本發(fā)明涉及NFC天線領(lǐng)域，具體地，涉及一種雙圈結(jié)構(gòu)的NFC天線以及使用該天線的手機。

背景技術(shù)：

NFC英文全稱Near Field Communication，是一種近場無線通訊天線，能夠提供安全、迅速的通信的無線連接。NFC具有距離近、帶寬高、能耗低等特點，并且與現(xiàn)有非接觸智能卡技術(shù)兼容，從而逐漸成為越來越多廠商的正式標準。

NFC在門禁、公交、手機支付等領(lǐng)域內(nèi)發(fā)揮著巨大的作用。大部分NFC手機為內(nèi)置NFC芯片，外加NFC天線，目前主流NFC天線走線為單圈形式，但是單圈形式的NFC性能遠不及雙圈NFC天線。同面積大小的雙圈結(jié)構(gòu)NFC天線能夠形成二個同向的磁場，因此擁有更佳的NFC性能，對于NFC手機去讀取卡片會產(chǎn)生更少的盲區(qū)，從而能解決NFC手機讀小卡成功率不高的問題。雙圈結(jié)構(gòu)的NFC天線具有良好的外觀和優(yōu)秀的射頻性能。

經(jīng)檢索：申請?zhí)枮?01010555387.9，發(fā)明名稱為“一種NFC天線及使用該天線的手機”，所述天線包括兩個NFC天線線圈，這兩個NFC天線線圈通過兩條平行雙導線在同一平面內(nèi)并接，并在所述平行雙導線中點各引出一個用于連接天線匹配電路的饋電端。所述手機包括：手機PCB主板、NFC芯片、天線匹配電路和NFC天線。本發(fā)明所述NFC天線及手機，通過設(shè)置兩個NFC天線線圈，使用兩條平行雙導線在同一平面內(nèi)將兩個NFC天線線圈并接，并在平行雙導線中點各引出一個用于連接天線匹配電路的饋電端，使得在無需增加鐵氧體材料及無需增加天線線圈匝數(shù)的情況下，依靠天線自身就可以增強磁場感應(yīng)強度，有效降低了手機厚度及手機制作成本。

本發(fā)明與上述文獻中的NFC天線結(jié)構(gòu)不同，本發(fā)明通過走線方式形成兩個圈結(jié)構(gòu)，實際屬于一個NFC天線，這種雙圈結(jié)構(gòu)可以增大磁通量，使NFC性能有效提升，雙圈結(jié)構(gòu)的NFC天線在抗電磁干擾能力好于單圈NFC天線，雙圈NFC天線與傳統(tǒng)單圈NFC天線相比，有著良好的外觀和有效提升天線的射頻性能。

經(jīng)檢索：申請?zhí)枺?01320337371.X，名稱為“一種雙C結(jié)構(gòu)的NFC天線”，該雙C結(jié)構(gòu)的NFC天線包括支撐屏蔽部分、NFC線圈以及雙C結(jié)構(gòu)；所述NFC線圈位于所述支撐屏蔽部分上，并與所述支撐屏蔽部分相連接，所述支撐屏蔽部分包括支撐介質(zhì)和磁性材料，且該支撐介質(zhì)位于磁性材料和所述NFC線圈之間；所述雙C結(jié)構(gòu)位于所述NFC線圈的正上方，并與所述支撐屏蔽部分和所述NFC線圈平行放置，且該NFC線圈與雙C結(jié)構(gòu)之間的垂直距離為0.5mm-2mm，且雙C結(jié)構(gòu)的面積均大于所述NFC線圈和所述支撐屏蔽部分的面積，從而能夠充分耦合NFC線圈產(chǎn)生的近場，降低電流路徑損耗，并提高NFC天線的通訊距離。

本發(fā)明與上述文獻中的NFC天線結(jié)構(gòu)不同，上述文獻中的NFC天線結(jié)構(gòu)復雜，需要設(shè)置支撐屏蔽部分，且其中的雙C結(jié)構(gòu)不屬于NFC天線主體，而是通過耦合NFC天線的近場來提升NFC天線的通訊距離。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種雙圈結(jié)構(gòu)的NFC天線以及使用該天線的手機。

