎn)品用金屬小鑷子輕放入保溫狀態(tài)的氫氧化鈉溶液中，加熱3-5min；S6、將一定量的丙酮倒入100ML燒杯燒杯B中，將步驟S5中加熱后的芯片產(chǎn)品取出，放入100ML燒杯B中清潔并晾干；S7、在高倍顯微鏡下觀察芯片產(chǎn)品情況，無(wú)破損、裂縫、凹坑或彩虹現(xiàn)象即為正常。優(yōu)選的，所述步驟S1中的水為純水。優(yōu)選的，所述步驟S2中的重量百分比濃度為28-32%。優(yōu)選的，所述步驟S4中的加熱溫度為85-100℃。優(yōu)選的，所述步驟S5中的加熱時(shí)間為4min。優(yōu)選的，所述步驟S6中的丙酮量與純水量的比為1-1.4:1。本發(fā)明提出的一種能快速檢測(cè)芯片彈坑的方法，操作簡(jiǎn)單，過(guò)程中所用設(shè)備和溶液可重復(fù)使用，有效的提高了設(shè)備及溶液的利用率，降低了成本，本發(fā)明提出的方法能快速的檢測(cè)彈坑，耗時(shí)短，耗時(shí)短，做好溶液配制、加熱完成后，彈坑檢測(cè)時(shí)間一般可控制在5分鐘以內(nèi)，有效的提高了工作效率，且保證了產(chǎn)品質(zhì)量。具體實(shí)施方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步解說(shuō)。實(shí)施例一本發(fā)明提出的一種能快速檢測(cè)芯片彈坑的方法，包括以下步驟：S1、準(zhǔn)備：芯片產(chǎn)品、美工刀、100ML燒杯A、100ML燒杯B、加熱平臺(tái)、金屬小鑷子、攪拌棒、高倍顯微鏡、氫氧化鈉、丙酮、純水；S2、按28%重量百分比的濃度來(lái)計(jì)算稱取所需要使用的氫氧化鈉和純水；S3、將步驟S2中稱取的純水倒入100ML燒杯中，緩慢加入步驟S2中稱取的氫氧化鈉，用玻璃棒輕輕攪拌15min，直至完全溶解呈無(wú)色透明狀；S4、將步驟S3中配制好的氫氧化鈉溶液放入加熱平臺(tái)加熱至90℃，保溫備用；S5、使用美工刀切割芯片產(chǎn)品，將切割的芯片產(chǎn)品用金屬小鑷子輕放入保溫狀態(tài)的氫氧化鈉溶液中，加熱4min；S6、將用量與純水用量相等的丙酮倒入100ml燒杯B中，將步驟S5中加熱后的芯片產(chǎn)品取出，放入100ML燒杯B中清潔并晾干；S7、在高倍顯微鏡下觀察芯片產(chǎn)品情況，無(wú)破損、裂縫、凹坑或彩虹現(xiàn)象即為正常。實(shí)施例二本發(fā)明提出的一種能快速檢測(cè)芯片彈坑的方法，包括以下步驟：S1、準(zhǔn)備：芯片產(chǎn)品、美工刀、100ML燒杯A、100ML燒杯B、加熱平臺(tái)、金屬小鑷子、攪拌棒、高倍顯微鏡、氫氧化鈉、丙酮、純水；S2、按32%重量百分比的濃度來(lái)計(jì)算稱取所需要使用的氫氧化鈉和純水；S3、將步驟S2中稱取的純水倒入100ML燒杯中，緩慢加入步驟S2中稱取的氫氧化鈉，用玻璃棒輕輕攪拌10min，直至完全溶解呈無(wú)色透明狀；S4、將步驟S3中配制好的氫氧化鈉溶液放入加熱平臺(tái)加熱至100℃，保溫備用；S5、使用美工刀切割芯片產(chǎn)品，將切割的芯片產(chǎn)品用金屬小鑷子輕放入保溫狀態(tài)的氫氧化鈉溶液中，加熱3min；S6、將用量為純水用量1.3倍的丙酮倒入100ml燒杯B中，將步驟S5中加熱后的芯片產(chǎn)品取出，放入100ML燒杯B中清潔并晾干；S7、在高倍顯微鏡下觀察芯片產(chǎn)品情況，無(wú)破損、裂縫、凹坑或彩虹現(xiàn)象即為正常。