本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種改善有源區(qū)邊界處的柵極拐角的方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體器件尺寸的微縮，對現(xiàn)有工藝的要求越來越高，關(guān)鍵尺寸的一致性要求也日益苛刻，特別是要確保柵氧層和柵極層尺寸一致性。柵氧層的尺寸由柵極橫截面積的大小的決定，從而會影響通過此柵極的電流量，最終影響柵極對溝道的控制。在設(shè)計圖形到實際成像過程中必然存在一定誤差范圍，如圖1所示，G’所示虛線框為柵極區(qū)，P’為多晶硅，A’為有源區(qū)，由于光學(xué)效應(yīng)引起的拐角部位變成圓角，如圖1中a所示，該處的柵極面積比目標(biāo)柵極表面增大，也即是柵極的實際成像面積要大于設(shè)計所需面積，從而導(dǎo)致該處柵氧層面積增大。

因為柵氧層和柵極的面積是同步的，因此，需要研究如何改善有源區(qū)邊界處的柵極拐角問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了克服以上問題，本發(fā)明旨在提供一種改善有源區(qū)邊界處的柵極拐角的方法，從而降低此處的柵氧層與有源區(qū)的重疊面積。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種改善有源區(qū)邊界處的柵極拐角的方法，針對具有有源區(qū)和多晶硅的圖形進(jìn)行修正，其中有源區(qū)和多晶硅的重疊區(qū)域為柵極區(qū)，包括：

步驟01：判斷柵極區(qū)和有源區(qū)的交接處是否存在拐角，并且判斷位于所述拐角一端且位于非柵極區(qū)的多晶硅與有源區(qū)的平行距離是否在所設(shè)定的安全范圍內(nèi)；如果兩者均為是，則選取該拐角為需修正的第一圖形，執(zhí)行步驟02；如果有一個為否，則停止修正；

步驟02：判斷位于所述拐角一端且位于非柵極區(qū)的多晶硅尺寸是否在所設(shè)定的設(shè)計規(guī)則數(shù)值范圍之內(nèi)或小于所設(shè)定的設(shè)計規(guī)則數(shù)值范圍；如果是，則執(zhí)行步驟03；如果為否，則執(zhí)行步驟06；

步驟03：選擇位于所述拐角一端且位于非柵極區(qū)的多晶硅圖形為需修正的第二圖形；

步驟04：判斷需修正的第二圖形的遠(yuǎn)離柵極區(qū)的邊界到與該邊界最近的圖形邊界的距離是否在所設(shè)定的修正空間之內(nèi)；如果是，則執(zhí)行步驟05；如果否，則停止修正；

步驟05：將需修正的第二圖形的遠(yuǎn)離柵極區(qū)的邊界向遠(yuǎn)離柵極區(qū)的方向移動，所移動的距離由位于所述拐角一端且位于非柵極區(qū)的多晶硅與有源區(qū)的平行距離來決定；

