本發(fā)明是有關(guān)將磁傳感器芯片搭載于裸片墊(die pad)而成的磁傳感器裝置。

背景技術(shù)：

一直以來，在機(jī)床等領(lǐng)域所使用的是用于檢測(cè)移動(dòng)體的由旋轉(zhuǎn)移動(dòng)或直線移動(dòng)引起的位置變動(dòng)的位置檢測(cè)裝置。作為該位置檢測(cè)裝置眾所周知有具備記錄磁信號(hào)的媒介物和磁傳感器裝置的位置檢測(cè)裝置，該磁傳感器裝置能夠根據(jù)媒介物和磁傳感器裝置作相對(duì)移動(dòng)的時(shí)候的磁場(chǎng)方向的變動(dòng)輸出表示它們的相對(duì)位置關(guān)系的信號(hào)。

作為在所涉及的位置檢測(cè)裝置中所使用的磁傳感器裝置是一種具有自由層和磁化固定層的層疊體，其特征在于：具備包含電阻伴隨于對(duì)應(yīng)于外部磁場(chǎng)的自由層的磁化方向變化而發(fā)生變化的磁阻效應(yīng)元件(MR元件)的磁傳感器芯片、具有搭載磁傳感器芯片的搭載面的裸片墊、被配置于裸片墊周圍并被電連接于磁傳感器芯片端子的多根引接線，由傳遞模塑法(transfer molding)來對(duì)這些構(gòu)件進(jìn)行樹脂封裝并實(shí)現(xiàn)包裝化。

在如此磁傳感器裝置中，相對(duì)于磁傳感器芯片由于工作時(shí)的發(fā)熱等而會(huì)有被施加應(yīng)力(熱應(yīng)力)的情況。特別是應(yīng)力集中于在俯視圖中具有大致方形狀的磁傳感器芯片的4個(gè)角部中的至少任意一個(gè)。使磁傳感器芯片以及搭載有該磁傳感器芯片的裸片墊變形的方向的上述熱應(yīng)力被施加于上述角部的結(jié)果，會(huì)有所謂磁傳感器裝置的檢測(cè)誤差變大的問題。

一直以來，雖然是相關(guān)于樹脂封裝半導(dǎo)體裝置的技術(shù)，但是以防止由于其安裝時(shí)的加熱而在封裝樹脂上發(fā)生龜裂為目的有方案提出在載置半導(dǎo)體芯片的裸片墊的周邊部形成槽口或貫通孔的半導(dǎo)體裝置(參照專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利申請(qǐng)公開平11-150213號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

在上述專利文獻(xiàn)1中有方案提出在載置半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)的裸片墊的周邊部形成槽口或貫通孔。但是，在上述專利文獻(xiàn)1中會(huì)有所謂以下所述問題，即，在替代半導(dǎo)體芯片而使用磁傳感器芯片的時(shí)候，以根據(jù)相對(duì)于裸片墊面積的槽口面積或貫通孔面積之比而能夠減少磁傳感器裝置上的檢測(cè)誤差的程度來減小由于工作時(shí)的發(fā)熱而被施加于磁傳感器芯片的應(yīng)力(熱應(yīng)力)是困難的。

因此，本發(fā)明就是借鑒了以上所述的技術(shù)問題而做出的不懈努力之結(jié)果，其目的在于提供一種即使是應(yīng)力由于工作時(shí)的發(fā)熱等而相對(duì)于磁傳感器芯片被施加的時(shí)候也能夠防止檢測(cè)誤差增大的磁傳感器裝置。

解決技術(shù)問題的手段

為了解決以上所述技術(shù)問題，本發(fā)明所提供的磁傳感器裝置的特征在于：具備：俯視圖為方形狀的磁傳感器芯片、具有搭載所述磁傳感器芯片的搭載面的裸片墊(die pad)；在所述裸片墊，在與搭載于所述搭載面的所述磁傳感器芯片的4個(gè)角部各自重疊的位置上形成有開口部，所述開口部面積相對(duì)于所述裸片墊面積之比為20％以上，在所述裸片墊的俯視圖中所述磁傳感器芯片與所述開口部的重疊部分的面積相對(duì)于所述開口部面積為40％以上(發(fā)明1)。

