本發(fā)明涉及材料處理領(lǐng)域，尤其涉及一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

納米晶磁芯是經(jīng)過(guò)母材熔煉、帶材噴制、繞制成環(huán)、熱處理等一系列環(huán)節(jié)加工而成，在不考慮帶材成分、磁芯尺寸以及形狀的情況下，熱處理對(duì)得到高性能磁芯是至關(guān)重要的。

傳統(tǒng)的熱處理方法一般都是在熱處理過(guò)程中從室溫開(kāi)始加熱，按照預(yù)定的加熱曲線進(jìn)行升溫和保溫，最后隨爐冷卻至室溫再出爐。但因升溫速率慢且從室溫開(kāi)始加熱的過(guò)程所耗費(fèi)的時(shí)間長(zhǎng)并導(dǎo)致生產(chǎn)周期長(zhǎng)、批量處理效力低從而造成耗時(shí)耗力。并且由于熱處理時(shí)間長(zhǎng)，磁芯內(nèi)部磁晶在較長(zhǎng)的不可控時(shí)間內(nèi)易產(chǎn)生各向異性，從而使得所得磁芯的有效磁導(dǎo)率低，不利于磁芯獲得高的性能。因此急需研究合適的熱處理方法，來(lái)縮短熱處理時(shí)間，并使得磁芯在一定頻率范圍內(nèi)的性能穩(wěn)定，去除不利影響，提高磁芯的有效磁導(dǎo)率和抗干擾能力，減少資源浪費(fèi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法和系統(tǒng)，通過(guò)提高入爐溫度以及升溫速率，從而縮短熱處理時(shí)間，能夠在一定程度上有效的控制磁芯內(nèi)部的磁有序化，減小磁晶各向異性，提高磁芯的性能。

