本發(fā)明涉及光伏制造
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種減少設(shè)備彈片電池片C3比例的工藝方法。
背景技術(shù)：
：相關(guān)術(shù)語解釋如下：濕法刻蝕：制作太陽能電池過程中的一部工藝，其全部工藝包括制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、PECVD和印刷燒結(jié)。C3電池片：Irev1≥3A（漏電1大于等于3A）或Rsh<10ohm（并聯(lián)電阻小于10ohm）。Irev1:反向電流1(-10V測定),當(dāng)二極管加反向電壓的時候，二極管中流過的反向電流數(shù)值。Irev1如果超過正常值，則容易使電池片發(fā)熱，產(chǎn)生熱斑效應(yīng)，還會使電池片功率衰減過快。并聯(lián)電阻：Rsh為旁漏電阻，即并聯(lián)電阻，主要為硅片邊緣不清潔及內(nèi)部缺陷引起。該電阻值為一個虛擬電阻值，其主要由于電池片有漏電流，與電池片輸出電流方向相反，會抵消部分輸出電流，使輸出的電流降低，相當(dāng)于一個電阻并聯(lián)在一個電池片上。太陽能行業(yè)中，在現(xiàn)有技術(shù)下，漏電流Irev1大于等于3A的電池片為C3電池片，C3電池片在整體電池片中所占比例較高，直接影響成品合格率。C3片產(chǎn)生的原因主要為人為操作產(chǎn)生，如人為操作插片的過程中PVC手套直接接觸硅片表面，會對硅片表面造成一定的污染。為了降低C3電池片的比例，就需要盡量減少各工序間轉(zhuǎn)料時對硅片的接觸。但是在濕法刻蝕工序，需要對設(shè)備彈片進(jìn)行手動插片，這樣就會對硅片表面造成污染，對于這部分電池片，如果流入正常工藝往往會造成C3電池比例提升，影響電池性能，如果這部分電池被加工成為組件，也會影響組件的發(fā)電性能和壽命。所以，如何提供一種減少設(shè)備彈片電池片C3比例的工藝方法，提升這部分電池的品質(zhì)，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。技術(shù)實現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明提供了一種減少設(shè)備彈片電池片C3比例的工藝方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，具體方案如下：一種減少設(shè)備彈片電池片C3比例的工藝方法，包括如下步驟：S1：手工取出設(shè)備彈出的電池片，插入片盒；S2：將S1中的片盒放入酸洗槽4中酸洗；S3：將S2后的片盒放入沖洗槽4中進(jìn)行沖洗工藝；S4：風(fēng)干；S5：下料。具體的，在步驟S2中的酸洗槽4中，所述設(shè)備彈出的電池片的腐蝕深度為1.3-1.5um。具體的，，在步驟S2中的酸洗槽4中，所述設(shè)備彈出的電池片的腐蝕深度為1.4um。優(yōu)選的，所述步驟S2中的酸洗槽4中初始加液體積為50L-90L，初始加液濃度為2%-20%。優(yōu)選的，所述步驟S2中的酸洗槽4中初始加液體積為90L，初始加液濃度為20%。優(yōu)選的，所述步驟S2中酸洗槽4中初始加液體積為50L，初始加液濃度為2%。本發(fā)明具有的優(yōu)點是：有效減小設(shè)備彈片后續(xù)生產(chǎn)電池中C3等級電池片的比例，提高電池加工質(zhì)量。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明提供技術(shù)方案的工藝圖。圖2為正常工藝示意圖。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明請求保護(hù)一種減少設(shè)備彈片電池片C3比例的工藝方法，包括如下步驟：S1：手工取出設(shè)備彈出的電池片，插入片盒；S2：將S1中的片盒放入酸洗槽4中酸洗；S3：將S2后的片盒放入沖洗槽4中進(jìn)行沖洗工藝；S4：風(fēng)干；S5：下料。具體的，在步驟S2中的HF洗槽中，所述設(shè)備彈出的電池片的腐蝕深度為1.3-1.5um。經(jīng)過若干次實驗，證明在步驟S2中的HF洗槽中，所述設(shè)備彈出的電池片的腐蝕深度為1.4um時，電池性能為最佳。正常無彈片情況下，所產(chǎn)電池數(shù)據(jù)如下所示：表一<Uoc><Isc><Rs><Rsh><FF><Eff><Irev1><Count>Irev1>3A<%>0.6300968.7704240.0017311243.1279.821518.103950.0340341200000.6301528.7746850.0017191189.31779.7318218.094260.034234120000對于設(shè)備彈出片不做任何處理，直接轉(zhuǎn)入下工序，所產(chǎn)電池電參數(shù)如下所示：表二<Uoc><Isc><Rs><Rsh><FF><Eff><Irev1><Count>Irev1>3A<%>0.63068.690.00165674.8670279.0885917.83920.22608618331.64%0.6286568.7511910.001771168.057779.4426617.937540.16635919742.03%通過表一和表二數(shù)據(jù)對比，不難發(fā)現(xiàn)，Irev1漏電電池比例升高。針對設(shè)備彈片，再進(jìn)行一次正常工藝后，轉(zhuǎn)入下工序，所產(chǎn)電池參數(shù)如下所示：表三<Uoc><Isc><Rs><Rsh><FF><Eff><Irev1><Count>Irev1>3A<%>0.6302248.7733010.0020931419.8579.918.070.05431649100.00%0.6307848.793350.0022391360.41279.318.120.04594649700.00%通過表二和表三數(shù)據(jù)對比，可以明顯看到，Irev1>3A的漏電電池已經(jīng)消失，Irev1電參數(shù)值已經(jīng)明顯下降，但是還沒有達(dá)到正常流轉(zhuǎn)片的水平，為了改變這種現(xiàn)象，所以，針對設(shè)備彈片，不能重復(fù)的進(jìn)行正常生產(chǎn)工藝，必須單獨(dú)工藝進(jìn)行，于是，我們將彈出片應(yīng)用于本發(fā)明提供的技術(shù)方案中，控制腐蝕量在1.4um，首先實驗減少HF的量，設(shè)定酸洗槽HF的初始加液體積為50L，初始加液濃度為2%。測得數(shù)據(jù)如下所示：表四<Uoc><Isc><Rs><Rsh><FF><Eff><Irev1><Count>Irev1>3A<%>0.6298.7760.001771897.980.0618.10.16635919610.51%0.63068.690.001656765.979.22118.060.1719410.52%實驗數(shù)據(jù)證明，減小HF的用量，Irev1電參數(shù)又有提升，Irev1>3A的漏電電池比例又增加為1%，但相對于表二的數(shù)據(jù)還是相對較好，為此，進(jìn)一步調(diào)整HF的用量，設(shè)定酸洗槽HF的初始加液體積為90L，初始加液濃度為20%。測得數(shù)據(jù)如下所示：表五<Uoc><Isc><Rs><Rsh><FF><Eff><Irev1><Count>Irev1>3A<%>0.6293398.7866770.0018911132.20279.5375518.052130.049554100000.00%0.6310058.7967240.0019261154.80779.7557918.169370.059478100000.00%由此可見，調(diào)整合適的HF用量，電池設(shè)備彈出片加工的電池可以達(dá)到正常工藝中電池片的電池性能。采用本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以有效減小設(shè)備彈片后續(xù)生產(chǎn)電池中C3等級電池片的比例，提高電池加工質(zhì)量。上面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的具體實施方式，上述的具體實施方式僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3