根據(jù)上述(發(fā)明1)，通過磁傳感器芯片的對(duì)應(yīng)于4個(gè)角部的開口部被形成于搭載有磁傳感器芯片的裸片墊并且將其開口部的面積控制在規(guī)定數(shù)值范圍內(nèi)，從而即使是應(yīng)力由于工作時(shí)的發(fā)熱等而相對(duì)于磁傳感器芯片被施加的時(shí)候也能夠防止檢測(cè)誤差增大。

在上述發(fā)明(發(fā)明1)中，相對(duì)于所述裸片墊面積的所述開口部面積之比優(yōu)選為20～40％(發(fā)明2)。根據(jù)該發(fā)明(發(fā)明2)，因?yàn)榧词故菬釕?yīng)力被施加于磁傳感器芯片的時(shí)候也能夠防止檢測(cè)誤差增大并且能夠充分確保裸片墊的搭載面和磁傳感器芯片進(jìn)行接觸的面積，所以能夠切實(shí)地將磁傳感器芯片固定于該搭載面上。

在上述發(fā)明(發(fā)明1)中，所述開口部?jī)?yōu)選對(duì)應(yīng)于所述磁傳感器芯片的4個(gè)角部的各個(gè)，在所述裸片墊獨(dú)立地形成，并且具有大致圓形狀或者大致橢圓形狀(發(fā)明3)。

在上述發(fā)明(發(fā)明1)中，優(yōu)選在所述磁傳感器芯片與所述裸片墊之間介有互相固定對(duì)方的粘結(jié)層，所述粘結(jié)層優(yōu)選為俯視圖為大致十字狀(發(fā)明4)。

在上述發(fā)明(發(fā)明1)中，能夠進(jìn)一步具備至少將所述磁傳感器芯片和所述裸片墊做成一體并進(jìn)行封裝的封裝樹脂體(發(fā)明5)，作為所述磁傳感器芯片能夠使用包含TMR元件或者GMR元件的磁傳感器芯片(發(fā)明6)。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種即使是應(yīng)力由于工作時(shí)的發(fā)熱等而相對(duì)于磁傳感器芯片被施加的時(shí)候也能夠防止檢測(cè)誤差增大的磁傳感器裝置。

附圖說明

圖1A是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的磁傳感器裝置的概略結(jié)構(gòu)的平面圖，圖1B是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的裸片墊概略結(jié)構(gòu)的平面圖。

圖2表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的磁傳感器裝置的概略結(jié)構(gòu)，并且是圖1A中的I-I線截面圖。

圖3是示意性地表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的磁傳感器芯片的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖4是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的作為磁檢測(cè)元件的MR元件概略結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖5是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的引接線框架的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。

圖6A、6B是示意性地表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的磁傳感器裝置的制造工序一部分的切斷截面圖。

圖7是表示實(shí)施例以及比較例的磁傳感器裝置中的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖表。

具體實(shí)施方式

以下是參照附圖并就本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1A是表示本實(shí)施方式所涉及的磁傳感器裝置的概略結(jié)構(gòu)的平面圖，圖1B是表示本實(shí)施方式所涉及的裸片墊的概略結(jié)構(gòu)的平面圖，圖2表示本實(shí)施方式所涉及的磁傳感器裝置的概略結(jié)構(gòu)，并且是圖1A中的I-I線截面圖，圖3是示意性地表示本實(shí)施方式所涉及的磁傳感器芯片的電路結(jié)構(gòu)的電路圖，圖4是表示本實(shí)施方式所涉及中的作為磁檢測(cè)元件的MR元件的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，圖5是表示本實(shí)施方式所涉及的引接線框架的概略結(jié)構(gòu)的平面圖，圖6是示意性地表示本實(shí)施方式所涉及的磁傳感器裝置的制造工序一部分的切斷截面圖。