本發(fā)明的一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法，包括：

啟動(dòng)加熱系統(tǒng)；

加熱系統(tǒng)設(shè)置預(yù)定溫度T0，并將預(yù)定溫度信息發(fā)送給熱處理爐；

熱處理爐控制爐腔從室溫加熱到預(yù)定溫度T0；

熱處理爐的爐腔內(nèi)放入繞制好的磁芯，關(guān)閉爐腔門(mén)；

加熱系統(tǒng)啟動(dòng)抽氣程序；

熱處理爐將爐腔內(nèi)空氣抽出至真空狀；

加熱系統(tǒng)啟動(dòng)注入氣體程序；

熱處理爐向爐腔內(nèi)注入氣體；

加熱系統(tǒng)啟動(dòng)第一升溫加速程序，設(shè)定第一升溫速率v1、加熱第一目標(biāo)溫度T1和第一保溫時(shí)間t1；

熱處理爐對(duì)磁芯以均勻的第一升溫速率v1加熱到第一目標(biāo)溫度T1，并保溫t1分鐘；

加熱系統(tǒng)啟動(dòng)第二升溫加速程序，設(shè)定第二升溫速率v2、加熱第二目標(biāo)溫度T2和第二保溫時(shí)間t2；

熱處理爐對(duì)磁芯以均勻的第二升溫速率v2加熱到第二目標(biāo)溫度T2，并保溫t2分鐘；

加熱系統(tǒng)啟動(dòng)降溫程序，設(shè)置第三目標(biāo)溫度T3；

熱處理爐將爐腔內(nèi)的磁芯隨爐冷卻至第三目標(biāo)溫度T3；

熱處理爐的爐腔內(nèi)取出磁芯，并在空氣中冷卻至室溫。

可選的，

預(yù)定溫度T0≥200℃。

可選的，

熱處理爐的爐腔內(nèi)注入的氣體為惰性氣體。

可選的，

第一升溫速率v1≥10℃/min；

第一目標(biāo)溫度T1為510℃；

第一保溫時(shí)間t1為15min。

可選的，

第二升溫速率v2≥1℃/min；

第二目標(biāo)溫度T2為560℃；

第二保溫時(shí)間t2為60min。

可選的，

第三目標(biāo)溫度為300℃。

可選的，

磁芯包括高頻低損耗Fe-Nb-Cu-Si-B快淬軟磁鐵基納米晶合金。

可選的，

制備出的磁芯在1KHz-100KHz的頻率范圍內(nèi)，其有效磁導(dǎo)率的數(shù)值均在40000以上。

一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理系統(tǒng)，包括：

加熱系統(tǒng)和熱處理爐；

加熱系統(tǒng)包括：

第一啟動(dòng)單元，用于啟動(dòng)加熱程序；

第一控制單元，用于設(shè)置預(yù)定溫度T0；

第二啟動(dòng)單元，用于啟動(dòng)抽氣程序；

第三啟動(dòng)單元，用于啟動(dòng)注入氣體程序；

第四啟動(dòng)單元，用于啟動(dòng)第一升溫加速程序；

第五啟動(dòng)單元，用于啟動(dòng)升溫加速程序；

第六啟動(dòng)單元，用于啟動(dòng)降溫程序；

熱處理爐包括：

第一調(diào)溫單元，用于將爐腔從室溫加熱到預(yù)定溫度T0；

放置單元，用于將磁芯放入爐腔內(nèi)；

抽氣單元，用于將爐腔內(nèi)空氣抽出至真空；

注氣單元，用于向爐腔內(nèi)注入氣體；

第二調(diào)溫單元，用于將爐腔內(nèi)的磁芯以第一升溫速率v1升溫至第一目標(biāo)溫度T1，并在t1時(shí)間內(nèi)保持第一目標(biāo)溫度T1不變；

第三調(diào)溫單元，用于將爐腔內(nèi)的磁芯以第二升溫速率v2升溫至第二目標(biāo)溫度T2，并在t2時(shí)間內(nèi)保持第二目標(biāo)溫度T2不變；

第四調(diào)溫單元，用于將爐腔連通爐腔內(nèi)的磁芯一同降溫至第三目標(biāo)溫度T3；

取出單元，用于將磁芯從爐腔內(nèi)取出。

從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明的一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法，包括：?jiǎn)?dòng)加熱系統(tǒng)；加熱系統(tǒng)設(shè)置預(yù)定溫度T0，并將預(yù)定溫度信息發(fā)送給熱處理爐；熱處理爐控制爐腔從室溫加熱到預(yù)定溫度T0；熱處理爐的爐腔內(nèi)放入繞制好的磁芯，關(guān)閉爐腔門(mén)；加熱系統(tǒng)啟動(dòng)抽氣程序；熱處理爐將爐腔內(nèi)空氣抽出至真空狀；加熱系統(tǒng)啟動(dòng)注入氣體程序；熱處理爐向爐腔內(nèi)注入氣體；加熱系統(tǒng)啟動(dòng)第一升溫加速程序，設(shè)定第一升溫速率v1、加熱第一目標(biāo)溫度T1和第一保溫時(shí)間t1；熱處理爐對(duì)磁芯以均勻的第一升溫速率v1加熱到第一目標(biāo)溫度T1，并保溫t1分鐘；加熱系統(tǒng)啟動(dòng)第二升溫加速程序，設(shè)定第二升溫速率v2、加熱第二目標(biāo)溫度T2和第二保溫時(shí)間t2；熱處理爐對(duì)磁芯以均勻的第二升溫速率v2加熱到第二目標(biāo)溫度T2，并保溫t2分鐘；加熱系統(tǒng)啟動(dòng)降溫程序，設(shè)置降溫目標(biāo)溫度T3；熱處理爐將爐腔內(nèi)的磁芯隨爐冷卻至目標(biāo)溫度T3；熱處理爐的爐腔內(nèi)取出磁芯，并在空氣中冷卻至室溫。加熱系統(tǒng)控制熱處理爐的升降溫的溫度、升降溫的速率、保溫時(shí)間等因素，啟動(dòng)加熱系統(tǒng)后，熱處理爐升溫到預(yù)定溫度T0，提高了入爐溫度；在熱處理爐內(nèi)放入磁芯后，采取先抽氣至真空再注入惰性氣體能有效保護(hù)磁芯在升溫過(guò)程中無(wú)雜質(zhì)干擾，從而保正制品純度；分兩次設(shè)定不同的升溫速率、目標(biāo)溫度和保溫時(shí)間，使整個(gè)熱處理過(guò)程在一定程度上有效的抑制磁芯內(nèi)部的磁有序，減小磁晶各向異性，提高材料的軟磁性能；降溫過(guò)程采取先降至目標(biāo)溫度T3，再在空氣中冷卻的方法能快速大幅降低磁芯的溫度，從而降低熱處理時(shí)間和熱處理成本。有效解決了傳統(tǒng)熱處理方法所耗費(fèi)的時(shí)間長(zhǎng)并導(dǎo)致生產(chǎn)周期長(zhǎng)、批量處理效力低從而造成耗時(shí)耗力的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明中一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法實(shí)施例的流程圖；

