本發(fā)明實施例是有關一種影像感測器，且特別是提供一種影像感測器及其制作方法。

背景技術：

許多現(xiàn)今的電子元件包含影像感測器，其中影像感測器可將光學影像轉換為用以代表光學影像的數(shù)字數(shù)據(jù)。一般用于電子元件中的影像感測器的一種型式是背面照射(backsideillumination；bsi)影像感測器。背面照射影像感測器包含光偵測器的陣列，其中光偵測器的陣列是位于內(nèi)連接結構上，且其是配置于相對側，以做為內(nèi)連接結構，并用以接收輻射線。此種配置允許輻射線可照射于光偵測器上，且輻射線不會被內(nèi)連接結構中的傳導特征阻擋，故背面照射影像感測器對于入射輻射線具有高感光度。

技術實現(xiàn)要素：

一實施例為一種影像感測器。此影像感測器包含像素感測器、內(nèi)連接結構和反射器。像素感測器是配置于半導體基材的底側上，且像素感測器包含光偵測器，且此光偵測器配置于半導體基材內(nèi)。內(nèi)連接結構是配置于半導體基材和像素感測器下。其中，內(nèi)連接結構包含內(nèi)連接層與接觸窗，且接觸窗由內(nèi)連接層延伸至像素感測器。前述的反射器是配置于光偵測器下，且介于內(nèi)連接層和光偵測器之間。反射器是配置以朝光偵測器反射入射輻射線。

另一實施例為一種制作影像感測器的方法。此方法是先形成第一層間介電(interlayerdielectric；ild)層，以覆蓋半導體基材和像素感測器，其中像素感測器是配置于半導體基材上。然后，對第一ild層進行蝕刻，以形成反射區(qū)域于像素感測器的光偵測器上，其中像素感測器的光偵測器是配置于半導體基材中。接著，形成反射器于光偵測器上，且此反射器形成于反射區(qū)域中。之后，形成第二ild層，以覆蓋反射器。而后，形成內(nèi)連接層于第一ild層和第二ild層上，且此內(nèi)連接層電性耦合接觸窗。其中，接觸窗是由內(nèi)連接層延伸至像素感測器。

又一實施例為一種影像感測器。此影像感測器包含內(nèi)連接結構、光偵測器和反射器。內(nèi)連接結構是配置于半導體基材下，且此內(nèi)連接結構包含堆疊于ild區(qū)域內(nèi)的傳導特征的層。光偵測器是配置于半導體基材內(nèi)。前述的反射器是配置于光偵測器下，且介于內(nèi)連接結構和光偵測器之間。其中，反射器是配置以朝光偵測器反射入射輻射線。

附圖說明

從以下結合所附附圖所做的詳細描述，可對本發(fā)明實施例的實施方式有更佳的了解。需注意的是，根據(jù)業(yè)界的標準實務，各特征并未依比例繪示。事實上，為了使討論更為清楚，各特征的尺寸可任意地增加或減少。

圖1是繪示具有反射器的背面照射(backsideilluminated；bsi)影像感測器的一些實施例的剖視圖；

圖2a至圖2d是繪示圖1的反射器的各種實施例的剖視圖；

圖3是繪示圖1的bsi影像感測器的一些更詳盡的實施例的剖視圖；

圖4是繪示圖1的bsi影像感測器中的像素感測器的一些實施例的電路圖；

圖5是繪示圖1的bsi影像感測器的一些實施例的上視圖；

圖6至圖9、圖10a至圖10d、圖11a、圖11b、圖12至圖16、圖17a至圖17d、圖18a、圖18b和圖19至圖27是繪示制造具有反射器的bsi影像感測器的方法的各種實施例的一系列剖視圖；

圖28與圖29是繪示制造具有反射器的bsi影像感測器的方法的各種實施例的流程圖。

具體實施方式

以下的揭露提供了許多不同的實施例或例子，以實施發(fā)明的不同特征。以下所描述的構件與安排的特定例子是用以簡化本發(fā)明實施例。當然這些僅為例子，并非用以做為限制。舉例而言，在描述中，第一特征形成于第二特征上方或上，可能包含第一特征與第二特征以直接接觸的方式形成的實施例，而也可能包含額外特征可能形成在第一特征與第二特征之間的實施例，如此第一特征與第二特征可能不會直接接觸。此外，本發(fā)明實施例可能會在各例子中重復參考數(shù)字及/或文字。這樣的重復是基于簡單與清楚的目的，以其本身而言并非用以指定所討論的各實施例及/或配置之間的關系。

另外，在此可能會使用空間相對用語，例如“向下(beneath)”、“下方(below)”、“較低(lower)”、“上方(above)”、“較高(upper)”等等，以方便描述來說明如附圖所繪示的一元件或一特征與另一(另一些)元件或特征的關系。除了在圖中所繪示的方向外，這些空間相對用詞意欲含括元件在使用或操作中的不同方位。設備可能以不同方式定位(旋轉90度或在其他方位上)，因此可利用同樣的方式來解釋在此所使用的空間相對描述符號。

一些背面照射(backsideilluminated；bsi)影像感測器包含配置于半導體基材內(nèi)的光偵測器陣列，且此半導體基材是位于內(nèi)連接結構上。光偵測器自內(nèi)連接結構延伸，并深入至半導體基材。光偵測器亦可自靠近內(nèi)連接結構處延伸。光偵測器是配置于內(nèi)連接結構的相對側上，以接收輻射線(如光)。

為了增加光偵測器對于輻射線的感光度，光偵測器可延伸更深入半導體基材，而可增加吸收輻射線的面積。然而，增加光偵測器延伸的深度會增加制作成本。其次，為了增加光偵測器對于輻射線的感光度，內(nèi)連接結構的傳導特征可用以朝光偵測器反射回輻射線，進而提供光偵測器兩種吸收輻射線的機會。然而，傳導特征是借著內(nèi)連接結構的至少一層間介電(interlayerdielectric；ild)層與光偵測器相隔開，故輻射線可能偏離至相鄰的像素感測器，并引起干擾。

本發(fā)明實施例是針對高感光度與低干擾且具有反射器的bsi影像感測器。在一些實施例中，像素感測器配置于半導體基材的底側上，且像素感測器包含配置于半導體基材內(nèi)的光偵測器。內(nèi)連接結構是配置于半導體基材下，且內(nèi)連接結構包含接觸窗，其中此接觸窗是由內(nèi)連接結構的內(nèi)連接層延伸至像素感測器。反射器是配置于光偵測器下，且介于內(nèi)連接層與光偵測器。反射器是配置以將通過光偵測器的輻射線反射回光偵測器。