根據(jù)本發(fā)明提供的雙圈結(jié)構(gòu)的NFC天線，其特征在于，包括：左側(cè)單圈和右側(cè)單圈所構(gòu)成的輻射結(jié)構(gòu)，所述左側(cè)單圈和右側(cè)單圈均包括：銅質(zhì)走線、銅質(zhì)走線過孔、NFC天線饋點；所述NFC天線饋點位于銅質(zhì)走線的一端，銅質(zhì)走線的另一端穿過銅質(zhì)走線過孔。

優(yōu)選地，左側(cè)單圈中的NFC天線饋點記為NFC天線第一饋點，右側(cè)單圈中的NFC天線饋點記為NFC天線第二饋點，左側(cè)單圈中的銅質(zhì)走線記為左側(cè)銅質(zhì)走線，右側(cè)單圈中的銅質(zhì)走線記為右側(cè)銅質(zhì)走線，左側(cè)單圈中的銅質(zhì)走線過孔記為銅質(zhì)走線第一過孔，右側(cè)單圈中的銅質(zhì)走線過孔記為銅質(zhì)走線第二過孔；其中：

所述NFC天線第一饋點位于左側(cè)銅質(zhì)走線的一端，所述左側(cè)銅質(zhì)走線的另一端通過銅質(zhì)走線第一過孔，所述左側(cè)銅質(zhì)走線的軌跡形成雙圈NFC天線的左側(cè)輻射體；

所述NFC天線第二饋點位于右側(cè)銅質(zhì)走線的一端，所述右側(cè)銅質(zhì)走線的另一端通過銅質(zhì)走線第二過孔，所述右側(cè)銅質(zhì)走線的軌跡形成雙圈NFC天線的右側(cè)輻射體。

優(yōu)選地，所述左側(cè)銅質(zhì)走線的軌跡包含多個不重疊的線圈結(jié)構(gòu)，且相鄰線圈之間留有縫隙。

優(yōu)選地，所述右側(cè)銅質(zhì)走線的軌跡包含多個不重疊的線圈結(jié)構(gòu)，且相鄰線圈之間留有縫隙。

優(yōu)選地，左側(cè)銅質(zhì)走線的軌跡所構(gòu)成的線圈呈矩形結(jié)構(gòu)，且所述NFC天線第一饋點位于該線圈的外端。

優(yōu)選地，右側(cè)銅質(zhì)走線的軌跡所構(gòu)成的線圈呈矩形結(jié)構(gòu)，且所述NFC天線第二饋點位于線圈的外端。

優(yōu)選地，NFC天線第一饋點與NFC天線第二饋點之間相鄰并留有一段縫隙。

優(yōu)選地，左側(cè)銅質(zhì)走線的線寬度大于或者等于右側(cè)銅質(zhì)走線的線寬度，具體地，當左側(cè)銅質(zhì)走線和右側(cè)銅質(zhì)走線所包含的線圈個數(shù)不一致，相應(yīng)的左側(cè)銅質(zhì)走線和右側(cè)銅質(zhì)走線的線寬度也不一致。

根據(jù)本發(fā)明提供的手機，使用上述的雙圈結(jié)構(gòu)的NFC天線，手機的金屬后殼上安裝有雙圈結(jié)構(gòu)的NFC天線，所述雙圈結(jié)構(gòu)的NFC天線通過NFC天線饋點連接至手機中的NFC電路。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下的有益效果：

1、本發(fā)明的NFC天線具備雙圈結(jié)構(gòu)能夠形成二個同向的磁場，在相同面積下比單圈的NFC天線擁有更佳的NFC性能，減少手機讀取卡片產(chǎn)生的盲區(qū)，解決NFC手機讀小卡成功率不高的問題。

2、本發(fā)明提供的雙圈結(jié)構(gòu)的NFC天線能夠安裝在手機的金屬后殼上，占據(jù)的手機空間小，進一步減小了手機的厚度。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯：