圖2為本發(fā)明中一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理系統(tǒng)實(shí)施例的流程圖；

圖3為本發(fā)明中一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法的工藝曲線圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的目的是提供一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法和系統(tǒng)，通過(guò)提高入爐溫度以及升溫速率，從而縮短熱處理時(shí)間，能夠在一定程度上有效的控制磁芯內(nèi)部的磁有序化，減小磁晶各向異性，提高磁芯的性能。

下面參閱圖1-圖2，對(duì)本發(fā)明中的一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法和系實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明：

本發(fā)明的一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法實(shí)施例，包括：

101、啟動(dòng)加熱系統(tǒng)；

102、加熱系統(tǒng)設(shè)置預(yù)定溫度T0，并將預(yù)定溫度信息發(fā)送給熱處理爐；

103、熱處理爐控制爐腔從室溫加熱到預(yù)定溫度T0；

104、熱處理爐的爐腔內(nèi)放入繞制好的磁芯，關(guān)閉爐腔門(mén)；

105、加熱系統(tǒng)啟動(dòng)抽氣程序；

106、熱處理爐將爐腔內(nèi)空氣抽出至真空狀；

107、加熱系統(tǒng)啟動(dòng)注入氣體程序；

108、熱處理爐向爐腔內(nèi)注入氣體；

109、加熱系統(tǒng)啟動(dòng)第一升溫加速程序，設(shè)定第一升溫速率v1、加熱第一目標(biāo)溫度T1和第一保溫時(shí)間t1；

110、熱處理爐對(duì)磁芯以均勻的第一升溫速率v1加熱到第一目標(biāo)溫度T1，并保溫t1分鐘；

111、加熱系統(tǒng)啟動(dòng)第二升溫加速程序，設(shè)定第二升溫速率v2、加熱第二目標(biāo)溫度T2和第二保溫時(shí)間t2；

112、熱處理爐對(duì)磁芯以均勻的第二升溫速率v2加熱到第二目標(biāo)溫度T2，并保溫t2分鐘；

113、加熱系統(tǒng)啟動(dòng)降溫程序，設(shè)置降溫目標(biāo)溫度T3；

114、熱處理爐將爐腔內(nèi)的磁芯隨爐冷卻至目標(biāo)溫度T3；

115、熱處理爐的爐腔內(nèi)取出磁芯，并在空氣中冷卻至室溫。

本實(shí)施例中，如圖1，加熱系統(tǒng)控制熱處理爐的升降溫的溫度、升降溫的速率、保溫時(shí)間等因素，啟動(dòng)加熱系統(tǒng)后，熱處理爐升溫到預(yù)定溫度T0，提高了入爐溫度；在熱處理爐內(nèi)放入磁芯后，采取先抽氣至真空再注入惰性氣體能有效保護(hù)磁芯在升溫過(guò)程中無(wú)雜質(zhì)干擾，從而保正制品純度；分兩次設(shè)定不同的升溫速率、目標(biāo)溫度和保溫時(shí)間，使整個(gè)熱處理過(guò)程在一定程度上有效的抑制磁芯內(nèi)部的磁有序，減小磁晶各向異性，提高材料的軟磁性能；降溫過(guò)程采取先降至目標(biāo)溫度T3，再在空氣中冷卻的方法能快速大幅降低磁芯的溫度，從而降低熱處理時(shí)間和熱處理成本。有效解決了傳統(tǒng)熱處理方法所耗費(fèi)的時(shí)間長(zhǎng)并導(dǎo)致生產(chǎn)周期長(zhǎng)、批量處理效力低從而造成耗時(shí)耗力的問(wèn)題。

下面對(duì)本發(fā)明的一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法實(shí)施例做進(jìn)一步說(shuō)明，預(yù)定溫度T0≥200℃。

本實(shí)施例中，磁芯入爐前，熱處理爐的爐腔預(yù)定溫度T0設(shè)定為200℃以上能有效縮短熱處理時(shí)間，具體溫度可根據(jù)需要制備的磁芯的使用范圍設(shè)定。