如圖1A和圖1B以及圖2所示，本實(shí)施方式所涉及的磁傳感器裝置1是一種為了檢測(cè)由旋轉(zhuǎn)體等的相對(duì)移動(dòng)形成的旋轉(zhuǎn)角度等而被使用的裝置，具備俯視圖為大致方形狀的磁傳感芯片2、磁傳感器芯片2通過粘結(jié)層3被粘結(jié)固定的裸片墊4、被配置于裸片墊4周圍并且分別包含內(nèi)引接線51以及外引接線52的多根(在本實(shí)施方式中為8個(gè))引接線5、電連接磁傳感器芯片2的端子焊墊22和內(nèi)引接線51的電線6、將磁傳感器芯片2和裸片墊4和各個(gè)內(nèi)引接線51以及電線6作為一體并進(jìn)行封裝的封裝樹脂體7。

裸片墊4為俯視圖大致方形狀，具有搭載磁傳感器芯片2的搭載面41、用于連續(xù)于裸片墊4的4個(gè)角并且將裸片墊4支撐于后面所述的引接線框架10(參照?qǐng)D5)的框架部11的懸掛引線(suspension lead)42。

在裸片墊4的搭載面41上，與被搭載的磁傳感器芯片2的4個(gè)角部21各自進(jìn)行重疊的4個(gè)開口部43獨(dú)立(不會(huì)互相連續(xù))地形成。在裸片墊4以及被搭載于其搭載面41的磁傳感器芯片2的俯視圖中，磁傳感器芯片2的4個(gè)角部21各自分別物理性地包含于裸片墊4的被形成于搭載面41的4個(gè)開口部43。如果磁傳感器芯片2的角部21不重疊于開口部43的話則檢測(cè)誤差在應(yīng)力被施加的時(shí)候會(huì)由于工作時(shí)的發(fā)熱等而增大。還有，作為開口部43的形狀并沒有特別的限定，例如可以列舉大致圓形狀以及大致橢圓形狀等。

被形成于裸片墊4的4個(gè)開口部43的總面積是裸片墊4面積的20％以上，優(yōu)選為20～40％。從后面所述的實(shí)施例也可得到了解那樣如果相對(duì)于裸片墊4面積的開口部43總面積之比(開口部43的開口率)成為小于20％的話則檢測(cè)誤差變大。另外，如果該開口部43的開口率超過40％的話則會(huì)產(chǎn)生相對(duì)于裸片墊4搭載面41的磁傳感器芯片2的粘結(jié)強(qiáng)度降低的擔(dān)憂，并且還會(huì)產(chǎn)生俯視圖大致方形狀的在沿著裸片墊4的邊4a,4b的方向(圖1B所表示的例子的縱向以及橫向)上鄰接的開口部43之間的長(zhǎng)度變小并且裸片墊4的強(qiáng)度降低的擔(dān)憂。還有，裸片墊4的面積是由在裸片墊4的一個(gè)方向(在圖1B所表示的例子中為橫向)上進(jìn)行相對(duì)的大致平行的2邊4a,4a之間的長(zhǎng)度La與在垂直于該一個(gè)方向的另一個(gè)方向(在圖1B所表示的例子中為縱向)上進(jìn)行相對(duì)的大致平行的2邊4b,4b之間的長(zhǎng)度Lb之積(La×Lb)來表示的。

在搭載有磁傳感器芯片2的裸片墊4的從該磁傳感器芯片2側(cè)看的平面視圖中，相對(duì)于4個(gè)開口部43各自面積的磁傳感器芯片2的4個(gè)角部21分別進(jìn)行重疊的部分(在圖1A中以斜線表示的部分)的面積之比(重合度)為40％以上。如果該面積比(重合度)成為小于40％，則磁傳感器裝置1所涉及的檢測(cè)誤差變大。還有，該面積比(重合度)的上限值對(duì)于只要磁傳感器芯片2的角部21位于開口部43上來說就沒有特別的限制。例如，在開口部43為圓形狀的情況下，如果該面積比超過70％的話則不能夠使大致方形狀的磁傳感器芯片2的角部21位于開口部43上，根據(jù)伴隨于工作時(shí)的發(fā)熱且由被集中施加于磁傳感器芯片2的角部21的應(yīng)力，檢測(cè)誤差會(huì)增大。