步驟06：引入控制柵極區(qū)邊緣圓弧外傾的修正過程，對需修正的第一圖形、或者需修正的第一圖形和第二圖形進(jìn)行修正；

步驟07：對修正后的圖形進(jìn)行模擬驗證。

優(yōu)選地，所述步驟01中，所述安全范圍為不大于50nm。

優(yōu)選地，所述步驟01中，所述安全范圍不大于35nm。

優(yōu)選地，所述步驟01中，所述安全范圍為30～35nm。

優(yōu)選地，所述步驟02中，所設(shè)定的設(shè)計規(guī)則數(shù)值范圍為多晶硅的關(guān)鍵尺寸范圍。

優(yōu)選地，所述多晶硅的關(guān)鍵尺寸范圍等于所述柵極區(qū)的關(guān)鍵尺寸范圍。

優(yōu)選地，所述多晶硅的關(guān)鍵尺寸范圍為80～90nm。

優(yōu)選地，所述步驟04中，所述修正空間為多晶硅的設(shè)計規(guī)則數(shù)值范圍的1.3倍以上。

優(yōu)選地，所述步驟05中，所移動的距離+多晶硅的設(shè)計規(guī)則的數(shù)值+所設(shè)定的余量＝修正空間的數(shù)值。

優(yōu)選地，所設(shè)定的余量為4～7nm。

本發(fā)明的改善有源區(qū)邊界處的柵極拐角的方法，采用圓弧外傾方式修正了有源區(qū)和柵極區(qū)交接處的拐角，減小柵極區(qū)和有源區(qū)的交接處的面積，從而減小了柵極區(qū)和由源區(qū)的交接處的面積，減小了柵極區(qū)和有源區(qū)的交接處的電流量的影響，提高了柵極對溝道的控制能力。同時也兼顧了對位于所述拐角一端且位于非柵極區(qū)的多晶硅尺寸的修正，這是因為，當(dāng)位于所述拐角一端且位于非柵極區(qū)的多晶硅尺寸在設(shè)計規(guī)則數(shù)值范圍內(nèi)時，如果直接采用圓弧外傾方式來修正有源區(qū)和柵極區(qū)交接處的拐角，會造成拐角位于非柵極區(qū)的一端的多晶硅尺寸過小甚至斷開，因此，對位于所述拐角一端且位于非柵極區(qū)的多晶硅尺寸進(jìn)行修正，從而保證最終修正的結(jié)果符合預(yù)期。

附圖說明

圖1為柵極區(qū)和有源區(qū)的交接處的拐角經(jīng)傳統(tǒng)光學(xué)修正后的圖形示意圖

圖2為本發(fā)明的一個較佳實施例的改善有源區(qū)邊界處的柵極拐角的方法的流程示意圖

圖3為本發(fā)明的一個較佳實施例的柵極區(qū)、有源區(qū)和多晶硅的相對位置關(guān)系示意圖

圖4為經(jīng)本發(fā)明的一個較佳實施例的方法修正后的圖形和常規(guī)方法修正后的圖形的對比示意圖

具體實施方式

為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。

以下結(jié)合附圖2-4和具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說明本實施例的目的。

本實施例中，請參閱圖2，一種改善有源區(qū)邊界處的柵極拐角的方法，針對具有有源區(qū)和多晶硅的圖形進(jìn)行修正，其中有源區(qū)和多晶硅的重疊區(qū)域為柵極區(qū)，包括：

步驟01：判斷柵極區(qū)和有源區(qū)的交接處是否存在拐角，并且判斷位于拐角一端且位于非柵極區(qū)的多晶硅與有源區(qū)的平行距離是否在所設(shè)定的安全范圍內(nèi)；如果兩者均為是，則選取該拐角為需修正的第一圖形，執(zhí)行步驟02；如果有一個為否，則停止修正；

具體的，如圖3所示，位于拐角一端且位于非柵極區(qū)的多晶硅與有源區(qū)的平行距離為d所示距離，安全范圍為不大于50nm，較佳的，安全范圍不大于35nm，進(jìn)一步的，安全范圍為30～35nm或者35～50nm。

步驟02：判斷位于拐角一端且位于非柵極區(qū)的多晶硅尺寸是否在所設(shè)定的設(shè)計規(guī)則數(shù)值范圍之內(nèi)；如果是，則執(zhí)行步驟03；如果為否，則執(zhí)行步驟06；

具體的，所設(shè)定的設(shè)計規(guī)則數(shù)值范圍可以為多晶硅的關(guān)鍵尺寸范圍，多晶硅的關(guān)鍵尺寸范圍可以等于柵極區(qū)的關(guān)鍵尺寸范圍，多晶硅的關(guān)鍵尺寸范圍可以為80～90nm，柵極區(qū)的關(guān)鍵尺寸范圍也可以為80～90nm。如圖3所示，拐角位于非柵極區(qū)的一端的尺寸等于多晶硅的關(guān)鍵尺寸，例如，判斷該尺寸為80，則在關(guān)鍵尺寸80～90nm之內(nèi)，需要對該處多晶硅進(jìn)行修正，后續(xù)選擇該處多晶硅為需修正的第二圖形，如果大于80～90nm，說明該處多晶硅的尺寸較大，如果對拐角進(jìn)行修正也不會使該處多晶硅的尺寸小于該處多晶硅的設(shè)計規(guī)則數(shù)值范圍或者也不會產(chǎn)生斷裂，因此，此種情況不需要對該處進(jìn)行修正。