下面對(duì)本發(fā)明的一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法實(shí)施例做進(jìn)一步說(shuō)明，熱處理爐的爐腔內(nèi)注入的氣體為惰性氣體。

本實(shí)施例中，抽去熱處理爐內(nèi)原有的空氣至真空狀態(tài)，再注入惰性氣體能有效保護(hù)磁芯在升溫制備的過(guò)程中不受其它雜質(zhì)的影響，能有效保護(hù)和控制磁芯的純度。

下面對(duì)本發(fā)明的一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法實(shí)施例做進(jìn)一步說(shuō)明，第一升溫速率v1≥10℃/min；第一目標(biāo)溫度T1為510℃；第一保溫時(shí)間t1為15min。

本實(shí)施例中，根據(jù)預(yù)定溫度T0和第一目標(biāo)溫度T1的差距設(shè)定升溫速率v1，即能夠有效的控制達(dá)到第一目標(biāo)溫度T1的時(shí)間，達(dá)到第一目標(biāo)溫度T1后在t1時(shí)間內(nèi)保持此溫度，即實(shí)現(xiàn)有效、快速地提升溫度。

下面對(duì)本發(fā)明的一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法實(shí)施例做進(jìn)一步說(shuō)明，第二升溫速率v2≥1℃/min；第二目標(biāo)溫度T2為560℃；第二保溫時(shí)間t2為60min。

本實(shí)施例中，根據(jù)預(yù)定溫度T1和第二目標(biāo)溫度T2的差距設(shè)定升溫速率v2，即能夠有效的控制達(dá)到第二目標(biāo)溫度T2的時(shí)間，達(dá)到第二目標(biāo)溫度T2后在t2時(shí)間內(nèi)保持此溫度，即實(shí)現(xiàn)有效、快速地提升溫度。這種逐步升溫，提高熱處理速率的方法，使整個(gè)熱處理過(guò)程在一定程度上有效的抑制磁芯內(nèi)部的磁有序，減小磁晶各向異性，提高材料的軟磁性能。

下面對(duì)本發(fā)明的一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法實(shí)施例做進(jìn)一步說(shuō)明，降溫目標(biāo)溫度為300℃。

本實(shí)施例中，若直接將制備成的磁芯放到室溫下冷卻需要耗費(fèi)大量時(shí)間，有效解決了傳統(tǒng)熱處理方法所耗費(fèi)的時(shí)間長(zhǎng)并導(dǎo)致生產(chǎn)周期長(zhǎng)、批量處理效力低從而造成耗時(shí)耗力的問(wèn)題。

下面對(duì)本發(fā)明的一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法實(shí)施例做進(jìn)一步說(shuō)明，磁芯包括高頻低損耗Fe-Nb-Cu-Si-B快淬軟磁鐵基納米晶合金。

本實(shí)施例中，高頻低損耗Fe-Nb-Cu-Si-B快淬軟磁鐵基納米晶合金具有良好的溫度穩(wěn)定性。

下面對(duì)本發(fā)明的一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理方法實(shí)施例做進(jìn)一步說(shuō)明，制備出的磁芯在1KHz-100KHz的頻率范圍內(nèi)，其有效磁導(dǎo)率的數(shù)值均在40000以上。

本實(shí)施例中，所制備磁芯的在1KHz-100KHz頻率范圍內(nèi)的有效磁導(dǎo)率為所公開(kāi)發(fā)表的最高，且在1KHz測(cè)試頻率下，其數(shù)值在100000以上；在100KHz測(cè)試頻率下，其數(shù)值在40000以上。此種磁芯具有高磁導(dǎo)率、低矯頑力、低損耗、穩(wěn)定性高、適用范圍廣，如互感器、電抗器、電感器、功率開(kāi)關(guān)電源、逆變電源、磁放大器、高頻變壓器、高頻變換器、高頻扼流圈、漏電保護(hù)開(kāi)關(guān)、共模電感等均可應(yīng)用。