作為構(gòu)成裸片墊4的材料并沒有特別的限定，能夠使用公知的導(dǎo)電性材料。作為該導(dǎo)電性材料例如可以列舉銅、不銹鋼、鋁、鐵、釕、銀等。

磁傳感芯片2至少包含1個(gè)磁檢測(cè)元件。磁傳感器芯片2也可以至少包含作為磁檢測(cè)元件的被串聯(lián)連接的一對(duì)磁檢測(cè)元件。在此情況下，磁傳感器芯片2具有2個(gè)包含被串聯(lián)連接的第1對(duì)磁檢測(cè)元件和被串聯(lián)連接的第2對(duì)磁檢測(cè)元件的惠斯通電橋電路。

如圖3所示，磁傳感器芯片2所具有的第1惠斯通電橋電路2A包含電源端口V1、接地端口G1、2個(gè)輸出端口E11,E12、被串聯(lián)連接的第1對(duì)磁檢測(cè)元件R11,R12、被串聯(lián)連接的第2對(duì)磁檢測(cè)元件R13,R14。磁檢測(cè)元件R11,R13的各一端被連接于電源端口V1。磁檢測(cè)元件R11的另一端被連接于磁檢測(cè)元件R12的一端和輸出端口E11。磁檢測(cè)元件R13的另一端被連接于磁檢測(cè)元件R14的一端和輸出端口E12。磁檢測(cè)元件R12,R14的各另一端被連接于接地端口G1。在電源端口V1上施加規(guī)定大小的電源電壓，接地端口G1被連接于大地。

第2惠斯通電橋電路2B包含電源端口V2、接地端口G2、2個(gè)輸出端口E21,E22、被串聯(lián)連接的第1對(duì)磁檢測(cè)元件R21,R22、被串聯(lián)連接的第2對(duì)磁檢測(cè)元件R23,R24。磁檢測(cè)元件R21,R23的各一端被連接于電源端口V2。磁檢測(cè)元件R21的另一端被連接于磁檢測(cè)元件R22的一端和輸出端口E21。磁檢測(cè)元件R23的另一端被連接于磁檢測(cè)元件R24的一端和輸出端口E22。磁檢測(cè)元件R22,R24的各另一端被連接于接地端口G2。在電源端口V2上施加規(guī)定大小的電源電壓，接地端口G2被連接于接地。

在本實(shí)施方式中，作為包含于第1以及第2惠斯通電橋電路2A,2B中的所有磁檢測(cè)元件R11～R14,R21～R24能夠使用TMR元件、GMR元件等MR元件，特別優(yōu)選使用TMR元件。TMR元件和GMR元件具有磁化方向被固定的磁化固定層、磁化方向?qū)?yīng)于被施加的磁場(chǎng)的方向進(jìn)行變化的自由層、被配置于磁化固定層以及自由層之間的非磁性層。

具體地來說如圖4所示MR元件具有多個(gè)下部電極91、多個(gè)MR膜80、多個(gè)上部電極42。多個(gè)下部電極91被設(shè)置于基板(沒有圖示)上。各個(gè)下部電極91具有細(xì)長(zhǎng)形狀。間隙被形成于在下部電極91的長(zhǎng)邊方向上鄰接的2個(gè)下部電極91之間。各個(gè)MR膜80被設(shè)置于在下部電極91上表面的長(zhǎng)邊方向的兩端近旁。MR膜80包含從下部電極91側(cè)按順序被層疊的自由層81、非磁性層82、磁化固定層83以及反鐵磁性層84。還有，在下部電極91與自由層81之間設(shè)置電連接那些構(gòu)件的間隙(沒有圖示)，在反鐵磁性層84與上部電極92之間設(shè)置基底層(沒有圖示)。反鐵磁性層84是由反鐵磁性材料構(gòu)成，通過在與磁化固定層83之間發(fā)生交換耦合從而起到固定磁化固定層83的磁化方向的作用。多個(gè)上部電極92被設(shè)置于多個(gè)MR膜80上。各個(gè)上部電極92具有細(xì)長(zhǎng)形狀，被配置于在下部電極91的長(zhǎng)邊方向上鄰接的2個(gè)下部電極91上并電連接鄰接的2個(gè)MR膜80的反鐵磁性層84彼此。還有，MR膜80也可以具有從上部電極92側(cè)按順序?qū)盈B自由層81、非磁性層82、磁化固定層83以及反鐵磁性層84的結(jié)構(gòu)。

