本發(fā)明屬于電子器件領(lǐng)域，具體涉及一種QLED器件發(fā)光層的制備方法。

背景技術(shù)：

量子點(diǎn)(Quantum Dot,QD)也就是納米晶體，是一種準(zhǔn)零維的納米材料。量子點(diǎn)三個(gè)維度的尺寸都在1-100nm之間，其內(nèi)部電子在各方向上的運(yùn)動(dòng)都受到局限，所以量子限域效應(yīng)特別顯著，由于電子和空穴被量子限域，連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)變成具有分子特性的分立能級(jí)結(jié)構(gòu)。不同尺寸的量子點(diǎn)、電子和空穴被量子限域的程度不一樣，分子特性的分立能級(jí)結(jié)構(gòu)也因量子點(diǎn)的尺寸不同而不同。因此，在受到外來(lái)能量激發(fā)后，不同尺寸的量子點(diǎn)將發(fā)出不同波長(zhǎng)的熒光，也就是各種顏色的光。另外，由于量子點(diǎn)受激發(fā)射的波長(zhǎng)只與量子點(diǎn)的能級(jí)結(jié)構(gòu)有關(guān)，因此，發(fā)射的波長(zhǎng)半高寬很窄，發(fā)光純度很高。

量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)采用量子點(diǎn)作為發(fā)光材料，具有色域廣、色純度高、低功耗、低成本、穩(wěn)定性好，被譽(yù)為繼OLED之后新一代照明顯示技術(shù)。

目前制備QLED器件的量子點(diǎn)發(fā)光層都是采用溶液法成膜。溶液法成膜主要包括兩種：一種是采用旋涂法，第二種是噴墨打印。雖然旋涂法制備工藝簡(jiǎn)單，但是無(wú)法實(shí)現(xiàn)大面積均勻成膜。噴墨打印雖然可以實(shí)現(xiàn)全彩顯示，但是受量子點(diǎn)墨水的制約，該方法一直發(fā)展緩慢。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種制備QLED器件發(fā)光層的方法。該方法具有工藝簡(jiǎn)單，可以實(shí)現(xiàn)大面積顯示的優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明提供的QLED器件發(fā)光層的制備方法包括：

步驟A，用油溶性量子點(diǎn)溶液在正交溶劑的液面上形成薄膜；

步驟B，將所述薄膜轉(zhuǎn)移到所述基板的表面上；

步驟C，將轉(zhuǎn)移后的薄膜進(jìn)行高溫處理，從而得到所述QLED器件發(fā)光層。

在一個(gè)實(shí)施方式中，通過(guò)將基板插入到正交溶劑中，然后沿順時(shí)針?lè)较蚧蚰鏁r(shí)針?lè)较驈乃稣蝗軇┲刑崞?，從而將所述薄膜轉(zhuǎn)移到所述基板的表面上。

在另一個(gè)實(shí)施方式中，通過(guò)在步驟A之前將基板浸漬于所述正交溶劑中，優(yōu)選使所述基板與所述正交溶劑的液面保持平行，以及在步驟A之后將所述正交溶劑的液面降低(例如通過(guò)出液口)至所述基板的表面以下，從而將所述薄膜轉(zhuǎn)移到所述基板的表面上。

在又一個(gè)實(shí)施方式中，通過(guò)在步驟A之前將基板浸漬于所述正交溶劑中，優(yōu)選使所述基板與所述正交溶劑的液面保持平行，以及在步驟A之后將基板提高(例如通過(guò)升降裝置)至所述正交溶劑的液面之上，從而將所述薄膜轉(zhuǎn)移到所述基板的表面上。

根據(jù)本發(fā)明的制備方法，所述油溶性量子點(diǎn)溶液由量子點(diǎn)材料溶于油溶性有機(jī)溶劑制備而成。例如，將量子點(diǎn)材料加入到盛有油溶性有機(jī)溶劑的瓶子中，把瓶子放在加熱臺(tái)上攪拌，形成均勻溶液，即為所述油溶性量子點(diǎn)溶液。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述量子點(diǎn)材料由發(fā)光殼、殼層結(jié)構(gòu)和有機(jī)配體構(gòu)成。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述正交溶劑的密度大于所述油溶性有機(jī)溶劑的密度。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述正交溶劑與所述油溶性有機(jī)溶劑的極性不同，并且二者在同一容器中能夠上下分層。

優(yōu)選地，所述油溶性有機(jī)溶劑為甲苯、氯苯或氯仿。

優(yōu)選地，所述正交溶劑選自水、乙醇或甲醇中的至少一種。

本發(fā)明可通過(guò)量子點(diǎn)溶液的濃度和滴入量來(lái)控制薄膜的厚度。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述高溫處理的溫度為50-200℃，優(yōu)選80-150℃。通過(guò)高溫處理可以使得膜成黏附性更加牢固。

通過(guò)本發(fā)明的制備方法，不僅可以實(shí)現(xiàn)溶液法在基板上制備大面積量子點(diǎn)發(fā)光層薄膜，而且成膜均勻，膜厚可調(diào)，制備工藝簡(jiǎn)單。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的示意圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的示意圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3的示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明并不受下述實(shí)施例的限制。

實(shí)施例1

如圖2所示，將基板放置在容器側(cè)壁，容器中盛入適量的氯仿。將量子點(diǎn)溶液(以甲醇為溶劑)滴入到該容器中，在氯仿液面上形成均勻薄膜。然后，傾斜提拉玻璃基板。基板形成薄膜。在100℃左右下進(jìn)行高溫烘烤，固化薄膜，以增強(qiáng)薄膜的粘附性。得到QLED器件發(fā)光層。

實(shí)施例2

如圖3所示，把基板浸入到容器底部，其中所述容器底部設(shè)置有出液口，容器中盛有適量的氯仿。將量子點(diǎn)溶液(以乙醇為溶劑)滴入到該容器中，在甲苯液面上形成均勻薄膜。然后，將容器中的溶液緩慢釋放，隨著液面下移，最終在基板表面形成薄膜。在110℃左右下進(jìn)行高溫烘烤，固化薄膜，以增強(qiáng)薄膜的粘附性。得到QLED器件發(fā)光層。

實(shí)施例3

如圖3所示，把基板浸入到容器中，其中所述容器設(shè)置有可上下移動(dòng)的升降平臺(tái)。所述基板平置在可上下移動(dòng)的升降平臺(tái)上。容器中盛有適量的氯仿。將量子點(diǎn)溶液(以乙醇為溶劑)滴入到該容器中，在甲苯液面上形成均勻薄膜。通過(guò)將升降臺(tái)緩慢升起，直至基板露出液面，從而在基板表面形成均勻薄膜。在110℃左右下進(jìn)行高溫烘烤，固化薄膜，以增強(qiáng)薄膜的粘附性。得到QLED器件發(fā)光層。

雖然在上文中已經(jīng)參考了一些實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，然而在不脫離本發(fā)范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行各種改進(jìn)，并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu)沖突，本發(fā)明所披露的各個(gè)實(shí)施例中的各項(xiàng)特征均可通過(guò)任意方式相互結(jié)合起來(lái)使用，在本說(shuō)明書中未對(duì)這些組合的情況進(jìn)行窮舉性的描述僅僅是出于省略篇幅和節(jié)約資源的考慮。因此，本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實(shí)施例，而是落入權(quán)利要求的范圍的所有技術(shù)方案。