借著配置反射器于光偵測器下，光偵測器有利地具有兩種吸收輻射線的機會，且此輻射線是照射于光偵測器上。第一種機會發(fā)生于當幅射線初始照射于光偵測器上，且第二種機會發(fā)生于當輻射線反射回光偵測器。如此一來，光偵測器對于入射的輻射線具有高感光度。再者，借著配置反射器于內(nèi)連接層與光偵測器之間，反射器是靠近光偵測器，且干擾是有利地減少。

請參照圖1，且具有反射器102的bsi影像感測器的一些實施例的剖示圖100是被提供。如圖所繪，反射器102是配置于像素感測器106的光偵測器104下，且反射器102是配置以將通過光偵測器104的輻射線108反射回光偵測器104。借著將輻射線108反射回光偵測器104，光偵測器104具有高感光度。反射器102進一步地是配置于內(nèi)連接層110上，且內(nèi)連接層110是通過接觸窗112電性耦合像素感測器106，其中接觸窗112延伸于內(nèi)連接層110與像素感測器106之間。借著配置反射器102于內(nèi)連接層110上，并介于內(nèi)連接層110和光偵測器104之間，此反射器102是靠近光偵測器104，且像素感測器106與相鄰的像素感測器(未顯示)間的干擾是極小的。

像素感測器106是配置于半導體基材114的底側，且像素感測器106包含光偵測器104。光偵測器104是配置以吸收照射在其上的輻射線108，且于一些實施例中，光偵測器104接觸反射器102。其次，光偵測器104是配置于半導體基材114中，或以其他方式包含相對摻雜形式的摻雜半導體區(qū)域，做為半導體基材114的鄰近區(qū)域。在一些實施例中，像素感測器106更包含浮動擴散節(jié)點(floatingdiffusionnode；fdn)116與轉移晶體管118。fdn116是配置以儲存由光偵測器104轉移的電荷，且轉移晶體管118是配置以選擇性地轉移電荷至fdn116。fdn116是配置于半導體基材114中，或以其他方式包含相對摻雜形式的摻雜半導體區(qū)域，做為半導體基材114的鄰近區(qū)域。轉移晶體管118包含配置于半導體基材114上的柵極120。柵極120是橫向地相鄰于光偵測器104，且以柵極介電層122與半導體基材144間隔。再者，轉移晶體管118包含配置于半導體基材114中的源極區(qū)域/漏極區(qū)域，其中源極區(qū)域/漏極區(qū)域分別是位于柵極120的相對側，并于柵極120上定義通道區(qū)域124。在一些實施例中，源極區(qū)域/漏極區(qū)域的一者是光偵測器104，及/或源極區(qū)域/漏極區(qū)域的一者是fdn116。

內(nèi)連接結構126位于像素感測器106與半導體基材114下面，且內(nèi)連接結構126覆蓋像素感測器160的底側與半導體基材114的底側。內(nèi)連接結構126不但包含內(nèi)連接層110與接觸窗112，且還有ild區(qū)域128。內(nèi)連接層110是通過一或多個傳導特征(未顯示)所定義，且接觸窗112由傳導特征的一者延伸至像素感測器106。在一些實施例中，接觸窗112延伸至轉移晶體管118的柵極120。ild區(qū)域128覆蓋并隔絕內(nèi)連接層110與接觸窗112，以及一些實施例中的反射器102。

請參照圖2a至圖2d，圖1的反射器102的各種實施例的剖視圖200a至剖視圖200d是被提供。如圖2a的剖視圖200a所繪示，反射器102包含第一部分202和第二部分204，其中第二部分204沿著光偵測器104配置。反射器102于第一部分202和第二部分204間是不連續(xù)的，且于一些實施例中，第一部分202和第二部分204是不同的材料。在其他實施例中，第一部分202和第二部分204是相同的材料。第一部分202和第二部分204可例如為銅、鈦、鉻、鈮、鉛、鈀、金、銀、鋁、鋁銅、鎢或其他反射材料等。

第一部分202是配置于光偵測器下，且于內(nèi)連接層110上。在一些實施例中，第一部分202接觸光偵測器104。其次，第一部分202橫向地由光偵測器104的第一側朝向光偵測器104的第二側延伸，其中光偵測器104的第二側是相對于第一側。在一些實施例中，第一部分202以均一的厚度t橫向延伸，及/或以第一部分202的上表面或頂表面206為平面且面向光偵測器104的方式橫向延伸。隔離區(qū)域208是配置于光偵測器104的第一側上，且于一些實施例中，轉移晶體管118是配置于光偵測器104的第二側上。隔離區(qū)域208從第一部分202延伸出來至半導體基材114的底側。

第二部分204是配置于第一部分202上，且第二部分204是配置于隔離區(qū)域208內(nèi)。在一些實施例中，第二部分204接觸第一部分202及/或被隔離區(qū)域208限制。再者，第二部分204從第一部分202延伸出來至隔離區(qū)域208。在一些實施例中，第二部分204以均一的寬度w延伸至隔離區(qū)域208中，及/或以側壁表面210為平面且面向光偵測器104的方式延伸。

借著沿著光偵測器104配置第一部分202和第二部分204，通過光偵測器104的輻射線108可被反射回光偵測器104。其次，借著配置第二部分204，使其橫向地相鄰于光偵測器104，輻射線108可被避免朝相鄰的像素感測器(未顯示)反射。舉例而言，輻射線108可從第一部分202反射，并朝向相鄰的像素感測器(未顯示)和第二部分204，再從第二部分204反射回光偵測器104。因此，光偵測器104具有高感光度，且其干擾極小。

如圖2b的剖視圖200b所繪示的內(nèi)容，反射器102包含第一部分202和第二部分204，且于第一部分202和第二部分204間連續(xù)地延伸。其次，第一部分202和第二部分204是相同的材料。舉例而言，第一部分202和第二部分204可例如為銅、鈦、鉻、鈮、鉛、鈀、金、銀、鋁、鋁銅、鎢或其他反射材料等。

如圖2c的剖視圖200c所繪示的內(nèi)容，反射器102具有一內(nèi)凹的上表面或頂表面212與凸出的下表面或底表面214。上表面或頂表面212與下表面或底表面214橫向地延伸于光偵測器104的相對側，且于一些實施例中，上表面或頂表面212與下表面或底表面214具有相同的足跡。此足跡是上表面或頂表面212或下表面或底表面214投影至水平面的二維投影。在一些實施例中，反射器102對于中心軸c是對稱的，其中此中心軸c是垂直于上表面或頂表面212，且配置于反射器102的寬度w的中心點。其次，在一些實施例中，由反射器102的邊緣橫向地移動至中心點時，反射器102的厚度t是由0或預期的數(shù)值增加。

