1.一種SONOS器件，包括：P型襯底上部的N型輕摻雜耗盡區(qū)，N型輕摻雜耗盡區(qū)兩側(cè)的N型重?fù)诫s區(qū)，順序排布的氧化層、氮化硅層和氧化層形成ONO結(jié)構(gòu)，ONO結(jié)構(gòu)分別位于N型輕摻雜耗盡區(qū)和柵極多晶硅之間以及柵極多晶硅的兩側(cè)；其特征在于：所述N型輕摻雜耗盡區(qū)是左右非對稱結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述SONOS器件，其特征在于：所述N型輕摻雜耗盡區(qū)是通過兩次N型離子注入形成的。
3.如權(quán)利要求1所述SONOS器件，其特征在于：所述N型輕摻雜耗盡區(qū)非對稱結(jié)構(gòu)為靠近源端一側(cè)的N型輕摻雜耗盡區(qū)寬度大于靠近漏端一側(cè)的N型輕摻雜耗盡區(qū)寬度。
4.一種如權(quán)利要求1所述SONOS器件的制造方法，其特征在于，包括：
步驟1、在P型襯底涂光刻膠，去除部分光刻膠形成注入窗口，進(jìn)行第一次N型離子注入形成第一N型注入?yún)^(qū)，并進(jìn)行熱擴(kuò)散處理；
步驟2、去除步驟1中剩余的光刻膠，進(jìn)行第二次N型離子注入，形成第二N型注入?yún)^(qū)，第一N型注入?yún)^(qū)和第二N型注入?yún)^(qū)共同構(gòu)成N型輕摻雜區(qū)；
步驟3、依次淀積氧化層、氮化硅層和氧化層形成第一ONO結(jié)構(gòu)，在第一ONO結(jié)構(gòu)上淀積柵極多晶硅；
步驟4、逐層刻蝕形成柵極多晶硅；
步驟5、經(jīng)氧化熱過程在柵極多晶硅的側(cè)壁形成氧化層，氧化層形成后，進(jìn)行LDD注入；
步驟6、在柵極多晶硅兩側(cè)淀積氮化硅層后，進(jìn)行第三次N型離子注入，形成N型重?fù)诫s區(qū)；
步驟7、淀積氧化層，與步驟5中的形成的熱氧化層、步驟6中淀積的氮化硅層分別形成了第二、第三ONO結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求4所述SONOS器件的制造方法，其特征在于：進(jìn)行第一次N型離子注入為能量范圍為15kev-75kev,劑量范圍是2*1012cm-2～8*1012cm-2。
6.如權(quán)利要求4所述SONOS器件的制造方法，其特征在于：進(jìn)行第二次N型離子注入為能量范圍為10kev-30kev,劑量范圍是1012cm-2～5*1012cm-2。
7.如權(quán)利要求5或6所述SONOS器件的制造方法，其特征在于：注入N型離子為砷離子。