在TMR元件中，非磁性層82為隧道勢(shì)壘層(tunnel barrier layer)。在GMR元件中，非磁性層82為非磁性導(dǎo)電層。在TMR元件以及GMR元件中，電阻值對(duì)應(yīng)于自由層81的磁化方向相對(duì)于磁化固定層83的磁化方向所成的角度而進(jìn)行變化，在該角度為0°(彼此的磁化方向?yàn)槠叫?的時(shí)候電阻值成為最小，在180°(彼此的磁化方向?yàn)榉雌叫?的時(shí)候電阻值成為最大。

在圖3中，用涂黑的箭頭表示磁檢測(cè)元件R11～R14,R21～R24的磁化固定層83的磁化方向。在磁傳感器芯片2中，磁檢測(cè)元件R11,R14,R21,R24的磁化固定層83的磁化方向和磁檢測(cè)元件R12,R13,R22,R23的磁化固定層83的磁化方向?yàn)榛ハ喾雌叫小Ｔ诖艂鞲衅餍酒?中，對(duì)應(yīng)于伴隨于外部磁場(chǎng)變化的自由層81的磁場(chǎng)方向變化而從輸出端口E11,E12輸出表示磁場(chǎng)強(qiáng)度的正弦波信號(hào)S11,S12，并從輸出端口E21,E22輸出表示磁場(chǎng)強(qiáng)度的余弦波信號(hào)S21,S22。

在本實(shí)施方式中，磁傳感器芯片2通過粘結(jié)層3被粘結(jié)固定于裸片墊4的搭載面41。作為構(gòu)成該粘結(jié)層3的材料例如能夠使用導(dǎo)電性膏體、絕緣性膏體、DAF[芯片貼裝薄膜(die attach film)]等。

將磁傳感器芯片2粘結(jié)固定于裸片墊4搭載面41的粘結(jié)層3為俯視大致十字狀。在本實(shí)施方式中，為了防止由被施加于磁傳感器芯片2的熱應(yīng)力引起的檢測(cè)誤差的增大而將4個(gè)開口部43形成于裸片墊4的搭載面41上。因此，通過將介在于磁傳感器芯片2與裸片墊4搭載面41之間的粘結(jié)層3做成俯視大致十字狀，從而既能夠防止構(gòu)成粘結(jié)層3的材料從開口部43漏出又能夠切實(shí)地將磁傳感器芯片2粘結(jié)固定于裸片墊4的搭載面41上。

電線6是電連接磁傳感器芯片2的端子焊墊22和內(nèi)引接線51的導(dǎo)線，在本實(shí)施方式中可以使用鍵合線(bonding wire)。引接線5是為了將在磁傳感器芯片2上生成的信號(hào)取出至磁傳感器裝置1的外部而被使用的電極，并包含通過電線6與磁傳感器芯片2的端子焊墊22相電連接的內(nèi)引接線51、作為磁傳感器裝置1的安裝用構(gòu)件而行使其功能的外引接線52。內(nèi)引接線51在引接線5中是被封裝于封裝樹脂體7內(nèi)的部分，外引接線52是露出于封裝樹脂體7外的部分。

