本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片加工，尤其涉及半導(dǎo)體的磁力噴墨測試工藝。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展，急需一種能夠快速剔除不良品晶粒的作業(yè)方式，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，保證產(chǎn)品供應(yīng)的及時性，提升企業(yè)形象，增強企業(yè)競爭力。
半導(dǎo)體晶片采用測試機進行測試時，對晶片的電性進行噴墨分選，區(qū)分出良品和不良品晶粒。在現(xiàn)有微電子行業(yè)半導(dǎo)體制程中，例如：GPP晶片(具有玻璃鈍化保護P/N結(jié)的類型晶片)在激光切割硅片后，對呈現(xiàn)半切透狀態(tài)的硅片進行分裂，將整個硅片分割成符合要求的單個小晶粒，再手工將不良品晶粒一顆顆剔除，人工耗費極大，生產(chǎn)效率低下，制造成本極高，同時需要建立真空系統(tǒng)，增加成本，同時被吸進去的雙面鍍金晶粒無法回收，再次造成經(jīng)濟上的損失。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明針對以上問題，提供了一種操作簡單，能夠高效快速剔除不合格晶粒的應(yīng)用于半導(dǎo)體的磁力噴墨測試工藝。
本發(fā)明的技術(shù)方案是：包括以下步驟：
S1、先激光切割晶片呈半切透狀，形成若干待分離的晶粒；
S2、測試晶粒，區(qū)分不合格晶粒；
S3、磁性墨水配制；
S4、晶片噴墨，對不合格晶粒進行噴墨；
S5、烘干，將噴墨后的晶片放置在烘箱內(nèi)，烘箱溫度為80-100℃，時間為15-25min；
S6、裂片，將待裂晶片放置在兩張防靜電麥拉紙之間，再通過硬質(zhì)膠棒滾碾晶片，使其分裂成若干晶粒；
S7、磁鐵吸附帶墨水的不合格晶粒，完成。
步驟S3、磁性墨水配制；
S3.1、原料準備，包括Fe3O4粉末8-15g、酒精150-220ml和墨水400-600ml；
S3.2、原料混合，將Fe3O4粉末溶于盛放墨水的容器，再將酒精加入容器；
S3.3、原料攪拌，攪拌時間為3-6h，溫度為15-30℃；
S3.4、靜置、完成。
還包括表面活性劑，將表面活性劑加入步驟S3.2中的容器內(nèi)。
本發(fā)明在工作中，先將晶片切割呈半切透狀；通過探針臺測試區(qū)分不合格晶粒；配制磁性墨水；對不合格晶粒通過探針臺進行噴墨；晶片烘干，將磁性墨水烘干，便于后續(xù)操作；裂片，將晶片分裂成若干晶粒；最后，通過磁鐵吸附不合格晶粒，完成加工過程，節(jié)省了時間，提高了工作效率。在磁性墨水配制過程中，F(xiàn)e3O4粉末具有磁性的作用，墨水起到標(biāo)記不合格晶粒的作用，酒精起到稀釋和溶解的作用，成本低，方便加工。
本發(fā)明降低了生產(chǎn)成本，提高了工作效率，成品率高。
具體實施方式
本發(fā)明包括以下步驟：
S1、先激光切割晶片呈半切透狀（即切割道深及晶片但未貫穿晶片），形成若干待分離的晶粒；
S2、測試晶粒，區(qū)分不合格晶粒，采用探針臺進行測試；
S3、磁性墨水配制；
S4、晶片噴墨，對不合格晶粒進行噴墨，采用探針臺進行自動噴墨；配制的磁性墨水通過溶劑的稀釋和攪拌實現(xiàn)良好的粘稠狀態(tài)，將墨水噴至在芯片的正中心位置；
S5、烘干，將噴墨后的晶片放置在烘箱內(nèi)，烘箱溫度為80-100℃，時間為15-25min；
S6、裂片，將待裂晶片放置在兩張防靜電麥拉紙之間，再通過硬質(zhì)膠棒滾碾晶片，使其分裂成若干晶粒；麥拉紙防止靜電，晶粒由于靜電作用被吸附，從而造成飛料，引起混料等異常。
S7、磁鐵吸附帶墨水的不合格晶粒，完成；通過帶有磁性的磁鐵吸附，由于磁性墨水中的Fe3O4粉末具有金屬特性，使得吸附可靠，便于分離。
酒精的作用是稀釋和溶解作用；一是將墨水充分溶解于酒精中；二是對Fe3O4粉末起到稀釋的作用。
步驟S3、磁性墨水配制；
S3.1、原料準備，包括Fe3O4粉末8-15g、酒精150-220ml和墨水400-600ml；
S3.2、原料混合，將Fe3O4粉末溶于盛放墨水的容器，再將酒精加入容器；
S3.3、原料攪拌，攪拌時間為3-6h，溫度為15-30℃；
S3.4、靜置、完成。Fe3O4粉末具有磁性的作用，墨水起到標(biāo)記不合格晶粒的作用。使用前需要充分攪拌至少10min以上。
應(yīng)用中，包括Fe3O4粉末10g、酒精180ml和墨水500ml；將Fe3O4粉末溶于盛放墨水的容器，再將酒精加入容器；攪拌時間為4h，溫度為20℃；靜置，完成。
還包括表面活性劑，將表面活性劑加入步驟S3.2中的容器內(nèi)。表面活性劑具有消除晶片表面張力的作用，便于清洗（在晶粒發(fā)生誤操作噴墨時），還能避免發(fā)生晶片氧化腐蝕的作用。