借著配置反射器102于光偵測器104下，通過光偵測器104的輻射線108可被反射回光偵測器104。如此一來，光偵測器104具有高感光度。再者，借著配置具有內(nèi)凹剖面的反射器102的上面或頂面，輻射線108是被聚焦于焦點平面216，其中焦點平面216是橫向地延伸并通過光偵測器104。舉例而言，平行照射于上表面或頂表面212上的輻射線108的光線可被反射至焦點平面216上共同的焦點。如此一來，干擾是極小的。

如圖2d的剖視圖200d所繪示的內(nèi)容，反射器102的上表面或頂表面212是內(nèi)凹的，且反射器102的下表面或底表面214是平面的。其次，由反射器102的邊緣橫向地移動至反射器102的寬度w的中心點時，反射器102的厚度t是減少的。

請參照圖3，圖1的bsi影像感測器的一些更詳盡的實施例的剖視圖300是被提供。如圖所繪，半導體基材114能容納隔離區(qū)域208和像素感測器106于半導體基材114的底側上。半導體基材114可例如為硅的大基材或其他半導體。隔離區(qū)域208是配置以電性及/或光性隔離像素感測器106與相鄰的像素感測器(未顯示)，且隔離區(qū)域208延伸至半導體基材114中。其次，隔離區(qū)域208是配置于像素感測器106的相對側上，且于一些實施例中，橫向地圍繞像素感測器106。隔離區(qū)域208可例如為淺溝渠隔離(shallowtrenchisolation；sti)區(qū)域、植入隔離區(qū)域或深溝渠隔離(deeptrenchisolation；dti)區(qū)域。像素感測器106是配置以感測入射光，且像素感測器106包含光偵測器104。再者，在一些實施例中，像素感測器106包含fdn116和轉移晶體管118。像素感測器106可例如為主動式像素感測器(activepixelsensor；aps)。

光偵測器104和fdn116是配置于半導體基材中，且是相對摻雜形式(n型或p型)的摻雜半導體區(qū)域，以做為半導體基材114的各自區(qū)域，其中這些各自區(qū)域是圍繞摻雜半導體區(qū)域。光偵測器104是配置以產(chǎn)生并儲存對入射輻射線反應的電荷，且fdn116是配置以儲存由光偵測器104轉移至此的電荷。在一些實施例中，光偵測器104及/或fdn116具有減少的深度及/或集中度的多個橫向延伸302，分別做為光偵測器104及/或fdn116的主體。

轉移晶體管118是配置以轉移電荷至fdn116，其中此電荷是累積于光偵測器104中。轉移晶體管118包含配置于半導體基材114上的柵極120，其中柵極120是橫向相鄰于光偵測器104。柵極120是借著柵極介電層122與半導體基材114相隔開，且于一些實施例中，柵極120具有側壁表面，且此側壁表面沿著側壁間隔304配置。柵極120可例如為金屬、摻雜多晶硅或其他傳導材料。柵極介電層122可例如為二氧化硅、高k介電材料(即具有超過3.9的介電常數(shù)(k)的介電材料)或其他介電材料。側壁間隔304可例如為氮化硅、氮氧化硅或其他介電材料。轉移晶體管118還包含源極區(qū)域/漏極區(qū)域。源極區(qū)域/漏極區(qū)域配置于半導體基材114中，且源極區(qū)域/漏極區(qū)域是分別配置于柵極120的相對側上，并定義通道區(qū)域124于柵極120上。其中，柵極120選擇性地傳導施加于柵極120的偏壓。源極區(qū)域/漏極區(qū)域是相對摻雜形式的摻雜半導體區(qū)域，以做為半導體基材114的各自區(qū)域，其中這些各自區(qū)域是圍繞摻雜半導體區(qū)域。在一些實施例中，源極區(qū)域/漏極區(qū)域的一者是光偵測器104，及/或源極區(qū)域/漏極區(qū)域的一者是fdn116。

內(nèi)連接結構126是位于半導體基材114與像素感測器106下，且內(nèi)連接結構126覆蓋像素感測器106的底側和半導體基材114的底側。內(nèi)連接結構126包含ild區(qū)域128與多個內(nèi)連接層110和306(即金屬層)，且這些內(nèi)連接層110和306堆疊于ild區(qū)域128內(nèi)。在一些實施例中，ild區(qū)域128可例如為二氧化硅、低k介電材料(即具有低于3.9的介電常數(shù)(k)的介電材料)、硅磷玻璃(phosphosilicateglass；psg)、其他介電材料或上述材料的任意組合。舉例而言，ild區(qū)域128可包含二氧化硅或psg層與多個低k介電層，且這些低k介電層堆疊于二氧化硅或psg層下。

內(nèi)連接層110和306是通過各自的傳導特征308所定義，如線或墊。其次，在一些實施例中，相較于其他內(nèi)連接層110共有的厚度t2，最遠離半導體基材的內(nèi)連接層306具有較大的厚度t1。內(nèi)連接層110和306通過內(nèi)連接窗312電性耦合另一者，且內(nèi)連接窗312于相鄰的內(nèi)連接層延伸。再者，最靠近半導體基材114的內(nèi)連接層110是通過一或多個接觸窗112電性耦合像素感測器106，且這些接觸窗112是由內(nèi)連接層110延伸至像素感測器106。舉例而言，接觸窗112可由內(nèi)連接層110延伸至轉移晶體管118的柵極120。內(nèi)連接層110和306、接觸窗112和內(nèi)連接窗312可例如為銅、鈦、鉻、鈮、鉛、鈀、金、銀、鋁、鎢或其他反射材料等的金屬。

反射層102是配置于光偵測器104下，且反射層102是配置以將通過光偵測器104的輻射線朝光偵測器104反射回。借著朝光偵測器104反射回輻射線，光偵測器104具有高感光度。反射器102是進一步地配置于最靠近半導體基材114的內(nèi)連接層110上。借著配置反射器102于最靠近半導體基材114的內(nèi)連接層110上，反射器102是靠近光偵測器104。其次，可能反射至相鄰的像素感測器(未顯示)的輻射線是少的且干擾極小。在一些實施例中，反射器102直接鄰接光偵測器104，及/或反射器102是根據(jù)圖2a至圖2d的實施例的一者配置。再者，在一些實施例中，反射器102是銅、鈦、鉻、鈮、鉛、鈀、金、銀、鋁、鎢、其他傳導材料或上述材料的任意組合。