步驟03：選擇位于所述拐角一端且位于非柵極區(qū)的多晶硅圖形為需修正的第二圖形；

具體的，如圖3所示，虛線框框住的區(qū)域為所選擇的需修正的區(qū)域的大概范圍。

步驟04：判斷需修正的第二圖形的遠(yuǎn)離柵極區(qū)的邊界到與該邊界最近的圖形邊界的距離是否在所設(shè)定的修正空間之內(nèi)；如果是，則執(zhí)行步驟05；如果否，則停止修正；

具體的，如圖3所示，虛線框右邊界為粗實線所示，判斷該粗實線到達(dá)離該粗實線最近的圖形邊界的距離是否在所設(shè)定的修正空間之內(nèi)；如果為否，則說明針對第二圖形不能夠進(jìn)行修正，否則會使第二圖形與該邊界最近的圖形邊界發(fā)生相交甚至重疊，導(dǎo)致圖形設(shè)計失敗。如果是，說明對第二圖形進(jìn)行修正后不會產(chǎn)生上述問題。修正空間為多晶硅的設(shè)計規(guī)則數(shù)值范圍的1.3倍以上，例如，多晶硅的設(shè)計規(guī)則數(shù)值范圍為80～90nm，則修正空間的范圍≥1.3*(80～90)nm＝104～117nm。

步驟05：將需修正的第二圖形的遠(yuǎn)離柵極區(qū)的邊界向遠(yuǎn)離柵極區(qū)的方向移動，所移動的距離由位于所述拐角一端且位于非柵極區(qū)的多晶硅與有源區(qū)的平行距離來決定；

具體的，如圖3所示，虛線框右邊界的粗實線向右移動至一虛線處，距離為L，則該距離L由距離d決定，因為距離d決定修正空間，而該距離L不能超過修正空間的范圍，所移動的距離L+多晶硅的設(shè)計規(guī)則的數(shù)值+所設(shè)定的余量＝修正空間的數(shù)值，所設(shè)定的余量可以為4～7nm，較佳的，距離L小于或等于修正空間的最小數(shù)值-所設(shè)定的余量-多晶硅的設(shè)計規(guī)則的數(shù)值，例如，104nm則為修正空間的最小值，距離L＝104nm-4nm-80nm＝20nm，當(dāng)然，距離L可以小于20nm，較佳的距離L為5～20nm。

步驟06：引入控制柵極區(qū)邊緣圓弧外傾的修正過程，對需修正的第一圖形、或者需修正的第一圖形和第二圖形進(jìn)行修正；

具體的，控制柵極區(qū)邊緣圓弧外傾的修正過程為本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的，這里不再贅述。當(dāng)步驟02中判斷為否時，執(zhí)行本步驟06中的對需修正的第一圖形進(jìn)行修正的過程，當(dāng)步驟05完成后，執(zhí)行本步驟06中對需修正的第一圖形和第二圖形的修正過程。

步驟07：對修正后的圖形進(jìn)行模擬驗證。

具體的，對修正后的圖形進(jìn)行模擬的過程和驗證的過程可以采用現(xiàn)有手段，這里不再贅述。

如圖4所示，為修正后的圖形示意圖，虛線為常規(guī)的修正方法修正后的示意圖形，實線為本實施例的修正方法修正后的示意圖形，具有陰影的多晶硅圖形是采用本實施例的方法修正后得到的，虛線表示采用常規(guī)的修正方法得到的多晶硅圖形，采用本實施例的方法柵極區(qū)和有源區(qū)的交接處的拐角經(jīng)修正后的弧線(左虛線框所示)比常規(guī)的修正方法得到的此處的弧線更加接近目標(biāo)圖形，此外需修正的第二圖形經(jīng)修正后的位置相對于目標(biāo)圖形有所偏移(右虛線框所示)，但是根據(jù)本實施例的方法是完全符合設(shè)計規(guī)則的。

雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然所述實施例僅為了便于說明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動與潤飾，本發(fā)明所主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所述為準(zhǔn)。