實(shí)施例三本發(fā)明提出的一種能快速檢測(cè)芯片彈坑的方法，包括以下步驟：S1、準(zhǔn)備：芯片產(chǎn)品、美工刀、100ML燒杯A、100ML燒杯B、加熱平臺(tái)、金屬小鑷子、攪拌棒、高倍顯微鏡、氫氧化鈉、丙酮、純水；S2、按25%重量百分比的濃度來(lái)計(jì)算稱取所需要使用的氫氧化鈉和純水；S3、將步驟S2中稱取的純水倒入100ML燒杯中，緩慢加入步驟S2中稱取的氫氧化鈉，用玻璃棒輕輕攪拌9min，直至完全溶解呈無(wú)色透明狀；S4、將步驟S3中配制好的氫氧化鈉溶液放入加熱平臺(tái)加熱至85℃，保溫備用；S5、使用美工刀切割芯片產(chǎn)品，將切割的芯片產(chǎn)品用金屬小鑷子輕放入保溫狀態(tài)的氫氧化鈉溶液中，加熱3.5min；S6、將用量為純水用量1.1倍的丙酮倒入100ml燒杯B中，將步驟S5中加熱后的芯片產(chǎn)品取出，放入100ML燒杯B中清潔并晾干；S7、在高倍顯微鏡下觀察芯片產(chǎn)品情況，無(wú)破損、裂縫、凹坑或彩虹現(xiàn)象即為正常。實(shí)施例四本發(fā)明提出的一種能快速檢測(cè)芯片彈坑的方法，包括以下步驟：S1、準(zhǔn)備：芯片產(chǎn)品、美工刀、100ML燒杯A、100ML燒杯B、加熱平臺(tái)、金屬小鑷子、攪拌棒、高倍顯微鏡、氫氧化鈉、丙酮、純水；S2、按30%重量百分比的濃度來(lái)計(jì)算稱取所需要使用的氫氧化鈉和純水；S3、將步驟S2中稱取的純水倒入100ML燒杯中，緩慢加入步驟S2中稱取的氫氧化鈉，用玻璃棒輕輕攪拌14min，直至完全溶解呈無(wú)色透明狀；S4、將步驟S3中配制好的氫氧化鈉溶液放入加熱平臺(tái)加熱至95℃，保溫備用；S5、使用美工刀切割芯片產(chǎn)品，將切割的芯片產(chǎn)品用金屬小鑷子輕放入保溫狀態(tài)的氫氧化鈉溶液中，加熱5min；S6、將用量為純水用量1.4倍的丙酮倒入100ml燒杯B中，將步驟S5中加熱后的芯片產(chǎn)品取出，放入100ML燒杯B中清潔并晾干；S7、在高倍顯微鏡下觀察芯片產(chǎn)品情況，無(wú)破損、裂縫、凹坑或彩虹現(xiàn)象即為正常。實(shí)施例五本發(fā)明提出的一種能快速檢測(cè)芯片彈坑的方法，包括以下步驟：S1、準(zhǔn)備：芯片產(chǎn)品、美工刀、100ML燒杯A、100ML燒杯B、加熱平臺(tái)、金屬小鑷子、攪拌棒、高倍顯微鏡、氫氧化鈉、丙酮、純水；S2、按35%重量百分比的濃度來(lái)計(jì)算稱取所需要使用的氫氧化鈉和純水；S3、將步驟S2中稱取的純水倒入100ML燒杯中，緩慢加入步驟S2中稱取的氫氧化鈉，用玻璃棒輕輕攪拌12min，直至完全溶解呈無(wú)色透明狀；S4、將步驟S3中配制好的氫氧化鈉溶液放入加熱平臺(tái)加熱至105℃，保溫備用；S5、使用美工刀切割芯片產(chǎn)品，將切割的芯片產(chǎn)品用金屬小鑷子輕放入保溫狀態(tài)的氫氧化鈉溶液中，加熱4.5min；S6、將用量為純水用量1.2倍的丙酮倒入100ml燒杯B中，將步驟S5中加熱后的芯片產(chǎn)品取出，放入100ML燒杯B中清潔并晾干；S7、在高倍顯微鏡下觀察芯片產(chǎn)品情況，無(wú)破損、裂縫、凹坑或彩虹現(xiàn)象即為正常。將上述五組實(shí)施例提出的彈坑檢測(cè)方法中所用彈坑檢測(cè)時(shí)間進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，得出以下結(jié)果：實(shí)施例實(shí)施例一實(shí)施例二實(shí)施例三實(shí)施例四實(shí)施例五檢測(cè)時(shí)間3.8min3.2min3.5min4.7min4.5min本發(fā)明提出的一種能快速檢測(cè)芯片彈坑的方法，操作簡(jiǎn)單，過(guò)程中所用設(shè)備和溶液可重復(fù)使用，有效的提高了設(shè)備及溶液的利用率，降低了成本，本發(fā)明提出的方法能快速的檢測(cè)彈坑，耗時(shí)短，做好溶液配制、加熱完成后，彈坑檢測(cè)時(shí)間一般可控制在5分鐘以內(nèi)，有效的提高了工作效率，且保證了產(chǎn)品質(zhì)量。以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3