在一些實施例中，支撐元件314是透過內(nèi)連接結構126配置并附加于半導體基材114下。支撐元件314可例如為大基材或積體電路(integratedcircuit；ic)晶片。在一些實施例中，ic晶片是透過內(nèi)連接結構126電性耦合像素感測器106。ic晶片可舉例包含額外的半導體基材(未顯示)和配置于額外的半導體基材上的額外的內(nèi)連接結構(未顯示)。

保護層316是配置于半導體基材114和像素感測器106上，且保護層316配置于半導體基材114做為內(nèi)連接結構126的相對側。保護層316包含填滿彩色濾光層318且以微透鏡320覆蓋的井。保護層316可例如為介電層的多層堆疊，且此多層堆疊可例如為堆疊于一對氧化層間的氮化層。彩色濾光層318是配置以選擇性地傳送指定的光色或指定的輻射線波長至像素感測器106，且微透鏡320是配置以聚焦入射的輻射線至彩色濾光層318及/或像素感測器106上。

請參照圖4，圖1的bsi影像感測器中的像素感測器106的一些實施例的電路圖400是被提供。如圖所繪示的內(nèi)容，fdn116是選擇性地通過轉移晶體管118耦合光偵測器104，且fdn116是選擇性地通過重置晶體管(resettransistor)404耦合電源402。光偵測器104可例如為光二極管，及/或電源402可例如為直流(directcurrent；dc)電源。轉移晶體管118是配置以轉移電荷至fdn116，其中此電荷是累積于光偵測器104中。重置晶體管404是配置以清除儲存于fdn116的電荷。fdn116限制限制源極跟隨晶體管(sourcefollowertransistor)406，其中源極跟隨晶體管406選擇性地耦合電源402至行選擇晶體管(rowselecttransistor)408，且行選擇晶體管408選擇性地耦合源極跟隨晶體管406至輸出端410。源極跟隨晶體管406是配置以非破壞地讀取并放大儲存于fdn116的電荷，且行選擇晶體管408是配置以對讀出電路選擇像素感測器106。

當圖1的bsi影像感測器中的像素感測器106被描述為如圖4所繪示的五個晶體管(5t)aps，像素感測器106的其他實施例可包含更多或更少晶體管。舉例而言，像素感測器106的其他實施例可包含如二個、三個或六個晶體管。

請參照圖5，圖1的bsi影像感測器的一些實施例的上視圖500是被提供。如圖所繪示的內(nèi)容，bsi影像感測器的邏輯區(qū)域502橫向圍繞隔離區(qū)域208，其中像素感測器106、504和506是被配置于隔離區(qū)域208內(nèi)。邏輯區(qū)域502可包含如邏輯及/或記憶元件(未顯示)，且邏輯及/或記憶元件是配置以讀取及/或儲存像素感測器106、504和506對應入射輻射線索產(chǎn)生的數(shù)據(jù)。隔離區(qū)域208是配置以隔離像素感測器106、504和506，且隔離區(qū)域208可例如為sti區(qū)域。

像素感測器106、504和506是被指定輻射線的各波長。在一些實施例中，像素感測器106、504和506是擇一地被指定為輻射線的紅光波長(即大約620納米至750納米)、輻射線的綠光波長(即大約495納米至570納米)和輻射線的藍光波長(即大約450納米至495納米)。舉例而言，標示為“r”的像素感測器506是指定為輻射線的紅光波長，標示為“b”的像素感測器504是指定為輻射線的藍光波長，且標示為“g”的像素感測器106是指定為輻射線的綠光波長。再者，在一些實施例中，根據(jù)拜爾過濾器馬賽克(bayerfiltermosaic)，像素感測器106、504和506交錯于紅光波長、綠光波長和藍光波長之間。

依據(jù)圖1、圖2a至圖2d或圖3中的像素感測器106，像素感測器106、504和506是分別地配置，且像素感測器106、504和506包含各自的彩色濾光層(未顯示)，其中，根據(jù)輻射線的指定波長，這些各自的彩色濾光層是配置以過濾入射的輻射線。舉例而言，如圖3所示，像素感測器106包含配置于其上的彩色濾光層318。其次，像素感測器106、504和506包含各自的光偵測器104、508和510，以及各自的反射器102、512和514(未顯示于圖中)，其中這些各自的反射器102、512和514位于光偵測器104、508和501下。

在一些實施例中，依據(jù)對各像素感測器106、504和506的輻射線的指定波長，反射器102、512和514是不同的材料。反射器102、512和514的材料可選自于優(yōu)化輻射線的指定波長的反射系數(shù)的材料。舉例而言，指定為輻射線的綠光波長的反射器102可為對綠光波長具有高反射系數(shù)(相對于藍光波長和紅光波長)的第一材料，指定為輻射線的藍光波長的反射器512可為對藍光波長具有高反射系數(shù)(相對于綠光波長和紅光波長)的第二材料，且指定為輻射線的紅光波長的反射器514可為對紅光波長具有高反射系數(shù)(相對于綠光波長和藍光波長)的第三材料。

再者，在一些實施例中，反射器102、512和514是以與此矩陣的一中心間的距離成正比及/或在遠離此矩陣的此中心的方向中的方式，分別橫向偏移于光偵測器104、508和510。此橫向的偏移可例如是就光偵測器104、508和510的邊緣及/或中心與反射器102、512和514而言。在一些實施例中，光偵測器104、508和510的中心、反射器102、512和514與矩陣是指各自的足跡的質量中心。此足跡是指投影至水平面的二維投影。

請參照圖6至圖9、圖10a至圖10d、圖11a、圖11b、圖12至圖16、圖17a至圖17d、圖18a、圖18b和圖19至圖27，制造具有反射器102(請參照如圖10c、圖11a、圖17c、圖18a或圖22)的bsi影像感測器的方法的各種實施例的一系列剖視圖是被提供。

如圖6的剖視圖600所繪示的內(nèi)容，第一ild層602是形成以覆蓋隔離區(qū)域208、像素感測器106和半導體基材114。其次，在一些實施例中，第一ild層602是形成具有平面的上表面或頂表面604，及/或第一ild層602是以二氧化硅、psg或低k介電材料所形成。隔離區(qū)域208延伸至半導體基材114中，且隔離區(qū)域208是配置于光感測器106的相對側上。光感測器106包含光偵測器104，且于一些實施例中，光感測器106亦包含fdn116和轉移晶體管118。光偵測器104和fdn116是配置于半導體基材114中。轉移晶體管118包含柵極120，其中柵極120配置于半導體基材114上，且柵極120借著柵極介電層122與半導體基材114隔開。再者，轉移晶體管118包含源極區(qū)域/漏極區(qū)域，其中源極區(qū)域/漏極區(qū)域分別配置于柵極120的相對側上，以于柵極120下定義出通道區(qū)域124。源極區(qū)域/漏極區(qū)域可例如為光偵測器104和fdn116。甚者，在一些實施例中，轉移晶體管118包含側壁間隔304，且此側壁間隔304沿著柵極120的側壁表面排列。