本發(fā)明的一種制備高性能鐵基納米晶合金磁芯的熱處理系統(tǒng)實(shí)施例，包括：

加熱系統(tǒng)201和熱處理爐202；

加熱系統(tǒng)201包括：

第一啟動(dòng)單元2011，用于啟動(dòng)加熱程序；

第一控制單元2012，用于設(shè)置預(yù)定溫度T0；

第二啟動(dòng)單元2013，用于啟動(dòng)抽氣程序；

第三啟動(dòng)單元2014，用于啟動(dòng)注入氣體程序；

第四啟動(dòng)單元2015，用于啟動(dòng)第一升溫加速程序；

第五啟動(dòng)單元2016，用于啟動(dòng)升溫加速程序；

第六啟動(dòng)單元2017，用于啟動(dòng)降溫程序；

熱處理爐202包括：

第一調(diào)溫單元2021，用于將爐腔從室溫加熱到預(yù)定溫度T0；

放置單元2022，用于將磁芯放入爐腔內(nèi)；

抽氣單元2023，用于將爐腔內(nèi)空氣抽出至真空；

注氣單元2024，用于向爐腔內(nèi)注入氣體；

第二調(diào)溫單元2025，用于將爐腔內(nèi)的磁芯以第一升溫速率v1升溫至第一目標(biāo)溫度T1，并在t1時(shí)間內(nèi)保持第一目標(biāo)溫度T1不變；

第三調(diào)溫單元2026，用于將爐腔內(nèi)的磁芯以第二升溫速率v2升溫至第二目標(biāo)溫度T2，并在t2時(shí)間內(nèi)保持第二目標(biāo)溫度T2不變；

第四調(diào)溫單元2027，用于將爐腔連通爐腔內(nèi)的磁芯一同降溫至目標(biāo)溫度T3；

取出單元2028，用于將磁芯從爐腔內(nèi)取出。

本實(shí)施例中，如圖2，加熱系統(tǒng)201的第一啟動(dòng)單元2011啟動(dòng)加熱程序，第一控制單元2012設(shè)置預(yù)定溫度T0；熱處理爐202的第一調(diào)溫單元2021將爐腔從室溫加熱到預(yù)定溫度T0，放置單元2022將磁芯放入爐腔內(nèi)；加熱系統(tǒng)201的第二啟動(dòng)單元2013啟動(dòng)抽氣程序，熱處理爐202的抽氣單元2023將爐腔內(nèi)空氣抽出至真空；加熱系統(tǒng)201的第三啟動(dòng)單元2014啟動(dòng)注入氣體程序，熱處理爐202的注氣單元2024向爐腔內(nèi)注入氣體；加熱系統(tǒng)201的第四啟動(dòng)單元2015啟動(dòng)第一升溫加速程序，熱處理爐202的第二調(diào)溫單元2025將爐腔內(nèi)的磁芯以第一升溫速率v1升溫至第一目標(biāo)溫度T1，并在t1時(shí)間內(nèi)保持第一目標(biāo)溫度T1不變；加熱系統(tǒng)201的第五啟動(dòng)單元2016啟動(dòng)升溫加速程序，熱處理爐202的第三調(diào)溫單元2026將爐腔內(nèi)的磁芯以第二升溫速率v2升溫至第二目標(biāo)溫度T2，并在t2時(shí)間內(nèi)保持第二目標(biāo)溫度T2不變；加熱系統(tǒng)201的第六啟動(dòng)單元2017啟動(dòng)降溫程序；熱處理爐202的第四調(diào)溫單元2027將爐腔連通爐腔內(nèi)的磁芯一同降溫至目標(biāo)溫度T3，取出單元2028將磁芯從爐腔內(nèi)取出。加熱系統(tǒng)201控制熱處理爐202的升降溫的溫度、升降溫的速率、保溫時(shí)間等因素，逐步提高爐腔溫度，在制成磁芯后先降溫再冷卻，整個(gè)系統(tǒng)可控性強(qiáng)、制備過(guò)程完整有序，縮短熱處理周期效果明顯。

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡(jiǎn)潔，上述描述的系統(tǒng)，裝置和單元的具體工作過(guò)程，可以參考前述方法實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)過(guò)程，在此不再贅述。

在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)，裝置和方法，可以通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不處理。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過(guò)一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機(jī)械或其它的形式。

所述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是或者也可以不是物理上分開(kāi)的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。

所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷(xiāo)售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。基于這樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：U盤(pán)、移動(dòng)硬盤(pán)、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

以上所述，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。