1.一種圖形化導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，首先在襯底上采用點(diǎn)膠工藝形成預(yù)定圖形的聚合物掩模，然后對該襯底進(jìn)行氧等離子或是紫外光照射處理以提高親水性，再通過溶液工藝在附有所述聚合物掩模的襯底上制備導(dǎo)電薄膜，最后將該聚合物掩模從所述襯底上剝離，從而得到圖形化的導(dǎo)電薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形化導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述的聚合物掩模的預(yù)定圖形通過自動化點(diǎn)膠設(shè)備中軟件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形化導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述襯底為玻璃襯底或柔彈性聚合物襯底，該柔彈性聚合物襯底的材料為聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚苯二甲酸二醇酯、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚砜、聚碳酸酯、聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、鉑催化硅膠或紫外固化膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形化導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，在所述襯底的表面修飾有分離層以增強(qiáng)所述聚合物掩模從該襯底上剝離的效果，所述分離層的材料為三氯硅烷、全氟辛基三氯硅烷或全氟已基三氯硅烷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形化導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述的聚合物掩模的材料為聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、鉑催化硅膠或紫外固化膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖形化導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，在襯底上采用點(diǎn)膠工藝形成聚二甲基硅氧烷、聚氨酯或鉑催化硅膠聚合物掩模時對該襯底進(jìn)行加熱，所述襯底溫度為20-100℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖形化導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，在襯底上采用點(diǎn)膠工藝形成紫外固化膠掩模時，在點(diǎn)膠的同時進(jìn)行紫外光照射。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形化導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電薄膜的材料為pH值酸性或中性的PEDOT：PSS、PPy、單層或多層石墨烯、石墨、炭黑、單壁或多壁碳納米管、金屬納米線和直徑為5～300nm的金屬氧化物的納米顆粒中的一種或幾種的組合，所述金屬納米線的材質(zhì)為金、銀、銅、鋁或鎳，所述金屬氧化物為ITO或FTO。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖形化導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述的pH值酸性的PEDOT：PSS的pH值在1～2.5之間，其中PEDOT與PSS的質(zhì)量比為1:2.5～1:6；所述pH值中性的PEDOT：PSS為所述pH值酸性的PEDOT：PSS經(jīng)有機(jī)堿中和后形成的產(chǎn)物。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖形化導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述的有機(jī)堿為氨基甲脒、甲胺、乙胺、乙醇胺、乙二胺、二甲胺、三甲胺、三乙胺、丙胺、異丙胺、1,3-丙二胺、1,2-丙二胺、三丙胺、三乙醇胺、丁胺、異丁胺、叔丁胺、己胺、辛胺、苯胺、芐胺、環(huán)己胺、吡啶和六亞甲基四胺中的一種或幾種的組合。