在一些實施例中，形成第一ild層602的流程包含沉積或用別的方法生成第一ild層602于隔離區(qū)域208、像素感測器106和半導體基材114上。舉例而言，第一ild層602可例如是通過化學氣相沉積(chemicalvapordeposition；cvd)或物理氣相沉積(physicalvapordeposition；pvd)等氣相沉積方法沉積，或者利用熱氧化法生成。之后，對第一ild層602的上表面或頂表面604進行平面化。此平面化可通過化學機械研磨(chemicalmechanicalpolish；cmp)進行。

請參照圖7至圖9和圖10a至圖10d，制造具有反射器102(請參照如圖10c)的bsi影像感測器的方法的第一實施例的一系列剖視圖700至900與1000a至1000d是被提供。第一實施例可例如參考圖2a。

如圖7的剖視圖700所繪示的內(nèi)容，對第一ild層602進行第一蝕刻，以形成第一開口702。第一開口702是形成以曝露半導體基材114，并曝露隔離區(qū)域208，其中此隔離區(qū)域208是位于橫向相鄰于光偵測器104的位置。其次，第一開口702是形成以定義出反射器102(請參照如圖10c)形成于其中的反射區(qū)域，且在一些實施例中，第一開口702是形成于橫向相鄰轉移晶體管124的位置。甚者，在一些實施例中，進行第一蝕刻的流程包含沉積并圖案化第一光阻層于第一ild層602上。之后，當使用第一光阻層704做為光罩時，第一蝕刻劑706是施加于第一ild層602，以形成第一開口702。于形成第一開口702后，第一光阻層704是被移除。

如圖8的剖視圖800所繪示的內(nèi)容，透過第一開口702(請參照如圖7)對隔離區(qū)域208進行第二蝕刻，以形成第二開口802于隔離區(qū)域208中。在一些實施例中，第二開口802是受限于隔離區(qū)域208來形成，故第二開口802的側壁表面和第二開口802的下表面或底表面是與半導體基材114的整體分隔開來并隔離。其次，在一些實施例中，進行第二蝕科的流程包含沉積并圖案化第二光阻層804于第一ild層602上，且部分地填滿第一開口702，因此隔離區(qū)域208是部分地被曝露出。之后，當使用第二光阻層804做為光罩時，第二蝕刻劑806是施加于隔離區(qū)域208，以形成第二開口802。于形成第二開口802后，第二光阻層804是被移除。

如圖9的剖視圖900所繪示的內(nèi)容，第一反射層902形成以覆蓋第一ild層602，并填滿第一開口702和第二開口802(請參照如圖7與圖8)。其次，在一些實施例中，第一反射層902是形成具有平面的上表面或頂表面904，及/或第一反射層902是以鋁、銀、金、鋁銅、銅或其他金屬形成。甚者，在一些實施例中，形成第一反射層902的流程包含沉積或以其他方法生成第一反射層902，以覆蓋第一ild層602，并填滿第一開口702和第二開口802。之后，對第一反射層902的上表面或頂表面904進行平面化，以平面化第一反射層902的上表面或頂表面904。

如圖10a的剖視圖1000a所繪示的內(nèi)容，對第一反射層902進行第三蝕刻，以回蝕第一反射層902，直至第一反射層902的上表面或頂表面904大約是與隔離區(qū)域208的上表面或頂表面1002一致。在一些實施例中，進行第三蝕刻的流程包含對第一反射層902施加第三蝕刻劑1004，直至第一反射層902的上表面或頂表面904大約是與隔離區(qū)域208的上表面或頂表面1002一致。相對于第一ild層602，第三蝕刻劑1004可例如是對第一反射層902優(yōu)先的(即較為敏感)。

如圖10b的剖視圖1000b所繪示的內(nèi)容，第二反射層1006是形成以覆蓋第一ild層602，并填滿第一開口702(請參照如圖10a)。其次，在一些實施例中，第二反射層1006是形成具有平面的上表面或頂表面1008，及/或第二反射層1006是以鋁、銀、金、鋁銅、銅或其他金屬。甚者，在一些實施例中，形成第二反射層1006的流程包含沉積或以其他方法生成第二反射層1006，以覆蓋第一ild層602，并填滿第一開口702。之后，對第二反射層1006的上表面或頂表面1008進行平面化，以平面化第一反射層1006的上表面或頂表面1008。

如圖10c的剖視圖1000c所繪示的內(nèi)容，對第二反射層1006進行第四蝕刻，以回蝕第二反射層1006的上表面或頂表面1008至低于第一ild層602的上表面或頂表面604，因此第二反射層1006是限制于第一開口702中。于進行第四蝕刻后，于第一開口702和第二開口802(請參照如圖8)中的第一反射層902與第二反射層1006的區(qū)域整體地定義出反射器102。在一些實施例中，進行第四蝕刻的流程包含對第二反射層1006施加第四蝕刻劑1010，直至第二反射層1006是回蝕至第一開口702。

如圖10d的剖視圖1000d所繪示的內(nèi)容，第二ild層1012形成以填滿第一開口702(請參照如圖10c)，并具有上表面或頂表面1014，其中上表面或頂表面1014是與第一ild層602的上表面或頂表面604一致。在一些實施例中，第二ild層1012是形成以具有上表面或頂表面1014，且此上表面或頂表面1014是與第一ild層602的上表面或頂表面604共平面。其次，在一些實施例中，第二ild層1012可例如是以二氧化硅、psg或低k介電材料所形成。甚者，在一些實施例中，形成第二ild層1012的流程包含沉積或以其他方法生成第二ild層1012，以填滿第一開口702，并覆蓋第一ild層602。之后，對第二ild層1012的上表面或頂表面進行平面化，及/或第二ild層1012是回蝕。

請參照圖7至圖9、圖11a與圖11b，制造反射器102(請參照如圖11a)的方法的第二實施例的一系列剖視圖700至900、1100a和1100b是被提供。圖11a和圖11b的操作是被進行，以替代圖10a至圖10d的操作，且是于圖7至圖9的操作之后。第二實施例可例如參考圖2b。

