技術(shù)總結(jié)
一種管式PECVD沉積氮化硅的工藝，使用兩步鍍膜，鍍第一層膜時使用的溫度低于鍍第二層膜時使用的溫度。本發(fā)明提供的沉積工藝提高管式PECVD沉積氮化硅薄膜對晶硅太陽電池的鈍化減反射效果以及降低工藝時間。

技術(shù)研發(fā)人員：陳文浩;王冕;奚彬;劉仁中
受保護的技術(shù)使用者：奧特斯維能源（太倉）有限公司
文檔號碼：201610748278
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.29
技術(shù)公布日：2017.01.04