作為構(gòu)成引接線5的材料是與裸片墊4相同的材料，能夠使用公知的導(dǎo)電性材料(例如銅、不銹鋼、鋁、鐵、釕、銀等)等。

在本實(shí)施方式中，引接線5(內(nèi)引接線51以及外引接線52)是包含被搭載(粘結(jié)固定)于裸片墊4搭載面41的磁傳感器芯片2的厚度方向的大致中心位置的平面，并且位于與搭載面41相平行的平面上(參照?qǐng)D2)，但是并不限定于如此形態(tài)，引接線5(內(nèi)引接線51以及外引接線52)也可以位于與裸片墊4相同平面上。因?yàn)橥ㄟ^引接線5(內(nèi)引接線51以及外引接線52)位于該平面上，從而在使外引接線52位于磁傳感器裝置1的厚度方向的大致中心的時(shí)候能夠?qū)⑽挥诖艂鞲衅餍酒?的厚度方向上下的封裝樹脂體7(樹脂材料)的厚度做到大致相同，所以能夠進(jìn)一步減小磁傳感器裝置1所涉及的檢測(cè)誤差。還有，即使引接線5和裸片墊4位于同一個(gè)平面上的情況下也能夠通過將位于磁傳感器芯片2的厚度方向上下的封裝樹脂體7(樹脂材料)的厚度做到大致相同從而進(jìn)一步減小磁傳感器裝置1所涉及的檢測(cè)誤差。

在本實(shí)施方式中，作為構(gòu)成封裝樹脂體7的樹脂材料并沒有特別的限定，就樹脂封裝半導(dǎo)體裝置而言能夠使用一般所使用的樹脂材料。

在具有以上所述結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置1中，應(yīng)力由其工作時(shí)的發(fā)熱而被施加，在裸片墊4側(cè)進(jìn)行變形的方向的應(yīng)力相對(duì)于磁傳感器芯片2的4個(gè)角部21會(huì)有所集中。此時(shí)，如果開口部43沒有被形成于裸片墊4的話則因?yàn)榕c該應(yīng)力進(jìn)行作用的方向(從磁傳感器芯片2朝向裸片墊4的方向)相反的方向的力會(huì)從裸片墊4側(cè)作用于磁傳感器芯片2的角部21，所以在集中于角部21的熱應(yīng)力變?nèi)醯臅r(shí)候等會(huì)有角部21在從裸片墊4分開的方向上發(fā)生變形的情況。然而，在本實(shí)施方式中，因?yàn)橥ㄟ^熱應(yīng)力進(jìn)行集中的角部21位于裸片墊4的搭載面41的開口部43上從而該開口部43作為熱應(yīng)力緩沖作用而行使其功能，所以能夠抑制磁傳感器芯片2的變形。因此，根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的磁傳感器裝置1，即使由工作時(shí)的發(fā)熱引起的熱應(yīng)力被施加也能夠防止檢測(cè)誤差增大。

以上所述的磁傳感器裝置1例如能夠以以下所述形式進(jìn)行處理制造。

首先，準(zhǔn)備具備框架部11、位于框架部11內(nèi)的裸片墊4、連接裸片墊4以及框架部11的懸掛引線42、連續(xù)于框架部11并被配置于裸片墊4周圍的多根引接線5的引接線框架10(參照?qǐng)D5)。還有，在本實(shí)施方式中作為引接線框架10以具體例子可以列舉具有1個(gè)裸片墊4的引接線框架，但是并不限定于所涉及的形態(tài)，也可以是具有多個(gè)裸片墊4的所謂附有多面的引接線框架。

然后，以大致十字狀將構(gòu)成粘結(jié)層3的材料涂布于該引接線框架10的裸片墊4的搭載面41，由粘結(jié)層3來固定粘結(jié)磁傳感器芯片2，用電線(金等金屬線)6來電連接磁傳感器芯片2的端子焊墊22和內(nèi)引接線51(參照?qǐng)D6A)。在將磁傳感器芯片2固定粘結(jié)于裸片墊4的時(shí)候以使所有磁傳感器芯片2的角部21位于被形成于裸片墊4的開口部43上的形式進(jìn)行處理。

接著，以將引接線框架10容納于成型模具內(nèi)并使外引接線52露出于外部的形式進(jìn)行處理，由封裝樹脂體7來封裝磁傳感器芯片2、裸片墊4、內(nèi)引接線51、懸掛引線42以及電線6(參照?qǐng)D6B)。