如圖11a的剖視圖1100a所繪示的內(nèi)容，對第一反射層902進行第三蝕刻，以回蝕第一反射層902的上表面或頂表面904至低于第一ild層602的上表面或頂表面604，因此第一反射層902是受限于第一開口702和第二開口802(請參照如圖8)。于進行第三蝕刻后，于第一開口702和第二開口802(請參照如圖8)中的第一反射層902的區(qū)域定義出反射器102。在一些實施例中，進行第三蝕刻的流程包含對第一反射層902進行第三蝕刻劑1004，直至第一反射層902的上表面或頂表面904是明顯地被回蝕。

如圖11b的剖視圖1100b所繪示的內(nèi)容，第二ild層1012是形成以填滿第一開口(請參照如圖11a)，并具有上表面或頂表面1014，其中上表面或頂表面1014是與第一ild層602的上表面或頂表面604一致。其次，在一些實施例中，形成第二ild層1012的流程包含沉積或以其他方法生成第二ild層1012，且接著對第二ild層1012的上表面或頂表面1014進行平面化及/或回蝕。

請參照圖12至圖16和圖17a至圖17d，制造反射器102(請參照如圖17c)的方法的第三實施例的一系列剖視圖1200至1600和1700a至1700d是被提供。圖12至圖16和圖17a至圖17d的操作是被進行，以替代前述方法的第一實施例與第二實施例的操作，且是于圖6的操作之后。第三實施例可例如參考圖2c。

如圖12的剖視圖1200所繪示的內(nèi)容，第三光阻層1202是形成于第一ild層602上，并于光偵測器104的相對側橫向地延伸。在一些實施例中，形成第三光阻層1202的流程包含沉積第三光阻層1202于第一ild層602上，且接著利用第一光罩圖案化第三光阻層1202。

如圖13的剖視圖1300所繪示的內(nèi)容，第一回焊(reflow)或蝕刻制程是進行于第三光阻層1202上，以彎曲第三光阻層1202的上表面或頂表面1302，故上表面或頂表面1302是凸出的。在一些實施例中，第一回焊或蝕刻制程是一回焊制程，且此回焊制程包含加熱第三光阻層1202直至第三光阻層1202開始熔融且第三光阻層1202的上表面或頂表面1302彎曲時。舉例而言，回焊制程可通過以110℃至130℃的環(huán)境溫度加熱第三光阻層1202的方式來進行。

如圖14的剖視圖1400所繪示的內(nèi)容，第四光阻層1402是形成于第一ild層602上，并位于第三光阻層1202的相對側。在一些實施例中，第四光阻層1402是形成以具有厚度t1，厚度t1是大于第三光阻層1202的厚度t2，及/或第四光阻層1402是橫向地相鄰于第三光阻層1202。其次，在一些實施例中，形成第四光阻層1402的流程包含沉積第四光阻層1402于第一ild層602和第三光阻層1202上，且接著利用第二光罩圖案化第四光阻層。甚者，在一些實施例中，依照第三光阻層1202，第四光阻層1402是以相反的光阻類型所形成，因此第一光罩和第二光罩是相同的。舉例而言，第三光阻層1202可為正型光阻，且第二光阻層1402可為負型光阻，或者反的亦可。

如圖15的剖視圖1500所繪示的內(nèi)容，第五蝕刻是進行至第一ild層602中，以形成第一開口702于光偵測器104上，且第一開口702具有凸出的下表面或底表面1502。其次，第一開口702是形成，以定義反射器102(請參照如圖17c)形成于其中的反射區(qū)域，且于一些實施例中，第一開口702是形成于轉移晶體管124和隔離區(qū)域208之間。甚者，在一些實施例中，進行第五蝕刻的流程包含對第一ild層602、第三光阻層1202與第四光阻層1402(請參照如圖14)施加第五蝕刻劑1504，以形成第一開口702。第五蝕刻劑1504對第一ild層602、第三光阻層1202和第四光阻層1402是相同優(yōu)先的，因此第三光阻層1202和第四光阻層1402是被侵蝕。于形成第一開口702后，第三光阻層1202和/或第四光阻層1402是被移除。

如圖16的剖視圖1600所繪示的內(nèi)容，第一反射層902是形成，以覆蓋第一ild層602，并填滿第一開口702(請參照如圖15)。其次，在一些實施例中，第一光阻層902是形成具有平面的上表面或頂表面904。甚者，在一些實施例中，形成第一反射層902的流程包含沉積或以其他方式生成第一反射層902，且接著對第一反射層902進行平面化。

如圖17a的剖視圖1700a所繪示的內(nèi)容，第五光阻層1702是形成于第一反射層902上，并橫向延伸于光偵測器104的相對側間。在一些實施例中，形成第五光阻層1702的流程包含沉積第五光阻層1702于第一反射層902上，且接著利用第三光罩圖案化第五光阻層1702。第三光罩可例如是相同于第一光罩。

如圖17b的剖視圖1700b所繪示的內(nèi)容，第二回焊或蝕刻制程是進行于第五光阻層1702上，以彎曲第五光阻層1702的上表面或頂表面1704，故上表面或頂表面1704是凸出的。在一些實施例中，第二回焊或蝕刻制程是一回焊制程，且此回焊制程包含加熱第五光阻層1702直至第五光阻層1702開始熔融且第五光阻層1702的上表面或頂表面1704彎曲時。

如圖17c的剖視圖1700c所繪示的內(nèi)容，對第一反射層902進行第六蝕刻，以回蝕第一反射層902的上表面或頂表面904至低于第一ild層602的上表面或頂表面604，故第一反射層902是受限于第一開口702。其次，第六蝕刻彎曲第一反射層902的上表面或頂表面904，故上表面或頂表面是凸出的。于進行第六蝕刻后，第一開口702中的第一反射層902的區(qū)域定義出反射器102。在一些實施例中，進行第六蝕刻的流程包含對第一反射層902和第五光阻層1702施加第六蝕刻劑1706，直至第一反射層902是明顯地回蝕。第六蝕刻劑1706對第五光阻層1702和第一反射層902是相同優(yōu)先的，故施加第六蝕刻劑1706時，第五光阻層1702是被侵蝕并移除。

如圖17d的剖視圖1700d所繪示的內(nèi)容，第二ild層1012是形成，以填滿第一開口702(請參照如圖17c)，并具有上表面或頂表面1014，其中上表面或頂表面1014是與第一ild層602的上表面或頂表面604一致。在一些實施例中，形成第二ild層1012的流程包含沉積或以其他方式生成第二ild層1012，且接著對第二ild層1012進行平面化。

請參照圖12至圖16、圖18a和圖18b，制造反射器102(請參照如圖18a)的方法的第四實施例的一系列剖視圖1200至1600、1800a和1800b是被提供。圖18a和圖18b的操作是被進行，以替代圖17a至圖17d的操作，且是于圖12至圖16的操作之后。第四實施例可例如參考圖2d。

