1.一種廣色域的發(fā)光器件，其特征在于，所述廣色域的發(fā)光器件包括：發(fā)光芯片、封裝器件和光譜轉(zhuǎn)換層，所述發(fā)光器件置于所述封裝器件內(nèi)，所述光譜轉(zhuǎn)換層設(shè)置于在所述封裝器件內(nèi)、所述發(fā)光芯片的前方，所述發(fā)光芯片用于發(fā)出第一基色光，所述光譜轉(zhuǎn)換層中包括熒光轉(zhuǎn)換材料和光調(diào)制材料，所述熒光轉(zhuǎn)換材料用于對所述第一基色光中的至少部分進(jìn)行熒光轉(zhuǎn)換，所述熒光轉(zhuǎn)換的目標(biāo)光至少包括第二基色光，所述光調(diào)制材料用于將第一預(yù)定波長范圍內(nèi)的光中的至少部分轉(zhuǎn)化為第二預(yù)定波長范圍內(nèi)的光，或者將吸收的第一預(yù)定波長范圍內(nèi)的光轉(zhuǎn)換成熱能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的廣色域的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一預(yù)定波長范圍包括：0-430nm、470nm-500nm、560nm-610nm、660nm-750nm以及上述波長范圍內(nèi)的任意一個或多個波段；所述第二預(yù)定波長范圍包括：430nm-470nm、500nm-560nm、610nm-660nm及上述波長范圍內(nèi)的任意一個或多個波段，優(yōu)選地，所述第二預(yù)定波長范圍還包括750nm-1mm及該范圍內(nèi)的任意一個或多個波段。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的廣色域的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光芯片為藍(lán)光發(fā)光芯片，所述第一基色光為藍(lán)光，優(yōu)選地，所述熒光轉(zhuǎn)換的目標(biāo)光包括波長在610nm-660nm和500nm-560nm范圍內(nèi)的光，所述光調(diào)制材料用于將所述第一預(yù)定波長范圍內(nèi)的光的至少部分轉(zhuǎn)換到500nm-560nm、610nm-660nm范圍內(nèi)的一個或多個波段。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的廣色域的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光芯片為LED發(fā)光芯片，所述封裝器件為封裝杯。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的廣色域的發(fā)光器件，其特征在于，所述光譜轉(zhuǎn)換層包括熒光轉(zhuǎn)換層和光調(diào)制劑層，所述熒光轉(zhuǎn)換層內(nèi)具有熒光轉(zhuǎn)換材料，所述光調(diào)制層內(nèi)具有光調(diào)制材料，其中，所述熒光轉(zhuǎn)換層設(shè)置于所述發(fā)光芯片上方，所述光調(diào)制層設(shè)置于所述熒光轉(zhuǎn)換層上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的廣色域的發(fā)光器件，其特征在于，所述熒光轉(zhuǎn)換材料包括紅色熒光粉和綠色熒光粉，所述光調(diào)制材料包括：蒽吡啶酮及其衍生物、蒽醌及其衍生物、氧雜蒽及其衍生物、三芳基甲烷及其衍生物、酞菁及其衍生物、四氮雜紫菜堿及其衍生物、香豆素及其衍生物中的一種或多種的混合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的廣色域的發(fā)光器件，其特征在于，
所述熒光轉(zhuǎn)換材料包括寬譜帶黃色熒光粉，所述光調(diào)制材料包括蒽吡啶酮及其衍生物、蒽醌及其衍生物、氧雜蒽及其衍生物、酞菁及其衍生物、四氮雜紫菜堿及其衍生物、香豆素及其衍生物中的一種或多種的混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的廣色域的發(fā)光器件，其特征在于，所述光調(diào)制層的一側(cè)表面為平面或者曲面構(gòu)造，所述曲面優(yōu)選為球面、橢球面或拋物面。
9.一種制備廣色域的發(fā)光器件的方法，其特征在于，所述方法包括下述步驟：
(1)按預(yù)定比例準(zhǔn)備基質(zhì)、熒光轉(zhuǎn)換材料、光調(diào)制材料；
(2)將所述基質(zhì)、熒光轉(zhuǎn)換材料、光調(diào)制材料混合均勻制成熒光粉膠；
(3)準(zhǔn)備發(fā)光芯片和封裝器件，將所述發(fā)光芯片設(shè)置于所述封裝器件底部；
(4)將所述熒光粉膠注入到所述封裝器件中所述發(fā)光芯片上方；
(5)對所述封裝器件內(nèi)的熒光粉膠進(jìn)行固化，
其中，所述發(fā)光芯片用于發(fā)出第一基色光，所述熒光轉(zhuǎn)換材料用于對所述第一基色光中的至少部分進(jìn)行熒光轉(zhuǎn)換，所述熒光轉(zhuǎn)換的目標(biāo)光至少包括第二基色光，所述光調(diào)制材料用于將第一預(yù)定波長范圍內(nèi)的光中的至少部分轉(zhuǎn)化為第二預(yù)定波長范圍內(nèi)的光，所述第一預(yù)定波長范圍包括：0-430nm、470nm-500nm、560nm-610nm、660nm-750nm以及上述波長范圍內(nèi)的任意一個或多個波段；所述第二預(yù)定波長范圍包括：430nm-470nm、500nm-560nm、610nm-660nm及上述波長范圍內(nèi)的任意一個或多個波段，優(yōu)選地，所述第二預(yù)定波長范圍還包括750nm-1mm及該范圍內(nèi)的任意一個或多個波段。
10.一種制備廣色域發(fā)光器件的方法，其特征在于，所述方法包括下述步驟：
(1)按預(yù)定比例準(zhǔn)備熒光轉(zhuǎn)換層基質(zhì)、熒光轉(zhuǎn)換材料，將該熒光轉(zhuǎn)換層基質(zhì)、熒光轉(zhuǎn)換材料混合均勻制成熒光粉膠；
(2)按預(yù)定比例準(zhǔn)備光調(diào)制層基質(zhì)、光調(diào)制材料，將該熒光轉(zhuǎn)換層基質(zhì)、光調(diào)制材料混合制成光調(diào)制劑；
(3)準(zhǔn)備發(fā)光芯片和封裝器件，將所述發(fā)光芯片設(shè)置于所述封裝器件底部；
(4)將所述熒光粉膠注入到所述封裝器件中所述發(fā)光芯片上方形成熒光粉層；
(5)將所述光調(diào)制劑注入到所述封裝器件中所述熒光粉層的上方，形成光調(diào)制層；
(6)對所述封裝器件內(nèi)的熒光粉層和光調(diào)制層進(jìn)行固化，其中，所述發(fā)光芯片用于發(fā)出第一基色光，所述熒光轉(zhuǎn)換材料用于對所述第一基色光中的至少部分進(jìn)行熒光轉(zhuǎn)換，所述熒光轉(zhuǎn)換的目標(biāo)光至少包括第二基色光，所述光調(diào)制材料用于將第一預(yù)定波長范圍內(nèi)的光中的至少部分轉(zhuǎn)化為第二預(yù)定波長范圍內(nèi)的光，所述第一預(yù)定波長范圍包括：0-430nm、470nm-500nm、560nm-610nm、660nm-750nm以及上述波長范圍內(nèi)的任意一個或多個波段；所述第二預(yù)定波長范圍包括：430nm-470nm、500nm-560nm、610nm-660nm及上述波長范圍內(nèi)的任意一個或多個波段，優(yōu)選地，所述第二預(yù)定波長范圍還包括750nm-1mm及該范圍內(nèi)的任意一個或多個波段。