之后，從成型模具取出被封裝樹脂體7封裝的引接線框架10，并以使外引接線52露出于外部的形式進(jìn)行處理，切斷引接線5以及懸掛引線42。就這樣制造出本實(shí)施方式所涉及的磁傳感器裝置1。

以上已作了說明的實(shí)施方式是為了容易理解本發(fā)明而被記載的實(shí)施內(nèi)容，但并不是為了限定本發(fā)明而進(jìn)行記載的內(nèi)容。因此，以上所述實(shí)施方式所公開的各個(gè)要素都是還包含屬于本發(fā)明技術(shù)范圍的所有設(shè)計(jì)變更或均等物的主要內(nèi)容。

實(shí)施例

以下是通過舉例來進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明，但是本發(fā)明絲毫不限定于以下所述的實(shí)施例等。

[實(shí)施例1]

準(zhǔn)備具有圖1A以及圖2所表示的結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置1。在所涉及的磁傳感器裝置1中，圓形狀的4個(gè)開口部43的直徑為0.46mm；裸片墊4的面積為1.69mm²；重疊率[磁傳感器芯片2的角部21相對(duì)于開口部43面積重疊的部分(在圖1A中用斜線進(jìn)行表示的部分)之面積比]為45％。以使用了實(shí)施例1的磁傳感器裝置1的旋轉(zhuǎn)角度檢測(cè)裝置來求得磁傳感器裝置所涉及的旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[實(shí)施例2]

準(zhǔn)備除了4個(gè)開口部43的直徑為0.40mm之外其余均具有與實(shí)施例1相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置1，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[實(shí)施例3]

準(zhǔn)備除了4個(gè)開口部43的直徑為0.36mm之外其余均具有與實(shí)施例1相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置1，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[實(shí)施例4]

準(zhǔn)備除了4個(gè)開口部43的直徑為0.33mm之外其余均具有與實(shí)施例1相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置1，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[實(shí)施例5]

準(zhǔn)備除了重疊率為40％之外其余均具有與實(shí)施例4相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置1，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[實(shí)施例6]

準(zhǔn)備除了重疊率為55％之外其余均具有與實(shí)施例4相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置1，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[實(shí)施例7]

準(zhǔn)備除了重疊率為70％之外其余均具有與實(shí)施例4相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置1，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[實(shí)施例8]

準(zhǔn)備除了重疊率為40％之外其余均具有與實(shí)施例2相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置1，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[實(shí)施例9]

準(zhǔn)備除了重疊率為40％之外其余均具有與實(shí)施例1相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置1，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[實(shí)施例10]

準(zhǔn)備除了重疊率為70％之外其余均具有與實(shí)施例1相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置1，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[比較例1]

準(zhǔn)備除了4個(gè)開口部43的直徑為0.30mm之外其余均具有與實(shí)施例1相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[比較例2]

準(zhǔn)備除了4個(gè)開口部43的直徑為0.20mm之外其余均具有與實(shí)施例1相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[比較例3]

準(zhǔn)備除了4個(gè)開口部43的直徑為0.10mm之外其余均具有與實(shí)施例1相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[比較例4]

準(zhǔn)備除了重疊率為35％之外其余均具有與比較例1相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[比較例5]

準(zhǔn)備除了重疊率為25％之外其余均具有與比較例1相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

[比較例6]

準(zhǔn)備除了重疊率為13％之外其余均具有與比較例1相同結(jié)構(gòu)的磁傳感器裝置，求得旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)誤差(deg)。結(jié)果被表示于表1以及圖7中。

【表1】

正如根據(jù)表1以及圖7所表示的結(jié)果就可明了那樣，如果是在開口率為20％以上的裸片墊4的搭載面41上以各個(gè)角部21重疊于裸片墊4的各個(gè)開口部43的形式并且以重疊率成為40％以上的形式搭載磁傳感器芯片2而成的磁傳感器裝置1的話則能夠確認(rèn)到顯著減少檢測(cè)誤差是可能的。

符號(hào)說明

1.磁傳感器裝置

2.磁傳感器芯片

21.角部

3.粘結(jié)層

4.裸片墊

41.搭載面

43.開口部

5.引接線

7.封裝樹脂體