如圖18a的剖視圖1800a所繪示的內(nèi)容，對第一反射層902進行第六蝕刻，以回蝕第一反射層902的上表面或頂表面904至低于第一ild層602的上表面或頂表面，因此第一反射層902是受限于第一開口702。于進行第六蝕刻后，第一開口702中的第一反射層902的區(qū)域定義出反射器。在一些實施例中，進行第六蝕刻的流程包含對第一反射層902施加第六蝕刻劑1706，直至第一反射層是明顯地被回蝕。

如圖18b的剖視圖1800b所繪示的內(nèi)容，第二ild層1012是形成，以填滿第一開口702(請參照如圖18a)，并具有上表面或頂表面1014，其中上表面或頂表面1014是與第一ild層602的上表面或頂表面604一致。在一些實施例中，形成第二ild層1012的流程包含沉積或以其他方式生成第二ild層1012，且接著對第二ild層1012進行平面化。

請參照圖19至圖23，制造反射器102(請參照如圖22)的方法的第五實施例的一系列剖視圖1900至2300是被提供。圖19至圖23的操作是被進行，以替代前述方法的第一實施例、第二實施例、第三實施例與第四實施例的操作，且是于圖6的操作之后。第五實施例可例如參考圖2d。

如圖19的剖視圖1900所繪示的內(nèi)容，對第一ild層602進行第七蝕刻，以移除第一ild層602的區(qū)域，其中此區(qū)域是橫向圍繞光偵測器104。其次，第七蝕刻是被進行，以定義出反射器102(請參照如圖22)形成于其中的反射區(qū)域，且在一些實施例中，第七蝕刻是被進行，以限制第一ild層602于轉移晶體管124和隔離區(qū)域208間。甚者，在一些實施例中，進行第七蝕刻的流程包含沉積和利用第四光罩圖案化第六光阻層1902于第一ild層602上。之后，利用第六光阻層1902做為光罩時，對第一ild層602施加第七蝕刻劑1904，以移除第一ild層602的周圍區(qū)域。

如圖20的剖視圖2000所繪示的內(nèi)容，對第一ild層602進行第三回焊或蝕刻制程，以彎曲第一ild層602的上表面或頂表面604，故上表面或頂表面604是凸出的。在一些實施例中，第三回焊或蝕刻制程是一回焊制程，且此回焊制程包含加熱第一ild層602直至第一ild層602開始熔融且第一ild層602的上表面或頂表面604彎曲時。

如圖21的剖視圖2100所繪示的內(nèi)容，第一反射層902是形成，以覆蓋第一ild層602、像素感測器106和半導體基材114。其次，在一些實施例中，第一光阻層902是形成具有平面的上表面或頂表面904。甚者，在一些實施例中，形成第一反射層902的流程包含沉積或以其他方式生成第一反射層902，且接著對第一反射層902進行平面化。

如圖22的剖視圖2200所繪示的內(nèi)容，對第一反射層902進行第八蝕刻，以移除橫向圍繞光偵測器104及/或第一ild層602的第一反射層902的區(qū)域。在一些實施例中，第八蝕刻是進一步地被進行，以限制第一反射層902直接于第一ild層602上。于進行第八蝕刻后，配置于光偵測器104上的第一反射層902的區(qū)域定義出反射器102。在一些實施例中，進行第八蝕刻的流程包含沉積和利用第五光罩圖案化第七光阻層2202于第一反射層902上。第五光罩可例如是相同于第四光罩。之后，利用第七光阻層2202做為光罩時，對第一反射層902施加第八蝕刻劑2204，以移除第一反射層902的周圍區(qū)域。于移除周圍區(qū)域后，第七光阻層2202是被移除。

如圖23的剖視圖2300所繪示的內(nèi)容，第二ild層1012是形成，以覆蓋第一反射層902、像素感測器106和半導體基材114。其次，在一些實施例中，第二ild層1012是形成具有平面的上表面或頂表面1014。甚者，在一些實施例中，形成第二ild層1012的流程包含沉積或以其他方式生成第二ild層1012，且接著對第二ild層1012的上表面或頂表面1014進行平面化。

請參照圖24至圖27，依據(jù)前述實施例的一者，一系列繪示于形成反射器102(請參照如圖10c、圖11a、圖17c、圖18a或圖22)后所進行之后步驟的剖視圖2400至2700是被提供。雖然是依據(jù)圖10d的半導體結構所繪示，但此后步驟亦可進行于圖11b、圖17d、圖18b和圖23的半導體結構。

如圖24的剖視圖2400所繪示的內(nèi)容，內(nèi)連接結構306是形成于第一ild層602和第二ild層1012上，并借著接觸窗112電性耦合柵極102，其中接觸窗112由內(nèi)連接結構306，經(jīng)過第一ild層602及/或第二ild層1012，延伸至像素感測器306。在一些實施例中，接觸窗112延伸至轉移晶體管118的柵極102，及/或接觸窗112和內(nèi)連接結構306是由傳導材料所形成，其中傳導材料可例如為銅、鋁、鎢、金或其他傳導材料。其次，在一些實施例中，接觸窗112和內(nèi)連接結構306是依據(jù)類雙鑲嵌制程或類單鑲嵌制程所形成。類雙鑲嵌制程和類單鑲嵌制程分別是不限于銅的雙鑲嵌制程和單鑲嵌制程，因此其他材料可用以替代銅。

如圖25的剖視圖2500所繪示的內(nèi)容，對內(nèi)連接結構306進行第九蝕刻，以形成傳導特征310于第一ild層602和第二ild層1012上。在一些實施例中，進行第九蝕刻的流程包含沉積并圖案化于內(nèi)連接結構306上的第八光阻層2502，故第八光阻層2502遮蔽相當于傳導特征310的內(nèi)連結構306的區(qū)域。之后，利用第八光阻層2502做為遮罩，對內(nèi)連接結構306施加第九蝕刻劑2504，以形成傳導特征310。隨后，第八光阻層2502是被移除。

如圖26的剖視圖2600所繪示的內(nèi)容，第三ild層2602是形成，以覆蓋內(nèi)連接結構306、第一ild層602和第二ild層1012。其次，在一些實施例中，第三ild層2602是形成具有平面的上表面或頂表面2604，及/或第三ild層2602是由二氧化硅、psg、低k介電材料或其他介電材料所形成。甚者，在一些實施例中，形成第三ild層2602的流程包含沉積或以其他方式生成第三ild層2602，且接著對第三ild層2602進行平面化。