圖1為常規(guī)單圈的NFC天線簡化結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明雙圈的NFC天線簡化結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明雙圈的NFC天線產(chǎn)生的虛擬磁場示意圖。

圖4為本發(fā)明雙圈的NFC天線的其他形式結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：

1-NFC天線第一饋點；

2-左側(cè)銅質(zhì)走線；

3-銅質(zhì)走線第一過孔；

4-銅質(zhì)走線第二過孔；

5-右側(cè)銅質(zhì)走線

6-NFC天線第二饋點。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明進行詳細說明。以下實施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應(yīng)當指出的是，對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變化和改進。這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。

本發(fā)明提供的雙圈結(jié)構(gòu)的NFC天線能夠有效的利用NFC天線面積，形成二個同向磁場，解決NFC手機讀小卡盲區(qū)問題，外光良好，性能優(yōu)越。如圖2所示，本發(fā)明提供的雙圈結(jié)構(gòu)的NFC天線，包括由銅質(zhì)走線、銅質(zhì)走線過孔、NFC天線饋點所形成的PCB或FPC的NFC天線。

具體地，所述雙圈結(jié)構(gòu)的NFC天線，包括：NFC天線第一饋點1、NFC天線第二饋點6、左側(cè)銅質(zhì)走線2、右側(cè)銅質(zhì)走線5、銅質(zhì)走線第一過孔3以及銅質(zhì)走線第二過孔4；

所述NFC天線第一饋點1位于左側(cè)銅質(zhì)走線2的一端，所述左側(cè)銅質(zhì)走線2的另一端通過銅質(zhì)走線第一過孔3，所述左側(cè)銅質(zhì)走線2的軌跡形成雙圈NFC天線的左側(cè)單圈，其中，所述左側(cè)銅質(zhì)走線2的軌跡為連續(xù)的兩個不重疊的線圈結(jié)構(gòu)，且所述兩個線圈之間留有縫隙。

由左側(cè)銅質(zhì)走線2的軌跡所構(gòu)成的線圈呈矩形結(jié)構(gòu)，且所述NFC天線第一饋點1位于線圈的外端。

所述NFC天線第二饋點6位于右側(cè)銅質(zhì)走線5的一端，所述右側(cè)銅質(zhì)走線5的另一端通過銅質(zhì)走線第二過孔4，所述右側(cè)銅質(zhì)走線5的軌跡形成雙圈NFC天線的右側(cè)單圈，其中，所述右側(cè)銅質(zhì)走線5的軌跡為連續(xù)的兩個不重疊的線圈結(jié)構(gòu)，且所述兩個線圈之間留有縫隙。

由右側(cè)銅質(zhì)走線5的軌跡所構(gòu)成的線圈呈矩形結(jié)構(gòu)，且所述NFC天線第二饋點6位于線圈的外端并與NFC天線第一饋點1相鄰。

所述NFC天線第一饋點1和NFC天線第二饋點6連接至手機NFC電路。

如圖3所示為雙圈結(jié)構(gòu)的NFC天線所形成的兩個同相磁場的虛擬結(jié)構(gòu)。

更進一步地，本發(fā)明還提供了其他實施例，如圖4所示，左側(cè)銅質(zhì)走線2的軌跡與右側(cè)銅質(zhì)走線5的軌跡分別包含了不同的線圈個數(shù)；具體地，左側(cè)銅質(zhì)走線2的軌跡包含了三個不重疊的線圈結(jié)構(gòu)，右側(cè)銅質(zhì)走線5的軌跡包含了四個不重疊的線圈結(jié)構(gòu)；其中：左側(cè)銅質(zhì)走線2的線寬度與右側(cè)銅質(zhì)走線5的線寬度也不同，在本實施例中左側(cè)銅質(zhì)走線2的線寬度大于右側(cè)銅質(zhì)走線5的線寬度。

以上對本發(fā)明的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變化或修改，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容。在不沖突的情況下，本申請的實施例和實施例中的特征可以任意相互組合。