如圖未繪示的內(nèi)容，對于額外的內(nèi)連接結構，圖24至圖26的操作可重復進行。舉例而言，額外的內(nèi)連接結構可形成于第三ild層2602上，且額外的內(nèi)連接結構可通過內(nèi)連接窗電性耦合內(nèi)連接層306，其中內(nèi)連接窗是由額外的內(nèi)連接結構，經(jīng)由第三ild層2602，延伸至內(nèi)連接層。額外的內(nèi)連接結構可接著被進行第十蝕刻，以于第三ild層2602上形成額外的傳導特征，且第四ild層可形成，以覆蓋額外的內(nèi)連接層。

如圖27的剖視圖2700所繪示的內(nèi)容，圖26的半導體結構是旋轉180度，且保護層316是形成于半導體基材114上。在一些實施例中，保護層316是由氮化硅或二氧化硅所形成。其次，在一些實施例中，形成保護層316的流程包含沉積或通過如熱氧化或氣相沉積等其他方法生成保護層316。亦如圖27的剖視圖2700所繪示的內(nèi)容，彩色濾光層318是形成并埋藏于保護層316中，且微透鏡320是形成并覆蓋彩色濾光層318。

請參照圖28，制造具有反射器的bsi影像感測器的方法的各種實施例的流程圖2800是被提供。

于操作2802中，第一ild層是形成，以覆蓋半導體基材的第一側和配置于第一側上的像素感測器。請參照如圖6。

于操作2804中，對第一ild層進行第一蝕刻，以于像素感測器的光偵測器上形成開口。請參照如圖7或圖12至圖15。

于操作2806中，反射器形成于開口中，且于光偵測器上。請參照如圖8至10c、圖8、9與11a、圖16至17c，或者圖16與18a。

于操作2808中，第二ild層是形成，以填滿反射器上的開口。請參照如圖10d、圖11b、圖17d或圖18d。

于操作2810中，內(nèi)連接層是形成于第一ild曾和第二ild層上，且內(nèi)連接層通過接觸窗電性耦合像素感測器，其中接觸窗是由內(nèi)連接層延伸至像素感測器。請參照如圖24。

于操作2812中，對內(nèi)連接層進行第二蝕刻，以形成傳導特征。請參照如圖25。

于操作2814中，第三ild層是形成，以覆蓋內(nèi)連接層。請參照如圖26。

于操作2816中，保護層、彩色濾光層、微透鏡或上述的組合是形成于半導體基材的第二側，其中半導體基材的第二側是相對于第一側。請參照如圖27。

請參照圖29，制造具有反射器的bsi影像感測器的方法的其他實施例的流程圖2900是被提供。

于操作2902中，第一ild層是形成，以覆蓋半導體基材的第一側和配置于第一側上的像素感測器。請參照如圖6。

于操作2904中，對第一ild層型第一蝕刻，以移除橫向圍繞化素感測器的光偵測器的第一ild層的區(qū)域。請參照如圖19。

于操作2906中，回焊制程是進行于第一ild層上，以彎曲第一ild層的上表面或頂表面。請參照如圖20。

于操作2908中，反射器形成于第一ild層上。請參照如圖21和22。

于操作2910中，第二ild層是形成，以覆蓋半導體基材、像素感測器和反射器。請參照如圖23。

于操作2912中，內(nèi)連接層是形成于第一ild層和第二ild層上，且內(nèi)連接層通過接觸窗電性耦合化素感測器，其中接觸窗由內(nèi)連階層延伸至像素感測器。請參照如圖24。

于操作2914中，對內(nèi)連接層進行第二蝕刻，以形成傳導特征。請參照如圖25。

于操作2916中，第三ild層是形成，以覆蓋內(nèi)連接層。請參照如圖26。

于操作2918中，保護層、彩色濾光層、微透鏡或上述的組合是形成于半導體基材的第二側，其中半導體基材的第二側是相對于第一側。請參照如圖27。

盡管圖28和圖29所描述的方法如圖所繪示，這些操作或項目的圖示的順序并無意圖限制本發(fā)明實施例。舉例而言，一些操作可以不同的順序操作，及/或與本發(fā)明實施例所描述及/或描述的操作或項目外的操作同時進行。其次，本發(fā)明實施例的一或多種實施方式或實施例中，并非所有繪示的操作均須被實施，且本發(fā)明實施例所描述的一或多個操作可以一或多個操作及/或階段完成。

因此，如前所述，本發(fā)明實施例提供一種影像感測器。像素感測器是配置于半導體基材的底側，且像素感測器包含光偵測器，其中光偵測器配置于半導體基材內(nèi)。內(nèi)連接結構配置于半導體基材和像素感測器下，且內(nèi)連接結構包含內(nèi)連接層與接觸窗，其中接觸窗由內(nèi)連階層延伸至像素感測器。反射器配置于光偵測器下，并介于內(nèi)連接層和光偵測器間。反射器是配置以朝光偵測器反射入射輻射線。

在其他實施例中，本發(fā)明實施例提供一種制作影像感測器的方法。第一ild層是形成，以覆蓋半導體基材和配置于半導體基材上的像素感測器。對第一ild層進行蝕刻，以于像素感測器的光偵測器上形成反射區(qū)域，其中像素感測器的光偵測器是配置于半導體基材中。反射器是形成于光偵測器上，且于反射區(qū)域中。第二ild層是形成，以覆蓋反射器。內(nèi)連接層是形成于第一ild層和第二ild層上，且內(nèi)連接層電性耦合接觸窗，其中接觸窗由內(nèi)連接層延伸至像素感測器。

在另一其他實施例中，本發(fā)明實施例提供一種影像感測器。所有內(nèi)連接結構配置于半導體基材下，且內(nèi)連接結構包含堆疊于ild區(qū)域內(nèi)的傳導特征的層。光偵測器是配置于半導體基材內(nèi)。反射器是配置于光偵測器下，且介于內(nèi)連接結構和光偵測器之間。反射器是配置以朝光偵測器反射入射輻射線。

上述已概述數(shù)個實施例的特征，因此熟悉此技藝者可更了解本發(fā)明實施例的態(tài)樣。熟悉此技藝者應了解到，其可輕易地利用本發(fā)明實施例做為基礎，來設計或潤飾其他制程與結構，以實現(xiàn)與在此所介紹的實施例相同的目的及/或達到相同的優(yōu)點。熟悉此技藝者也應了解到，這類對等架構并未脫離本發(fā)明實施例的精神和范圍，且熟悉此技藝者可在不脫離本發(fā)明實施例的精神和范圍下，在此進行各種的更動、取代與修改。